JP4971731B2 - 酸化セリウムスラリーおよび基板の研磨法 - Google Patents
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Description
(酸化セリウム粒子の作製1)
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、800℃で2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100ミクロンであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、その分布の中央値が190nm、最大値が500nmであった。焼成粉末についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.080、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.223であった。酸化セリウム粉末1kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの小さな粒子の他に、1ミクロンから3ミクロンの大きな粉砕残り粒子と0.5から1ミクロンの粉砕残り粒子が混在していた。粉砕残り粒子は、一次粒子の凝集体ではない。粉砕粒子についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.085、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.264であった。この結果、粉砕による一次粒子径変量はほとんどなく、また粉砕により粒子に歪みが導入されていた。さらにBET法による比表面積測定の結果、10m2/gであることがわかった。
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、750℃で2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100ミクロンであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、その分布の中央値が141nm、最大値が400nmであった。焼成粉末についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.101、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.223であった。酸化セリウム粉末1kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの小さな粒子の他に、1ミクロンから3ミクロンの大きな粉砕残り粒子と0.5から1ミクロンの粉砕残り粒子が混在していた。粉砕残り粒子は、一次粒子の凝集体ではない。粉砕粒子についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.104、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.315であった。この結果、粉砕による一次粒子径変量はほとんどなく、また粉砕により粒子に歪みが導入されていた。さらにBET法による比表面積測定の結果、16m2/gであることがわかった。
上記作製1,2の酸化セリウム粒子1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量%)23gと脱イオン水8977gを混合し、攪拌しながら超音波分散を10分間施した。得られたスラリーを1ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えることにより3wt.%研磨剤を得た。スラリーpHは8.3であった。スラリー粒子の粒度分布をレーザー回折法(測定装置:マルバーンインスツルメンツ社製Master Sizer microplus、屈折率:1.9285、光源:He−Neレーザー、吸収0で測定)を用いて調べたところ、中央値がともに200nmであった。最大粒子径は780nm以上の粒子が0体積%であった。スラリーの分散性およびスラリー粒子の電荷を調べるため、スラリーのゼータ電位を調べた。両側に白金製電極を取り付けてある測定セルに酸化セリウムスラリーを入れ、両電極に10Vの電圧を印加した。電圧を印加することにより電荷を持ったスラリー粒子はその電荷と反対の極を持つ電極側に移動する。この移動速度を求めることにより粒子のゼータ電位を求めることができる。ゼータ電位測定の結果、それぞれマイナスに荷電し、−50mV、−63mVと絶対値が大きく分散性が良好であることを確認した。
保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにTEOS−プラズマCVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工荷重が300g/cm2になるように重しを載せた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリー(固形分:3重量%)を50cc/minの速度で滴下しながら、定盤を30rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外して、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさらに20分間洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤーで水滴を除去し、120℃の乾燥機で10分間乾燥させた。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚変化を測定した結果、この研磨によりそれぞれ600nm、580nm(研磨速度:300nm/min.、290nm/min.)の絶縁膜が削られ、ウエハ全面に渡って均一の厚みになっていることがわかった。また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な傷は見られなかった。
(酸化セリウム粒子の作製)
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、700℃で2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100ミクロンであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、その分布の中央値が50nm、最大値が100nmであった。焼成粉末についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.300、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.350であった。酸化セリウム粉末1kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの小さな粒子の他に、2ミクロンから4ミクロンの大きな粉砕残り粒子と0.5から1.2ミクロンの粉砕残り粒子が混在していた。粉砕残り粒子は、一次粒子の凝集体ではない。粉砕粒子についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.302、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.412であった。この結果、粉砕による一次粒子径変量はほとんどなく、また粉砕により粒子に歪みが導入されていた。さらにBET法による比表面積測定の結果、40m2/gであることがわかった。
上記作製の酸化セリウム粒子1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量%)23gと脱イオン水8977gを混合し、攪拌しながら超音波分散を10分間施した。得られたスラリーを2ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えることにより3wt.%研磨剤を得た。スラリーpHは8.0であった。スラリー粒子の粒度分布をレーザー回折法(測定装置:Master Sizer製microplus、屈折率:1.9285)を用いて調べたところ、中央値が510nmで、最大粒子径は1430nm以上の粒子が0%であった。スラリーの分散性およびスラリー粒子の電荷を調べるため、スラリーのゼータ電位を調べた。両側に白金製電極を取り付けてある測定セルに酸化セリウムスラリーを入れ、両電極に10Vの電圧を印加した。電圧を印加することにより電荷を持ったスラリー粒子はその電荷と反対の極を持つ電極側に移動する。この移動速度を求めることにより粒子のゼータ電位を求めることができる。ゼータ電位測定の結果、マイナスに荷電し、−64mVと絶対値が大きく分散性が良好であることを確認した。
保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにTEOS−プラズマCVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工加重が300g/cm2になるように重しを載せた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリー(固形分:3重量%)を35cc/minの速度で滴下しながら、定盤を30rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外して、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさらに20分間洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤーで水滴を除去し、120℃の乾燥機で10分間乾燥させた。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚変化を測定した結果、この研磨により740nm(研磨速度:370nm/min.)の絶縁膜が削られ、ウエハ全面に渡って均一の厚みになっていることがわかった。また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な傷は見られなかった。
(酸化セリウム粒子の作製)
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、800℃で2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100ミクロンであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、その分布の中央値が190nm、最大値が500nmであった。焼成粉末についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.080、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.223であった。酸化セリウム粉末1kgをビーズミルを用いて湿式粉砕を行った。粉砕粒子を含む液を乾燥し、乾燥粒子をボールミル粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの粒子まで粉砕されており、大きな粉砕残りは見られなかった。粉砕粒子についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.085、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.300であった。この結果、粉砕による一次粒子径変量はほとんどなく、また粉砕により粒子に歪みが導入されていた。さらにBET法による比表面積測定の結果、10m2/gであることがわかった。
上記作製の酸化セリウム粒子1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量%)23gと脱イオン水8977gを混合し、攪拌しながら超音波分散を10分間施した。得られたスラリーを1ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えることにより3wt.%研磨剤を得た。スラリーpHは8.3であった。スラリー粒子の粒度分布をレーザー回折法(測定装置:MasterSizer製microplus、屈折率:1.9285)を用いて調べたところ、中央値が290nmで、最大粒子径は780nm以上の粒子が0%であった。スラリーの分散性およびスラリー粒子の電荷を調べるため、スラリーのゼータ電位を調べた。両側に白金製電極を取り付けてある測定セルに酸化セリウムスラリーを入れ、両電極に10Vの電圧を印加した。電圧を印加することにより電荷を持ったスラリー粒子はその電荷と反対の極を持つ電極側に移動する。この移動速度を求めることにより粒子のゼータ電位を求めることができる。ゼータ電位測定の結果、マイナスに荷電し、−50mVと絶対値が大きく分散性が良好であることを確認した。
保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにTEOS−プラズマCVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工加重が300g/cm2になるように重しを載せた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリー(固形分:3重量%)を35cc/minの速度で滴下しながら、定盤を30rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外して、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさらに20分間洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤーで水滴を除去し、120℃の乾燥機で10分間乾燥させた。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚変化を測定した結果、この研磨により560nm(研磨速度:280nm/min.)の絶縁膜が削られ、ウエハ全面に渡って均一の厚みになっていることがわかった。また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な傷は見られなかった。
(酸化セリウム粒子の作製)
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、700℃で2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100ミクロンであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、その分布の中央値が50nm、最大値が100nmであった。焼成粉末についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.300、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.350であった。酸化セリウム粉末1kgをビーズミルを用いて湿式粉砕を行った。粉砕粒子を含む液を乾燥し、乾燥粒子をボールミル粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの粒子まで粉砕されており、大きな粉砕残りは見られなかった。粉砕粒子についてX線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法(RIETAN−94)による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−:Xの値が0.302、等方的微少歪みを表わす構造パラメータ−:Yの値が0.450であった。この結果、粉砕による一次粒子径変量はほとんどなく、また粉砕により粒子に歪みが導入されていた。さらにBET法による比表面積測定の結果、40m2/gであることがわかった。
上記作製の酸化セリウム粒子1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量%)23gと脱イオン水8977gを混合し、攪拌しながら超音波分散を10分間施した。得られたスラリーを1ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えることにより3wt.%研磨剤を得た。スラリーpHは8.5であった。スラリー粒子の粒度分布をレーザー回折法(測定装置:MasterSizer製microplus、屈折率:1.9285)を用いて調べたところ、中央値が290nmで、最大粒子径は780nm以上の粒子が0%であった。スラリーの分散性およびスラリー粒子の電荷を調べるため、スラリーのゼータ電位を調べた。両側に白金製電極を取り付けてある測定セルに酸化セリウムスラリーを入れ、両電極に10Vの電圧を印加した。電圧を印加することにより電荷を持ったスラリー粒子はその電荷と反対の極を持つ電極側に移動する。この移動速度を求めることにより粒子のゼータ電位を求めることができる。ゼータ電位測定の結果、マイナスに荷電し、−65mVと絶対値が大きく分散性が良好であることを確認した。
保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにTEOS−プラズマCVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工加重が300g/cm2になるように重しを載せた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリー(固形分:3重量%)を35cc/minの速度で滴下しながら、定盤を30rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外して、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさらに20分間洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤーで水滴を除去し、120℃の乾燥機で10分間乾燥させた。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚変化を測定した結果、この研磨により400nm(研磨速度:200nm/min.)の絶縁膜が削られ、ウエハ全面に渡って均一の厚みになっていることがわかった。また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な傷は見られなかった。
実施例と同様にTEOS−CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハについて、市販シリカスラリー(キャボット社製、商品名SS225)を用いて研磨を行った。この市販スラリーのpHは10.3で、SiO2粒子を12.5wt%含んでいるものである。研磨条件は実施例と同一である。その結果、研磨による傷は見られず、また均一に研磨がなされたが、2分間の研磨により150nm(研磨速度:75nm/min.)の絶縁膜層しか削れなかった。
Claims (4)
- セリウム化合物を焼成して得られる酸化セリウム粒子、分散剤および水を含む、SiO 2 絶縁膜が形成された半導体基板のSiO 2 絶縁膜を研磨するための酸化セリウムスラリーであって、
前記分散剤は、ポリアクリル酸アンモニウム塩であり、
前記酸化セリウムスラリーは、走査型電子顕微鏡による観察で測定される一次粒子径の中央値が30〜250nmである酸化セリウム粒子を、レーザー回折法で測定して得られる前記酸化セリウム粒子の粒子径の中央値が150〜600nmとなるように分散してなるものであり、
前記酸化セリウムスラリー中の前記酸化セリウム粒子のゼータ電位が−100mV以上−10mV以下である、
酸化セリウムスラリー。 - スラリー中の酸化セリウム粒子の最大径が3000nm以下である請求項1に記載の酸化セリウムスラリー。
- 酸化セリウムの一次粒子の最大径が600nm以下である請求項1または請求項2に記載の酸化セリウムスラリー。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の酸化セリウムスラリーを用いて所定の基板を研磨することを特徴とする基板の研磨法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006246039A JP4971731B2 (ja) | 1996-09-30 | 2006-09-11 | 酸化セリウムスラリーおよび基板の研磨法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25877496 | 1996-09-30 | ||
JP25877096 | 1996-09-30 | ||
JP25877696 | 1996-09-30 | ||
JP2006246039A JP4971731B2 (ja) | 1996-09-30 | 2006-09-11 | 酸化セリウムスラリーおよび基板の研磨法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001103920A Division JP2001329250A (ja) | 1996-09-30 | 2001-04-02 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007036270A JP2007036270A (ja) | 2007-02-08 |
JP4971731B2 true JP4971731B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=27478488
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26597997A Expired - Fee Related JP3462052B2 (ja) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2001103920A Withdrawn JP2001329250A (ja) | 1996-09-30 | 2001-04-02 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2001103923A Withdrawn JP2001329251A (ja) | 1996-09-30 | 2001-04-02 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2001275530A Withdrawn JP2002138275A (ja) | 1996-09-30 | 2001-09-11 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2006246046A Expired - Lifetime JP5023626B2 (ja) | 1996-09-30 | 2006-09-11 | 酸化セリウムスラリーおよび基板の研磨法 |
JP2006246039A Expired - Lifetime JP4971731B2 (ja) | 1996-09-30 | 2006-09-11 | 酸化セリウムスラリーおよび基板の研磨法 |
JP2012089594A Withdrawn JP2012169648A (ja) | 1996-09-30 | 2012-04-10 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26597997A Expired - Fee Related JP3462052B2 (ja) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2001103920A Withdrawn JP2001329250A (ja) | 1996-09-30 | 2001-04-02 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2001103923A Withdrawn JP2001329251A (ja) | 1996-09-30 | 2001-04-02 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2001275530A Withdrawn JP2002138275A (ja) | 1996-09-30 | 2001-09-11 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP2006246046A Expired - Lifetime JP5023626B2 (ja) | 1996-09-30 | 2006-09-11 | 酸化セリウムスラリーおよび基板の研磨法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089594A Withdrawn JP2012169648A (ja) | 1996-09-30 | 2012-04-10 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (7) | JP3462052B2 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1245471C (zh) | 1996-09-30 | 2006-03-15 | 日立化成工业株式会社 | 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法 |
JPH11181403A (ja) | 1997-12-18 | 1999-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
JP3560484B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2004-09-02 | 昭和電工株式会社 | Lsiデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法 |
US6299659B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-10-09 | Showa Denko K.K. | Polishing material composition and polishing method for polishing LSI devices |
US6593408B1 (en) | 1998-11-13 | 2003-07-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Organic polymer/inorganic fine particle-dispersed aqueous solution having excellent stability and uses thereof |
JP4608925B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2011-01-12 | 日立化成工業株式会社 | Cmp研磨剤用添加液 |
KR100475976B1 (ko) | 1998-12-25 | 2005-03-15 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
JP4604727B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2011-01-05 | 日立化成工業株式会社 | Cmp研磨剤用添加液 |
KR20000055131A (ko) * | 1999-02-03 | 2000-09-05 | 유현식 | 반도체소자 cmp용 금속산화물 슬러리의 제조방법 |
US6740590B1 (en) * | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing |
EP1201607B1 (en) * | 1999-05-28 | 2014-07-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Cerium oxide abrasive, method for polishing substrate using the same and method for manufacturing semiconductor device |
JP4544379B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2010-09-15 | 日産化学工業株式会社 | ガラス製ハードディスク用研磨剤 |
EP1201725A4 (en) | 1999-06-28 | 2007-09-12 | Nissan Chemical Ind Ltd | ABRASIVE COMPOUND FOR HARD DISK GLASS TRAY |
EP1223609A4 (en) | 1999-08-26 | 2006-03-15 | Hitachi Chemical Co Ltd | CHEMOMECHANICAL POLISHING COMPOUND AND POLISHING METHOD |
JP2002217140A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨材および基板の研磨方法 |
US6786945B2 (en) * | 2001-02-20 | 2004-09-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing compound and method for polishing substrate |
JP2002359216A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | セリアスラリーを用いた研磨方法および半導体装置の製造方法 |
EP1481020A2 (en) * | 2002-02-04 | 2004-12-01 | Nanophase Technologies Corporation | Stable dispersions of nanoparticles in aqueous media |
KR101087763B1 (ko) | 2002-10-28 | 2011-11-30 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 산화 세륨 입자 및 그 제조방법 |
KR100630691B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 산화세륨 연마 입자 및 그 제조 방법과 cmp용 슬러리조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법 |
JP4951218B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2012-06-13 | 三星電子株式会社 | 酸化セリウム研磨粒子及び該研磨粒子を含む組成物 |
KR100574984B1 (ko) * | 2004-08-16 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 산화세륨 연마 입자 및 그 제조 방법과 cmp용 슬러리조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법 |
KR100641348B1 (ko) | 2005-06-03 | 2006-11-03 | 주식회사 케이씨텍 | Cmp용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 |
KR100753994B1 (ko) | 2005-08-05 | 2007-09-06 | 정인 | 유리 연마용 세륨계 연마재 조성물의 제조방법 및 이를연마에 사용하는 방법 |
CN101039876B (zh) * | 2005-10-14 | 2011-07-27 | Lg化学株式会社 | 用于化学机械抛光的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备化学机械抛光浆料的方法 |
KR100812052B1 (ko) * | 2005-11-14 | 2008-03-10 | 주식회사 엘지화학 | 탄산세륨 분말, 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를포함하는 cmp 슬러리 |
JP2009113993A (ja) * | 2006-03-03 | 2009-05-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属酸化物粒子、これを含む研磨材、この研磨材を用いた基板の研磨方法及び研磨して得られる半導体装置の製造方法 |
JP4599565B2 (ja) * | 2006-10-23 | 2010-12-15 | 国立大学法人信州大学 | 電解めっき方法および電解めっき液 |
FR2923400B1 (fr) * | 2007-11-09 | 2009-12-04 | Rhodia Operations | Dispersion colloidale de particules minerales dans une phase liquide comprenant un copolymere ampholyte |
JP5221979B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-06-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2009010406A (ja) * | 2008-08-18 | 2009-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨法 |
KR101075491B1 (ko) | 2009-01-16 | 2011-10-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
CN102686360A (zh) | 2009-11-12 | 2012-09-19 | 日立化成工业株式会社 | Cmp研磨液、以及使用其的研磨方法和半导体基板的制造方法 |
JP2010222707A (ja) * | 2010-06-07 | 2010-10-07 | Shinshu Univ | 無電解めっき方法および無電解めっき液 |
JP6088953B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2017-03-01 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩材スラリー及びそれを用いた基板の製造方法 |
US10344183B2 (en) * | 2013-12-16 | 2019-07-09 | Rhodia Operations | Liquid suspension of cerium oxide particles |
JP6200979B2 (ja) * | 2016-02-01 | 2017-09-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法 |
CN110358453A (zh) * | 2018-04-10 | 2019-10-22 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种玻璃抛光用纳米氧化铈抛光液及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536756B2 (ja) * | 1974-05-13 | 1978-03-10 | ||
JP2832270B2 (ja) * | 1993-05-18 | 1998-12-09 | 三井金属鉱業株式会社 | ガラス研磨用研磨材 |
JP3278532B2 (ja) * | 1994-07-08 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3430733B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2003-07-28 | 株式会社日立製作所 | 研磨剤及び研磨方法 |
JP2864451B2 (ja) * | 1994-11-07 | 1999-03-03 | 三井金属鉱業株式会社 | 研磨材及び研磨方法 |
AU1670597A (en) * | 1996-02-07 | 1997-08-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Cerium oxide abrasive, semiconductor chip, semiconductor device, process for the production of them, and method for the polishing of substrates |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26597997A patent/JP3462052B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103920A patent/JP2001329250A/ja not_active Withdrawn
- 2001-04-02 JP JP2001103923A patent/JP2001329251A/ja not_active Withdrawn
- 2001-09-11 JP JP2001275530A patent/JP2002138275A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-09-11 JP JP2006246046A patent/JP5023626B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2006-09-11 JP JP2006246039A patent/JP4971731B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-04-10 JP JP2012089594A patent/JP2012169648A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007036271A (ja) | 2007-02-08 |
JPH10152673A (ja) | 1998-06-09 |
JP2001329250A (ja) | 2001-11-27 |
JP2007036270A (ja) | 2007-02-08 |
JP5023626B2 (ja) | 2012-09-12 |
JP2002138275A (ja) | 2002-05-14 |
JP2012169648A (ja) | 2012-09-06 |
JP3462052B2 (ja) | 2003-11-05 |
JP2001329251A (ja) | 2001-11-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100527 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120309 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120406 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |