JP4982810B2

JP4982810B2 - ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法

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Publication number: JP4982810B2
Application number: JP2008523652A
Authority: JP
Inventors: 秀樹河合
Original assignee: Konica Minolta Advanced Layers Inc
Current assignee: Konica Minolta Advanced Layers Inc
Priority date: 2006-07-03
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2012-07-25
Anticipated expiration: 2027-06-27
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Description

本発明はガラス基板の製造方法、磁気ディスクおよびその製造方法に関し、特に、磁気ディスクに用いられる、ガラス基板の製造方法、それを用いる磁気ディスクおよびその製造方法に関する。

従来、磁気ディスク用基板としては、デスクトップ用コンピュータやサーバなどの据え置き型にはアルミニウム基板が、他方ノート型コンピュータやモバイル型コンピュータなどの携帯型にはガラス基板が、一般的に使用されていた。しかしアルミニウム基板は変形しやすく、また硬さが不十分であるため、研磨後の基板表面の平滑性が十分とは言えなかった。さらに、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触した場合、磁性膜が基板から剥離しやすいという問題もあった。そこで、変形が少なく、平滑性が良好で、かつ機械的強度の大きいガラス基板が、携帯型のみならず据え置き型の機器やその他の家庭用情報機器にも、今後広く使用されていくものと予測されている。

磁気ディスクは一般的に、ガラス基板の表面を鏡面にポリッシュ加工した後、超精密研磨を施し、その後、ガラス基板上にスパッタリング等により磁性層を形成して作製される。ここで超精密研磨加工には、テープによる研磨を利用して、ガラス基板表面に同心円状の筋模様を形成するテクスチャリング加工や、筋模様を抑え研磨面の平滑性のみをさらに向上させるミラーポリッシュ加工などがある。磁気異方性の記録媒体の場合、このテクスチャリング加工により磁気ディスク媒体に磁気異方性が与えられ、磁気ディスクとしての磁気特性が向上すると共に、ハードディスクドライブの非作動時における、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との吸着が防止される。また、垂直磁気ディスク等の等方性媒体の場合、ミラーポリッシュ加工によって、基板表面の平滑度が大幅に向上されることにより、基板上に形成される磁性層の構造が緻密かつ均質化され、大幅な磁気記録特性の向上が達成される。ガラス基板のテクスチャリング加工やミラーポリッシュ加工は一般に、水又は水を主成分とする水溶液に砥粒を分散させた、テクスチャ加工液をガラス基板表面に供給し、ガラス基板表面に織布又は不織布等の研磨布や研磨テープを押し当て、移動させることにより行われる。

磁気ディスクの記録容量は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくするほど大きくすることができる。しかし、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくした場合、ガラス基板の表面に異常突起があったり、異物の付着があったりすると、磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起や異物に衝突する不具合が生じる。

したがって、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくして、磁気ディスクの記録容量を増大させるためには、ガラス基板の表面の異常突起をなくし、筋模様をより均一且つ微細に形成する必要がある。

そこで例えば、特許文献１では、均一且つ微細な筋模様を形成することを目的として、特殊なテクスチャ液の使用が提案されている。また特許文献２には、超精密研磨加工の効果の向上を直接の目的とするものではないが、ガラス基板の表面層の構造を粗とすることによって、情報記録ガラス基板の靱性を改善し、マイクロクラックによる強度低下と磁気ヘッド衝突時のクラックの発生を低減することが開示されている。
特開２００２−３０２７５号公報特開２００５−１２９１６３号公報

ところが、実際の生産工程において、同じ組成からなるガラス基板を、同じ加工液で超精密研磨加工しても、製造ロットによって、ガラス基板表面に形成される同心円状の筋模様が微妙に異なっていることがあった。

ガラス基板表面の筋模様にバラツキがあると、磁気ディスクとしたときの磁気特性がバラツクこととなり、実使用上好ましくない。

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、超精密研磨加工によって表面に均一且つ微細に筋模様を形成された、ガラス基板の製造方法を提供することである。

本発明の他の目的は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくすることにより、記録容量を大きくすることができる、磁気ディスクおよびその製造方法を提供することである。

本発明者は、同じ組成からなるガラス基板を、同じ加工液で超精密研磨加工しても、製造ロットによってガラス基板表面に形成される同心円状の筋模様が、微妙に異なる原因を種々検討した結果、Ｓｉ原子の結合状態が示す、ガラス基板表面の緻密さと筋模様形成との間に因果関係のあることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、ガラス基板の表面構造が緻密であると、超精密研磨加工によって形成される筋模様が均一且つ微細となる一方、ガラス基板の表面構造が粗いと、超精密研磨加工によって形成される筋模様が不均一となる。

ガラス基板表面のガラス構造を支配する、Ｓｉ原子の結合状態がばらつく原因は今のところ明確ではないが、超精密研磨加工前の基板洗浄において、弱アルカリ液やフッ化水素酸などの若干のエッチング作用のある洗浄液によって、ガラス基板表面が浸食されるためであろうと推測される。

本発明の第１の態様によれば、表面をポリッシュするポリッシング工程と；ポリッシュしたガラス基板について、最表面部における、ＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのある特性が、ある特定値以下であるかどうか検査する工程とを含む、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の製造方法が提供される。

本発明の第２の態様によれば、該ある特性が該束縛エネルギーのシフト量であり、該特定値が０.１０ｅＶであるガラス基板の製造方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、該ある特性が該束縛エネルギー分布の半値巾であり、該特定値が２．１５ｅＶであるガラス基板の製造方法が提供される。

本発明の第４の態様によれば、該ポリッシング工程の後、該検査工程の前に、該ガラス基板表面をエッチング作用のある洗浄液により洗浄する工程をさらに含むガラス基板の製造方法が提供される。

本発明の第５の態様によれば、該洗浄液はフッ化水素酸であるガラス基板の製造方法が提供される。

本発明の第６の態様によれば、該検査に合格したガラス基板について、超精密研磨加工を施す超精密研磨工程をさらに含むガラス基板の製造方法が提供される。

本発明の第７の態様によれば、超精密研磨加工後の最表面部の表面粗さＲａは０．３ｎｍ以下である、ガラス基板の製造方法が提供される。

本発明の第８の態様によれば、上記の態様に従って製造されたガラス基板上に、磁気記録層を形成する工程を含む、磁気ディスクの製造方法が提供される。

本発明の第４の態様によれば、上記の製造方法で製造される磁気ディスクが提供される。

本発明のガラス基板では、精密研磨加工前において、最表面部の、ＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのシフト量が０.１０ｅＶ以下、または、最表面部のＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギー分布の半値幅が２.１５ｅＶ以下であるので、ガラス基板表面のガラス構造を支配するＳｉ原子の結合状態が緻密で安定しており、テクスチャ加工によってガラス基板表面に筋模様が均一且つ微細に付けられるようになる。また筋模様が均一且つ微細に付けられることにより、磁気ディスクとしたときに均一な磁気特性が得られるようになる。ミラーポリッシュ加工によって超平滑面を形成する場合についても、ガラス基板全面にわたって均質で平滑な表面状態が形成できようになる。ガラス基板の表面状態が非常に平滑かつ均質に形成されることで、磁気ディスクとしたときに非常に均質かつ低ノイズの磁気特性が得られるようになる。

上記の各態様の方法に従えば、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくでき、磁気ディスクの記録容量を増大させることができるようになる。

また本発明の製造方法では、前記記載のガラス基板を用いるので、テクスチャ加工によってガラス基板表面に筋模様が均一且つ微細に形成することができるようになる。またミラーポリッシュ加工によって、ガラス基板表面を非常に平滑かつ均質な状態にできるようになる。

第１の発明に係るガラス基板の深さ方向の束縛エネルギーの一例を示す図である。第２の発明に係るガラス基板の深さ方向の束縛エネルギーの一例を示す図である。本発明に係る磁気ディスクの製造工程例を示す図である。

次に、本発明に従うガラス基板の製造方法を用いた、磁気ディスクの製造方法について説明する。図３に、磁気ディスクの製造工程例を示す。まずガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形して円盤状のガラス基板前駆体を得る（プレス成形工程）。なお、円盤状のガラス基板前駆体は、プレス成形によらず、例えばダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して作製してもよい。

本発明のガラス基板の材料としては、ＳｉＯ_２を３０重量％以上含有し主成分とするものであれば特に限定はなく、例えば二酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化カルシウムを主成分とした、ソーダライムガラス；二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、Ｒ_２Ｏ（Ｒ＝Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）を主成分とした、アルミノシリケートガラス；ボロシリケートガラス；酸化リチウム−二酸化ケイ素系ガラス；酸化リチウム−酸化アルミニウム−二酸化ケイ素系ガラス；Ｒ’Ｏ−酸化アルミニウム−二酸化ケイ素系ガラス（Ｒ’＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を使用することができ、これらのガラス材料に酸化ジルコニウムや酸化チタン等を添加したものであってもよい。

またガラス基板の大きさに限定はなく、２．５インチ，１．８インチ、１インチ、０．８５インチあるいはそれ以下の小径ディスクにも本発明の方法を適用することができる。またその厚さが２ｍｍや１ｍｍ、０．６３ｍｍ、あるいはそれ以下といった薄型のものにも適用することができる。

プレス成形されたガラス基板前駆体には、必要によりコアドリル等で、中心部に孔が開けられる（コアリング工程）。そして、第１ラッピング工程において、ガラス基板の両表面が研削加工され、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行度、平坦度および厚みが予備調整される。次に、ガラス基板の外周端面および内周端面が研削され面取りされて、ガラス基板の外径寸法および真円度、孔の内径寸法、並びにガラス基板と孔との同心度が微調整された後（内・外径精密加工工程）、ガラス基板の外周端面および内周端面が研磨されて微細なキズ等が除去される（端面研磨加工工程）。

次に、ガラス基板の両表面が再び研削加工されて、ガラス基板の平行度、平坦度および厚みが微調整される（第２ラッピング工程）。そしてガラス基板の両表面が研磨加工され、表面の凹凸が均一にされる（ポリッシング工程）。ガラス基板の両表面は必要により粒度の異なる研磨材を用いてさらに研磨加工される（第２ポリッシング工程）。

ガラス基板に対して洗浄がなされた後、代表する基板を抜き取って、基板表面の緻密さがＸＳＰにより検査される。検査の内容は、ＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのシフト量がある特定値以下であるかどうか、あるいはＸＰＳによるガラス基板の最表面部のＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギー分布の半値幅がある特定値以下であるかどうかの判定である。

本発明においてＸＰＳとは、Ｘ線光電子分光分析法（X-ray Photoelectron
Spectroscopy）を意味する。Ｓｉ原子の束縛エネルギーの測定は、VG社製の「ESCALab200R」を用いて行なわれる。測定条件は次の通りである。アノード：Mg(600W）、TOA：90°、レンズモード：Large、PE：100/10eV（サーベイ/状態分析）。また束縛エネルギーの深さ方向の分析には、Ａｒイオンエッチングを併用してもよい。

また本発明において束縛エネルギー分布の半値幅とは、束縛エネルギー分布のピーク値の半分の値をとる束縛エネルギーの差をいう。

第１の発明に係るガラス基板では、ガラス基板表面の緻密さ、即ちＳｉ原子の結合状態を示す一つの指標として、ＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのシフト量を用いた。Ｓｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのシフト量が小さいほど、Ｓｉ原子の結合状態は安定しており、第１の発明に係るガラス基板では、このシフト量を０.１０ｅＶ以下と規定した。Ｓｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのシフト量が０.１０ｅＶより大きいと、ガラス基板表面のＳｉ原子の結合状態が不安定で、基板本来の構造よりも脆くなりテクスチャ加工による筋模様が部分的に崩れて不均一となる。またミラーポリッシュ加工の場合、ミクロン領域以下で部分的に平滑度の異なる不均質な表面状態を発生させる恐れがある。Ｓｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのシフト量のより好ましい値は０.０７ｅＶ以下である。

図１に、ＸＰＳによって測定したＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーの一例を示す。図１は、横軸を束縛エネルギーとして、ガラス基板の表面から深さ１００ｎｍに至るまでの各深さにおけるＳｉ原子の束縛エネルギー分布を示した図である。この図から理解されるように、Ｓｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギー分布のピーク値は、ガラス基板の深さ１００ｎｍの所から表面に向かうに従って図の左方向、すなわち高エネルギー側へ徐々にシフトしている。Ｓｉ原子の結合状態は、ガラス基板表面から深さ１００ｎｍ近辺の所の方が、ガラス基板表面よりも安定しているから、ガラス基板表面のＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーは、深さ１００ｎｍの所のそれよりも大きくシフトしていないことが望ましく、第１の発明では、この束縛エネルギーのシフト量を０.１０ｅＶ以下とした。なお、以上の実施形態では、最表面部を表面から１００ｎｍ程度までの深さとしているが、束縛エネルギーの諸特性の深さによる変化は、ガラス基板の材質等により異なるので、特にこの値に限定されることなく、表面から当該特性が安定する深さまでを、最表面部と考えるべきである。

また第２の発明に係るガラス基板では、ガラス基板表面のＳｉ原子の結合状態を示すもう一つの指標として、ＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギー分布の半値幅を用いた。Ｓｉ原子の束縛エネルギー分布の半値幅が小さいほどＳｉ原子の結合状態は安定しており、第２の発明に係るガラス基板では、ガラス基板の最表面部のＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギー分布の半値幅を２.１５ｅＶ以下と規定した。ガラス基板の最表面部のＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギー分布の半値幅が２.１５ｅＶより大きいと、ガラス基板表面のＳｉ原子の結合状態が不安定で、テクスチャ加工したときにガラス基板表面に均一且つ微細に筋模様が形成されないことがあるからである。ガラス基板の最表面部のＳｉ原子の束縛エネルギー分布の半値幅のより好ましい値は２.１０ｅＶ以下である。

図２に、ＸＰＳによって測定したＳｉ原子の束縛エネルギー分布の一例を示す。図２は、横軸を束縛エネルギーとして、ガラス基板の表面から深さ１００ｎｍに至るまでの各深さにおけるＳｉ原子の束縛エネルギー分布を示した図である。この図から理解されるように、Ｓｉ原子の束縛エネルギー分布の半値幅は、ガラス基板の最表面部が最も大きく（図のｄ2）、ガラス基板の表面から深くなるとともに束縛エネルギー分布の半値幅は小さくなる（深さ１００ｎｍの所のＳｉ原子の束縛エネルギー分布の半値幅ｄ1）。このため第２の発明に係るガラス基板では、ガラス基板の最表面部におけるＳｉ原子の束縛エネルギー分布の半値幅を規定した。

検査に合格したガラス基板について超精密研磨加工が施される。超精密研磨加工液としては、砥粒を液中に均一に分散させ、また加工液保管中の砥粒の沈降を防止するため、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコール系化合物の界面活性剤を約１〜２５重量％含有した水溶液中に、約０．０１〜５重量％の砥粒を分散させたスラリーが使用される。

砥粒としては、単結晶又は多結晶のダイヤモンド粒子が使用される。このダイヤモンド粒子は、その粒子形状が規則正しく、粒子サイズ及び形状にバラツキがなく、硬質であり、耐薬品性及び耐熱性に優れている。特に、多結晶ダイヤモンド粒子は、単結晶のものと比較すると、その粒子形状が角のない丸い形状であるため、超精密研磨加工に用いる砥粒として広く使用されている。

超精密研磨加工後におけるガラス基板の最表面部の表面粗さＲａは、０．３ｎｍ以下であることが望ましい。表面粗さＲａが０．３ｎｍより大きいと、完成品の磁気ディスクとしたときに、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくできず、磁気ディスクの記録容量を増大させることができない。

次に、以上のようにして作製されたガラス基板上に、磁性膜が形成される。磁性膜の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきが挙げられる。スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。

磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できる。高い保持力を得るために、結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割し、ノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ_２、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造の、グラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、面内型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。

また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。

さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。

磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２)層を形成してもよい。

実施例１ＳｉＯ_２を５５％含有するアルミノシリケートガラス基板を用いて、表面の束縛エネルギーシフト量が０.０７ｅＶとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板の全面にわたってテクスチャ加工を行ったところ、均質な同心円状の筋形状が得られた。このガラス基板に磁性膜を形成した結果、同心円状に均質な磁気配向が見られ、良好な磁気記録再生特性を示した。

実施例２ＳｉＯ_２を６５％含有するソーダライムガラス基板を用いて、表面の束縛エネルギーシフト量が０.０９ｅＶとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板の全面にわたってテクスチャ加工を行ったところ、均質な同心円状の筋形状が得られた。このガラス基板に磁性膜を形成した結果、同心円状に均質な磁気配向が見られ、良好な磁気記録再生特性を示した。

実施例３ＳｉＯ_２を５０％含有する無アルカリガラス基板を用いて、表面の束縛エネルギーシフト量が０.０３ｅＶとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板にミラーポリッシュ加工を行ったところ、全面にわたって均質にＲａ＝０．１５ｎｍの超平滑な表面が得られた。このガラス基板に垂直磁性膜を形成した結果、微細且つ均質な磁性粒子膜が得られ、良好な磁気信号再生特性を示した。

実施例４ＳｉＯ_２を６０％含有するアルミノボロシリケートガラス基板を用いて、表面の束縛エネルギー半値幅が２．０５ｅＶとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板にテクスチャ加工を行ったところ、全面にわたって均質に同心円状の筋形状が得られた。このガラス基板に磁性膜を形成した結果、同心円状に均質な磁気配向が見られ、良好な磁気記録再生特性を示した。

実施例５ＳｉＯ_２を５８％含有するホウ珪酸ガラス基板を用いて、表面の束縛エネルギー半値幅が２．１０ｅＶとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板にミラーポリッシュ加工を行ったところ、全面にわたって均質にＲａ＝０．１５ｎｍの超平滑な表面が得られた。このガラス基板に垂直磁性膜を形成した結果、微細且つ均質な磁性粒子膜が得られ、良好な磁気信号再生特性を示した。

比較例１ＳｉＯ_２を５０％含有するアルミノシリケートガラス基板を用いて、表面の束縛エネルギーシフト量が０．１５ｅＶとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板の全面にわたってテクスチャ加工を行ったところ、同心円状の筋形状が得られたが、筋の幅、深さ、密度が不均質とであった。このガラス基板に磁性膜を形成した結果、部分的に磁性層の磁気配向に乱れが見られ、磁気ノイズが大きくなり、良好な磁気特性は得られなかった。

比較例２ＳｉＯ_２を６５％含有するソーダライムガラス基板を用いて、表面の束縛エネルギー半値幅が２．２０ｅＶとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板をミラーポリッシュ加工により平滑化を試みたが、Ｒａ＝０．４０ｎｍと平滑性が不十分で、部分的に粗さの違いも見られた。このガラス基板に垂直磁性膜を形成したところ、磁性粒子の微細化が不十分となり、粒子間の干渉ノイズが大きくなり、記録密度を確保するのに十分な磁気信号再生特性は得られなかった。

Claims

表面をポリッシュするポリッシング工程と；
ポリッシュしたガラス基板について、最表面部における、ＸＰＳによるＳｉ原子の２Ｐ軌道占有電子に対する束縛エネルギーのある特性が、ある特定値以下であるかどうか検査する工程とを含む、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の製造方法。
該ある特性が該束縛エネルギーのシフト量であり、該特定値が０.１０ｅＶである、請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
該ある特性が該束縛エネルギー分布の半値巾であり、該特定値が２．１５ｅＶである、請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
該ポリッシング工程の後、該検査工程の前に、該ガラス基板表面をエッチング作用のある洗浄液により洗浄する工程をさらに含む、請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
該洗浄液はフッ化水素酸である、請求項４に記載のガラス基板の製造方法。
該検査に合格したガラス基板について、超精密研磨加工を施す超精密研磨工程をさらに含む、請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
超精密研磨加工後の最表面部の表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下である、請求項６記載のガラス基板の製造方法。
請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法により製造されたガラス基板上に、磁気記録層を形成する工程を含む、磁気ディスクの製造方法。