JP2002239999A - マイクロマシンおよびその製造方法 - Google Patents

マイクロマシンおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2002239999A
JP2002239999A JP2001033213A JP2001033213A JP2002239999A JP 2002239999 A JP2002239999 A JP 2002239999A JP 2001033213 A JP2001033213 A JP 2001033213A JP 2001033213 A JP2001033213 A JP 2001033213A JP 2002239999 A JP2002239999 A JP 2002239999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
functional element
substrate
micromachine
porous silicon
silicon body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001033213A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiya Endo
俊哉 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP2001033213A priority Critical patent/JP2002239999A/ja
Publication of JP2002239999A publication Critical patent/JP2002239999A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価でかつ実用的な機械的強度を備えたマイ
クロマシンを提供すること。 【解決手段】 支持体17を軟質で内部応力の小さい有
機膜16により形成し、この支持体17により機能素子
13を上方から支持することにより、反りや破損を生ず
ることがないようにしたもの。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細加工技術を利
用して作成される微小な機械的構造であるマイクロマシ
ンおよびその製造方法に係り、特に、その機能素子の支
持構造に特徴を有するマイクロマシンおよびその製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロマシンは、一般に、1mm未満
の要素部品により構成される微小機械であるが、近年の
マイクロマシン技術の進展はめざましく、様々な電気
的、光学的、機械的機器へのマイクロマシンの応用が進
められている。
【0003】このようなマイクロマシンの一例として、
現在実用化されている熱型赤外線センサについて説明す
る。
【0004】図8において、外縁部を基板1に支持され
水平方向に延在する薄膜2上の中央部位には、特定の機
能を発揮し得る機能素子の一例としての感温素子3が載
置されており、この感温素子3からの出力は、薄膜2上
に形成された薄膜電極4を介して取り出されるようにな
っている。したがって、前記感温素子3の直下の薄膜2
の下方には、前記基板1の存在しない空洞部5が形成さ
れることになる。なお、熱型赤外線センサとしての感度
を良好にするためには、感温素子3が単独で空洞部5上
にあることが理想的であるが、このような構成では実用
的な機械的強度が得られないため、前述したように支持
体としての薄膜2上に感温素子3を載置している。
【0005】したがって、熱型赤外線センサの感度を向
上させるためには、前記薄膜2を、熱伝導率ができるだ
け小さい材料によりできるだけ薄く形成することが有効
である。このような理由から、前記薄膜2には、厚さ数
μmの酸化シリコン、窒化シリコン、あるいはこれらの
積層膜が用いられている。また、前記空洞部5は、基板
1に単結晶シリコンを用いるとともに、水酸化カリウム
水溶液などによる異方性エッチング技術を利用して形成
されている。
【0006】前記熱型赤外線センサは、前記空洞部5を
満たす気体、あるいは真空の熱絶縁性が非常に大きいと
いう特性を利用した機器であるが、他にも空洞部5の様
々な特性を利用した各種機器が開発されている。
【0007】例えば、前記感温素子3の代わりに圧電素
子を形成すると、高周波かつ高いQ値で発振する共振子
になる。この場合は、空洞部5の音響インピーダンスが
非常に小さいという特性を利用しているのである。
【0008】また、前記感温素子3の代わりにコイルを
形成すれば、容易に寄生容量の小さなインダクタを得る
ことができる。この場合は、空洞部5の誘電率が小さい
という特性を利用しているのである。
【0009】このほかにも空洞部5の特性を利用した種
々の機器が実用化あるいは開発途上にあり、今後も空洞
部5上に機能素子が保持されたマイクロマシンの構造
は、有用である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のマイクロマシンには、下記のような問題点があ
った。
【0011】まず、支持体を構成する薄膜2が硬質の無
機材料製薄膜であり、また、内部応力を制御することが
難しいため、工程の状態がわずかに変動しただけで、支
持体が反ったり、最悪の場合には破損するという問題が
あった。
【0012】さらに、支持体用薄膜2の製造装置とし
て、化学蒸着装置(CVD)などの高価な装置が必要で
あるため、製造される機器の価格が高価になっていた。
【0013】さらにまた、空洞部5は基板1の材料を溶
液中においてエッチングする、いわゆるウェットエッチ
ング技術により形成されるため、溶液の粘性により、エ
ッチング中やその後の洗浄中に支持体用の薄膜2が破損
し、歩留まりを低下させていた。このことによっても、
機器の価格が高価になっていた。
【0014】本発明はこのような従来のものにおける問
題点を克服し、安価でかつ実用的な機械的強度を備えた
マイクロマシンを提供することを目的としている。
【0015】また、本発明は、このような安価でかつ実
用的な機械的強度を備えたマイクロマシンを良好に製造
することのできるマイクロマシンの製造方法を提供する
ことを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため本発明のマイクロマシンの特徴は、支持体を有機膜
により形成し、この支持体により機能素子を上方から支
持した点にある。そして、このような構成を採用したこ
とにより、軟質で内部応力の小さい有機膜を支持体に使
用するので、反りや破損を生ずることがない。
【0017】本発明のマイクロマシンの製造方法の特徴
は、基板表面上の一部に多孔質シリコン体を形成し、多
孔質シリコン体上に機能素子を形成し、この機能素子の
少なくとも一部を被覆するとともに、多孔質シリコン体
が形成されていない領域の一部を被覆するように有機膜
のパターンを形成し、ドライエッチングにより前記多孔
質シリコン体を除去することにより少なくとも前記機能
素子の下方に空洞部を形成する点にある。そして、この
ような構成を採用したことにより、ドライエッチング速
度が通常のシリコンと比較して桁違いに大きい多孔質シ
リコン体を使用するので、多孔質シリコン体を犠牲層と
して利用することにより、ドライエツチンクにより空洞
部を形成することができ、支持体の破損による歩留まり
の低下を招来することがない。
【0018】
【発明の実施の形態】図1および図2は、本発明に係る
マイクロマシンの実施形態を示す図であり、図1におい
て、シリコン単結晶製の基板11が配設されており、こ
の基板11の表面11Aのほぼ中央部には、凹部からな
る空洞部15が形成されている。この空洞部15は、平
面ほぼ正方形をなし、かつ深さが基板11の厚さのほぼ
1/3程度の寸法に形成されている。なお、この空洞部
15は、後述するように陽極酸化法で形成された多孔質
シリコン体16を犠牲層として形成されるため、各隅部
が面取りされた形状とされている。
【0019】前記空洞部15上には、特定の機能を発揮
し得る機能素子13が位置しており、この機能素子13
は有機膜17により上方から支持されている。
【0020】なお、本実施形態においては、機能素子1
3から両側に電極14,14が引き出されているが、こ
れは何らかの電気信号を入出力する機能素子13を想定
して図示したもので、本発明において必要不可欠なもの
ではない。例えば、光学的に入出力する機能素子13で
あれば、各電極14が不要になる場合もある。また、図
示はしていないが、基板11が電気伝導性を有し、機能
素子13を電気的に絶縁する必要がある場合には、各電
極14と基板11との間に電気絶縁性の薄膜を介在させ
ることになる。
【0021】前記機能素子13は、前述したように有機
膜17により上方からブリッジ状に支持されて空洞部1
5上に形成されている。この有機膜17は、ドライエッ
チングにより空洞部15を形成するために前記空洞部1
5の形成予定部位に開口している2つの長方形状のエッ
チングホール19,19と、前記各電極14に連通する
電極パッド14Aの上部を露出する開口20とを除く前
記基板11の表面11Aの全域上に形成されている。
【0022】そして、前記有機膜17は、空洞部15上
に臨んでいる前記機能素子13の全域を上部から接着状
態において被覆するような形状とされており、この機能
素子13を機械的に補強する役割を備えている。この結
果、機械的強度に優れたマイクロマシンの構造が得られ
る。
【0023】なお、図2では機能素子13の全域を被覆
するように有機膜17のパターンを形成しているが、必
要であれば、図3のように機能素子13および電極14
の一部が露出する正方形状の開口部21を有するように
有機膜17のパターンを形成してもよい。
【0024】つぎに、前述した図1ないし図3のマイク
ロマシンの製造方法の実施形態を図4ないし図8を参照
して説明する。
【0025】まず、図4に示すように、基板としてシリ
コン単結晶製の基板11を準備する。シリコンの導電型
ならびに比抵抗は任意に選択可能であるが、多孔質シリ
コン体16を形成することの容易さ、およびその空孔率
をできるだけ大きくするためには、比抵抗が0.001
〜0.1Ω・cmの範囲、より好ましくは約0.01Ω
・cmのp型シリコン基板がこの基板11として好適で
ある。
【0026】まず、基板11の表面11A面上の所望の
位置(本実施形態においては中央部)に多孔質シリコン
体を形成するためフォトレジストのマスク(図示せず)
を形成し、このマスク上から基板11に対する露光を行
う。続いて、この基板11をフッ酸系溶液中に浸漬し、
フッ酸系溶液中でシリコンを陽極酸化することによりマ
スク開口部に対向する基板11の表面11Aに多孔質シ
リコン体16を形成する。
【0027】具体的には、フッ酸系溶液として、たとえ
ばフッ酸:エタノール:水=40:50:10の混合溶
液中において、白金を陰極として50mA/cm2 の電
流を流せば、空孔率が約75%の多孔質シリコン体16
が得られる。この多孔質シリコン体16の厚さは、シリ
コンを陽極酸化する時間により調整可能であるが、機械
的強度や除去容易性から多孔質シリコン体16の厚さは
1〜100μmの範囲、より好ましくは10〜50μm
の範囲が適当である。
【0028】前述した工程により、図4に示すように、
基板11の表面11Aにおける中央部に、所望の厚さの
多孔質シリコン体16が形成される。
【0029】なお、図示は省略したが、後述する機能素
子13と基板11との電気絶縁性が必要な場合には、多
孔質シリコン体16を形成した後、基板11の表面11
Aに電気絶縁性薄膜を形成しておく。この電気絶縁性薄
膜材料としては、後の工程においてCF4 とO2 の混合
ガスでドライエッチングできるものが好都合であり、た
とえば酸化シリコンが好適である。
【0030】つぎに、図5に示すように、基板11の表
面11Aに、機能素子13および電極14を形成する。
【0031】前記機能素子13としては種々のものが適
用可能である。すなわち、この機能素子13として た
とえば熱型赤外線センサであればアンチモンとビスマス
の薄膜熱電対、共振子であれば酸化亜鉛薄膜を薄膜電極
により挟持した素子、インダクタであれば銅薄膜をコイ
ル状にパターニングした素子などがある。
【0032】前述した機能素子13および電極14は、
一般的な薄膜技術あるいは厚膜技術などを利用して形成
すればよい。
【0033】前述した工程により、図5に示すように、
多孔質シリコン体16上に機能素子13が形成されると
ともに、この多孔質シリコン体16と同一平面上に位置
し、この多孔質シリコン体16から延在する電極が多孔
質シリコン体16および基板11の表面11A上に形成
される。
【0034】つぎに、図6に示すように、有機膜17か
らなり機能素子13を支持する支持体18を形成する。
【0035】有機膜17は、感光性有機材料をフォトリ
ソ技術で形成してもよいし、非感光性有機材料を印刷、
ディスぺンスなどの技術により形成してもよい。
【0036】このうち感光性有機材料の場合の例を挙げ
ると、東京応化工業製OFPRフォトレジストを、標準
的な条件のもとでコーティングおよびパターニングすれ
ばよい。また、有機膜17の膜厚は、厚すぎると空洞部
15上に機能素子13を形成する効果が得にくくなる
し、薄すぎると機械的強度が低下するので、0.1〜1
00μmの範囲、より好ましくは1〜10μmの範囲が
好ましい。
【0037】前述した工程により、図6に示すように、
機能素子13および電極14の少なくとも一部を覆うよ
うに有機膜17からなる支持体18が形成される。
【0038】なお、有機膜17に他の機能を設けること
も可能である。たとえば熱型赤外線センサの場合には、
上記OFPRフォトレジストに代えて、黒体顔料を分散
したフォトレジスト、たとえば東京応化工業製CFPR
−BKフォトレジストを使用すると、赤外線の吸収率が
向上し、より高感度の赤外線センサが得られる。
【0039】つぎに、図7に示すように、空洞部15を
形成する。
【0040】前記空洞部15は、ドライエッチング技術
により形成されるが、前記機能素子13の直下の多孔質
シリコン体16はサイドエッチングにより除去されるの
で、リアクティイオンエッチングのような異方性エッチ
ングよりも等方性エッチングにより空洞部15を形成す
ることが望ましい。この等方性エッチングとしては、た
とえば徳田製作所製のケミカルドライエッチング装置を
利用することができる。
【0041】また、前記多孔質シリコン体16のエッチ
ングは、たとえばCF4 と02 の混合ガスにより可能で
ある。このガス系のエッチングの場合、アフターコロー
ジョンは発生しないので、エッチング後の洗浄は不要で
ある。
【0042】前述した工程により、図7に示すように、
空洞部15が形成され、この空洞部15上に機能素子1
3を有機膜17が上方から支持する構造が形成される。
なお、この空洞部15の形成は、機器をパッケージに実
装した後に行うことも可能である。
【0043】以上説明した本実施形態のマイクロマシン
の製造方法によれば、多孔質シリコン体16はドライエ
ッチング速度が通常のシリコンと比較して桁違いに大き
いので、多孔質シリコン体16を犠牲層として利用する
ことにより、ドライエッチングにより空洞部15を形成
することができ、支持体18の破損による歩留まり低下
を招来することがない。
【0044】なお、本発明は、前述した実施の形態に限
定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能
である。たとえば、基板の材料は単結晶シリコンに限定
されるものではなく、多結晶シリコン基板や、任意の基
板に多結晶シリコン、あるいは、アモルファスシリコン
を成膜した基板を使用してもよい。また、各材料の密着
性やエッチング選択性が不十分な場合には、適当な密着
層や耐エッチング層を追加してもよい。
【0045】なお、本発明は、前述した実施形態に限定
されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能で
ある。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように本発明のマイクロマ
シンによれば、安価で、かつ実用的な機械的強度を有す
ることができる。すなわち、本発明のマイクロマシン
は、支持体を有機膜により形成し、前記支持体により機
能素子を上方から支持したので、工程を大幅に簡素化、
ならびに安定化できる。また、有機膜は軟質で内部応力
も小さいので、反りや破損を生ずることがなく、従来の
無機材料製薄膜と比較すると機械的強度が向上する。
【0047】一方、本発明のマイクロマシンの製造方法
によれば、マイクロマシンを歩留まりよく製造すること
ができる。すなわち、本発明のマイクロマシンの製造方
法は、基板表面上の一部に多孔質シリコン体を形成し、
多孔質シリコン体上に機能素子を形成し、この機能素子
の少なくとも一部を被覆するとともに、多孔質シリコン
体が形成されていない領域の一部を被覆するように有機
膜のパターンを形成し、ドライエッチングにより前記多
孔質シリコン体を除去することにより少なくとも前記機
能素子の下方に空洞部を形成するので、工程中の支持体
の破損による歩留まり低下を招来することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るマイクロマシンの実施形態を示
す縦断面図で、図2のA−A線に沿った断面図
【図2】 図1のマイクロマシンの平面図
【図3】 本発明に係るマイクロマシンの他の実施形態
を示す平面図
【図4】 本発明に係るマイクロマシンの製造方法の実
施形態における最初の工程を示す断面図
【図5】 本発明に係るマイクロマシンの製造方法の実
施形態における図4のつぎの工程を示す断面図
【図6】 本発明に係るマイクロマシンの製造方法の実
施形態における図5のつぎの工程を示す断面図
【図7】 本発明に係るマイクロマシンの製造方法の実
施形態における図6のつぎの工程を示す断面図
【図8】 従来のマイクロマシンを示す縦断面図
【符号の説明】
1,11 基板 2 薄膜 3 感温素子 4 薄膜電極 5,15 空洞部 13 機能素子 14 電極 16 多孔質シリコン体 17 有機膜 18 支持体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に保持されている支持体により機能
    素子を支持し、この機能素子の下方の前記基板に空洞部
    を形成したマイクロマシンであって、 前記支持体を有機膜により形成し、前記支持体により前
    記機能素子を上方から支持したことを特徴とするマイク
    ロマシン。
  2. 【請求項2】 基板表面上の一部に多孔質シリコン体を
    形成し、多孔質シリコン体上に機能素子を形成し、この
    機能素子の少なくとも一部を被覆するとともに、多孔質
    シリコン体が形成されていない領域の一部を被覆するよ
    うに有機膜のパターンを形成し、ドライエッチングによ
    り前記多孔質シリコン体を除去することにより少なくと
    も前記機能素子の下方に空洞部を形成することを特徴と
    するマイクロマシンの製造方法。
JP2001033213A 2001-02-09 2001-02-09 マイクロマシンおよびその製造方法 Withdrawn JP2002239999A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001033213A JP2002239999A (ja) 2001-02-09 2001-02-09 マイクロマシンおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001033213A JP2002239999A (ja) 2001-02-09 2001-02-09 マイクロマシンおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002239999A true JP2002239999A (ja) 2002-08-28

Family

ID=18896998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001033213A Withdrawn JP2002239999A (ja) 2001-02-09 2001-02-09 マイクロマシンおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002239999A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007222990A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 梁部を備えた構造体の製造方法およびmemsデバイス
JP2009531884A (ja) * 2006-03-30 2009-09-03 パルス・エムイーエムエス・アンパルトセルスカブ シングルダイ型mems音響トランスデューサおよび製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007222990A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 梁部を備えた構造体の製造方法およびmemsデバイス
JP2009531884A (ja) * 2006-03-30 2009-09-03 パルス・エムイーエムエス・アンパルトセルスカブ シングルダイ型mems音響トランスデューサおよび製造方法
US8188557B2 (en) 2006-03-30 2012-05-29 Pulse Mems Aps. Single die MEMS acoustic transducer and manufacturing method
KR101398667B1 (ko) * 2006-03-30 2014-05-27 에프코스 피티이 엘티디 단일 다이 mems 음향 전환기 및 그 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100812996B1 (ko) 마이크로 가스 센서 및 그 제조방법
KR100781200B1 (ko) 음향 검출 기구
TWI404671B (zh) 微機電元件
JP4377118B2 (ja) 非接触型温度測定センサ
US8199963B2 (en) Microphone arrangement and method for production thereof
US20060291674A1 (en) Method of making silicon-based miniaturized microphones
JP2010154734A (ja) 電気機械変換装置およびその製造方法
WO2006067949A1 (ja) 圧電薄膜共振子およびその製造方法
JP4590764B2 (ja) ガスセンサ及びその製造方法
US6846724B2 (en) Method for fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned bridge
JP2645816B2 (ja) ガスセンサ及びその製造方法
KR100923296B1 (ko) 마이크로 폰 및 스피커로 사용되는 멤스(mems) 소자및 그 제조 방법
JP2007222990A (ja) 梁部を備えた構造体の製造方法およびmemsデバイス
JPH0886850A (ja) 導電性マイクロブリッジの製造方法
JP4271751B2 (ja) 電子装置および電子装置のためのメンブレンを形成する方法
JP4081868B2 (ja) 微小装置の製造方法
JP2002239999A (ja) マイクロマシンおよびその製造方法
JP2005051690A (ja) 超音波アレイセンサの製造方法および超音波アレイセンサ
KR100442824B1 (ko) 마이크로구조물소자및그제조방법
JP4852220B2 (ja) ミクロ構造、およびこれを製造する方法
JP2007194611A (ja) 三次元配線及びその製造方法、力学量センサ及びその製造方法
JP4032476B2 (ja) 微小装置の製造方法
JP2879733B2 (ja) シリコン微細機械素子の製造方法
KR100619478B1 (ko) 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자 및 그 제조 방법
WO2003015183A1 (fr) Procede de fabrication d'une structure a couches minces

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040615

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060309

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060613

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060719