JP4966370B2 - シングルダイ型mems音響トランスデューサおよび製造方法 - Google Patents
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Description
・ ダイに形成される空洞であって、その上部が空洞の開口部に対面し、その下部が空洞の底部に対面するような背面容積を提供する、空洞と、
・ 間に空隙を配して平行的に配置され、かつ空洞の開口部上を少なくとも部分的には横断する背極板および振動板であって、ダイの表面部分と一体的に形成される背極板および振動板と、
を備え、
・ 前記空洞の底部は、ダイによって境界付けられる、
音響MEMSトランスデューサが提供される。
a) ダイに空洞を形成することであって、それによって、その上部が空洞の開口部に対面し、その下部が空洞の底部に対面するような背面容積を形成することと、
b) 空洞の開口部を横断するように背極板および振動板を形成することであって、これら背極板および振動板は、それらの間に空隙を配して平行的に配置され、かつ半導体基板の表面部分と一体的に形成されることと、
を含み、前記空洞は、その底部がダイによって境界付けられるように形成される。
aa) 空洞または背面容積を画定するように多孔質半導体構造を形成することを含むことも、本発明の第2の側面の実施形態の範囲内にある。ここで、半導体材料はSiであってもよく、また、多孔質半導体構造は、シリコン陽極酸化の使用によって形成されてもよい。本発明の第2の側面に関する実施形態によると、多孔質半導体構造は、ダイまたは基板またはウエハの裏側から、シリコン陽極酸化によって形成されてもよい。
aa1) 表側および裏側を有するCMOSに適合するSi基板またはウエハを準備することと、
aa2) Si基板の裏側に、高度にドープされた導電性半導体層を形成することと、
aa3) ドープされた導電性半導体層の裏側の少なくとも一部に、裏側金属層を成膜することによって、導電層への電気コンタクトを確保することと、
aa4) Si基板の表側の一部に、Si酸化層などの表側保護層を形成することと、
aa5) 電気化学セルにSi基板を装着することと、
aa6) シリコン陽極酸化の使用によって、多孔質Si半導体構造を形成することと、
aa7) Si基板を電気化学セルから脱着することと、
aa8) エッチングによって裏側金属層を除去することと、
aa9) 表側保護層の少なくとも一部または全部を、エッチングによって除去することと、
を含んでもよい。
・ 既定濃度のエッチング液を基板の表側に塗布することと、
・ 既定電圧範囲内の外部DC電圧を、裏側金属層と表側エッチング液との間に 既定時間印加することによって、多孔質構造を形成すること、を含むことが好ましい。ここで、エッチング液は、HF:H2O:C2H5OHが1:1:2または1:1:1の溶液などのHF、水、およびエタノールの溶液であるHF溶液を含んでもよい。DC電圧は、1〜500mVの範囲内であってもよく、HF溶液により50mA/cm2のDC電流密度を得るように調整される。さらに、DC電圧は、約100分などの30〜150分の範囲内の時間印加されてもよい。
・ 導電性背極板層および導電性振動板膜層を多孔質構造の上に成膜することであって、層の各々は、多孔質構造の表面に延在すること、
を含んでもよい。
・ 多孔質構造の表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
・ 第1の絶縁層の上に導電性背極板層を成膜することと、
・ 背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
・ 背極板の上に第2の絶縁層を形成することと、
・ 第2の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
を含んでもよい。
・ 多孔質基板の表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
・ 第1の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
・ 膜層の上に第2の絶縁層を形成することと、
・ 第2の絶縁層の上に導電性背極板層を成膜することと、
・ 背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
を含んでもよい。ここで、上記方法は、背極板開口部を介して表面部分から第2の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることをさらに含んでもよい。
・ ダイの裏面部分から多孔質構造の下部へと到達する裏側開口部を形成することと、
・ 上記裏側開口部を介して、裏面部分からダイの多孔質構造をエッチングすることと、
をさらに含んでもよい。ここで、裏側開口部の形成は、
・ ダイの裏側に裏側保護絶縁層を形成することと、
・ 保護絶縁層をパターン化することによって、裏側開口部の領域を画定することと、
・ ダイの裏面部分を介して、多孔質構造の下部までの画定された領域において裏側をエッチングすることと、
を含んでもよい。
・ ダイの表面部分からダイの中へと多孔質半導体構造を形成することであって、該多孔質構造は、空洞容積を画定し、かつダイの裏面部分に対面する下部と、ダイの表面部分に対面する表面とを有する、ことと、
・ 多孔質構造の表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
・ 第1の絶縁層の上に導電性背極板層を成膜することと、
・ 背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
・ 背極板の上に第2の絶縁層を形成することと、
・ 第2の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
・ ダイの裏面部分から多孔質構造の下部まで延在する裏側開口部を形成することと、
・ 裏側開口部を介して、裏面部分からダイの多孔質構造をエッチングすることと、
・ 裏側開口部および背極板開口部を介して、裏面部分から第1および第2の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることと、
を含む。
・ ダイの表面部分からダイの中へと多孔質半導体構造を形成することであって、多孔質構造は、空洞容積を画定し、かつダイの裏面部分に対面する下部と、ダイの表面部分に対面する表面とを有することと、
・ 多孔質構造の表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
・ 第1の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
・ 膜層の上に第2の絶縁層を形成することと、
・ 第2の絶縁層の上に導電性背極板層を成膜することと、
・ 背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
・ ダイの裏面部分から多孔質構造の下部まで延在する裏側開口部を形成することと、
・ 裏側開口部を介して、裏面部分からダイの多孔質構造をエッチングすることと、
・ 裏側開口部および背極板開口部を介して、裏面部分から第1の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることと、
・ 背極板開口部を介して、裏面部分から第2の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることと、
を含む、方法も提供される。
・ 表側および裏側を有するCMOSに適合するSi基板またはウエハを準備することと、
・ Si基板の裏側に、高度にドープされた導電性半導体層を形成することと、
・ ドープされた導電性半導体層の裏側の少なくとも一部に裏側金属層を成膜することによって、導電層への電気コンタクトを確保することと、
・ Si基板の表側の一部に、Si酸化層などの表側保護層を形成することと、
・ 電気化学セルにSi基板を装着することと、
・ シリコン陽極酸化の使用によって、多孔質Si半導体構造を形成することと、
・ Si基板を電気化学セルから脱着することと、
・ エッチングによって裏側金属層を除去することと、
・ 表側保護層の少なくとも一部または全部を、エッチングによって除去することと、を含むことは、本発明の第3および第4の側面の方法に関する実施形態の範囲内にある。
・ 既定濃度のエッチング液を基板の表側に塗布することと、
・ 既定電圧範囲内の外部DC電圧を、裏側金属層と表側エッチング液との間に 既定時間印加することによって、多孔質構造を形成すること、
を含むことは、本発明の第3および第4の側面の方法に関する実施形態の範囲内にある。ここで、エッチング液は、HF:H2O:C2H5OHが1:1:2または1:1:1の溶液などのHF、水、およびエタノールの溶液であるHF溶液を含んでもよい。DC電圧は、1〜500mVの範囲内であってもよく、HF溶液により50mA/cm2のDC電流密度を得るように調整される。また、DC電圧は、約100分などの30〜150分の範囲内の時間印加されてもよい。
・ ダイの裏側に裏側保護絶縁層を形成すること、
・ 保護絶縁層をパターン化することによって、裏側開口部の領域を画定すること、
・ ダイの裏面部分を介して、多孔質構造の下部までの画定された領域において裏側をエッチングすること、
を含むことは、本発明の第3および第4の側面の方法に関する実施形態の範囲内にある。
〔多孔質Si工程シーケンス(図1a〜1n)〕
〔MEMS構造形成〕
〔背面容積形成〕
〔MEMS解放工程 〕
〔背面容積閉鎖〕
〔CMOS回路を含む本発明の実施形態〕
〔縦方向フィードスルーの一体化〕
〔CMOSの一体化〕
〔背面容積を画定する多孔質シリコンの局所的形成〕
〔多孔質シリコン領域の上のMEMSマイクロホン構造の製作〕
(裏側金属)
〔犠牲エッチングのための裏側構造〕
〔犠牲エッチング〕
(背面容積の閉鎖)
〔陽極酸化によってウエハの裏側に形成される多孔質シリコン(図5〜7)〕
〔n+マスクによる表側からの陽極酸化−n+が埋め込まれた単結晶シリコンによる背極板の形成(図8および9)〕
〔異方性ドライエッチングと等方性ドライエッチングの組み合わせを使用する背面容積の形成(図10〜15)〕
〔ビア工程を使用する陽極酸化容積の閉じ込め(図16〜18)〕
〔CMOS回路を含む、本発明のさらなる実施形態〕
図2a〜2vは、CMOS回路がダイに設けられる、本発明の方法の第1の実施形態に従う単一ダイ型音響MEMSトランスデューサを製造する種々のステップ中における、半導体構造の断面側面図である。
図3は、CMOS回路がダイに設けられる、本発明の第2の実施形態に従う単一ダイ型音響MEMSトランスデューサの断面側面図である。
図4は、CMOS回路がダイに設けられる、本発明の第3の実施形態に従う単一ダイ型音響MEMSトランスデューサの断面側面図である。
図5〜7は、陽極酸化を使用することによってウエハの裏側から多孔質シリコン構造を形成する種々のステップ中における、半導体構造の断面側面図である。
図8a〜9bは、陽極酸化を使用することによってウエハの表側から多孔質シリコン構造を形成する種々のステップ中における、半導体構造の断面側面図である。
図10〜15は、本発明の実施形態に従う空洞形成の種々のステップ中における、半導体構造の断面側面図である。
図16〜18は、陽極酸化中の縦方向閉じ込めのための絶縁酸化物の使用を示す種々の製作ステップ中における、半導体構造の断面側面図である。
Claims (30)
- 半導体材料をベースとし、かつ互いに対向する表面部分および裏面部分を有する単一のダイに形成される音響MEMS(Micro Electrical Mechanical System; 微小電気機械システム)トランスデューサであって、
前記ダイに形成される空洞であって、その上部が前記空洞の開口部に対面し、その下部が前記空洞の底部に対面するような背面容積を提供する、空洞と、
間に空隙を配して平行的に配置され、かつ前記空洞の前記開口部上を少なくとも部分的には横断する背極板および振動板であって、前記ダイの前記表面部分と一体的に形成される背極板および振動板と、
を備え、前記空洞の前記底部は前記ダイによって境界付けられ、前記ダイの前記裏面部分から前記空洞の底部へ到達する、複数の裏側開口部が前記ダイに設けられる、音響MEMSトランスデューサ。 - 前記振動板は前記背極板の上に配置され、前記背極板上を少なくとも部分的には横断する、請求項1に記載の音響トランスデューサ。
- 前記裏側開口部の少なくとも一部または全部は、封止材料によって音響的に封止される、請求項1または2に記載の音響トランスデューサ。
- 前記底部から前記上部または前記空洞の開口部までの距離は、約300μmなど100〜500μmの範囲内である、請求項1から3のいずれかに記載の音響トランスデューサ。
- 前記ダイの前記表面部分に集積回路が設けられ、前記振動板および背極板は、前記ダイの前記表面部分内またはその上に形成される電気的接続を介して前記集積回路に電気的に接続される、請求項1から4のいずれかに記載の音響トランスデューサ。
- 前記ダイの前記表面部分内またはその上に1つ以上のコンタクトパッドが形成され、1つまたは複数の前記コンタクトパッドは、前記ダイの前記表面部分内またはその上に形成される1つ以上の電気的接続を介して前記集積回路に電気的に接続される、請求項5に記載の音響トランスデューサ。
- 前記コンタクトパッドの少なくとも一部はSMDプロセス技術に適合し、また、前記ダイの前記表面部分の平面状の部分に形成される、請求項6に記載の音響トランスデューサ。
- 前記ダイの前記裏面部分内またはその上に1つ以上のコンタクトパッドが形成され、1つまたは複数の前記コンタクトパッドは、前記ダイの前記表面部分から前記ダイの裏面部分への1つ以上の電気的フィードスルーを介して前記集積回路に電気的に接続される、請求項5に記載の音響トランスデューサ。
- 前記ダイの前記裏面部分に集積回路が設けられ、前記振動板および背極板は、前記ダイの前記表面部分から前記ダイの前記裏面部分への電気的フィードスルーを介して、前記集積回路に電気的に接続される、請求項1から4のいずれかに記載の音響トランスデューサ。
- 前記ダイの前記裏面部分内またはその上に1つ以上のコンタクトパッドが形成され、1つまたは複数の前記コンタクトパッドは、前記ダイの前記裏面部分内またはその上に形成される1つ以上の電気的接続を介して前記集積回路に電気的に接続される、請求項9に記載の音響トランスデューサ。
- 前記ダイの前記裏面部分は平面状であり、前記コンタクトパッドの少なくとも一部はSMDプロセス技術に適合する、請求項8または10に記載の音響トランスデューサ。
- 前記ダイはSiベースの材料を含む、請求項1から11のいずれかに記載の音響トランスデューサ。
- 前記背極板および/または前記振動板は導電性Siベースの材料によって形成される、請求項1から12のいずれかに記載の音響トランスデューサ。
- 半導体材料をベースとし、かつ互いに対向する表面部分および裏面部分を有する単一のダイに、音響微小電気機械システム(Micro Electrical Mechanical System; MEMS)トランスデューサを製造する方法であって、
a) 前記ダイに空洞を形成することであって、
aa) 前記ダイの前記表面部分から前記空洞の底部に亘って、前記ダイの中に、空洞容積を画定することとなる多孔質半導体構造を形成することと、
前記ダイの前記裏面部分から前記多孔質構造の下部まで延在する裏側開口部を形成することと、
前記裏側開口部を介して、前記裏面部分から前記ダイの前記多孔質構造をエッチングすることと、
を含み、それによって、その上部が前記空洞の開口部に対面し、その下部が前記空洞の底部に対面するような背面容積を形成することと、
b) 前記空洞開口部を横断するように背極板および振動板を形成することであって、前記背極板および振動板は、それらの間に空隙を配して平行的に配置され、かつ前記半導体基板の前記表面部分と一体的に形成されることと、
を含み、
前記空洞は、その底部が前記ダイによって境界付けられるように形成される、方法。 - 前記多孔質半導体構造を前記形成することaa)は、
aa1) 表側および裏側を有するCMOSに適合するSi基板またはウエハを準備することと、
aa2) 前記Si基板の前記裏側に、高度にドープされた導電性半導体層を形成することと、
aa3) 前記ドープされた導電性半導体層の前記裏側の少なくとも一部に、裏側金属層を成膜することによって、前記導電層への電気コンタクトを確保することと、
aa4) 前記Si基板の前記表側の一部に、Si酸化層などの表側保護層を形成することと、
aa5) 電気化学セルに前記Si基板を装着することと、
aa6) シリコン陽極酸化の使用によって、多孔質Si半導体構造を形成することと、
aa7) 前記Si基板を前記電気化学セルから脱着することと、
aa8) エッチングによって前記裏側金属層を除去することと、
aa9) 前記表側保護層の少なくとも一部または全部を、エッチングによって除去することと、
を含む、請求項14に記載の方法。 - 陽極酸化の使用によって前記多孔質Si構造を前記形成することaa6)は、
既定濃度のエッチング液を前記基板の前記表側に塗布することと、
既定電圧範囲内の外部DC電圧を、前記裏側金属層と表側エッチング液との間に 既定時間印加することによって、前記多孔質構造を形成すること、
を含む、請求項15に記載の方法。 - 前記エッチング液は、HF:H2O:C2H5OHが1:1:2または1:1:1の溶液などのHF、水、およびエタノールの溶液であるHF溶液を含み、前記DC電圧は、1〜500mVの範囲内であり、前記HF溶液により50mA/cm2のDC電流密度を得るように調整され、また、前記DC電圧は、約100分などの30〜150分の範囲内の時間印加される、請求項16に記載の方法。
- 前記背極板および前記振動板を前記形成することb)は、
前記多孔質構造の上に、導電性背極板層および導電性振動板膜層を成膜することであって、前記層の各々は、前記多孔質構造の前記表面に延在すること、
を含む、請求項14から17のいずれかに記載の方法。 - 前記背極板および前記振動板の前記形成は、
前記多孔質構造の前記表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
前記第1の絶縁層の上に導電性背極板層を成膜することと、
前記背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
前記背極板の上に第2の絶縁層を形成することと、
前記第2の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
を含む、請求項14から18のいずれかに記載の方法。 - 前記背極板および前記振動板の前記形成は、
前記多孔質基板の前記表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
前記第1の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
前記膜層の上に第2の絶縁層を形成することと、
前記第2の絶縁層の上に、導電性背極板層を成膜することと、
前記背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
を含む、請求項14から18のいずれかに記載の方法。 - 前記方法は、前記背極板開口部を介して、前記表面部分から前記第2の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることをさらに含む、請求項20に記載の方法。
- 前記裏側開口部の前記形成は、
前記ダイの前記裏側に裏側保護絶縁層を形成することと、
前記保護絶縁層をパターン化することによって、前記裏側開口部の領域を画定することと、
前記ダイの前記裏面部分を介して、前記多孔質構造の下部までの前記画定された領域において裏側をエッチングすることと、
を含む、請求項14から21のいずれかに記載の方法。 - 前記方法は、
前記裏側開口部を介して、前記裏面部分から前記第1の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすること、
をさらに含む、請求項20に記載の方法。 - 前記方法は、
前記裏側開口部および前記背極板開口部を介して、前記裏面部分から前記第1および第2の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすること、
をさらに含む、請求項19から22のいずれかに記載の方法。 - 前記方法は、キャッピング層を前記裏面部分に成膜することによって、前記裏側開口部を少なくとも部分的に閉鎖または音響的に封止すること、をさらに含む、請求項14から24のいずれかに記載の方法。
- 半導体材料をベースとし、かつ互いに対向する表面部分および裏面部分を有する単一のダイに、音響微小電気機械システム(Micro Electrical Mechanical System; MEMS)トランスデューサを製造する方法であって、
前記ダイの前記表面部分から前記ダイの中へと多孔質半導体構造を形成することであって、前記多孔質構造は、空洞容積を画定し、かつ前記ダイの前記裏面部分に対面する下部と、前記ダイの前記表面部分に対面する表面とを有することと、
前記多孔質構造の前記表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
前記第1の絶縁層の上に導電性背極板層を成膜することと、
前記背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
前記背極板の上に第2の絶縁層を形成することと、
前記第2の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
前記ダイの前記裏面部分から前記多孔質構造の前記下部まで延在する裏側開口部を形成することと、
前記裏側開口部を介して、前記裏面部分から前記ダイの前記多孔質構造をエッチングすることと、
前記裏側開口部および前記背極板開口部を介して、前記裏面部分から前記第1および第2の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることと、
を含む、方法。 - 半導体材料をベースとし、かつ互いに対向する表面部分および裏面部分を有する単一のダイに、音響微小電気機械システム(Micro Electrical Mechanical System; MEMS)トランスデューサを製造する方法であって、
前記ダイの前記表面部分から前記ダイの中へと多孔質半導体構造を形成することであって、前記多孔質構造は、空洞容積を画定し、かつ前記ダイの前記裏面部分に対面する下部と、前記ダイの前記表面部分に対面する表面とを有することと、
前記多孔質構造の前記表面の上に第1の絶縁層を形成することと、
前記第1の絶縁層の上に導電性振動板膜層を成膜することと、
前記膜層の上に第2の絶縁層を形成することと、
前記第2の絶縁層の上に導電性背極板層を成膜することと、
前記背極板層に開口部を形成することによって、背極板を形成することと、
前記ダイの前記裏面部分から前記多孔質構造の前記下部まで延在する裏側開口部を形成することと、
前記裏側開口部を介して、前記裏面部分から前記ダイの前記多孔質構造をエッチングすることと、
前記裏側開口部および前記前記背極板開口部を介して、前記裏面部分から前記第1の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることと、
前記背極板開口部を介して、前記表面部分から第2の絶縁層を少なくとも部分的にエッチングすることと、
を含む、方法。 - 前記方法は、前記裏面部分にキャッピング層を成膜することによって、前記裏側開口部を少なくとも部分的に閉鎖または音響的に封止すること、をさらに含む、請求項26または27に記載の方法。
- 前記ダイはSiベースの材料を含む、請求項14から28のいずれかに記載の方法。
- 前記背極板および/または前記振動板は、導電性Siベースの材料によって形成される、請求項14から29のいずれかに記載の方法。
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US20080290494A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Markus Lutz | Backside release and/or encapsulation of microelectromechanical structures and method of manufacturing same |
US8542850B2 (en) | 2007-09-12 | 2013-09-24 | Epcos Pte Ltd | Miniature microphone assembly with hydrophobic surface coating |
SG155795A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-29 | Sensfab Pte Ltd | Water resistant ultra-low pressure sensor and method of fabrication of same |
SG158758A1 (en) * | 2008-07-14 | 2010-02-26 | Sensfab Pte Ltd | Extended sensor back volume |
DE102008040597A1 (de) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit Rückvolumen |
US7951636B2 (en) * | 2008-09-22 | 2011-05-31 | Solid State System Co. Ltd. | Method for fabricating micro-electro-mechanical system (MEMS) device |
KR101065292B1 (ko) | 2008-12-22 | 2011-09-19 | 한국전자통신연구원 | 멤스 마이크로폰 및 그 제조 방법 |
DE102009000053A1 (de) * | 2009-01-07 | 2010-07-08 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur |
US8405115B2 (en) * | 2009-01-28 | 2013-03-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Light sensor using wafer-level packaging |
US8580596B2 (en) * | 2009-04-10 | 2013-11-12 | Nxp, B.V. | Front end micro cavity |
US8158492B2 (en) * | 2009-04-29 | 2012-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEMS microphone with cavity and method therefor |
US8330239B2 (en) | 2009-04-29 | 2012-12-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Shielding for a micro electro-mechanical device and method therefor |
EP2252077B1 (en) | 2009-05-11 | 2012-07-11 | STMicroelectronics Srl | Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof |
US8571249B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-10-29 | General Mems Corporation | Silicon microphone package |
KR101096548B1 (ko) | 2009-11-06 | 2011-12-20 | 주식회사 비에스이 | 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 |
JP5404365B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2014-01-29 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置及びその製造方法 |
KR101109095B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2012-01-31 | 주식회사 비에스이 | 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 |
US8304846B2 (en) * | 2009-12-31 | 2012-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Silicon microphone with integrated back side cavity |
US8617960B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Silicon microphone transducer |
WO2011083159A2 (de) * | 2010-01-11 | 2011-07-14 | Elmos Semiconductor Ag | Halbleiterbauteil |
JP5414546B2 (ja) * | 2010-01-12 | 2014-02-12 | キヤノン株式会社 | 容量検出型の電気機械変換素子 |
US8865497B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-10-21 | International Business Machines Corporation | Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures |
DE102011012295B4 (de) * | 2011-02-24 | 2020-06-04 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung des MEMS-Mikrofons |
CN102348155B (zh) | 2010-07-30 | 2014-02-05 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 微机电麦克风及其制造方法 |
EP2420470B1 (en) * | 2010-08-18 | 2015-10-14 | Nxp B.V. | MEMS Microphone |
KR20120061422A (ko) * | 2010-12-03 | 2012-06-13 | 한국전자통신연구원 | 멤스 음향 센서 |
US9369066B2 (en) * | 2011-02-10 | 2016-06-14 | Epcos Ag | MEMS device comprising an under bump metallization |
CN103563399B (zh) * | 2011-03-11 | 2017-06-09 | 歌尔股份有限公司 | Cmos兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法 |
US9232302B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Microphone assemblies with through-silicon vias |
US8503699B2 (en) * | 2011-06-01 | 2013-08-06 | Infineon Technologies Ag | Plate, transducer and methods for making and operating a transducer |
US20120308066A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Hung-Jen Chen | Combined micro-electro-mechanical systems microphone and method for manufacturing the same |
US8948420B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-02-03 | Robert Bosch Gmbh | MEMS microphone |
CN102387455A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-03-21 | 美律电子(深圳)有限公司 | 具扩增背腔空间的微机电麦克风芯片 |
DE102011084393A1 (de) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Funktionsvorrichtung, insbesondere Lautsprechervorrichtung, und entsprechendes Herstellungsverfahren |
WO2013071950A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | Epcos Ag | Mems backplate, mems microphone comprising a mems backplate and method for manufacturing a mems microphone |
CN103248994A (zh) * | 2012-02-06 | 2013-08-14 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法及芯片 |
FR2994489B1 (fr) * | 2012-08-08 | 2015-07-31 | Commissariat Energie Atomique | Substrat pour lithographie electronique a haute resolution et procede de lithographie correspondant |
US8987842B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-03-24 | Solid State System Co., Ltd. | Microelectromechanical system (MEMS) device and fabrication method thereof |
TWI476877B (zh) * | 2012-10-15 | 2015-03-11 | Win Semiconductors Corp | 氣腔式封裝結構及方法 |
JP6426620B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2018-11-21 | Tdk株式会社 | トップポートmemsマイクロフォン及びその製造方法 |
US9006845B2 (en) * | 2013-01-16 | 2015-04-14 | Infineon Technologies, A.G. | MEMS device with polymer layer, system of a MEMS device with a polymer layer, method of making a MEMS device with a polymer layer |
US9758372B1 (en) * | 2013-02-13 | 2017-09-12 | Amkor Technology, Inc. | MEMS package with MEMS die, magnet, and window substrate fabrication method and structure |
CN104003348B (zh) * | 2013-02-27 | 2018-02-02 | 应美盛股份有限公司 | 用于具有双层面结构层和声学端口的mems结构的方法 |
JP6237978B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2017-11-29 | オムロン株式会社 | 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン |
US20140312439A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Infineon Technologies Ag | Microphone Module and Method of Manufacturing Thereof |
CN105144394B (zh) | 2013-04-22 | 2017-05-03 | 英派尔科技开发有限公司 | 光机械对准 |
DE102013207497A1 (de) * | 2013-04-25 | 2014-11-13 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur |
ITTO20130350A1 (it) | 2013-04-30 | 2014-10-31 | St Microelectronics Srl | Assemblaggio a livello di fetta di un dispositivo sensore mems e relativo dispositivo sensore mems |
US9481569B2 (en) | 2013-05-02 | 2016-11-01 | Robert Bosch Gmbh | Monolithic CMOS-MEMS microphones and method of manufacturing |
KR101472297B1 (ko) * | 2013-05-22 | 2014-12-12 | 한국기계연구원 | 1칩형 mems 마이크로폰 및 그 제작 방법 |
DE102013212173B4 (de) | 2013-06-26 | 2016-06-02 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauelement mit einer auslenkbaren Membran und einem feststehenden Gegenelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US9584889B2 (en) * | 2013-08-27 | 2017-02-28 | Infineon Technologies Ag | System and method for packaged MEMS device having embedding arrangement, MEMS die, and grille |
US9695515B2 (en) * | 2013-08-30 | 2017-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate etch |
CN104671190B (zh) * | 2013-11-27 | 2017-07-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 器件表面的保护方法 |
US10138115B2 (en) * | 2014-08-06 | 2018-11-27 | Infineon Technologies Ag | Low profile transducer module |
CN104969572B (zh) * | 2014-08-26 | 2019-01-18 | 歌尔股份有限公司 | Pcb扬声器以及用于在pcb基板上微加工扬声器振膜的方法 |
US9967679B2 (en) | 2015-02-03 | 2018-05-08 | Infineon Technologies Ag | System and method for an integrated transducer and temperature sensor |
DE102015204886A1 (de) * | 2015-03-18 | 2016-09-22 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer porösen Struktur im Schichtaufbau eines Halbleiterbauelements und MEMS-Bauelement mit einem solchen porösen Strukturelement |
WO2017075764A1 (en) | 2015-11-03 | 2017-05-11 | Goertek. Inc | Mems multi-module assembly, manufacturing method and electronics apparatus |
GB201708348D0 (en) | 2017-04-28 | 2017-07-12 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | MEMS devices and processes |
IT201700103489A1 (it) | 2017-09-15 | 2019-03-15 | St Microelectronics Srl | Metodo di fabbricazione di una membrana filtrante sottile, dispositivo trasduttore acustico includente la membrana filtrante, metodo di assemblaggio del dispositivo trasduttore acustico e sistema elettronico |
IT201800002049A1 (it) * | 2018-01-26 | 2019-07-26 | St Microelectronics Srl | Metodo di fabbricazione di una piastrina a semiconduttore provvista di un modulo filtrante sottile, piastrina a semiconduttore includente il modulo filtrante, package alloggiante la piastrina a semiconduttore, e sistema elettronico |
US10819309B1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
EP3823718A4 (en) | 2018-07-19 | 2022-04-27 | Cochlear Limited | SUBSURFACE INDICATOR LIGHTING |
EP3629597B1 (en) * | 2018-09-26 | 2021-07-07 | ams AG | Mems microphone assembly and method for fabricating a mems microphone assembly |
DE112019005007T5 (de) * | 2018-10-05 | 2021-07-15 | Knowles Electronics, Llc | Akustikwandler mit einer Niederdruckzone und Membranen, die eine erhöhte Nachgiebigkeit aufweisen |
US11206494B2 (en) | 2018-10-05 | 2021-12-21 | Knowles Electronics, Llc | Microphone device with ingress protection |
US10870577B2 (en) | 2018-10-05 | 2020-12-22 | Knowles Electronics, Llc | Methods of forming MEMS diaphragms including corrugations |
DE102020113974A1 (de) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | Apple Inc. | Entlüftete akustische wandler und verwandte verfahren und systeme |
US11310591B2 (en) * | 2019-05-28 | 2022-04-19 | Apple Inc. | Vented acoustic transducers, and related methods and systems |
US11746001B2 (en) * | 2020-05-05 | 2023-09-05 | Tdk Electronics Ag | Microelectromechanical microphone with membrane trench reinforcements and method of fabrication |
GB202218644D0 (en) * | 2022-12-12 | 2023-01-25 | Iqe Plc | Systems and methods for porous backside contacts |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5490220A (en) * | 1992-03-18 | 1996-02-06 | Knowles Electronics, Inc. | Solid state condenser and microphone devices |
DE69325732T2 (de) | 1992-03-18 | 2000-04-27 | Knowles Electronics Inc | Festkörper-Kondensatormikrofon |
FR2695787B1 (fr) * | 1992-09-11 | 1994-11-10 | Suisse Electro Microtech Centr | Transducteur capacitif intégré. |
US5452268A (en) * | 1994-08-12 | 1995-09-19 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer with improved low frequency response |
US5573679A (en) | 1995-06-19 | 1996-11-12 | Alberta Microelectronic Centre | Fabrication of a surface micromachined capacitive microphone using a dry-etch process |
FI105880B (fi) | 1998-06-18 | 2000-10-13 | Nokia Mobile Phones Ltd | Mikromekaanisen mikrofonin kiinnitys |
US6088463A (en) * | 1998-10-30 | 2000-07-11 | Microtronic A/S | Solid state silicon-based condenser microphone |
US6291922B1 (en) | 1999-08-25 | 2001-09-18 | Jds Uniphase, Inc. | Microelectromechanical device having single crystalline components and metallic components |
US6522762B1 (en) | 1999-09-07 | 2003-02-18 | Microtronic A/S | Silicon-based sensor system |
US6829131B1 (en) | 1999-09-13 | 2004-12-07 | Carnegie Mellon University | MEMS digital-to-acoustic transducer with error cancellation |
US6825967B1 (en) | 2000-09-29 | 2004-11-30 | Calient Networks, Inc. | Shaped electrodes for micro-electro-mechanical-system (MEMS) devices to improve actuator performance and methods for fabricating the same |
US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
US6847090B2 (en) * | 2001-01-24 | 2005-01-25 | Knowles Electronics, Llc | Silicon capacitive microphone |
JP2002239999A (ja) | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Alps Electric Co Ltd | マイクロマシンおよびその製造方法 |
WO2003047307A2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Corporation For National Research Initiatives | A miniature condenser microphone and fabrication method therefor |
US6928879B2 (en) | 2003-02-26 | 2005-08-16 | Robert Bosch Gmbh | Episeal pressure sensor and method for making an episeal pressure sensor |
US20050082654A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Tessera, Inc. | Structure and self-locating method of making capped chips |
US20050095814A1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-05-05 | Xu Zhu | Ultrathin form factor MEMS microphones and microspeakers |
US7152481B2 (en) * | 2005-04-13 | 2006-12-26 | Yunlong Wang | Capacitive micromachined acoustic transducer |
US7885423B2 (en) * | 2005-04-25 | 2011-02-08 | Analog Devices, Inc. | Support apparatus for microphone diaphragm |
-
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