JP4946740B2 - 配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置において、電気光学パネルと外部回路とを接続するのに用いられるフレキシブル基板等の配線基板、及び該配線基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の配線基板では、ノイズ、伝送される信号の品質低下等を防止することが図られる。例えば、特許文献１には、表示装置に使用され、小振幅の差動信号を伝送する平衡伝送線路の少なくとも一端にコモンモードフィルタを接続する技術が記載されている。特許文献２には、差動信号を伝送する一対の伝送線路を基板上において線対称に配置する技術が記載されている。

特開平１０−２７１０４８号公報 特開平１１−１８６６７４号公報

しかしながら、上述の背景技術によれば、複数の伝送方式に対応していない、或いは少なくとも複数の伝送方式に適していないという技術的問題点がある。仮に、基板上に、一の伝送方式に対応する配線、及び他の伝送方式に対応する配線が併設されたとしても、例えば配線基板の幅が増加してしまう等の技術的問題点がある。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数の伝送方式に対応しつつ、効率的に配線を配置すると共に、伝送品質等を維持することができる配線基板、及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。

本発明の配線基板は、上記課題を解決するために、基板と、該基板上に、前記基板上で平面的に見てストライプ状に配列された複数の第1配線及び複数の第２配線とを備え、前記複数の第1配線は、少なくとも部分的に、第１伝送方式で使用される際に、伝送すべき対をなす第1信号に対応して、相隣接する２本で対をなす信号配線として機能し、第２伝送方式で使用される際に、伝送すべき相互から独立した第２信号に対応して、相互から独立した信号配線として夫々機能するように構成されており、前記複数の第２配線は、少なくとも部分的に、前記複数の第1配線の配列上で前記複数の第1配線がなす第ｎ（但し、ｎは自然数）番目の対と第ｎ＋１番目の対との間に配置されており、前記第１伝送方式で使用される際に、共通にグランド配線として機能し、前記第２伝送方式で使用される際に、前記第２信号に対応して、相互から独立した信号配線として夫々機能するように構成されている。

本発明の配線基板によれば、当該配線基板は、例えば単層基板である基板と、該基板上に、前記基板上で平面的に見てストライプ上に配列された複数の第１配線及び複数の第２配線とを備えている。

複数の第１配線は、少なくとも部分的に、例えばＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｎｇａｌｉｎｇ）信号を伝送する方式である第１伝送方式で使用される際に、伝送すべき対をなす第１信号（例えば、ＬＶＤＳ信号）に対応して、相隣接する２本で対をなす信号配線（即ち、差動線路）として機能する。他方、複数の第１配線は、例えば例えばＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）信号又はＴＴＬ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｌｏｇｉｃ）信号を伝送する方式である第２伝送方式で使用される際に、伝送すべき相互から独立した第２信号（例えば、ＣＭＯＳ信号、ＴＴＬ信号）に対応して、相互から独立した信号配線として夫々機能するように構成されている。

複数の第２配線は、少なくとも部分的に、複数の第1配線の配列上で複数の第1配線がなす第ｎ番目の対と第ｎ＋１番目の対との間に配置されている。そして、第１伝送方式で使用される際に、共通にグランド配線として機能し、第２伝送方式で使用される際に、第２信号に対応して、相互から独立した信号配線として夫々機能するように構成されている。ここに、本発明に係る「構成されている」とは、インピーダンス、抵抗値、配線幅、配線長などの配線に係る諸元が、第1伝送方式用にグランド配線として機能するように且つ第２伝送方式用に信号配線として機能するように設定された上で、基板上に形成（例えば、成膜及びパターンニング等）されている意味である。

本願発明者の研究によれば、一般に、単層基板上にＬＶＤＳ信号用の差動線路を形成する場合、第ｎ番目の差動線路対と第ｎ＋１番目の差動線路対との間に、差動線路の特性インピーダンスを所定値（例えば１００Ω）とするため、及びクロストーク防止のためのグランド配線が形成される。言い換えれば、グランド配線間に、一対の差動線路が形成される。そして、差動線路の特性インピーダンスを所定値とするためには、グランド配線がある程度広い面積を有することが必要である。

また、ある程度広い面積を有するグランド配線が第ｎ番目の差動線路対と第ｎ＋１番目の差動線路対との間に形成されている配線基板を、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として兼用する場合、グランド配線を信号配線として使用することは極めて困難であり、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号のビット数（例えば１２ビット）に応じた配線数を確保するために、配線数を増やしたり、配線基板の幅を増やしたりする必要がある。更に、配線基板の幅には制限があり、基板上に形成可能な配線数にも制限があることが判明している。

しかるに本願発明者は、ＬＶＤＳ信号用の差動線路の特定インピーダンスを所定値とするためのグランド配線の幅（即ち、面積）を広げなくても（例えば、差動線路の幅と同等であっても）、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離、並びに一対の差動線路間の距離を、夫々所定距離とすれば、差動線路の特性インピーダンスを所定値とすることが可能であることを見出し、本発明では、第１伝送方式で使用される際にグランド配線として機能する第２配線を、第２伝送方式で使用される際に、信号配線として機能するように構成している。

尚、グランド配線の幅を広げないことによって、第ｎ番目の差動線路対及び第ｎ＋１番目の差動線路対間においてクロストークが生じることを防止するために、第ｎ番目の差動線路対及び第ｎ＋１番目の差動線路対間に複数のグランド配線を配置して、第ｎ番目の差動線路対及び第ｎ＋１番目の差動線路対間の距離（即ち、ピッチ）が、例えば伝統的な幅広のグランド配線が配置されている場合と同等のピッチになるようにすればよい。

これにより、複数のグランド配線があるので、対をなす差動線路への影響力については、個々のグランド配線の幅を広げることを要せずに（即ち、差動線路と同等の幅であっても）、伝統的な幅広のグランド配線と同等に機能させることができる。言い換えれば、対をなす差動線路から見れば、幅広のグランド配線が、複数のグランド配線に分割されているだけで、複数のグランド配線の合計幅や間隙を多少調整すれば、伝統的な幅広の１本のグランド配線と同一視できる。

尚、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離、並びに一対の差動線路間の距離は、配線の幅、配線を形成する材料の特性値、信号の周波数等に基づいた、例えば電磁界シミュレーション等から夫々求めればよい。例えば、配線の幅が３５μｍ（マイクロメートル）、信号の周波数が１ＧＨｚ（ギガヘルツ）である場合、差動線路の特性インピーダンスを１００Ωとするには、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離を６０μｍ、一対の差動線路間の距離を３３μｍとすればよい。

以上の結果、本発明の配線基板によれば、複数の伝送方式に対応しつつ、効率的に配線を配置すると共に、伝送品質等を維持することができる。加えて、第２配線が、伝送方式に応じて、グランド配線又は信号配線として機能することにより、当該配線基板をＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として使用する場合に、配線の偏り及びピン配置の偏りを回避することができる。更に、配線基板の幅及び／又は配線数の増加を抑制することによって、製造コストの増加を抑制することができる。

本発明の配線基板の一態様では、前記第２配線の幅は、前記第１配線の幅と等しい。

この態様によれば、当該配線基板が、例えばＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として使用される際に、第１及び第２配線を信号配線として使用することができ、実用上非常に有利である。

本発明の配線基板の他の態様では、前記第１伝送方式は、前記第1信号として、ＬＶＤＳ信号を伝送する方式であり、前記第２伝送方式は、前記第２信号として、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式である。

この態様によれば、当該配線基板を、高速な信号伝送が可能なＬＶＤＳ信号用の配線基板として使用できると共に、広く普及しているＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の配線基板として使用できる。

本発明の配線基板の他の態様では、当該配線基板はフレキシブル基板である。

この態様によれば、可撓性のある基板上に配線が形成されるので、配線と外部回路との相対位置の自由度を高めることができ、実用上非常に有利である。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の配線基板（但し、その各種態様を含む）と、該配線基板と電気的に接続され、電気光学動作を行う電気光学パネルとを備える。

本発明の電気光学装置によれば、当該電気光学装置は、例えば液晶パネル等である電気光学パネルと、該電気光学パネル、及び例えば画像信号処理回路等の外部回路を電気的に接続する配線基板とを備える。その動作時には、電気光学パネルに設けられた、該電気光学パネルを駆動するための駆動回路によって、或いは、配線基板上に設けられた駆動回路によって、電気光学パネルが駆動され、その電気光学動作が行われる。即ち、その動作時には、例えばフレキシブル基板上に設けられた信号配線を伝送路として画像データ等のデータ信号が伝送されることで、例えば電気光学パネルの画素領域において、画像表示動作が行われる。

ここで、本発明の電気光学装置は、上述した本発明の配線基板を備えてなるので、複数の伝送方式に対応しつつ、効率的に配線を配置すると共に、伝送品質等を維持することができる。即ち、駆動回路から電気光学パネルへ伝送される信号を、例えば、ＬＶＤＳ信号としてもよいし、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号としてもよい。尚、ＬＶＤＳ信号とするか、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号とするかは、例えばコントローラによって決定すればよい。言い換えれば、仮にコントローラを交換しても、同一の電気光学パネルを使用することができ、実用上非常に有利である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記配線基板上に設けられると共に前記複数の配線の少なくとも一部に電気的に接続され、前記電気光学パネルを駆動するための駆動回路を更に備える。

この態様によれば、当該配線基板は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ搭載型の配線基板であってもよい。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、クロストーク等を防止し、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下図面を参照しながら、本発明に係る配線基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態の液晶装置の斜視図である。

図１において、本実施形態に係る液晶装置は、液晶パネル１００、配線基板２００ケース４００を備えて構成されている。配線基板２００は、駆動用ＩＣチップ３００を搭載するタイプである。ここに、本実施形態に係る「液晶パネル１００」及び「駆動用ＩＣチップ３００」は、夫々、本発明に係る「電気光学パネル」及び「駆動回路」の一例である。

駆動用ＩＣチップ３００は、例えば図示しないデータ線駆動回路の一部等を含んで構成されており、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、電気的及び機械的に配線基板２００に固着されている。配線基板２００は、例えばポリイミド等の基材に配線がパターニングされることによって形成されている。

次に、液晶パネル１００について、図２及び図３を参照して説明を加える。ここに図２は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側からみた平面図であり、図３は、図２のＨ−Ｈ´線断面図である。

図２及び図３において、本実施形態の液晶パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素が設けられた領域に対応する、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。

図２において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図３では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。

画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。

対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図３には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。

尚、図２及び図３に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらの走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、図４及び図５を参照して配線基板２００について説明を加える。ここに図４は、配線基板２００に形成されている配線パターンの一部を示す平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線断面の一部を示す断面図である。

図５において、本実施形態に係る配線基板２００は、基板２０１、該基板２０１上にストライプ状に（即ち、断面上で島状に）形成された複数の配線ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ８、及びｇ１〜ｇ３、並びに該複数の配線の上面及び側面を覆うように形成された絶縁膜２０２を備えて構成されている。配線ａ１〜ａ６各々の幅ｗ２、及び配線ｂ１〜ｂ８各々の幅ｗ３は、例えば３５μｍであり、配線ｇ１〜ｇ３各々の幅ｗ１は、例えば１５７μｍである。配線ｇ１及び配線ａ１間の距離ｄ１、配線ａ１及び配線ｂ１間の距離ｄ２、配線ｂ１及び配線ｂ２間の距離ｄ３、及び配線ａ２及び配線ａ３間の距離ｄ４は、夫々、例えば８７μｍ、６０μｍ、３３μｍ及び８７μｍである。

配線基板２００が、本発明に係る「第１伝送方式」の一例としてのＬＶＤＳ信号を伝送する方式用の配線として使用される際には、配線ａ１〜ａ６、ｇ１〜ｇ３は、夫々グランド配線として機能し、配線ｂ１〜ｂ８は、伝送すべきＬＶＤＳ信号に対応して、夫々相隣接する２本で対をなす信号配線（即ち、差動線路）として機能する。他方、配線基板２００が、本発明に係る「第２伝送方式」の一例としてのＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として使用される際には、配線ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ８は、伝送すべきＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号に対応して、夫々相互から独立した信号配線として機能し、配線ｇ１〜ｇ３は、夫々グランド配線として機能する。図５に示すように、配線ａ１〜ａ６は、少なくとも部分的に、配線ｂ１〜ｂ８がなす第ｎ番目の対と第ｎ＋１番目の対との間に配置されている。

ここに、本実施形態に係る「配線ａ１〜ａ６」及び「配線ｂ１〜ｂ８」は、夫々、本発明に係る「第２配線」及び「第１配線」の一例である。尚、図４における配線ｇ３及び配線ｇ４間の配線の配置は、図５における配線ｇ１及び配線ｇ２間の配線の配置と同様である。

図４においては、配線基板２００にＬＶＤＳ信号が入力される場合には、各一対の配線ｐ１〜ｐ７が差動線路として機能する。そして、配線基板２００にＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号が入力される場合には、配線ｇ１及び配線ｇ２間に形成されている配線、並びに配線ｇ３及び配線ｇ４間に形成されている配線が信号配線として機能する。

図４に示すように、Ａ−Ａ´線近傍では、配線ｇ１及び配線ｇ２間、並びに配線ｇ３及び配線ｇ４間には、配線がほぼ均等に配置されている。これにより、配線基板２００が、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として使用される際に、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ノイズの発生を抑制することができる。加えて、第ｎ番目の差動線路対及び第ｎ＋１番目の差動線路対間に、少なくとも２本のグランド配線が形成されることによって、第ｎ番目の差動線路対及び第ｎ＋１番目の差動線路対間におけるクロストークが生じることを防止することができる。

また、第ｎ番目の差動線路対及び第ｎ＋１番目の差動線路対間に形成された配線（図５における配線ａ１〜ａ６）の幅が差動線路の幅と等しいので、比較的容易にしてコネクタのピン配置（図４下部）を等間隔にすることができる。

ここで、図６を参照して配線基板２００をＬＶＤＳ信号用の配線として使用する際における、差動線路の特性インピーダンス及び一対の差動線路間の距離（図５における距離ｄ３）について説明を加える。ここに、図６は、差動線路の特性インピーダンスとＬＶＤＳ信号の周波数との関係を一対の差動線路間の距離毎に示す特性図である。図６において実線ａ〜ｋは、夫々、一対の差動線路間の距離が２５μｍ、２６μｍ、２７μｍ、２８μｍ、２９μｍ、３０μｍ、３１μｍ、３２μｍ、３３μｍ、３４μｍ及び３５μｍの場合を示している。尚、差動線路の幅及びグランド配線の幅は３５μｍであり、差動線路及びグランド配線間の距離（図５における距離ｄ２）は６０μｍである。

例えば、１ＧＨｚのＬＶＤＳ信号を配線基板２００に入力する際に、差動線路の特性インピーダンスを１００Ωとする場合、図６から差動線路間の距離を３３μｍにすればよいことが分かる。このように、差動線路の幅、グランド配線の幅、差動線路間の距離、差動線路及びグランド配線間の距離、配線を構成している材質の特性値等から、図６に示すような差動線路の特性インピーダンスとＬＶＤＳ信号の周波数との関係を取得すれば、電気光学装置の設計に応じた配線基板を設計又は製造することができる。

尚、差動線路及びグランド配線間の距離は、ある程度大きくすれば、それ以上距離を大きくしたとしても差動線路の特性インピーダンスに大きく影響を与えないことが本願発明者の研究により判明している。従って、配線基板の許容可能な幅内に必要な配線数を形成することができるように、差動線路及びグランド配線間の距離を設定すればよい。

上述の如く構成された配線基板２００における配線ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ６、ｇ１及びｇ２各々の機能を、ＬＶＤＳ信号、ＣＭＯＳ信号及びＴＴＬ信号について整理すると図７に示すようになる。

尚、本実施形態では、ＣＭＯＳ信号及びＴＴＬ信号のビット数を、夫々、１２ビットとしているが、仮に１４ビット等であったとしても、配線ａ２及び配線ａ３間、並びに配線ａ４及び配線ａ５間に、当該配線基板２００がＬＶＤＳ信号用の配線として使用される際に、グランド配線として機能する配線を形成し、ＣＭＯＳ信号用及びＴＴＬ信号用の配線として使用される際に信号配線として機能させればよい。即ち、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号のビット数に応じて、配線基板２００がＬＶＤＳ信号用の配線として使用される際にグランド配線として機能する配線を、第ｎ番目の差動線路対及び第ｎ＋１番目の差動線路対間に、２本以上形成すればよい。

＜比較例＞
次に、図８及び図９を参照して本実施形態の電気光学装置の比較例について説明する。図８は、図４と同趣旨の、本実施形態の電気光学装置の比較例における配線基板に形成されている配線パターンの一部を示す平面図であり、図９は、図８のＢ−Ｂ´線断面の一部を示す断面図である。

図９に示すように、比較例に係る配線基板は、基板２１１、該基板２１１上に形成された複数の信号配線ｓ及び複数のグランド配線ｇ、並びに複数の信号配線ｓ及び複数のグランド配線ｇの上面及び側面を覆うように形成された絶縁膜２１２を備えて構成されている。比較例に係る配線基板では、ＬＶＤＳ信号用配線として使用する際に、差動線路の特性インピーダンスを所定値とするため、及びクロストーク防止のために、グランド配線ｇは、ある程度広い面積を有している。

このような配線基板を、ＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の配線として使用する際には、グランド配線ｇを信号配線として使用することは極めて困難であり、別途ＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の信号配線を形成する必要がある。即ち、ＬＶＤＳ信号を伝送する方式とＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式との二つの伝送方式で兼用することができない配線及びコネクタのピンが比較的多く存在することとなり、コストが増加してしまう。加えて、配線数が増加することにより配線基板の幅が大きくなる可能性がある。

また、図８において、信号配線ｓのみに着目すると、各信号配線ｓ間の距離に偏りがあるので、配線基板２００が、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として使用される際に、ＥＭＩノイズが発生する可能性がある。更に、広い面積を有するグランド配線ｇが多数存在するので、コネクタのピン配置（図８下部）を等間隔にするための配線パターンの自由度が極めて小さい。

＜電子機器＞
次に、図１０を参照しながら、上述した電気光学装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した電気光学装置１における液晶パネル１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。

図１０に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う配線基板、及びそのような配線基板を備えた電気光学装置、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。

本発明の実施形態に係る液晶装置の斜視図である。 本発明の実施形態に係る液晶パネルの全体構成を示す平面図である。 図２のＨ−Ｈ´線断面図である。 本発明の実施形態に係る配線基板に形成されている配線パターンの一部を示す平面図である。 図４のＡ−Ａ´線断面の一部を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る配線基板における差動線路の特性インピーダンスとＬＶＤＳ信号の周波数との関係を示す特性図である。 本発明の実施形態に係る配線基板における配線の機能を示す表である。 本発明の実施形態の比較例に係る配線基板に形成されている配線パターンの一部を示す平面図である。 図８のＢ−Ｂ´線断面の一部を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１…液晶装置、１００…液晶パネル、２００…配線基板、２０１…基板、２０２…絶縁膜、３００…駆動用ＩＣチップ、４００…フレーム、ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ８、ｇ１〜ｇ４…配線

Claims (7)

1. 基板と、
   該基板上に、前記基板上で平面的に見てストライプ状に配列された複数の第1配線及び複数の第２配線と
   を備え、
   前記複数の第1配線は、少なくとも部分的に、第１伝送方式で使用される際に、伝送すべき対をなす第1信号に対応して、相隣接する２本で対をなす信号配線として機能し、第２伝送方式で使用される際に、伝送すべき相互から独立した第２信号に対応して、相互から独立した信号配線として夫々機能するように構成されており、
   前記複数の第２配線は、少なくとも部分的に、前記複数の第1配線の配列上で前記複数の第1配線がなす第ｎ（但し、ｎは自然数）番目の対と第ｎ＋１番目の対との間に配置されており、前記第１伝送方式で使用される際に、共通にグランド配線として機能し、前記第２伝送方式で使用される際に、前記第２信号に対応して、相互から独立した信号配線として夫々機能するように構成されている
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記第２配線の幅は、前記第１配線の幅と等しいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第１伝送方式は、前記第1信号として、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｎｇａｌｉｎｇ）信号を伝送する方式であり、前記第２伝送方式は、前記第２信号として、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）信号又はＴＴＬ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｌｏｇｉｃ）信号を伝送する方式であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 当該配線基板はフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
5. 前記１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板と、
   該配線基板と電気的に接続され、電気光学動作を行う電気光学パネルと
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
6. 前記配線基板上に設けられると共に前記複数の配線の少なくとも一部に電気的に接続され、前記電気光学パネルを駆動するための駆動回路を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 請求項５又は６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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