JP3480323B2 - 酸化セリウム研磨剤、基板の研磨法及び半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、酸化セリウム研磨
剤、基板の研磨法及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
プラズマ−ＣＶＤ、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される
ＳｉＯ₂絶縁膜等無機絶縁膜層を平坦化するための化学
機械研磨剤として、コロイダルシリカ系の研磨剤が一般
的に検討されている。コロイダルシリカ系の研磨剤は、
シリカ粒子を四塩化珪酸の熱分解等の方法で粒成長さ
せ、アンモニア等のアルカリ金属を含まないアルカリ溶
液でｐＨ調整を行って製造している。しかしながら、こ
の様な研磨剤は無機絶縁膜の研磨速度が充分な速度を持
たず、実用化には低研磨速度という技術課題がある。

【０００３】一方、フォトマスク用ガラス表面研磨とし
て、酸化セリウム研磨剤が用いられている。酸化セリウ
ム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比べ硬度が低く、
したがって研磨表面に傷が入りにくいことから仕上げ鏡
面研磨に有用である。また、酸化セリウムは強い酸化剤
として知られるように、化学的活性な性質を有してい
る。この利点を活かし、絶縁膜用化学機械研磨剤への適
用が有用である。しかしながら、フォトマスク用ガラス
表面研磨用酸化セリウム研磨剤をそのまま無機絶縁膜研
磨に適用すると、１次粒子径が大きく、そのため絶縁膜
表面に目視で観察できる研磨傷が入ってしまう。また、
酸化セリウム粒子は理論密度が７．２ｇ／ｃｃと大きい
ことから沈降しやすい。そのことから研磨時の研磨剤供
給濃度むら、供給管での詰まり等の問題が生じる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、沈降しにく
く、またＳｉＯ₂絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研
磨することが可能な酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨
法を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、酸化セリウム
粒子、アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの
共重合体および水を含む酸化セリウム研磨剤である。ア
クリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体
が酸化セリウム粒子１００重量部に対して０．０１以上
５重量部以下添加することがこのましい。アクリル酸ア
ンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体の重量平均
分子量は１０００〜２００００が好ましい。アクリル酸
アンモニウム塩とアクリル酸メチルとのモル比は、アク
リル酸アンモニウム塩／アクリル酸メチルが１０／９０
〜９０／１０が好ましい。酸化セリウム研磨剤のｐＨは
７以上１０以下が好ましい。本発明の基板の研磨法は、
シリカ膜が形成された半導体チップ等の所定の基板を上
記の研磨剤で研磨するものである。本発明の半導体装置
は、シリカ膜が上記の研磨剤で研磨された半導体チップ
を備えるものである。

【０００６】

【発明の実施の形態】一般に酸化セリウムは、炭酸塩、
硫酸塩、蓚酸塩等のセリウム化合物を焼成することによ
って得られる。ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法等で形成されるＳｉ
Ｏ₂絶縁膜は１次粒子径が大きく、かつ結晶歪が少ない
ほど、すなわち結晶性がよいほど高速研磨が可能である
が、研磨傷が入りやすい傾向がある。そこで、本発明で
用いる酸化セリウム粒子は、あまり結晶性を上げないで
作製される。また、半導体チップ研磨に使用することか
ら、アルカリ金属およびハロゲン類の含有率は１ｐｐｍ
以下に抑えることが好ましい。本発明の研磨剤は高純度
のもので、Ｎａ、Ｋ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｒ、Ｔｉ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅはそれぞれ１ｐｐｍ以下、Ａｌは１０
ｐｐｍ以下である。本発明において、酸化セリウム粒子
を作製する方法として焼成法が使用できる。ただし、研
磨傷が入らない粒子を作製するために、できるだけ結晶
性を上げない低温焼成が好ましい。セリウム化合物の酸
化温度が３００℃であることから、焼成温度は６００℃
以上９００℃以下が好ましい。炭酸セリウムを６００℃
以上９００℃以下で５〜３００分、酸素ガス等の酸化雰
囲気で焼成すること好ましい。

【０００７】焼成された酸化セリウムは、ジェットミル
等の乾式粉砕、ビ−ズミル等の湿式粉砕で粉砕すること
ができる。ジェットミルは例えば化学工業論文集第６巻
第５号（１９８０）５２７〜５３２頁に説明されてい
る。焼成酸化セリウムをジェットミル等の乾式粉砕等で
粉砕した酸化セリウム粒子には、一次粒子サイズの小さ
い粒子と一次粒子サイズまで粉砕されていない粉砕粒子
が含まれ、この粉砕粒子は一次粒子が再凝集した凝集体
とは異なっており、２つ以上の一次粒子から構成され結
晶粒界を有している。この結晶粒界を有す粉砕粒子を含
む研磨剤で研磨を行うと、研磨時の応力により破壊され
活性面を発生すると推定され、ＳｉＯ₂絶縁膜等の被研
磨面を傷なく高速に研磨することに寄与していると考え
られる。

【０００８】本発明における酸化セリウムスラリーは、
上記の方法により製造された酸化セリウム粒子を含有す
る水溶液又はこの水溶液から回収した酸化セリウム粒
子、水及び必要に応じて分散剤からなる組成物を分散さ
せることによって得られる。ここで、酸化セリウム粒子
の濃度に制限は無いが、懸濁液（研磨剤）の取り扱い易
さから０．５〜１０重量％の範囲が好ましい。また分散
剤としては、アクリ酸アンモニウム塩とアクリル酸メチ
ルの共重合体が使用され、重量平均分子量１０００〜２
００００のアクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチ
ルの共重合体が好ましい。アクリル酸アンモニウム塩と
アクリル酸メチルとのモル比は、アクリル酸アンモニウ
ム塩／アクリル酸メチルが１０／９０〜９０／１０が好
ましい。これらの分散剤の添加量は、スラリー中の粒子
の分散性及び沈降防止性等から、酸化セリウム粒子１０
０重量部に対して０．０１重量部から５重量部の範囲が
好ましく、その分散効果を高めるためには、分散処理時
に分散機の中に粒子と同時に入れることが好ましい。ア
クリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルの共重合体
が酸化セリウム粒子１００重量部に対して０．０１重量
部未満では沈降し易く、５重量部を超えると再凝集によ
る粒度分布の経時変化が生じやすい。また、重量平均分
子量が２００００を超えると再凝集による粒度分布の経
時変化が生じやすい。重量平均分子量が１０００未満で
は分散性及び沈降防止の効果が十分でない場合がある。

【０００９】これらの酸化セリウム粒子を水中に分散さ
せる方法としては、通常の撹拌機による分散処理の他
に、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル等を用
いることができる。サブミクロンオーダの酸化セリウム
粒子を分散させるためには、ボールミル、振動ボールミ
ル、遊星ボールミル、媒体撹拌式ミル等の湿式分散機を
用いることが好ましい。また、スラリーのアルカリ性を
高めたい場合には、分散処理時又は処理後に、アンモニ
ア水などの金属イオンを含まないアルカリ性物質を添加
することができる。

【００１０】本発明の酸化セリウム研磨剤は、上記スラ
リ−をそのまま使用してもよいが、Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノ−ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノ−ルアミン、
アミノエチルエタノ−ルアミン等の添加剤を適宜添加し
て研磨剤とすることができる。

【００１１】酸化セリウム粒子は、２個以上の１次粒子
から構成され結晶粒界を有する多結晶粒子が使用でき
る。その粒子径の中央値は、６０〜１５００ｎｍが好ま
しく、一次粒子径の中央値は３０〜２５０ｎｍが好まし
い。前記結晶粒界を有する酸化セリウム粒子は、全酸化
セリウム粒子の５〜１００体積％であることが好まし
く、結晶粒界を有する酸化セリウム粒子の他には一次粒
子径と同等サイズの小さな粒子、一次粒子が凝集した凝
集粒子がスラリ−に混在することができる。結晶粒界を
有する酸化セリウム粒子の最大径が３０００ｎｍ以下で
あることが好ましい。酸化セリウム粒子を構成する一次
粒子は、最大径が６００ｎｍ以下、さらには１０〜６０
０ｎｍの範囲のものを使用することが好ましい。酸化セ
リウム粒子は、炭酸セリウムを焼成したものが好まし
い。本発明の酸化セリウム研磨剤は沈降し難く、所定の
基板、例えばシリカ膜が形成された半導体チップのシリ
カ膜を高速、かつ傷を付けることなく研磨法することが
できる。

【００１２】本発明のスラリ−に分散された酸化セリウ
ム粒子を構成する一次粒子のアスペクト比は１〜２、中
央値１．３が好ましい。アスペクト比は、走査型電子顕
微鏡（例えば（株）日立製作所製 Ｓ−９００型）によ
る観察で測定する。本発明のスラリ−に分散された酸化
セリウム粒子として、粉末Ｘ線リートベルト法（ＲＩＥ
ＴＡＮ−９４）による解析で、等方的微小歪を表わす構
造パラメーター：Ｙの値が、０．０１以上０．７０以下
である酸化セリウム粒子を使用することができる。この
ような結晶歪みを有する酸化セリウム粒子を使用するこ
とにより、被研磨表面に傷をつけることなく、かつ高速
に研磨することができる。本発明のスラリ−に分散され
た酸化セリウム粒子の比表面積は、７〜４５ｍ²／ｇが
好ましい。比表面積が７ｍ²／ｇ未満だと被研磨表面に
傷を付け易くなり、４５ｍ²／ｇを越えると研磨速度が
遅くなる傾向にある。スラリ−の酸化セリウム粒子の比
表面積は、分散される酸化セリウム粒子の比表面積と同
じである。比表面積はＢＥＴ法で測定することができ
る。本発明のスラリ−中の酸化セリウム粒子のゼ−タ電
位は、−１００ｍＶ以上−１０ｍＶが好ましい。これに
より、酸化セリウム粒子の分散性を良好にし、被研磨表
面に傷を付けることなく、かつ高速に研磨することがで
きる。本発明のスラリ−のｐＨは、７以上１０以下が好
ましく、８以上９以下がより好ましい。スラリ−調整
後、ポリエチレン等の容器に入れ５〜５５℃で７日以
上、より好ましくは３０日以上放置して使用すれば傷の
発生が少なくなる。本発明のスラリ−は、分散性に優れ
沈降速度が遅く、直径１０ｃｍ高さ１ｍの円柱容器のど
の高さの位置でも、２時間放置濃度変化率が１０％未満
である。

【００１３】本発明の酸化セリウム研磨剤が使用される
無機絶縁膜の作製方法として、定圧ＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法等が挙げられる。定圧ＣＶＤ法によるＳｉＯ₂
絶縁膜形成は、Ｓｉ源としてモノシラン：ＳｉＨ₄、酸
素源として酸素：Ｏ₂を用いる。このＳｉＨ₄−Ｏ₂系酸
化反応を、４００℃程度以下の低温で行わせることによ
り得られる。高温リフローによる表面平坦化を図るため
に、リン：Ｐをドープするときには、ＳｉＨ₄−Ｏ₂−Ｐ
Ｈ₃系反応ガスを用いることが好ましい。プラズマＣＤ
法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が
低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量
結合型と誘導結合型の２つが挙げられる。反応ガスとし
ては、Ｓｉ源としてＳｉＨ₄、酸素源としてＮ₂Ｏを用い
たＳｉＨ₄−Ｎ₂Ｏ系ガスとテトラエトキシシラン（ＴＥ
ＯＳ）を、Ｓｉ源に用いたＴＥＯＳ−Ｏ₂系ガス（ＴＥ
ＯＳ−プラズマＣＶＤ法）が挙げられる。基板温度は２
５０℃〜４００℃、反応圧力は６７〜４００Ｐａの範囲
が好ましい。このように、本発明のＳｉＯ_２絶縁膜には
リン、ホウ素等の元素がド−プされていても良い。

【００１４】所定の基板として、半導体基板すなわち回
路素子とアルミニウム配線が形成された段階の半導体基
板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体
基板上にＳｉＯ₂絶縁膜層が形成された基板等が使用で
きる。このような半導体基板上に形成されたＳｉＯ₂絶
縁膜層を、上記酸化セリウム研磨剤で研磨することによ
って、ＳｉＯ₂絶縁膜層表面の凹凸を解消し、半導体基
板全面に渡って平滑な面とする。ここで、研磨する装置
としては、半導体基板を保持するホルダーと研磨布（パ
ッド）を貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取
り付けてある）定盤を有する一般的な研磨装置が使用で
きる。研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレ
タン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がな
い。また、研磨布にはスラリーが溜まる様な溝加工を施
すことが好ましい。研磨条件には制限はないが、定盤の
回転速度は、半導体が飛び出さない様に１００ｒｐｍ以
下の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力は、研
磨後に傷が発生しない様に１ｋｇ／ｃｍ²以下が好まし
い。研磨している間、研磨布にはスラリーをポンプ等で
連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布
の表面が常にスラリーで覆われていることが好ましい。

【００１５】研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く
洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着
した水滴を払い落としてから乾燥させることが好まし
い。このようにして平坦化されたＳｉＯ₂絶縁膜層の上
に、第２層目のアルミニウム配線を形成し、その配線間
および配線上に再度上記方法により、ＳｉＯ₂絶縁膜を
形成後、上記酸化セリウム研磨剤を用いて研磨すること
によって、絶縁膜表面の凹凸を解消し、半導体基板全面
に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すこ
とにより、所望の層数の半導体を製造する。

【００１６】本発明の酸化セリウム研磨剤は、半導体基
板に形成されたＳｉＯ₂絶縁膜だけでなく、所定の配線
を有する配線板に形成されたＳｉＯ_２絶縁膜、ガラス、
窒化ケイ素等の無機絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プ
リズム等の光学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス
及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチン
グ素子・光導波路、光ファイバ−の端面、シンチレ−タ
等の光学用単結晶、固体レ−ザ単結晶、青色レ−ザ用Ｌ
ＥＤサファイア基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半
導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等
を研磨するために使用される。

【００１７】このように本発明において所定の基板と
は、ＳｉＯ₂絶縁膜が形成された半導体基板、ＳｉＯ₂絶
縁膜が形成された配線板、ガラス、窒化ケイ素等の無機
絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光学ガラ
ス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構
成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、
光ファイバ−の端面、シンチレ−タ等の光学用単結晶、
固体レ−ザ単結晶、青色レ−ザ用ＬＥＤサファイア基
板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、磁気
ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を含む。

【００１８】また所定の基板として、基板が半導体基板
であり、その上の形成層が有機ＳＯＧ膜及び化学気相堆
積や熱酸化によって形成されたＳｉＯ₂膜であり、不活
性化膜が形成される膜がＳｉＯ₂膜で、選択的に研磨さ
れる膜が有機ＳＯＧ膜である基板上に２種類以上の異な
る膜が形成された基板であっても良い。有機ＳＯＧ膜と
は、例えばアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシ
ランをアルコール等の有機溶媒中で水及び触媒を添加す
ることにより、加水分解して得られる塗布液をスピンコ
ート法等により基板に塗布後、加熱処理により硬化さた
ものである。

【００１９】

【実施例】実施例１ （酸化セリウム粒子の作製１）炭酸セリウム水和物２ｋ
ｇを白金製容器に入れ、８００℃、２時間空気中で焼成
することにより、黄白色の粉末を約１ｋｇ得た。この粉
末をＸ線回折法で相同定を行ったところ、酸化セリウム
であることを確認した。焼成粉末粒子径は３０〜１００
ミクロンであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微
鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察され
た。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定した
ところ、その分布の中央値が１９０ｎｍ、最大値が５０
０ｎｍであった。焼成粉末についてＸ線回折精密測定を
行い、その結果についてリートベルト法（ＲＩＥＴＡＮ
−９４）による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメ
ータ−：Ｘの値が０．０８０、等方的微少歪みを表わす
構造パラメータ−：Ｙの値が０．２２３であった。酸化
セリウム粉末１ｋｇをジェットミルにより乾式粉砕を行
った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、一次粒子径と同等サイズの小さな粒子の他に、１
ミクロンから３ミクロンの大きな粉砕粒子と０．５から
１ミクロンの粉砕粒子が混在していた。これらの粉砕粒
子は、一次粒子が再凝集した凝集体とは異なっており、
２つ以上の一次粒子から構成され結晶粒界を有してい
る。この粉砕粒子についてＸ線回折精密測定を行い、そ
の結果についてリートベルト法（ＲＩＥＴＡＮ−９４）
による解析で、一次粒子径を表わす構造パラメータ−：
Ｘの値が０．０８５、等方的微少歪みを表わす構造パラ
メータ−：Ｙの値が０．２６４であった。この結果、粉
砕による一次粒子径変量は殆どなく、また粉砕により粒
子に歪みが導入されていた。さらに、ＢＥＴ法による比
表面積測定の結果、１０ｍ²／ｇであることがわかっ
た。

【００２０】（酸化セリウムスラリーの作製）上記作製
の酸化セリウム粒子１ｋｇとアクリル酸アンモニウム塩
とアクリル酸メチルの共重合体水溶液（４０重量％）２
３ｇと脱イオン水８９７７ｇを混合し、撹拌しながら超
音波分散を１０分間施した。アクリル酸アンモニウム塩
とアクリル酸メチルの共重合体の重量平均分子量は１０
０００で、アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチ
ルのモル比は３：１のものを使用した。得られたスラリ
ーを１ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン
水を加えることにより３ｗｔ％研磨剤を得た。スラリー
ｐＨは８．３であった。スラリー中の粒子を走査型電子
顕微鏡で観察するために、スラリーを適当な濃度に希釈
し、それを乾燥した。スラリー中に含まれる結晶粒界を
有する粉砕粒子径を測定したところ、作製した酸化セリ
ウム粒子の中央値が８２５ｎｍ、最大値が１２３０ｎｍ
であった。その粉砕粒子は全体の８４体積％であった。
この場合、他の粒子は殆ど一次粒子径と同等サイズの小
さな粒子であった。この場合、他の粒子は殆ど一次粒子
径と同等サイズの小さな粒子であった。スラリーの分散
性およびスラリー粒子の電荷を調べるため、スラリーの
ゼータ電位を調べた。両側に白金製電極を取り付けてあ
る測定セルに、酸化セリウムスラリーを入れ、両電極に
１０Ｖの電圧を印加した。電圧を印加することにより電
荷を持ったスラリー粒子は、その電荷と反対の極を持つ
電極側に移動する。この移動速度を求めることにより、
粒子のゼータ電位を求めることができる。ゼータ電位測
定の結果、それぞれマイナスに荷電し、−５０ｍＶと絶
対値が大きく分散性が良好であることを確認した。ま
た、アンドレアゼンピペットにより沈降速度を測定した
ところ、３時間で濃度変化は０．０１ｗｔ．％で、沈降
速度は６．７ｃｍ／ｈと沈降速度が遅く、また研磨時に
攪拌することにより研磨剤濃度むらが生じなかった。研
磨剤を６ヶ月間５℃〜５５℃で保管した。その後、攪拌
により均一な濃度分布の研磨剤に戻し、レーザー回折粒
度分布測定を行ったところ、作製直後と同一の粒度分布
であることを確認できた。ＢＥＴ法によるスラリー粒子
の比表面積測定の結果、作製１の場合は１０ｍ²／ｇ、
作製２の場合は１６ｍ²／ｇであった。

【００２１】（絶縁膜層の研磨）保持する基板取り付け
用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに、ＴＥＯＳ−プ
ラズマＣＶＤ法で作製したＳｉＯ₂絶縁膜を形成させた
Ｓｉウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パ
ッドを貼り付けた定盤上に、絶縁膜面を下にしてホルダ
ーを載せ、さらに加工荷重が３００ｇ／ｃｍ２になるよ
うに重しを載せた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリ
ー（固形分：３重量％）を５０ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴
下しながら、定盤を３０ｒｐｍで２分間回転させ、絶縁
膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外し
て、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさらに２０
分間洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤーで水
滴を除去し、１２０℃の乾燥機で１０分間乾燥させた。
光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚変化を
測定した結果、この研磨によりそれぞれ６００ｎｍ、５
８０ｎｍ（研磨速度：３００ｎｍ／ｍｉｎ、２９０ｎｍ
／ｍｉｎ）の絶縁膜が削られ、ウエハ全面に渡って均一
の厚みになっていることがわかった。また、光学顕微鏡
を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な傷は見ら
れなかった。

【００２２】比較例 実施例と同様にＴＥＯＳ−ＣＶＤ法で作製したＳｉＯ₂
絶縁膜を形成させたＳｉウエハについて、市販シリカス
ラリー（キャボット社製、商品名ＳＳ２２５）を用いて
研磨を行った。この市販スラリーのｐＨは１０．３で、
ＳｉＯ₂粒子を１２．５ｗｔ％含んでいるものである。
研磨条件は実施例と同一である。その結果、研磨による
傷は見られず、また均一に研磨がなされたが、２分間の
研磨により１５０ｎｍ（研磨速度：７５ｎｍ／ｍｉｎ）
の絶縁膜層しか削れなかった。

【００２３】

【発明の効果】本発明の研磨剤により、沈降しにくく、
ＳｉＯ₂絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨するこ
とが可能となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｄ (72)発明者 倉田 靖 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株 式会社 筑波開発研究所内 (72)発明者 寺崎 裕樹 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株 式会社 筑波開発研究所内 (72)発明者 松沢 純 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立 化成工業株式会社 山崎工場内 (72)発明者 丹野 清仁 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立 化成工業株式会社 山崎工場内 (72)発明者 深沢 正人 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株 式会社 筑波開発研究所内 (56)参考文献 特開 平10−168431（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−74585（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−43190（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−154673（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−270402（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−106990（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−106994（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−102039（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09C 1/68 B24B 37/00 C01F 17/00 C09K 3/14 550 C09K 3/14 550 H01L 21/304 622

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 酸化セリウム粒子、アクリル酸アンモニ
   ウム塩とアクリル酸メチルの共重合体および水を含む酸
   化セリウム研磨剤であって、アクリル酸アンモニウム塩
   とアクリル酸メチルの共重合体の重量平均分子量が１０
   ００〜２００００である酸化セリウム研磨剤。
2. 【請求項２】 アクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸
   メチルの共重合体が酸化セリウム粒子１００重量部に対
   して０．０１以上５重量部以下添加された請求項１記載
   の酸化セリウム研磨剤。
3. 【請求項３】 アクリル酸アンモニウム塩／アクリル酸
   メチルのモル比が１０／９０〜９０／１０である請求項
   １または請求項２記載の酸化セリウム研磨剤。
4. 【請求項４】 ｐＨが７以上１０以下である請求項１〜
   ３のいずれかに記載の酸化セリウム研磨剤。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の酸化セ
   リウム研磨剤で、所定の基板を研磨する基板の研磨法。
6. 【請求項６】 所定の基板がシリカ膜が形成された半導
   体チップである請求項５記載の基板の研磨法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体チップを備える半
   導体装置。