JP5649869B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
高さ方向の長さが底辺の長さの2倍よりも大きくかつ45度の角度を有する第1の平行四辺形の図形データを記憶する記憶部と、
底辺の長さを分割長さとし、高さ方向と平行する2方向と、前記底辺方向と平行する2方向と、のうちのいずれか一方の2方向を第1と第2の分割方向として、第1と第2の分割方向の両方向から平行四辺形を残りの分割方向長さが底辺の長さよりも短くなるまで分割長さで分割する第1の分割部と、
底辺の長さで分割されて新たに形成された前記底辺の長さの高さを有する複数の第2の平行四辺形をそれぞれ2つの直角2等辺三角形に分割する第2の分割部と、
新たに形成された複数の直角2等辺三角形になるように荷電粒子ビームを可変成形して、成形された荷電粒子ビームを用いて、第1の平行四辺形を試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
描画部は、閾値以下と判定された残りの平行四辺形を長方形として描画するように構成しても好適である。
高さ方向の長さと底辺の長さの一方が他方の2倍よりも大きくかつ45度の角度を有する第1の平行四辺形の図形データを記憶装置に記憶する工程と、
記憶装置から第1の平行四辺形の図形データを読み出し、上述した他方の長さを分割長さとし、高さ方向と平行する2方向と、前記底辺方向と平行する2方向と、のうちのいずれか一方の2方向を第1と第2の分割方向として、第1と第2の分割方向の両方向から平行四辺形を残りの分割方向長さが他方の長さよりも短くなるまで分割長さで分割する工程と、
上述した他方の長さで分割されて新たに形成された前記他方の長さの高さを有する複数の第2の平行四辺形をそれぞれ2つの直角2等辺三角形に分割する工程と、
新たに形成された複数の直角2等辺三角形になるように荷電粒子ビームを可変成形して、成形された荷電粒子ビームを用いて、第1の平行四辺形を試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、y方向に分割した後にx方向に分割したが、これに限るものではない。実施の形態2では、その順序を逆にした場合を説明する。描画装置の構成は図1と同様である。描画方向のフリーチャートは、y方向分割工程(S104)とx方向分割工程(S108)との順序を逆にした点以外は図3と同様である。また、以下に説明する内容以外の内容は実施の形態1と同様である。
20 ストライプ領域
30,40,50,70,80 平行四辺形
42,44,52,54,60,72,74,82,84 直角2等辺三角形
56,86 矩形
58,88 長方形
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
111 メモリ
112 振分部
114 x方向分割部
115 判定部
116 y方向分割部
118 ショットデータ生成部
119 ショット分割部
120 制御回路
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 高さ方向の長さが底辺の長さの2倍よりも大きくかつ45度の角度を有する第1の平行四辺形の図形データを記憶する記憶部と、
前記底辺の長さを分割長さとし、前記高さ方向と平行する2方向と、前記底辺方向と平行する2方向と、のうちのいずれか一方の2方向を第1と第2の分割方向として、前記第1と第2の分割方向の両方向から前記平行四辺形を残りの分割方向長さが前記底辺の長さよりも短くなるまで前記分割長さで分割する第1の分割部と、
前記底辺の長さで分割されて新たに形成された前記底辺の長さの高さを有する複数の第2の平行四辺形をそれぞれ2つの直角2等辺三角形に分割する第2の分割部と、
新たに形成された複数の直角2等辺三角形になるように荷電粒子ビームを可変成形して、成形された荷電粒子ビームを用いて、前記第1の平行四辺形を試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記第1と第2の分割部の少なくとも一方は、分割方向長さが前記底辺の長さよりも短く残った残りの平行四辺形を2つの直角2等辺三角形と1つの四角形に分割することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 分割方向長さが前記底辺の長さよりも短く残った残りの平行四辺形について、前記分割方向長さが閾値以下かどうかを判定する判定部をさらに備え、
前記描画部は、閾値以下と判定された前記残りの平行四辺形を長方形として描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 高さ方向の長さと底辺の長さの一方が他方の2倍よりも大きくかつ45度の角度を有する第1の平行四辺形の図形データを記憶装置に記憶する工程と、
前記記憶装置から前記第1の平行四辺形の図形データを読み出し、前記他方の長さを分割長さとし、前記高さ方向と平行する2方向と、前記底辺方向と平行する2方向と、のうちのいずれか一方の2方向を第1と第2の分割方向として、前記第1と第2の分割方向の両方向から前記平行四辺形を残りの分割方向長さが前記他方の長さよりも短くなるまで前記分割長さで分割する工程と、
前記他方の長さで分割されて新たに形成された前記他方の長さの高さを有する複数の第2の平行四辺形をそれぞれ2つの直角2等辺三角形に分割する工程と、
新たに形成された複数の直角2等辺三角形になるように荷電粒子ビームを可変成形して、成形された荷電粒子ビームを用いて、前記第1の平行四辺形を試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 分割方向長さが前記他方の長さよりも短く残った残りの平行四辺形を2つの直角2等辺三角形と1つの四角形に分割する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項4記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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