JP2009047826A - 配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents
配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009047826A JP2009047826A JP2007212650A JP2007212650A JP2009047826A JP 2009047826 A JP2009047826 A JP 2009047826A JP 2007212650 A JP2007212650 A JP 2007212650A JP 2007212650 A JP2007212650 A JP 2007212650A JP 2009047826 A JP2009047826 A JP 2009047826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wirings
- wiring
- wiring board
- signal
- electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】配線基板を複数の伝送方式に対応させつつ、伝送品質等を維持する。
【解決手段】配線基板(200)は、基板(201)と、該基板上に、基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線(a1〜a6、b1〜b6、g1、g2)とを備える。前記複数の配線は、該複数の配線が第1伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第2伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第1配線(a1〜a6)を含む。
【選択図】図4
【解決手段】配線基板(200)は、基板(201)と、該基板上に、基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線(a1〜a6、b1〜b6、g1、g2)とを備える。前記複数の配線は、該複数の配線が第1伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第2伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第1配線(a1〜a6)を含む。
【選択図】図4
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置において、電気光学パネルと外部回路とを接続するのに用いられるフレキシブル基板等の配線基板、及び該配線基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
この種の配線基板では、ノイズ、伝送される信号の品質低下等を防止することが図られる。例えば、特許文献1には、表示装置に使用され、小振幅の差動信号を伝送する平衡伝送線路の少なくとも一端にコモンモードフィルタを接続する技術が記載されている。特許文献2には、差動信号を伝送する一対の伝送線路を基板上において線対称に配置する技術が記載されている。
しかしながら、上述の背景技術によれば、複数の伝送方式に対応していない、或いは少なくとも複数の伝送方式に適していないという技術的問題点がある。
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数の伝送方式に対応しつつ、伝送品質等を維持することができる配線基板、及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。
本発明の配線基板は、上記課題を解決するために、基板と、該基板上に、前記基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線とを備え、前記複数の配線は、該複数の配線が第1伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第2伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第1配線を含む。
本発明の配線基板によれば、当該配線基板は、例えば単層基板である基板と、該基板上に、該基板上で平面的に見てストライプ状に形成されると共に、相互に所定の間隔を開けて配置された複数の配線とを備えている。複数の配線は、該複数の配線が、例えばLVDS(Low Voltage Differential Singaling)信号である第1信伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、複数の配線が、例えばCMOS(Complemntary Metal Oxide Semiconductor)信号又はTTL(Transistor Transistor Logic)信号である第2伝送方式用の配線として使用される際に信号配線(即ち、伝送線路)として機能する複数の第1配線を含んでいる。
本願発明者の研究によれば、一般に、単層基板上にLVDS信号用の差動線路を形成する場合、一の一対の差動線路と他の一対の差動線路との間に、差動線路の特性インピーダンスを所定値(例えば100Ω)とするため、及びクロストーク防止のためのグランド配線が形成される。言い換えれば、グランド配線間に、一対の差動線路が形成される。そして、差動線路の特性インピーダンスを所定値とするためには、グランド配線がある程度広い面積を有することが必要である。
他方、CMOS信号用又はTTL信号用の信号配線を形成する場合、CMOS信号又はTTL信号のビット数(例えば12ビット)に応じた配線数が必要である。従って、一つの配線基板をLVDS信号用の差動線路とCMOS信号用又はTTL信号用の信号配線として兼用する場合、配線基板上において配線が延びる方向に対して交わる方向の配線基板の長さ(即ち、幅)が大きくなる。加えて、配線基板の幅には制限があり、基板上に形成可能な配線数に制限があることが判明している。
しかるに本願発明者は、LVDS信号用の差動線路の特定インピーダンスを所定値とするためのグランド配線の幅(即ち、面積)を広げなくても(例えば、差動線路の幅と同等としても)、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離、並びに一対の差動線路間の距離を、夫々所定距離とすれば、差動線路の特性インピーダンスを所定値とすることができることを見出し、LVDS信号用の差動線路及びグランド配線をCMOS信号用又はTTL信号用の信号配線としている。即ち、本発明では、複数の配線のうち一部を、LVDS信号が当該配線基板に入力される際には、グランド配線として機能すると共に、CMOS信号又はTTL信号が当該配線基板に入力される際には、信号配線として機能するようにしている。
また、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間の距離(即ち、ピッチ)を、例えば伝統的な幅広のグランド配線が配置されている場合と同等のピッチとして、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間に複数のグランド配線が形成すれば、グランド配線の幅を広げないことによる、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間におけるクロストークを防止することができる。即ち、複数のグランド配線があるので、対をなす差動線路への影響力については、個々のグランド配線の幅を広げることを要せずに(即ち、差動線路と同等の幅であっても)、伝統的な幅広のグランド配線と同等に機能させることができる。言い換えれば、対をなす差動線路から見れば、幅広のグランド配線が、複数のグランド配線に分割されているだけで、複数のグランド配線の合計幅や間隙を多少調整すれば、伝統的な幅広の1本のグランド配線と同一視できる。
尚、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離、並びに一対の差動線路間の距離は、配線の幅、配線を形成する材料の特性値、信号の周波数等に基づいた、例えば電磁界シミュレーション等から夫々求めればよい。例えば、配線の幅が35μm(マイクロメートル)、信号の周波数が1GHz(ギガヘルツ)である場合、差動線路の特性インピーダンスを100Ωとするには、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離を60μm、一対の差動線路間の距離を33μmとすればよい。
以上の結果、本発明の配線基板によれば、複数の伝送方式に対応しつつ、伝送品質等を維持することができる。更に、配線基板の幅が必要以上に大きくなることを防止することができる。
本発明の配線基板の一態様では、前記複数の配線は、該複数の配線が前記第1伝送方式用の配線として使用される際に差動線路として機能する複数の第2配線を含み、前記複数の第1配線のうち一の第1配線と他の第1配線との間には、前記複数の第2配線のうち一対の第2配線が形成されている。
この態様によれば、一対の第2配線間の距離、並びに一対の第2配線のうち一方及び該一方と隣接する第1配線間の距離を、夫々所定距離とすれば、一対の第2配線間の特性インピーダンスを所定値とすることができると共に、クロストークを防止することができる。
本発明の配線基板の他の態様では、前記第1伝送方式は、LVDS信号を伝送する方式であり、前記第2伝送方式は、CMOS信号又はTTL信号を伝送する方式である。
この態様によれば、当該配線基板を、高速な信号伝送が可能なLVDS信号用の配線基板として使用できると共に、広く普及しているCMOS信号用又はTTL信号用の配線基板として使用できる。
本発明の配線基板の他の態様では、当該配線基板はフレキシブル基板である。
この態様によれば、可撓性のある基板上に配線が形成されるので、配線と外部回路との相対位置の自由度を高めることができ、実用上非常に有利である。
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の配線基板(但し、その各種態様を含む)と、該配線基板と電気的に接続され、電気光学動作を行う電気光学パネルとを備える。
本発明の電気光学装置によれば、当該電気光学装置は、例えば液晶パネル等である電気光学パネルと、該電気光学パネル、及び例えば画像信号処理回路等の外部回路を電気的に接続する配線基板とを備える。その動作時には、電気光学パネルに設けられた、該電気光学パネルを駆動するための駆動回路によって、或いは、配線基板上に設けられた駆動回路によって、電気光学パネルが駆動され、その電気光学動作が行われる。即ち、その動作時には、例えばフレキシブル基板上に設けられた信号配線を伝送路として画像データ等のデータ信号が伝送されることで、例えば電気光学パネルの画素領域において、画像表示動作が行われる。
ここで、本発明の電気光学装置は、上述した本発明の配線基板を備えてなるので、複数の伝送方式に対応しつつ、伝送品質等を維持することができる。即ち、外部回路から電気光学パネルへ伝送される信号を、例えば、LVDS信号としてもよいし、CMOS信号又はTTL信号としてもよい。尚、LVDS信号とするか、CMOS信号又はTTL信号とするかは、例えばコントローラによって決定すればよい。言い換えれば、仮にコントローラを交換しても、同一の電気光学パネルを使用することができ、実用上非常に有利である。
本発明の電気光学装置の一態様では、前記配線基板上に設けられると共に前記複数の配線の少なくとも一部に電気的に接続され、前記電気光学パネルを駆動するための駆動回路を更に備える。
この態様によれば、当該配線基板は、IC(Integrated Circuit)チップ搭載型の配線基板であってもよい。
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様を含む)を備える。
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、クロストーク等を防止し、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
以下図面を参照しながら、本発明に係る配線基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1を参照して説明する。ここに図1は、本実施形態の液晶装置の斜視図である。
図1において、本実施形態に係る液晶装置は、液晶パネル100、配線基板200ケース400を備えて構成されている。配線基板200は、駆動用ICチップ300を搭載するタイプである。ここに、本実施形態に係る「液晶パネル100」及び「駆動用ICチップ300」は、夫々、本発明に係る「電気光学パネル」及び「駆動回路」の一例である。
駆動用ICチップ300は、例えば図示しないデータ線駆動回路の一部等を含んで構成されており、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いて、電気的及び機械的に配線基板200に固着されている。配線基板200は、例えばポリイミド等の基材に配線がパターニングされることによって形成されている。
次に、液晶パネル100について、図2及び図3を参照して説明を加える。ここに図2は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側からみた平面図であり、図3は、図2のH−H´線断面図である。
図2及び図3において、本実施形態の液晶パネル100では、TFTアレイ基板10及び対向基板20が対向配置されている。TFTアレイ基板10は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板20は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、複数の画素が設けられた領域に対応する、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。
シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(即ち、ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材52に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域10a又は画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
図2において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。
TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子102と、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。
図3において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図3では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明材料からなる画素電極9aが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
画素電極9aは、後述する対向電極21に対向するように、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aに形成されている。TFTアレイ基板10における液晶層50の面する側の表面、即ち画素電極9a上には、配向膜16が画素電極9aを覆うように形成されている。
対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば対向基板20における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板20において、遮光膜23によって非開口領域が規定され、遮光膜23によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜23をストライプ状に形成し、該遮光膜23と、TFTアレイ基板10側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9aと対向して形成されている。遮光膜23上に、画像表示領域10aにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図3には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板20の対向面上における、対向電極21上には、配向膜22が形成されている。
尚、図2及び図3に示したTFTアレイ基板10上には、これらの走査線駆動回路104、サンプリング回路7等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
次に、図4を参照して配線基板200について説明を加える。ここに図4は、図1のA−A´線断面の一部を示す断面図である。
図4において、本実施形態に係る配線基板200は、基板201、該基板201上にストライプ状に(即ち、断面上で島状に)形成された複数の配線a1〜a6、b1〜b6、g1及びg2、並びに該複数の配線の上面及び側面を覆うように形成された絶縁膜202を備えて構成されている。配線a1〜a6各々の幅w2、及び配線b1〜b6各々の幅w3は、例えば35μmであり、配線g1及びg2各々の幅w1は、例えば157μmである。配線g1及び配線a1間の距離d1、配線a1及び配線b1間の距離d2、配線b1及び配線b2間の距離d3、及び配線a2及び配線a3間の距離d4は、夫々、例えば87μm、60μm、33μm及び87μmである。
当該配線基板200が、本発明の「第1伝送方式」の一例としてのLVDS信号を伝送する方式用の配線として使用される際には、配線a1〜a6、g1及びg2は、夫々グランド配線として機能し、配線b1〜b6は、夫々差動線路として機能する。他方、当該配線基板200が、本発明の「第2伝送方式」の一例としてのCMOS信号又はTTL信号を伝送する方式用の配線として使用される際には、配線a1〜a6、b1〜b6は、夫々信号配線として機能し、配線g1及びg2は、夫々グランド配線として機能する。ここに、本実施形態に係る「配線a1〜a6」及び「配線b1〜b6」は、夫々、本発明に係る「第1配線」及び「第2配線」の一例である。
ここで、図5を参照して配線基板200をLVDS信号用の配線として使用する際における、差動線路の特性インピーダンス及び一対の差動線路間の距離(図4における距離d3)について説明を加える。ここに、図5は、差動線路の特性インピーダンスとLVDS信号の周波数との関係を一対の差動線路間の距離毎に示す特性図である。図5において実線a〜kは、夫々、一対の差動線路間の距離が25μm、26μm、27μm、28μm、29μm、30μm、31μm、32μm、33μm、34μm及び35μmの場合を示している。尚、差動線路の幅及びグランド配線の幅は35μmであり、差動線路及びグランド配線間の距離(図4における距離d2)は60μmである。
例えば、1GHzのLVDS信号を配線基板200に入力する際に、差動線路の特性インピーダンスを100Ωとする場合、図5から差動線路間の距離を33μmにすればよいことが分かる。このように、差動線路の幅、グランド配線の幅、差動線路間の距離、差動線路及びグランド配線間の距離、配線を構成している材質の特性値等から、図5に示すような差動線路の特性インピーダンスとLVDS信号の周波数との関係を取得すれば、電気光学装置の設計に応じた配線基板を設計又は製造することができる。
尚、差動線路及びグランド配線間の距離は、ある程度大きくすれば、それ以上距離を大きくしたとしても差動線路の特性インピーダンスに大きく影響を与えないことが本願発明者の研究により判明している。従って、配線基板の許容可能な幅内に必要な配線数を形成することができるように、差動線路及びグランド配線間の距離を設定すればよい。
再び図4に戻り、一の一対の差動線路(例えば配線b1及び配線b2)と他の一対の差動線路(例えば配線b3及び配線b4)との間に複数のグランド配線(例えば配線a2及びa3)を形成することにより、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間におけるクロストーク等を防止することができると共に、配線基板200がCMOS信号用又はTTL信号用の配線として使用される際に、必要な配線数を確保することができる。
加えて、図4に示すように、配線g1及び配線g2間には、配線a1〜a6及び配線b1〜b6がほぼ均等に配置されている。これにより、配線基板200が、CMOS信号又はTTL信号を伝送する方式用の配線として使用される際に、EMI(Electromagnetic Interference)ノイズの発生を抑制することができる。
上述の如く構成された配線基板200における配線a1〜a6、b1〜b6、g1及びg2各々の機能を、LVDS信号、CMOS信号及びTTL信号について整理すると図6に示すようになる。尚、本実施形態では、CMOS信号及びTTL信号のビット数を、夫々、12ビットとしているが、仮に14ビット等であったとしても、配線a2及び配線a3間、並びに配線a4及び配線a5間に、当該配線基板200をLVDS信号用の配線として使用する際に、グランド配線として機能する配線を形成し、CMOS信号用及びTTL信号用の配線として使用する際に信号配線として機能させればよい。
<比較例>
次に、図7を参照して本実施形態の電気光学装置の比較例について説明する。図7は、図4と同趣旨の、本実施形態の電気光学装置の比較例における配線基板の断面の一部を示す断面図である。
次に、図7を参照して本実施形態の電気光学装置の比較例について説明する。図7は、図4と同趣旨の、本実施形態の電気光学装置の比較例における配線基板の断面の一部を示す断面図である。
図7に示すように、比較例に係る配線基板は、基板211、該基板211上に形成された複数の信号配線s及び複数のグランド配線g、並びに複数の信号配線s及び複数のグランド配線gを覆うように形成された絶縁膜212を備えて構成されている。比較例に係る配線基板では、LVDS信号用配線として使用する際に、差動線路の特性インピーダンスを所定値とするため、及びクロストーク防止のために、グランド配線gは、ある程度広い面積を有している。
このような配線基板を、CMOS信号用又はTTL信号用の配線として使用する際には、グランド配線gを信号配線として使用することは困難であり、別途CMOS信号用又はTTL信号用の信号配線を形成する必要がある。このため、配線基板の幅が大きくなったり、配線基板に電気的に接続される端子の配置が偏ったりする可能性がある。
<電子機器>
次に、図8を参照しながら、上述した電気光学装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した電気光学装置1における液晶パネル100は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図8は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
次に、図8を参照しながら、上述した電気光学装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した電気光学装置1における液晶パネル100は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図8は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
図8に示すように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。
液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
ここで、各液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像は、液晶パネル1110Gによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
尚、液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
尚、図8を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う配線基板、及びそのような配線基板を備えた電気光学装置、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1…液晶装置、100…液晶パネル、200…配線基板、201…基板、202…絶縁膜、300…駆動用ICチップ、400…フレーム、a1〜a6、b1〜b6、g1、g2…配線
Claims (7)
- 基板と、
該基板上に、前記基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線と
を備え、
前記複数の配線は、該複数の配線が第1伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第2伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第1配線を含む
ことを特徴とする配線基板。 - 前記複数の配線は、該複数の配線が前記第1伝送方式用の配線として使用される際に差動線路として機能する複数の第2配線を含み、
前記複数の第1配線のうち一の第1配線と他の第1配線との間には、前記複数の第2配線のうち一対の第2配線が形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記第1伝送方式は、LVDS(Low Voltage Differential Singaling)信号を伝送する方式であり、前記第2伝送方式は、CMOS(Complemntary Metal Oxide Semiconductor)信号又はTTL(Transistor Transistor Logic)信号を伝送する方式であることを特徴とする請求項1又は2に記載の配線基板。
- 当該配線基板はフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記1乃至4のいずれか一項に記載の配線基板と、
該配線基板と電気的に接続され、電気光学動作を行う電気光学パネルと
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 前記配線基板上に設けられると共に前記複数の配線の少なくとも一部に電気的に接続され、前記電気光学パネルを駆動するための駆動回路を更に備えることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。
- 請求項5又は6に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007212650A JP2009047826A (ja) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | 配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007212650A JP2009047826A (ja) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | 配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009047826A true JP2009047826A (ja) | 2009-03-05 |
Family
ID=40500131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007212650A Withdrawn JP2009047826A (ja) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | 配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009047826A (ja) |
-
2007
- 2007-08-17 JP JP2007212650A patent/JP2009047826A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8194217B2 (en) | Electro-optical apparatus and electronic device having particular pixel configuration | |
US7916247B2 (en) | Electro-optic device, and electronic apparatus including the same | |
JP2009075457A (ja) | 電気光学装置及び電気光学装置用実装ケース、並びに電子機器 | |
JP5621283B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5488136B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器並びにトランジスター | |
JP5104176B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5187067B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4992774B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5500217B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4946740B2 (ja) | 配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2009075566A (ja) | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 | |
JP5532944B2 (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 | |
JP5169153B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2011191475A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5124974B2 (ja) | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 | |
JP5115153B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5045107B2 (ja) | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 | |
JP2009047826A (ja) | 配線基板及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP4747572B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2006178113A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置用基板及び電子機器 | |
JP2014206595A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5109705B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5182138B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2008026771A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2010175818A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20101102 |