JP4943047B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Description
ここで従来の処理装置として枚葉式のプラズマ処理装置を例にとって説明する。この種のプラズマ処理装置は、例えば特許文献1、特許文献2等に開示されている。図6は従来の一般的なプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
このようなマルチステップ処理の一例を具体的に説明する。図7は、半導体ウエハ上に積層された膜種の異なる積層膜を示す断面図であり、ここでのマルチステップ処理として上記積層膜に対してエッチングガスを変更しながらエッチング処理を施す場合を例にとって説明する。
特に上述したようなマルチステップ処理の場合には、ガス種を切り替える毎に、直前のプロセス用の残留ガスの排気工程と次のプロセス用の処理ガスの圧力安定化工程とを行わなければならないので、スループットを大幅に低下させる原因になっていた。
請求項2に係る発明は、被処理体に対して所定の処理ガスを用いて所定の処理を行う処理装置において、前記被処理体を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、前記処理容器内の雰囲気を排気するための真空ポンプと圧力制御弁とを有する排気系と、前記処理容器内へ複数種類の処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段と、前記複数種類の処理ガスと前記ガス噴射手段に接続されるガス流路とを有し、前記ガス噴射手段へ前記複数種類の処理ガスを切り替えにより選択して流量制御しつつ供給するガス供給手段と、前記ガス流路と前記排気系とを連通して設けられると共に途中に高速排気用開閉弁が介設された高速排気用バイパス通路と、装置全体を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記所定の処理を開始する時に前記処理容器内の雰囲気を排気している状態で前記所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、前記規定流量の処理ガスを供給するように制御することを特徴とする処理装置である。
また例えば請求項4に規定するように、前記所定の短時間は、3秒以内である。
また例えば請求項5に規定するように、前記制御手段は、前記大きな流量の処理ガスの供給と同時に前記圧力制御弁に向けて前記所定の処理のプロセス圧力に対応する弁開度に設定する指示を行う。
これによれば、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる。
また例えば請求項7に規定するように、前記ガス噴射手段は、複数のガス噴射孔を有するシャワーヘッドよりなる。
また例えば請求項8に規定するように、前記被処理体を加熱するための加熱手段が設けられる。
また例えば請求項9に規定するように、前記処理容器内にプラズマを立てるプラズマ形成手段が設けられる。
処理容器内に収容した被処理体に対して、所定の処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御したので、プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる。
特に請求項6に係る発明によれば、制御手段は、大きな流量の処理ガスを所定の短時間流す直前に、ガス流路内に残留する直前の処理の処理ガスを排出させるために前記高速排気用開閉弁を短時間だけ開状態にするので、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる。
図1は本発明に係る処理装置の一例を示す構成図である。ここでは処理装置としてプラズマ処理装置を例にとって説明する。
まず、ゲートバルブ48を介して半導体ウエハWを搬送アーム(図示せず)により処理容器42内に収容し、図示しない昇降ピンを上下動させることによりウエハWを載置台44の上面の載置面に載置し、そして、このウエハWを静電チャック50により静電吸着する。
図2は処理容器内の圧力の変化を示す図であり、図2(A)は従来方法の場合を示し、図2(B)は本発明方法の場合を示す。図3は処理ガスであるエッチングガスを切り替える時のタイミングチャートの一例を示す図であり、図2(B)中の一部を時間的に拡大して示している。図4は本発明方法の各工程を示すフローチャートである。ここでは一例としてエッチングガスAからエッチングガスBへ切り替える時の状態を示しており、エッチングガスBからエッチングガスCへ切り替える時も同様に行われている。
図3中において、図3(A)はエッチングガスAの流量の変化を示し、図3(B)はエッチングガスBの流量の変化を示し、図3(C)は高速排気用開閉弁の開閉状況を示し、図3(D)は圧力制御弁の弁開度を示し、図3(E)は処理容器内の圧力変化を示す。
まず、直前の工程であるエッチングガスAによるエッチング処理が行われており、このガスに対して予め定められた規定流量でエッチングガスAが流されている。そして、時刻P1でエッチングガスAによるエッチング処理が完了すると(図4におけるS1のYES)、エッチングガスAを供給していたガス流路の開閉弁108Aが閉じられて、このエッチングガスAの供給を停止する(S2)。これと同時に、高速排気用開閉弁112を開状態にし(S3)、更に圧力制御弁68を十分に大きな弁開度に設定する(S4)。
この動作により、図3(E)に示すように、処理容器42内の圧力は、従来方法の場合よりも遥かに急激に上昇して行くことになる(図2(A)及び図2(B)参照)。
このように所定の短時間Δt3、例えば1秒間だけエッチングガスBを大流量で供給したならば(S9のYES)、時刻P3において、エッチングガスBの流量を、このプロセス時の規定流量M1に設定し、更に、この状態で流量制御器106Bをフィードバック制御による自動化運転に切り換える(S10)。
Vo1=V・103 ×P・10−5=40×103 ×1×10−5=0.4[cc]
従って、処理容器42内をプロセス圧力まで昇圧するまで必要とされる時間Tを1秒とすると、次の式で表される大流量M2でエッチングガスBを流せばよいことになる。
M2=0.4×60(sec)=24sccm
尚、これらの数値は単に一例を示したに過ぎず、これに限定されないのは勿論である。
これ以降は、エッチングガスBによるエッチング処理が完了したならば、上述した手順と同じ手順を行って、エッチングガスCの処理へ移行することになる(S14)。
更には、本発明は、プラズマを用いない処理、例えば熱CVD処理、ALD成膜処理、酸化拡散処理、改質処理等の全ての処理に適用でき、特に途中でガス種を切り替えて供給するような処理、例えばALD処理に特に有効である。例えば図5は本発明の処理装置の変形例を示す断面図であり、ここで本発明を熱処理装置に適用した場合を示している。尚、図1に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してある。
ここで載置台44内にウエハ加熱用の抵抗加熱ヒータよりなる加熱手段58を埋め込んでおり、またガス噴射手段98は箱形容器状のシャワーヘッドで構成され、内部には拡散板120が設けられている。尚、上記加熱手段58として、載置台を薄い円板状に形成してこれを下方より加熱する加熱ランプを用いる場合もある。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
42 処理容器
44 載置台
58 抵抗加熱ヒータ(加熱手段)
64 排気系
66 排気通路
68 圧力制御弁
74 圧力検出器
80 プラズマ形成手段
82 平面アンテナ部材
94 マイクロ波発生器
98 ガス噴射手段
100 ガス供給手段
110 高速排気用バイパス通路
112 高速排気用開閉弁
114 制御手段
116 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (10)
- 被処理体に対して所定の処理ガスを用いて所定の処理を行う処理装置において、
前記被処理体を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するための真空ポンプと圧力制御弁とを有する排気系と、
前記処理容器内へ複数種類の処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段と、
前記複数種類の処理ガスと前記ガス噴射手段に接続されるガス流路とを有し、前記ガス噴射手段へ前記複数種類の処理ガスを切り替えにより選択して流量制御しつつ供給するガス供給手段と、
前記ガス流路と前記処理容器内とを連通して設けられると共に途中に高速排気用開閉弁が介設された高速排気用バイパス通路と、
装置全体を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記所定の処理を開始する時に前記処理容器内の雰囲気を排気している状態で前記所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、前記規定流量の処理ガスを供給するように制御することを特徴とする処理装置。 - 被処理体に対して所定の処理ガスを用いて所定の処理を行う処理装置において、
前記被処理体を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するための真空ポンプと圧力制御弁とを有する排気系と、
前記処理容器内へ複数種類の処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段と、
前記複数種類の処理ガスと前記ガス噴射手段に接続されるガス流路とを有し、前記ガス噴射手段へ前記複数種類の処理ガスを切り替えにより選択して流量制御しつつ供給するガス供給手段と、
前記ガス流路と前記排気系とを連通して設けられると共に途中に高速排気用開閉弁が介設された高速排気用バイパス通路と、
装置全体を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記所定の処理を開始する時に前記処理容器内の雰囲気を排気している状態で前記所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、前記規定流量の処理ガスを供給するように制御することを特徴とする処理装置。 - 前記所定の短時間は、前記処理容器の容積と、前記所定の処理時のプロセス圧力と、前記処理容器内を前記プロセス圧力まで昇圧するまでに必要とされる時間とによって定まることを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
- 前記所定の短時間は、3秒以内であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記制御手段は、前記大きな流量の処理ガスの供給と同時に前記圧力制御弁に向けて前記所定の処理のプロセス圧力に対応する弁開度に設定する指示を行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記制御手段は、前記大きな流量の処理ガスを所定の短時間流す直前に、前記ガス流路内に残留する直前の処理の処理ガスを排出させるために前記高速排気用開閉弁を短時間だけ開状態にすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記ガス噴射手段は、複数のガス噴射孔を有するシャワーヘッドよりなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記被処理体を加熱するための加熱手段が設けられることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記処理容器内にプラズマを立てるプラズマ形成手段が設けられることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の処理装置。
- 排気可能になされた処理容器内に複数種類の処理ガスを切り替えて選択的に供給して被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理方法において、
前記所定の処理を開始する時に前記処理容器内の雰囲気を排気している状態で前記処理ガスを供給するガス流路内に残留する直前の処理時の処理ガスを高速排気用バイパス通路を介して前記処理容器内、或いは排気系へ排出し、該排出の後に前記処理ガスを切り替えて流す際に、前記所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給し、その後、前記規定流量の処理ガスを供給するようにしたことを特徴とする処理方法。
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