JP5630369B2 - 単結晶製造装置 - Google Patents
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Description
この単結晶を成長させる際に多結晶の生成のような欠陥の発生を防止乃至は抑制することの必要性は半導体の結晶製造装置において共通する課題であり、その解決策の1つとして固液界面の位置を正確に把握することが重要であることが認識され、様々な技術が検討されている。
従って、本発明の目的は、単結晶を成長させる際の着液検出精度を向上させ得る単結晶製造装置を提供することである。
前記坩堝とシード軸との間に電圧を印加する電源回路と、
前記坩堝シード軸間に電源回路と並列の抵抗を用いた測定回路と、
前記電源回路に、定電圧回路およびカットオフ回路を備え、
前記カットオフ回路に、液面接触時の電流値よりも低く非接触時に流れる電流値よりも大きい電流値に基づく設定値が設けられて、電源回路を流れる電流値が前記設定値未満の場合には、カットオフ回路が機能せず、電源回路に並列の抵抗にあらかじめ設定した電源電圧が検出され、電源回路を流れる電流値が前記設定値以上の場合には、過電流を抑制するためカットオフ回路により、電流値を設定値に抑えるために電源電圧値を減少させ、これにともない前記並列の抵抗に印加される電圧が減少し、この電圧値の変化値を測定することにより、着液を検出することを特徴とする、前記装置に関する。
1)前記設定値が、非接触時に流れる電流値よりも大きい、前記装置。
2)SiC単結晶を製造するための装置である、前記装置。
本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置1は、図1に示すように、溶液法により原料融液2からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶3を有する成長炉4と、下端に種結晶が保持されたシード軸5と、シード軸を昇降させる昇降機構6と、前記原料融液を収容する坩堝7と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体8とを備えていて、前記坩堝とシード軸との間に、通常シード軸をプラス(+)とし坩堝をマイナス(−)として、電圧を印加する電源回路9と、前記坩堝シード軸間に電源回路と並列の測定回路11と、前記電源回路9に、定電圧回路9Bおよび液面接触時の電流値よりも低く非接触時に流れる電流値よりも大きい電流値に基づく設定値が設けられて、設定された設定値より大きい電流値が測定されたときは電流値をカットするカットオフ回路9Cとを備えてなる。
このため、従来技術によれば、電流から着液の位置を正確に把握することが困難であり成長面の位置を0.1mm以下の精度で制御することが求められるSiC単結晶のような単結晶成長装置には適していないと考えられる。
この着液の前から若干の電流値が流れることによる着液の位置を正確に把握することが困難な点は電圧測定回路を用いる従来技術においても共通で、縦軸を電圧とし横軸を軸の位置として同様のグラフが得られ、電圧の変動から着液の位置を正確に把握することは困難である。
このため、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置によれば、図6に示すように、電圧の変化値(ΔV)をモニターすることにより種結晶と融液とが接する位置を正確に把握し得て、単結晶の成長が種結晶の表面から徐々に始めることが可能となり、多結晶の形成を抑制し得る。
そして、前記の測定回路における抵抗値を30Ωとした場合、前記の設定電流値は0.17Aであり得る。
この場合、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置によれば、種結晶が融液から少しでも離れていると回路に流れる電流が小さいため、カットオフ回路のカットオフ機能が働かず電圧は5Vで、電圧差(ΔV:5V−回路に流れる電流に基く電圧)は0Vとして表示される。
一方、種結晶が融液に接すると、流れる電流>0.17Aとなり、電流が流れすぎるので電圧を自動的に一定電圧(例えば1.5V)に落すカットオフ機能が作用し、電圧の変化値(ΔV)3.5Vが表示される。
このため、従来技術のSiC単結晶成長装置によれば、図7に示すように、電圧の変化値(ΔV)をモニターしても種結晶と融液とが接する位置を正確に把握し得ず、単結晶の成長が種結晶の表面だけでなく種結晶の周囲、場合によりシード軸にまで一度に始まる。このため、従来技術のSiC単結晶成長装置によれば、図8に示すように、多結晶の形成を抑制し得ない。
また、本発明の前記実施態様のSiC単結晶成長装置において、坩堝は通常炭素製であって原料融液に炭素(C)を溶出してSiCの炭素源となり得る。そして、この坩堝は単一の構成材からなるものであってもよいが、中坩堝および外坩堝から構成されてもよい。
また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体としては高周波エネルギーを放出する高周波コイルが挙げられる。
そして、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いれば、少なくとも2個の高周波コイルのエネルギー出力比率、例えば電流比率を変えることにより、坩堝内の融液中の深さ方向の温度分布を狭い範囲で付与することが可能となり、融液内での対流を起こし易くなり、炭素(C)濃度の均一化が達成し得て、経時的なSiC単結晶成長の変化を抑制し得る。
前記の原料融液の温度は1800〜2100℃、特に1850〜2050℃程度であり得る。
例えば、雰囲気としては希ガス、例えばHe、Ne、Arなどの不活性ガスやそれらの一部をN2やメタンガスで置き換えたものが挙げられる。
本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いることによって、2000℃程度の高温、例えば1800〜2100℃、特に1850〜2050℃程度の融液温度で、多結晶の成長を防止乃至は抑制したSiC単結晶を得ることができる。
ΔV=ΔIxR
または
ΔV=[(R1/(R1+R2))−(R1’/(R1’+R2’))]E
R1:シード軸回りの抵抗(Ω)
R2:回路の抵抗(Ω)
R1’:種結晶が融液に着液したときのシード軸回りの抵抗(Ω)
R2’:種結晶が融液に着液したときの回路の抵抗(Ω)
E:定電圧(5V)
以下の各例において、シミュレーションは以下の条件で行った。
融液温度:1900℃
定電圧=5V
図1に示す本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いて、シミュレーションを行った。
得られた坩堝内の融液面と種結晶との距離と、電圧の変化値(ΔV)との関係を示すグラフを図5に示す。
図2に示す従来の溶液法によるSiC単結晶製造装置を用いて、シミュレーションを行った。
得られた坩堝内の融液面と種結晶との距離と、電圧の変化値(ΔV)との関係を示すグラフを図5に示す。
2 原料融液
3 種結晶
4 成長炉
5 シード軸
6 昇降機構
7 坩堝
8 エネルギー放出体
9 電源回路
9B 定電圧回路
9C カットオフ回路
10 従来技術のSiC単結晶成長装置
11 測定回路
12 サブコントローラ
13 コントローラ
14 電流値測定回路
15 電圧測定回路
Claims (2)
- 原料融液から種結晶基板上に単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、下端に種結晶が保持されたシード軸と、前記原料融液を収容する坩堝と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを備えた単結晶製造装置であって、
前記坩堝とシード軸との間に電圧を印加する電源回路と、
前記坩堝シード軸間に電源回路と並列の抵抗を用いた測定回路と、
前記電源回路に、定電圧回路およびカットオフ回路を備え、
前記カットオフ回路に、液面接触時の電流値よりも低く非接触時に流れる電流値よりも大きい電流値に基づく設定値が設けられて、電源回路を流れる電流値が前記設定値未満の場合には、カットオフ回路が機能せず、電源回路に並列の抵抗にあらかじめ設定した電圧が検出され、電源回路を流れる電流値が前記設定値以上の場合には、過電流を抑制するためカットオフ回路により、電流値を設定値に抑えるために電圧値を減少させ、これにともない前記並列の抵抗に印加される電圧が減少し、この電圧値の変化値を測定することにより、着液を検出することを特徴とする、前記装置。 - SiC単結晶を製造するための装置であることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
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