JP4941088B2 - 単結晶の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Description
単結晶が、成長面に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持ち、
単結晶の成長面と基板の単結晶成長面とは反対側の面との間に電圧を印加しながら結晶を成長させる、
ことを特徴とする、単結晶の製造方法である。
・結晶の成長を、プラズマが発生しないように圧力が調整された不活性ガス雰囲気下で行う;および
・単結晶の成長面での電圧が電圧無印加、アノード電圧、およびカソード電圧の2種以上の組み合わせで周期的に変化する電圧で行う。
単結晶原料が溶解した融液を収容する、導電性材質からなる坩堝、
先端に種結晶基板を保持できる、導電性材質からなる昇降可能な結晶保持具、
結晶保持具と融液との電気的接触を防止するための絶縁材、
単結晶の成長面と基板の成長面とは反対側の面との間に電圧を印加するための電圧印加手段、
上記全ての部材を収容して、それらを外部の大気雰囲気から遮断するチャンバー、
該チャンバー内に不活性ガスを供給する手段、および
該チャンバー内の不活性ガス圧力を調整する手段。
このような結晶構造を持つ化合物半導体の代表例は、SiC等のIV族化合物半導体と、AlN、AlGaN、AlInGaN等のIII−V族化合物半導体である。中でも、SiCは前述したように異種多形の混入や表面欠陥の発生が起こり易く、高品質のバルク単結晶の製造が困難であるため、本発明を適用した場合の効果が大きい。そのため、以下では、SiCを例にとって本発明を説明するが、成長面に対して鏡映対称性を有さない結晶構造の単結晶であれば本発明の対象となる。すなわち、AlNその他のIII−V族化合物半導体の製造にも本発明を適用することができる。
,Co,Cr,Cu及びVから選ばれた1種または2種以上の金属とのSi合金が好適である。Cが溶解すると、融液は、溶融SiまたはSi合金を溶媒とするSiC溶液となる。種結晶基板を融液に接触させて成長を開始させるまでに、成長に必要な十分な量のCを融液に溶解させる。成長中も、成長で消費されたCを補給するためにCの溶解を続ける。
図1は、本実施例で用いた坩堝の模式的縦断面図である。
坩堝6は内部に融液1を収容し、その材質は主に高純度の炭素(黒鉛)から成る。坩堝6の外形は概略円筒形状で、その内径は約100mm、高さは約300mmである。坩堝6の上部には概略円形の開口部が設けられている。この開口部は、先端に6H−SiCの種結晶基板2が固定された結晶保持具4の挿入および取り出しが可能な大きさである。開口部は必要な保温性を維持するために、その径が可変な構造を用いる場合もある。結晶保持具4の材質は、坩堝と同様に主に高純度の炭素(黒鉛)からなり、その先端部分の外周には結晶保持具4が融液1と接触するのを防止するための、BNを主成分とするセラミック製の絶縁材5が配置されている。結晶保持具4は昇降および回転可能な機構を備えており、これに密着している絶縁材5も結晶保持具4と一緒に動く。結晶保持具4の上部には図示しない冷却手段が備えられ、この冷却手段で結晶保持具4を冷却することにより、基板2を介して、基板2周辺の融液が冷却され、そこから上方と中心に向かって温度が低下する温度勾配を融液に形成することができるようになっている。
本実施例では、図示の単結晶製造装置を概略以下のように運転した。
電圧の印加を実施しなかった以外は実施例1と全く同様にして、バルクSiC単結晶を成長させた。得られたバルク単結晶を切り出して、数点をX線回折により調査したところ、6H以外の多形である3C、4Hを含む結晶であることが判明した。また、TEM観察の結果、転位密度は約108cm−2以上であり、結晶性が実施例1に比べて著しく低くなった。
本実施例では、実施例1に記載した単結晶製造装置を使用したが、融液原料、種結晶基板、および運転方法を変更して2H−AlN単結晶を成長させた。
まず、準備工程として、坩堝6に少なくとも、Si(珪素)とAl(アルミニウム)およびC(炭素)を含む固体原料を合計約1.5kg装入した。このとき、原料に含まれるCは10gであった。単結晶製造装置、高周波電源等の冷却を必要とする部分に冷却水を供給した。チャンバー内を約0.13Paまで減圧した後、チャンバー内に窒素ガスを供給すると共に、供給分を排気して、チャンバー内の圧力を約0.11MPaに維持した。直径約50mm(2インチ)結晶保持具4の下端には、(0001)面が融液1と接触する向きに同直径の6H−SiCの種結晶基板2を固定した。この基板は、昇華法で製造された市販のバルクSiC単結晶であった。結晶保持具4に基板2をオフ角0°で固定した後、基板2の周囲を含む結晶保持具4の先端部分の外周に絶縁材5を装着した。
電圧の印加を実施しなかった以外は実施例2と全く同様にして、バルクAlN単結晶を成長させた。得られたバルク単結晶を切り出して、数点をX線回折により調査したところ、六方晶以外の多形である立方晶を含んでいることが判明した。また、TEM観察の結果、転位密度は約108cm−2以上であり、結晶性が実施例2に比べて著しく低くなった。
Claims (4)
- 坩堝に収容された単結晶原料が溶解している融液に単結晶成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液中の単結晶原料の濃度を過飽和とすることによって前記基板上に結晶を成長させる単結晶(但し、混晶半導体単結晶を除く)の製造方法であって、
単結晶が、成長面に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持ち、
単結晶の成長面と基板の単結晶成長面とは反対側の面との間に電圧を印加しながら結晶を成長させる、
ことを特徴とする、単結晶の製造方法。 - 結晶の成長を、プラズマが発生しないように圧力が調整された不活性ガス雰囲気下で行う、請求項1記載の方法。
- 電圧の印加を、電圧無印加、アノード電圧、およびカソード電圧の2種以上の組み合わせで周期的に変化する電圧で行う、請求項1または2記載の方法。
- 単結晶原料が溶解した融液を収容する、導電性材質からなる坩堝、
先端に種結晶基板を保持できる、導電性材質からなる昇降可能な結晶保持具、
結晶保持具と融液との電気的接触を防止するための絶縁材、
単結晶の成長面と基板の単結晶成長面とは反対側の面との間に電圧を印加するための電圧印加手段、
上記全ての部材を収容して、それらを外部大気雰囲気から遮断するチャンバー、
該チャンバー内に不活性ガスを供給する手段、および
該チャンバー内の不活性ガス圧力を調整する手段
を備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法を実施するための単結晶製造装置。
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JP2007128019A JP4941088B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | 単結晶の製造方法および製造装置 |
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JP2007128019A JP4941088B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | 単結晶の製造方法および製造装置 |
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