JP4879686B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、及び炭化珪素単結晶基板 - Google Patents
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Description
Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov, Journal of Crystal Growth, vol.52 (1981) pp.146 C. H. Carter, et al., FEDジャーナル, vol.11 (2000) pp.7 A. H. Powell, et al., Material Science Forum, vol.457-460 (2004) pp.41 N. Ohtani, et al., Electronics and Communications in Japan, Part2, vol.81 (1998) pp.8
(1) 種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長中に結晶中の不純物として、窒素、アルミニウム、又は硼素の濃度を漸増あるいは漸減させる際に、成長温度が一定になるように温度制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法、
(2) 前記炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長中に雰囲気ガス中の不純物としての窒素濃度を漸増あるいは漸減させることによって、結晶中の窒素濃度を変化させることを特徴とする(1)記載の炭化珪素単結晶の製造方法、
(3) 前記炭化珪素単結晶が、高周波誘導加熱によって加熱された、主として黒鉛からなる坩堝内で作製されることを特徴とする(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶の製造方法、
(4) 前記雰囲気ガスが、アルゴン、ヘリウム、あるいはこれらの混合ガスのいずれかであることを特徴とする(2)又は(3)に記載の炭化珪素単結晶の製造方法、
(5) (1)〜(4)のいずれかに記載の製造方法で得られた炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が50mm以上である炭化珪素単結晶インゴット、
(6) (5)に記載の炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が75mm以上である炭化珪素単結晶インゴット、
(7) (5)又は(6)に記載の炭化珪素単結晶インゴットから切断され、研磨して得られる炭化珪素単結晶基板であって、該基板が単一のポリタイプからなる炭化珪素単結晶基板、
(8) (7)に記載の炭化珪素単結晶基板上に、炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素単結晶エピタキシャル基板、
(9) (7)に記載の炭化珪素単結晶基板上に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、又はこれらの混晶のいずれかの薄膜をエピタキシャル成長してなるヘテロエピタキシャル基板、
である。
まず、結晶成長時の窒素濃度を変化させた場合の、坩堝上部温度変化を調べることを目的とする予備実験として、図1に示す単結晶成長装置を用いて以下に記すSiC単結晶成長を実施した。
4Hポリタイプの種結晶の口径が76mmであり、この種結晶を用いて口径76mmのSiC単結晶インゴットを成長させたこと以外は、実施例1とほぼ同様な成長条件にて、単結晶成長を実施した。成長を20回行い、得られた総計20個について、それぞれ成長結晶の成長端近くより切り出した口径76mm、厚さ1.0mmのSiC単結晶基板の結晶性を実施例1と同様の方法により評価した。表1にその結果を示す。なお、成功率とは、種結晶の結晶品質とほぼ同等の良結晶性4HポリタイプSiC単結晶インゴットが得られた確率を表す。比較例では、窒素濃度を変化させた時間帯以降もワークコイル電流は一定とした。
4Hポリタイプの種結晶の口径が76mmであり、この種結晶を内径100mmの黒鉛製坩堝内部の上面中央付近に設置し、SiC単結晶インゴットを成長させた。成長条件は実施例1とほぼ同様である。ただし、アルゴンガス中の窒素濃度については約30%とした。成長後、坩堝内部より成長結晶を取り出したところ、成長結晶端付近で直径がほぼ100mmの単結晶部分が実現されていた。この成長を個別に10回実施し、得られた10個の結晶について、それぞれ成長端近くより、口径100mm、厚さ1.0mmのSiC単結晶基板を切り出し、その中心付近の結晶性を実施例1と同様に評価した。その結果。10個の単結晶の内、9個について、ほぼ4Hポリタイプのみから構成されるSiC単結晶が実現されており、マイクロパイプ密度についても、種結晶とほぼ同等の密度を有していることが確認できた。更に、この基板の電気抵抗率を、実施例1と同様に測定したところ、平均抵抗率は0.009Ωcmであった。
2 SiC結晶粉末原料
3 坩堝
4 二重石英管(水冷)
5 断熱材
6 真空排気装置
7 ワークコイル
8 測温用窓
9 二色温度計(放射温度計)
Claims (9)
- 種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長中に結晶中の不純物として、窒素、アルミニウム、又は硼素の濃度を漸増あるいは漸減させる際に、成長温度が一定になるように温度制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長中に雰囲気ガス中の不純物としての窒素濃度を漸増あるいは漸減させることによって、結晶中の窒素濃度を変化させることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶が、高周波誘導加熱によって加熱された、主として黒鉛からなる坩堝内で作製されることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記雰囲気ガスが、アルゴン、ヘリウム、あるいはこれらの混合ガスのいずれかであることを特徴とする請求項2又は3に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法で得られた炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が50mm以上である炭化珪素単結晶インゴット。
- 請求項5に記載の炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が75mm以上である炭化珪素単結晶インゴット。
- 請求項5又は6に記載の炭化珪素単結晶インゴットから切断され、研磨して得られる炭化珪素単結晶基板であって、該基板が単一のポリタイプからなる炭化珪素単結晶基板。
- 請求項7に記載の炭化珪素単結晶基板上に、炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素単結晶エピタキシャル基板。
- 請求項7に記載の炭化珪素単結晶基板上に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、又はこれらの混晶のいずれかの薄膜をエピタキシャル成長してなるヘテロエピタキシャル基板。
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