JP4884801B2 - 処理システム - Google Patents

Description

本発明は、搬送部の周囲に複数のプロセス・モジュールを集約して設けるインライン式の処理システムに係り、特に複数台または複数組のプロセス・モジュールに実質的に同一のプロセスを並列的に行わせる処理システムに関する。

たとえばクラスタツールは、同一または異なるプロセスを連続的または同時進行的に行えるように複数のプロセス・モジュールを主搬送室の周りに配置する構成を採る処理システムであり、典型的には半導体製造装置で採用されている（たとえば特許文献１参照）。

このようなクラスタツールの処理システムにおいては、個々のプロセス・モジュールがモジュール内の各部の動作や状態を制御したりプロセスを実行制御するためのプロセス用モジュール・コントローラを備えるとともに、主搬送室内の搬送機構もその搬送手順や搬送アームの動作を制御するための搬送用モジュール・コントローラを備える。そして、システム全体を統括制御するメインコントローラとモジュール・コントローラとの間でレシピ情報、制御信号等をやりとりしながら、各プロセス・モジュールによる所定の枚葉処理と搬送機構による基板搬送とが一定のサイクルおよび一定の搬送パターンで繰り返し行われる。特に、複数台または複数組のプロセス・モジュールに同一レシピのプロセスを並列的に行わせる場合は、単一または複合プロセスの生産性を倍増させることができる。
特開２０００−１２７０６９号公報

上記のような処理システムは長時間連続して稼動するのが常であり、それによって高い生産性が得られる。さらに、フレキシビリティも備えており、レシピ次第で多種多様なプロセスを実現することができる。その場合、ロットの切れ目等で、システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピのためにモジュール内部の条件を設定値に合わせるためのコンディショニングまたはプロローグが相当の時間をかけて行われる。この種の条件の代表的なものは、プロセス・モジュールの処理室またはチャンバ内の温度や内壁状態等である。チャンバ内の温度としては、特に基板を保持して加熱するサセプタの温度が重要である。

しかしながら、複数台または複数組のプロセス・モジュールに同一レシピのプロセスを行わせるにしても、機差によって各条件の設定値に到達させるまでの時間がプロセス・モジュール間でばらつくことがある。たとえば、プロセス温度としてレシピ上の設定温度は６００℃でも、サセプタ温度の設定値に関しては或るプロセス・モジュールは５９０℃で、別のプロセス・モジュールは６１０℃であったりする。また、サセプタ温度の設定値が同じであっても、各プロセス・モジュールで温度センサの感度が機差によって異なるため設定値に到達したと判断する時間に差が生じることがある。そのような場合、コンディショニングの完了する時刻が各プロセス・モジュールで区区になり、プロセス・モジュールの台数が多いほど最短時間と最長時間の差が大きくなる。

従来のクラスタツールにおいては、新たに開始するプロセスレシピのためのコンディショニングを完了していないプロセス・モジュールが一つでもあれば他の全てのプロセス・モジュールが待ち状態に置かれ、最後のプロセス・モジュールがコンディショニングを完了した時点で全プロセス・モジュールが一斉に稼動し始めるようになっている。しかしながら、上記のような待ち状態の間はシステムが実質的に全然稼動しておらず、生産性の面で改善の余地があった。

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、所望のプロセスに対して各プロセス・モジュールのコンディションが整うまでの時間にばらつきがあっても、システム全体の資源を可及的に有効利用して生産性の向上をはかる処理システムを提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の第１の観点における処理システムは、 搬送部の周囲に被処理基板に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールとロードロック・モジュールとを配置するとともに、前記ロートロック・モジュールを介して大気側に複数の前記基板を収納するカセットを配置し、前記カセットと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステム内に投入された各基板にいずれか１つのプロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる。

この第１の処理システムにおいては、実プロセス開始前のコンディショニングにおいて、複数のプロセス・モジュールの中のどれか１つでもコンディショニングを完了した時は、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールに当該プロセスを行わせる。その後、残りのプロセス・モジュールの中のどれかがコンディショニングを完了させる度毎に、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールにも当該プロセスを行わせる。

なお、上記第１の処理システムにおいて、各搬送経路上で基板搬送を開始するということは、当該搬送経路上のプロセス・モジュールにコンディショニング完了後に最初の基板を搬入するための搬送を開始するという意味であり、その開始時点まで当該基板を搬送エリア内の任意の位置で待機させておくことが可能である。

本発明の好適な一実施形態によれば、コンディショニングが完了している複数のプロセス・モジュールに対して、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各プロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、当該プロセスが済んだプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する。このように、稼動中の複数のプロセス・モジュールに係る基板搬送のシーケンスに一定の順番または時間的なオフセットを設けることで、並列処理のスループットを高めることができる。

また、本発明の第２の観点による処理システムは、搬送部の周囲に被処理基板に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールとロードロック・モジュールとを配置するとともに、前記ロートロック・モジュールを介して大気側に複数の前記基板を収納するカセットを配置し、前記カセットと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数組のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組から逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステムに投入された各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる。

この第２の処理システムにおいては、複数組のプロセス・モジュールに実質的に同一の複合プロセスを並列的に行わせるに際して、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立すれば、直ちにその組み合わせに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、その組み合わせのプロセス・モジュールに当該複合プロセスを行わせる。その後も、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立した次第、その組み合わせに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、それらのプロセス・モジュールにも当該複合プロセスを行わせる。

本発明の好適な一態様においては、コンディショニングが完了している複数組のプロセス・モジュールについては、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各組のプロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、当該レシピの複合プロセスが終了した組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する。このように、稼動中の複数の組のプロセス・モジュールに係る基板搬送のシーケンスに一定の順番または時間的なオフセットを設けることで、並列処理のスループットを高めることができる。また、好ましい一態様として、各組内では各基板が各組に属する複数のプロセス・モジュールに所定の順序でシリアルに搬送され、各プロセス・モジュールで複合プロセスの一部を受ける。

また、別の好適な一態様においては、複合プロセスは先工程の第１プロセスと後工程の第２プロセスとからなり、各組のプロセス・モジュールは、第１プロセスを実行するための第１群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つと、第２プロセスを実行するための第２群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つとで構成される。本発明によれば、複数組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせる場合には、プロセス・モジュールの組み合わせを予め固定しておくのも可能であるが、複数通りの組み合わせパターンを想定し、コンディションニング完了時間の順序にしたがって条件的に組み合わせパターンに決定するのが好ましい。一典型例として、第１群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを最初に完了させたものと第２群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを最初に完了させたものとで第１組のプロセス・モジュールを構成し、第１群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを２番目に完了させたものと第２群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを２番目に完了させたものとで第２組のプロセス・モジュールを構成してよい。

本発明の好適な一態様によれば、このような複合処理形態において、各組内で第１群に属する第１のプロセス・モジュールが第２群に属する第２のプロセス・モジュールよりも先にコンディショニングを完了させた場合は、第２のプロセス・モジュールがコンディショニングを完了させるまでの残時間を先読み方式で監視し、残時間が所定の基準値を下回った時点で当該組に対応する搬送経路上の基板搬送を開始する。この場合、基準値は、残時間監視の各時点で第１プロセスを未だ受けていない未処理の基板が搬送部内で待機している位置から第１のプロセス・モジュールに搬入されるまでの第１の搬送時間と、当該基板が第１プロセスを受けるために第１のプロセス・モジュール内に滞在するレシピ時間と、第１のプロセス・モジュール内の滞在を終えた当該基板が第１のプロセス・モジュールから搬出されるまでの第２の搬送時間とを含む時間として設定されるのが好ましい。このような先読み方式によれば、第２のプロセス・モジュールがそのコンディショニングを完了させる前から当該搬送経路上の基板搬送をジャストイン・タイムで開始させることが可能であり、スループットの一層の向上をはかることができる。

また、本発明の好適な一態様においては、プロセス・モジュールが基板を保持して設定温度に加熱するためのサセプタを有し、このサセプタの温度が当該プロセスの実行を可能な状態にする一条件となる。プロセス・モジュールは、減圧下でプロセスを実行するための真空チャンバを有する。この場合、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールが搬送経路の途中に設けられる。ロードロック・モジュールは、全搬送経路共用に設けられてもよく、各搬送経路毎に個別に設けられてもよい。

本発明の好適な一態様において、搬送部は、各々のプロセス・モジュールと第１のゲートバルブを介して連結され、ロードロック・モジュールと第２のゲートバルブを介して連結される真空搬送室を有し、この真空搬送室内にロードロック・モジュールとプロセス・モジュールとの間で基板を搬送するための第１の搬送機構を設ける。好ましい一態様によれば、この第１の搬送機構が、各々のプロセス・モジュールに出入り可能な２つの搬送アームを有し、各プロセス・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで当該プロセス・モジュールでプロセスを終えた基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで当該プロセス・モジュールでプロセスを受けるべき別の基板を搬入し、ロードロック・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで未処理の基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで処理済みの基板を搬入する。また、本発明の処理システムには、好ましい一態様として、カセットを大気圧下で支持するロードポートと、このロードポートに接続または隣接し、ロードロック・モジュールに第３のゲートバルブを介して連結される大気圧搬送モジュールと、ロードポート上のカセットとロードロック・モジュールとの間で基板を搬送するために大気圧搬送モジュール内に設けられる第２の搬送機構とが備えられる。

本発明の第３の観点による処理システムは、真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの前記プロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる。

この第３の処理システムにおいても、上記第１の処理システムと同様に、実プロセス開始前のコンディショニングにおいて、複数のプロセス・モジュールの中のどれか１つでもコンディショニングを完了した時は、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールに当該プロセスを行わせる。その後、残りのプロセス・モジュールの中のどれかがコンディショニングを完了させる度毎に、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールにも当該プロセスを行わせる。

本発明の第４の観点による処理システムは、真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各組のプロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数組のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる。

この第４の処理システムにおいても、上記第２の処理システムと同様に、複数組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせるに際して、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立すれば、直ちにその組み合わせに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、その組み合わせのプロセス・モジュールに当該複合プロセスを行わせる。その後も、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立した次第、その組み合わせに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、それらのプロセス・モジュールにも当該複合プロセスを行わせる。

本発明の処理システムによれば、上記のような構成と作用により、所望のプロセスに対して各プロセス・モジュールのコンディションが整うまでの時間にばらつきがあっても、システム全体の資源を可及的に有効利用して生産性の向上をはかることができる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明の一実施形態におけるクラスタツールの処理システムの構成を示す。このクラスタツールの処理システムは、中央搬送室を構成するトランスファ・モジュールＴＭの周りに複数たとえば４台のプロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄と２つのロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂とを環状に配置したマルチチャンバ装置である。各々のモジュールは個別に所望の真空度で減圧空間を形成できる真空チャンバまたは処理室を有しており、中心部のトランスファ・モジュールＴＭは周辺部の各モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄，ＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂とゲートバルブＧＶを介して連結されている。

トランスファ・モジュールＴＭの室内には、旋回および伸縮可能な一対の搬送アームＦ_A，Ｆ_Bを有する真空搬送ロボットＲＢ₁が設けられている。この搬送ロボットＲＢ₁は、真空搬送用モジュール・コントローラＭＣ_T（図３）の制御の下で動作し、各搬送アームＦ_A，Ｆ_Bがそのフォーク形のエンドエフェクタに１枚の被処理体たとえば半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を保持できるようになっており、周囲の各モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄，ＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂に開状態のゲートバルブＧＶを通って搬送アームＦ_A，Ｆ_Bのいずれか一方を選択的に挿入または引き抜いてウエハの搬入（ローディング）／搬出（アンローディング）を行うことができる。両搬送アームＦ_A，Ｆ_Bは、ロボット本体に互いに背中合わせに搭載され、一体的に旋回運動し、一方の搬送アームが原位置または復動位置に止まった状態で他方の搬送アームが原位置と前方（周辺モジュール内）の往動位置との間で伸縮移動するようになっている。

プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄は、それぞれのチャンバ内にウエハ保持用の載置台またはサセプタを備えており、それぞれ個別のプロセス用モジュール・コントローラＭＣ₁，ＭＣ₂，ＭＣ₃，ＭＣ₄（図３）の制御の下で、所定の用力（処理ガス、電力等）を用いてチャンバ内の温度、圧力、電界、磁界、処理ガス濃度等を制御することにより所定の枚葉プロセス、たとえばＣＶＤまたはスパッタリング等の成膜処理、熱処理、ドライエッチング加工等を行うようになっている。

ロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂は、必要に応じて加熱部または冷却部を装備することも可能であり、トランスファ・モジュールＴＭと反対側でゲートバルブ（またはドアバルブ）ＧＶを介して常時大気圧下のローダ・モジュールＬＭと連結されている。さらに、このローダ・モジュールＬＭと隣接してロードポートＬＰおよびオリフラ合わせ機構ＯＲＴも設けられている。ロードポートＬＰは、外部搬送車との間でウエハカセットＣＲの投入、払出しに用いられる。オリフラ合わせ機構ＯＲＴは、ウエハＷのオリエンテーションフラットまたはノッチを所定の位置または向きに合わせるために用いられる。

ローダ・モジュールＬＭ内に設けられている大気搬送ロボットＲＢ₂は、伸縮可能な搬送アームを有し、リニアガイド（リニアスライダ）ＬＡ上で水平方向に移動可能であるとともに、昇降・旋回可能であり、大気搬送用モジュール・コントローラＭＣ_L（図３）の制御の下で動作し、ロードポートＬＰ、オリフラ合わせ機構ＯＲＴおよびロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂の間を行き来してウエハを１枚または複数枚単位で搬送する。なお、リニアガイドＬＡは、たとえば永久磁石からなるマグネット、駆動用励磁コイルおよびスケールヘッド等で構成され、ホストコントローラからのコマンドに応じて搬送ロボットＲＢ₂の直線駆動制御を行う。

ここで、ロードポートＬＰに投入されたウエハカセットＣＲ内の一枚のウエハにこのクラスタツール内の任意のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ₁）で単一のプロセスを受けさせるための基本的なウエハ搬送シーケンスを説明する。このシステム内のウエハ搬送に際しては、所定のプログラムにしたがって各部を動作させるために、システム全体を統括制御するイクイップメント・コントローラＥＣと、搬送（大気搬送、真空搬送）モジュール・コントローラＭＣ_T，ＭＣ_Lと、各プロセスモジュール・コントローラＭＣ₁，ＭＣ₂，ＭＣ₃，ＭＣ₄との間で所要のデータや制御信号がやりとりされる（図３）。なお、このクラスタツールにおける制御系の構成は図３にのみ示し、他の図では図示省略している。

ローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ₂は、ロードポートＬＰ上のウエハカセットＣＲから１枚のウエハＷ_iを取り出し、このウエハＷ_iをオリフラ合わせ機構ＯＲＴに搬送してオリフラ合わせを受けさせ、それが済んだ後にロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂のいずれか一方（たとえばＬＬＭ₁）に移送する。移送先のロードロック・モジュールＬＬＭ₁は、大気圧状態でウエハＷ_iを受け取り、搬入後に室内を真空引きし、減圧状態でウエハＷ_iをトランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ₁に渡す。

搬送ロボットＲＢ₁は、搬送アームＦ_A，Ｆ_Bの片方を用いて、ロードロック・モジュールＬＬＭ₁よりウエハＷ_iを取り出し、次いで所定角度だけ旋回して該当のプロセス・モジュールＰＭ₁と向かい合い、ロードロック・モジュールＬＬＭ₁から取り出してきたウエハＷ_iをプロセス・モジュールＰＭ₁に搬入する。プロセス・モジュールＰＭ₁は、予め設定されたレシピにしたがい所定の条件（ガス、圧力、高周波電力、時間等）で枚葉プロセスを実施する。

この枚葉プロセスが終了した後に、搬送ロボットＲＢ₁は、ウエハＷ_iをプロセス・モジュールＰＭ₁から搬出し、ロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂の片方（たとえばＬＬＭ₂）に戻す。当該ロードロック・モジュールＬＬＭ₂は、処理済みのウエハＷ_iを搬入すると、室内を減圧状態から大気圧状態に切り替える。しかる後、ローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ₂が、大気圧状態のロードロック・モジュールＬＬＭ₂からウエハＷ_iを取り出して該当のウエハカセットＣＲに戻す。なお、ロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂において滞在中のウエハＷ_iに所望の雰囲気下で加熱または冷却処理を施すこともできる。

このクラスタツール内の任意の組のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ₁，ＰＭ₂）で一枚のウエハＷ_iに複合プロセスを受けさせる場合は、１番目のプロセス・モジュールＰＭ₁で第１工程の枚葉プロセスが行われる。この第１プロセスの終了後、搬送ロボットＲＢ₁は、プロセス・モジュールＰＭ₁から搬出したウエハＷ_iを次に２番目のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ₂）に搬入する。この２番目のプロセス・モジュールＰＭ₂でも、予め設定されたレシピにしたがい所定の条件で第２工程の枚葉プロセスを実施する。

この第２プロセスが終了すると、搬送ロボットＲＢ₁は、ウエハＷ_iを２番目のプロセス・モジュールＰＭ₂から搬出し、それからロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂の片方に搬入する。ロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂とロードポートＬＰとの間のウエハ搬送は上記した単一プロセスの場合と同じでよい。

この実施形態では、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ₁が上記のように一対の搬送アームＦ_A，Ｆ_Bを有しており、その周囲の各プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄に対して、当該モジュールで処理が済んだ直後のウエハと次に当該モジュールで処理を受けるべきウエハとを１回のモジュール・アクセスで入れ替えるピック＆プレース動作を行えるようになっている。

ここで、図２につき、この実施形態におけるピック＆プレース動作を模式的な図解で説明する。搬送ロボットＲＢ₁は、図２の(A)に示すように、目的のプロセス・モジュールＰＭ_nに搬入すべき未処理（処理前）のウエハＷ_jを片方の搬送アームたとえばＦ_Aに保持し、もう片方の搬送アームＦ_Bをウエハ無しの空の状態にして当該プロセス・モジュールＰＭ_nと向き合う。そして、図２の(B)，(C)に示すように、空の搬送アームＦ_Bを当該プロセス・モジュールＰＭ_nのチャンバに挿入して中から処理済のウエハＷ_iを取り出す（ピック動作）。次に、図２の(D)に示すように、搬送アームＦ_A，Ｆ_Bを１８０゜旋回（反転）させて、未処理のウエハＷ_jを保持している搬送アームＦ_Aをプロセス・モジュールＰＭ_nの正面に付ける。そして、今度は、図２の(E) ，(F)に示すように、搬送アームＦ_Aを当該プロセス・モジュールＰＭ_nのチャンバに挿入して内部の載置台または支持ピン等に該ウエハＷ_jを渡し、空になった搬送アームＦ_Aを引き抜く（プレース動作）。なお、このピック＆プレース動作の間、当該プロセス・モジュールＰＭ_nのウエハ出入口に設けられているゲートバルブＧＶ（図１）は開いたままになっている。

このように、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ₁は、各プロセス・モジュールＰＭ_nに対する１回のアクセスで、当該モジュールで処理の済んだウエハＷ_iと次に当該モジュールで処理を受けるべき半導体ウエハＷ_jとを上記のようなピック＆プレース動作により入れ替えることができる。さらに、搬送ロボットＲＢ₁は、各ロードロック・モジュールＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂に対しても上記と同様のピック＆プレース動作により１回のアクセスで新規ウエハおよび処理済ウエハの入れ替えまたは受け渡しを行うことができる。また、１回のアクセスにおいて、ピック動作に続いて間髪を入れずにプレース動作を行うことも可能であれば、ピック動作の後に少し待ち時間を置いてからプレース動作を行うことも可能である。さらに、ウエハＷ_iを搬出するピック動作のみあるいはウエハＷ_jを搬入するプレース動作のみを単発で行うことも可能である。

このクラスタツールの処理システムにおいて、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄の中の複数台を同一機種で構成した場合は、それら複数のプロセス・モジュールに同一レシピのプロセスを並列的に行わせることができる。一例として、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄の全部を同一機種のＣＶＤ装置に揃えた場合は、それら４台で同一レシピの成膜プロセスを並列的に行わせることができる。この場合、システム内には、図３に示すように、ロードポートＬＰにセットされているウエハカセットＣＲと各プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄との間でウエハＷを行き来させる搬送経路が設定される。なお、図示の搬送経路においてはオリフラ合わせ機構ＯＲＴを省いている。

より詳細には、ロードポートＬＰとロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）との間に、ローダ・モジュールＬＭを介して、つまり大気搬送ロボットＲＢ₂によってウエハＷを一枚単位で往復搬送する大気系の搬送経路Ｓ_Aが設定される。この搬送経路Ｓ_Aは全てのウエハＷが通る共通の経路である。また、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）と各プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄との間には、トランスファ・モジュールＴＭを介して、つまり真空搬送ロボットＲＢ₁によってウエハＷを一枚単位で往復搬送する真空系の搬送経路Ｓ_B、Ｓ₁，Ｓ₂，Ｓ₃，Ｓ₄が設定される。ここで、Ｓ_Bはロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）と真空搬送ロボットＲＢ₁との間で全てのウエハＷが通る共通の搬送経路である。一方、Ｓ₁，Ｓ₂，Ｓ₃，Ｓ₄は真空搬送ロボットＲＢ₁と各プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄との間の搬送経路であり、それぞれ４組にグルーピングされた一部のウエハＷが通る並列的な搬送経路である。

ここで、図３につき、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄の全部が稼動しているときのシステム内の搬送シーケンスを説明する。一例として、ウエハカセットＣＲ内の４つの基板Ｗ_i，Ｗ_i+1，Ｗ_i+2，Ｗ_i+3がこの順にそれぞれプロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄で同一レシピの成膜プロセスを受けるとする。この場合、１番目のウエハＷ_iは、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₁の行きの経路または往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ₁に搬入される。次に、２番目のウエハＷ_i+1は、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₂の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ₂に搬入される。次に、３番目のウエハＷ_i+2は、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₃の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ₃に搬入される。そして、４番目のウエハＷ_i+3は、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₄の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ₄に搬入される。

しかる後、最初に上記プロセスを終えたウエハＷ_iは、プロセス・モジュールＰＭ₁からＳ₁→Ｓ_B→Ｓ_Aの帰りの経路または復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。次に、２番目に上記プロセスを終えたウエハＷ_i+1は、プロセス・モジュールＰＭ₂からＳ₂→Ｓ_B→Ｓ_Aの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。次に、３番目に上記プロセスを終えたウエハＷ_i+2は、プロセス・モジュールＰＭ₃からＳ₃→Ｓ_B→Ｓ_Aの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。そして、４番目に上記プロセスを終えたウエハＷ_i+3は、プロセス・モジュールＰＭ₄からＳ₄→Ｓ_B→Ｓ_Aの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。

なお、プロセス・モジュールＰＭ₁から１番目のウエハＷ_iが搬出される時は、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₁の往路を経由してきた５番目のウエハＷ_i+4が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷ_iと入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ₁に搬入される。また、プロセス・モジュールＰＭ₂から２番目のウエハＷ_i+1が搬出される時は、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₂の往路を経由してきた６番目のウエハＷ_i+5が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷ_i+1と入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ₂に搬入される。また、プロセス・モジュールＰＭ₃から３番目のウエハＷ_i+2が搬出される時は、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₃の往路を経由してきた７番目のウエハＷ_i+6が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷ_i+2と入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ₃に搬入される。そして、プロセス・モジュールＰＭ₄から４番目のウエハＷ_i+3が搬出される時は、ロードポートＬＰからＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₄の往路を経由してきた８番目のウエハＷ_i+7が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷ_i+3と入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ₄に搬入される。

ところで、この処理システムにおいて、プロセスレシピを変更した場合は、ロットの切れ目等で、システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄において新たなプロセスレシピのためにモジュール内部の条件（たとえばサセプタの温度、チャンバ内壁等）を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングまたはプロローグが相当の時間をかけて行われる。通常、このコンディショニングに要する時間はプロセス・モジュールＰＭ毎にまちまちである。すなわち、従来技術の説明の中でも述べたように、同一の機種であっても、機差によりコンディショニングに要する時間（たとえば、サセプタの温度を待機用の設定温度からプロセス用の設定温度まで上げる時間）にばらつきが生じる。

この処理システムは、このようなコンディショニングを実施した場合は、次のような手順で実プロセスを開始するようにしている。たとえば、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄の中でＰＭ₂が最先にコンディショニングを完了したとする。この場合、プロセス・モジュールＰＭ₂のモジュール・コントローラＭＣ₂は、コンディショニングが完了したことを知らせる所定の状態表示信号（レディ信号）をイクイップメント・コントローラＥＣに送る。そうすると、イクイップメント・コントローラＥＣは搬送（大気搬送、真空搬送）モジュール・コントローラＭＣ_T，ＭＣ_Lにそのことを知らせる。そして、それらのモジュール・コントローラＭＣ₂，ＭＣ_T，ＭＣ_Lの制御の下で、プロセス・モジュールＰＭ₂はもちろんのこと、大気搬送ロボットＲＢ₂、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）および真空搬送ロボットＲＢ₁がそれぞれ稼動し始めて、図４に示すように搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₂上で基板搬送が開始される。すなわち、ロードポートＬＰのウエハカセットＣＲから未処理の基板Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃，Ｗ₄・・・が一定のサイクルでＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₂の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ₂に順次一枚ずつ送り込まれる。そして、プロセス・モジュールＰＭ₂から処理済みの基板Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃，Ｗ₄・・・が一定のサイクルで順次一枚ずつＳ₂→Ｓ_B→Ｓ_Aの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。その際、プロセス・モジュールＰＭ₂においては、ピック＆プレース動作により、プロセスを終えた基板Ｗ_iが搬出されるのと入れ替わりに、次の基板Ｗ_i+1が搬入される。

まもなくしてプロセス・モジュールＰＭ₄が２番目にコンディショニングを完了させたとする。このときにも、プロセス・モジュールＰＭ₄のモジュール・コントローラＭＣ₄よりイクイップメント・コントローラＥＣにレディ信号が送られ、そのことが搬送モジュール・コントローラＭＣ_T，ＭＣ_Lにも知らされる。こうして、プロセス・モジュールＰＭ₄が稼動し始め、図５に示すように搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₄も成立する。すなわち、これまでのプロセス・モジュールＰＭ₂による単独稼動からＰＭ₂，ＰＭ₄による２台並列稼動に切り換わり、搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₂だけでなく搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₄上でも基板搬送が行われるようになる。この場合、或る基板Ｗ_iがプロセス・モジュールＰＭ₂でプロセスを受けている間にプロセス・モジュールＰＭ₄よりレディ信号が出されたときは、次の基板Ｗ_i+1をＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₂の往路からＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₄の搬送経路に移してプロセス・モジュールＰＭ₄に搬入することも可能である。その場合、基板Ｗ_i+1の次の基板Ｗ_i+2は搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₂上で搬送され、基板Ｗ_i+2の次の基板Ｗ_i+3は搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₄上で搬送されることになる。後続の基板についても同様である。

次に、プロセス・モジュールＰＭ₁が３番目にコンディショニングを完了させたとする。このときにも、やはりプロセス・モジュールＰＭ₁のモジュール・コントローラＭＣ₁よりイクイップメント・コントローラＥＣにレディ信号が送られ、そのことが搬送モジュール・コントローラＭＣ_T，ＭＣ_Lにも知らされる。。こうして、プロセス・モジュールＰＭ₁も稼動し始め、図６に示すように搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₁も成立する。すなわち、これまでのＰＭ₂，ＰＭ₄による２台並列稼動からＰＭ₂，ＰＭ₄，ＰＭ₁よる３台並列稼動に切り換わり、搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₂、Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₄に加えて搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₁上でも基板搬送が行われるようになる。この場合にも、或る基板Ｗ_i，Ｗ_i+1がそれぞれプロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄でプロセスを受けている間にプロセス・モジュールＰＭ₁よりレディ信号が出されたときは、次の基板Ｗ_i+2をＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₂の往路からＳ_A→Ｓ_B→Ｓ₁の搬送経路に移してプロセス・モジュールＰＭ₁に送り込むことも可能である。その場合、基板Ｗ_i+2の次の基板Ｗ_i+3は搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₂上で搬送され、基板Ｗ_i+3の次の基板Ｗ_i+4は搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₄上で搬送され、基板Ｗ_i+4の次の基板Ｗ_i+5は搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₁上で搬送されることになる。

そして、最後にプロセス・モジュールＰＭ₃がコンディショニングを完了させると、それ以降は実質的に図３と同じ４台並列稼動となり、４系統の搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₂、Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₄、Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₁、Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₃上で基板搬送が行われるようになる。もっとも、本例の場合は、ＰＭ₂，ＰＭ₄，ＰＭ₁，ＰＭ₃の順に基板の搬送ないし搬入／搬出が繰り返される。

このように、この実施形態においては、実プロセス開始前のコンディショニングにおいて、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄の中のどれか１台でもコンディショニングを完了した時は、つまりシステム内の搬送経路ＳＡ−Ｓ_B−Ｓ₁、Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₂、Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₃、Ｓ_A−Ｓ_B−Ｓ₄の中のどれか１つでも成立したなら、直ちに当該搬送経路上で基板搬送を開始して当該プロセス・モジュールＰＭに枚葉プロセスの動作を一定サイクルで繰り返し行わせるので、システム内で稼動可能な資源を有効利用し、生産性を向上させることができる。

なお、この実施形態において各搬送経路上で基板搬送を開始するということは、当該搬送経路上のプロセス・モジュールに対してコンディショニング完了後に最初の基板Ｗを搬入するための搬送を開始するという意味であり、その開始時点まで基板Ｗを搬送エリア内の任意の位置、つまりロードポートＬＰ、ローダ・モジュールＬＭ、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）またはトランスファ・モジュールＴＭ内の任意の位置で待機させておくことが可能である。したがって、たとえば上記の例で、プロセス・モジュールＰＭ₄が２番目にコンディショニングを完了させた時点で、未処理の次の基板Ｗ_i+1がトランスファ・モジュールＴＭ内で、つまり真空搬送ロボットＲＢ₁の搬送アーム上で待機していたときは、搬送経路Ｓ_A→Ｓ_B→Ｓ₄上の基板搬送を開始させてこの基板Ｗ_i+1をプロセス・モジュールＰＭ₄に搬入することも可能である。

このクラスタツールの処理システムは、２組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせることも可能である。たとえば、Ｓｉプロセスでバリアメタルに用いられるＴi／ＴiＮの積層膜をインラインの連続成膜処理で形成するアプリケーションでは、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₃に下層のＴi膜を形成するためのＣＶＤ装置を充て、プロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄に上層のＴiＮ膜を形成するためのＣＶＤ装置を充てることができる。この場合、プロセス・モジュールの組み合わせパターンは２種類、つまり図７に示すように［ＰＭ₁→ＰＭ₂］、［ＰＭ₃→ＰＭ₄］の組み合わせパターンと、図８に示すように［ＰＭ₁→ＰＭ₄］、［ＰＭ₃→ＰＭ₂］の組み合わせパターンがある。いずれか１種類の組み合わせパターンに固定することも可能であるが、この実施形態は２種類のいずれも選択可能とし、後述するコンディションニング完了時間の順序にしたがって条件的にいずれか一方の組み合わせパターンに決めるようにしている。

なお、図７の場合は、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）と一方の組（便宜上「Ａ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₂］との間に、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ₁によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ₁→Ｓ_a→Ｓ₂が設定される。ここで、Ｓ₁はロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ₁までの行きの搬送経路であり、Ｓ_aはプロセス・モジュールＰＭ₁から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ₂までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ₂はプロセス・モジュールＰＭ₂からロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）への帰りの搬送経路である。

未処理のウエハＷ_iは、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）から搬送経路Ｓ₁を経由してプロセス・モジュールＰＭ₁に搬入され、そこで第１工程のプロセス（Ｔi成膜処理）を受ける。この第１工程のプロセスが終了すると、次にウエハＷ_iはプロセス・モジュールＰＭ₁から搬送経路Ｓ_aを経由してプロセス・モジュールＰＭ₂に移され、そこで第２工程のプロセス（ＴiＮ成膜処理）を受ける。この第２工程が終了すると、次にウエハＷ_iはプロセス・モジュールＰＭ₁から搬送経路Ｓ₂を経由してロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）に戻される。各プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂においてはピック＆プレース動作によりウエハの搬出／搬入が行われてよい。

さらに、図７においては、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）と他方の組（便宜上「Ｂ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₄］との間に、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ₁によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ₃→Ｓ_b→Ｓ₄が設定される。ここで、Ｓ₃はロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ₃までの行きの搬送経路であり、Ｓ_bはプロセス・モジュールＰＭ₃から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ₄までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ₄はプロセス・モジュールＰＭ₄からロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）への帰りの搬送経路である。

未処理のウエハＷ_jは、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）から搬送経路Ｓ₃を経由してプロセス・モジュールＰＭ₃に搬入され、そこで第１工程のプロセス（Ｔi成膜処理）を受ける。そして、第１工程のプロセスが終了すると、次にウエハＷ_iはプロセス・モジュールＰＭ₃から搬送経路Ｓ_bを経由してプロセス・モジュールＰＭ₄に搬入され、そこで第２工程のプロセス（ＴiＮ成膜処理）を受ける。この第２工程のプロセスが終了すると、次にウエハＷ_jはプロセス・モジュールＰＭ₄から搬送経路Ｓ₄を経由してロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）に戻される。各プロセス・モジュールＰＭ₃，ＰＭ₄においてはピック＆プレース動作により１回のアクセスで前後してウエハの搬出／搬入が行われてよい。

図７の場合、全体的な搬送パターンとして、ロードポートＬＰのウエハカセットＣＲから大気搬送経路Ｓ _A を経由してロードロック・モジュール（ＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂）に投入された基板Ｗは、真空空間においては、搬送経路Ｓ _B →Ｓ₁→Ｓ_a→Ｓ₂を経由してＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₂］によりインラインで連続的に第１および第２プロセスを受けるものと、搬送経路Ｓ _B →Ｓ₃→Ｓ_b→Ｓ₄を経由してＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₄］によりインラインで連続的に第１および第２プロセスを受けるものとに一定の時間差をおいて一枚ずつ交互に分かれる。そして、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）に回収された各基板は、そこから大気搬送経路Ｓ _A を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。

図８の場合は、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）と一方の組（便宜上「Ｃ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₄］との間に、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ₁によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ₁→Ｓ_c→Ｓ₂が設定される。ここで、Ｓ₁はロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ₁までの行きの搬送経路であり、Ｓ_cはプロセス・モジュールＰＭ₁から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ₄までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ₄はプロセス・モジュールＰＭ₄からロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）への帰りの搬送経路である。

さらに、図８において、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）と他方の組（便宜上「Ｄ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₂］との間には、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ₁によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ₃→Ｓ_d→Ｓ₂が設定される。ここで、Ｓ₃はロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ₃までの行きの搬送経路であり、Ｓ_dはプロセス・モジュールＰＭ₃から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ₂までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ₂はプロセス・モジュールＰＭ₂からロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）への帰りの搬送経路である。

図８の組み合わせパターンは、図７の組み合わせパターンにおいて第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄を相互に差し替えたものに相当する。したがって、図８の搬送パターンも、上記した図７の搬送パターンにおいてプロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄を相互に差し替えたものに相当する。

このように、複数組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせる場合にも、コンディショニングは各プロセス・モジュール毎に個別に行われるため、コンディショニングの完了する時間にばらつきが出る。この処理システムは、以下のような手順で実プロセスを開始するようにしている。

たとえば、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄の中でＰＭ₁が最先にコンディショニングを完了したとする。この時点では、第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄のいずれも未だコンディショニング中なので、プロセス・モジュールＰＭ₁をそのまま待機させておく。そして、そのうちプロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄のいずれか一方たとえばＰＭ₂がコンディショニングを完了した時点で、図９に示すようにＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₂］を成立させ、搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₁→Ｓ_a→Ｓ₂）上で基板搬送を開始する。これにより、この処理システムは、ウエハカセットＣＲ内のウエハＷに一枚ずつＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₂］によるインラインの複合プロセス（Ｔi／ＴiＮの積層膜形成）を実施することができる。

この後は、残りのプロセス・モジュールＰＭ₃，ＰＭ₄の一方がコンディショニングを完了しても上記系統の片肺運転がそのまま継続し、最後にプロセス・モジュールＰＭ₃，ＰＭ₄の他方がコンディショニングを完了した時点で搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₃→Ｓ_b→Ｓ₄）上でも基板搬送を開始してＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₄］を稼動させる。ただし、プロセス・モジュールＰＭ₃がプロセス・モジュールＰＭ₄よりも先にコンディショニングを完了させた場合、プロセス・モジュールＰＭ₃で１回目の第１プロセス（Ｔi成膜処理）を実行している間にプロセス・モジュールＰＭ₄のコンディショニングが完了するものと先読みで判断したときは、プロセス・モジュールＰＭ₄のコンディショニングが完了する前にプロセス・モジュールＰＭ₃の稼動と搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₃→Ｓ_b→Ｓ₄）上の基板搬送とを開始することも可能である。こうして、いずれはＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₂］とＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₄］とによる２系統のフル稼動モードとなり、図７について上述した搬送パターンで各部の搬送が周期的に繰り返し行われる。

上記先読みの判断は、プロセス・モジュールＰＭ₄のモジュール・コントローラＭＣ₄を通じてイクイップメント・コントローラＥＣが行う。すなわち、モジュール・コントローラＭＣ₄は、コンディショニングの処理内容を規定するレシピ（プロローグレシピ、前処理レシピ等）情報を基に当該プロセス・モジュールＰＭ₄におけるコンディショニングの進捗状況をステップ単位で把握し、先読みでコンディショニング完了までの残時間Ｔ_Rを演算し、これを逐次更新する。イクイップメント・コントローラＥＣは、時々刻々と変化する残時間Ｔ_Rのデータをモジュール・コントローラＭＣ₄よりリアルタイムで受け取り（または読み取り）、受け取った残時間Ｔ_Rを所定の基準値または規定値Ｔ_Sと比較し、残時間Ｔ_Rが規定値Ｔ_Sを下回った時点で搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₃→Ｓ_b→Ｓ₄）上の基板搬送を開始させる。

この先読み方式において、イクイップメント・コントローラＥＣは、搬送モジュール・コントローラＭＣ_T，ＭＣ_Lを通じて搬送エリア内、つまりロードポートＬＰ、ローダ・モジュールＬＭ、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ_1,ＬＬＭ₂）またはトランスファ・モジュールＴＭ内で待機している未処理の基板Ｗの位置を監視し、その待機位置から当該基板ＷをＢ組の第１プロセス用のプロセス・モジュールＰＭ₃に搬入するまでの第１の搬送時間Ｔ_aを計算で割り出す。そして、この第１の搬送時間Ｔ_aに、当該基板Ｗが第１プロセスを受けるためにプロセス・モジュールＰＭ₃内に滞在するレシピ時間Ｔ_bと、プロセス・モジュールＰＭ₃内の滞在を終えた当該基板Ｗがプロセス・モジュールＰＭ₃から搬出されるまでの第２の搬送時間Ｔ_cとを足し合わせて最小所要時間（Ｔ_a＋Ｔ_b＋Ｔ_c）を求める。そして、この最小所要時間以上の範囲内で上記規定値Ｔ_sを選定する。通常は、最小所要時間をそのまま規定値Ｔ_sとしてよい。これにより、プロセス・モジュールＰＭ₃で１回目の第１プロセスを終えたばかりの基板Ｗを、無駄な待ち時間を費やすことなく、コンディショニングを完了させたばかりのプロセス・モジュールＰＭ₄にジャストイン・タイムで搬入することが可能となる。

なお、搬送エリア（ロードポートＬＰ〜トランスファ・モジュールＴＭ）内で待機中の未処理の基板Ｗが移動すると、その位置に応じて第１の搬送時間Ｔ_aは変わるので、その都度規定値Ｔ_sを更新することになる。また、搬送エリア（ロードポートＬＰ〜トランスファ・モジュールＴＭ）内で待機している未処理の基板Ｗが複数ある場合は、所定の選定基準にしたがって上記先読み方式の判断対象となる基板Ｗをその中のいずれか１つに選んでもよく、あるいは複数候補を立てて後で条件的に１つに絞り込むことも可能である。

コンディショニング中のプロセス・モジュールにおける残時間Ｔ_Rは時間の経過とともに減少する。一方、搬送エリア内で待機している未処理の基板Ｗは、上流側に位置しているものほど第１の搬送時間Ｔ_aが長く、大きな規定値Ｔ_sをとる。したがって、通常、残時間Ｔ_Rは最上流の位置で待機している基板Ｗに係る規定値Ｔ_sを最初に下回ることになるので、その基板Ｗを上記先読みの判断対象としてよい。しかし、まだコンディショニングを完了していない残りのプロセス・モジュールＰＭ₄について残時間Ｔ_Rの監視を開始した時点でその残時間Ｔ_Rが上流側の位置で待機している基板Ｗに係る規定値Ｔ_sを既に下回っていることもあり得る。その場合は、その残時間Ｔ_Rより小さな規定値の中で最大の値をとる下流側の基板Ｗを上記先読みの判断対象としてよい。

なお、上記先読み方式は、先行した稼動するＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₂］についてそれと対応する搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₁→Ｓ_a→Ｓ₂）上の基板搬送を開始させる場合にも適用することができる。すなわち、上記の例のように第１プロセス用のプロセス・モジュールＰＭ₁が一番最初にコンディショニングを完了させた場合、イクイップメント・コントローラＥＣは、モジュール・コントローラＭＣ₂，ＭＣ₄を通じて両プロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄におけるそれぞれの残時間Ｔ_Rを比較して、短い方（上記の例の場合はプロセス・モジュールＰＭ₂）の残時間Ｔ_Rを選択する。そして、搬送エリア内の最も下流側の位置で待機している未処理の基板に係る規定値Ｔ_sを該残時間Ｔ_Rが下回った時点で搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₁→Ｓ_a→Ｓ₂）上の基板搬送を開始させてよい。

上記の例で、コンディショニングを完了させた順序がたとえばＰＭ₃，ＰＭ₂，ＰＭ₁，ＰＭ₄の場合は、図１０に示すように、ＰＭ₃，ＰＭ₂のコンディショニングが完了した時点でＤ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₂］を成立させ、搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₃→Ｓ_d→Ｓ₂）上で基板搬送を開始してよい。その後、ＰＭ₁，ＰＭ₄のコンディショニングが完了した時点から搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₁→Ｓ_c→Ｓ₄）上でも基板搬送を開始してＣ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₄］を稼動させてよく、結果的には図８の組み合わせパターンおよび搬送パターンでシステム内の全てのモジュールおよび全ての搬送機構がフル稼働する。

また、上記の例で、コンディショニングを完了させた順序がたとえばＰＭ₃，ＰＭ₁，ＰＭ₄，ＰＭ₂の場合は、ＰＭ₄がコンディショニングを完了した時点でＰＭ₃，ＰＭ₁のいずれか１つとＰＭ₄とを組み合わせてＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₄］もしくはＣ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₄］を成立させ、搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₃→Ｓ_b→Ｓ₄）もしくは搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₁→Ｓ_c→Ｓ₄）上で基板搬送を開始することができる。ここでＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₄］を成立させて搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₃→Ｓ_b→Ｓ₄）上の基板搬送を開始した場合は、その後にＰＭ₂がコンディショニングを完了した時点でＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₂］が成立し、ここから搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₁→Ｓ_a→Ｓ₂）上の基板搬送も加わり、結果的には図７の組み合わせパターンおよび搬送パターンでシステム内の全てのモジュールおよび全ての搬送機構がフル稼働するようになる。また、ＰＭ₄がコンディショニングを完了した時点でＣ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₁→ＰＭ₄］を成立させて搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₁→Ｓ_c→Ｓ₄）上の基板搬送を開始した場合は、その後にＰＭ₂がコンディショニングを完了した時点でＤ組のプロセス・モジュール［ＰＭ₃→ＰＭ₂］が成立し、ここから搬送経路Ｓ_A−Ｓ_B−（Ｓ₃→Ｓ_d→Ｓ₂）上の基板搬送も加わり、結果的には図８の組み合わせパターンおよび搬送パターンでシステム内の全てのモジュールおよび全ての搬送機構がフル稼働するようになる。

他にも、プロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄の間でコンディショニングを完了させる順序には多数のパターンがあるが、いずれの場合にもコンディショニングを完了させたプロセス・モジュールが第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ₁，ＰＭ₃と第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ₂，ＰＭ₄とでそれぞれ１台以上出揃った時点で、インラインの複合プロセスを実行できる１系統のプロセス・モジュールを編成して、それと対応する搬送経路上で基板搬送を開始する。そして、最後（４番目）のプロセス・モジュールがコンディショニングを完了させた時点で残り１系統のプロセス・モジュールを稼動させ、それと対応する搬送経路上でも基板搬送を行う。これにより、システム内で稼動可能な資源を有効利用し、生産性を向上させることができる。

本発明の適用可能なクラスタツールは、上記した実施形態の装置構成（図１）に限定されるものではなく、レイアウトや各部の構成等において種々の変形が可能である。たとえば、上記した実施形態における双子型のロードロック・モジュール（ＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂）は、行き（未処理）のウエハＷを１枚単位で留め置き、帰り（処理済）のウエハＷを１枚単位で留め置くものであるとともに、行きのウエハＷと帰りのウエハＷとを同時に留め置くこともできるものであった。しかし、大気系搬送経路と真空系搬送経路との間にロードロック・モジュールを設ける形態は任意であり、たとえば、全搬送経路共通のロードロック・モジュールを設ける構成も可能であり、各搬送経路専用のロードロック・モジュールを設ける構成も可能である。

また、図１１に示すように、トランスファ・モジュールＴＭを水平方向に延ばしてトランスファ・モジュールＴＭに連結可能つまりクラスタツール内で稼動可能なプロセス・モジュールの台数を増やす構成（図１１の例は６台）も可能である。この構成例では、トランスファ・モジュールＴＭ内に長手方向に延びる２本のレール１０が敷設され、搬送ロボットＲＢ₁がレール１０上で直進移動可能なスライダ１２を有している。また、この搬送ロボットＲＢ₁は、互いに鋭角（たとえば６０゜）離れた２方向で伸縮可能な一対の搬送アームＦ_A，Ｆ_Bを有しており、各モジュールに対してピック＆プレース動作により両搬送アームＦ_A，Ｆ_Bを交互に出し入れするときなどに旋回角度が小さくて済むという特長を有している。

図１１のクラスタツールにおいては、６台のプロセス・モジュールＰＭ₁〜ＰＭ₆の全部に一部または全部共通のレシピで単一プロセスを並列的に行わせることも可能であれば、一部または全部共通のレシピで複合プロセスを並列的に行うための２組または３組のプロセス・モジュールを編成することも可能である。いずれの編成パターンにおいても、上記先読み方式で基板搬送路上の基板搬送を開始させる手法を適用することができる。

特に、順に連続して処理を行う第１プロセス・モジュール、第２プロセス・モジュールおよび第３プロセス・モジュールで１組の複合プロセスを構成する場合は、コンディショニングをまだ完了していない第３プロセス・モジュールが最後に１台残った時点からその第３プロセス・モジュールについて残時間Ｔ_Rをリアルタイムで監視し、搬送エリア内で待機している所定の未処理基板に係る規定値Ｔ_sを該残時間Ｔ_Rが下回った時点で該当搬送経路上の基板搬送を開始するようにしてよい。

その場合、規定値Ｔ_sは、当該基板が待機位置から第１プロセス用のプロセス・モジュールに搬入されるまでの第１の搬送時間と、当該基板Ｗが第１プロセスを受けるためにその第１プロセス・モジュール内に滞在する第１のレシピ時間と、その第１プロセス・モジュール内の滞在を終えた当該基板Ｗがそこから搬出されて第２プロセス用のプロセス・モジュールに搬入するまでの第２の搬送時間と、当該基板Ｗが第２プロセスを受けるためにその第２プロセス・モジュール内に滞在する第２のレシピ時間と、その第２プロセス・モジュール内の滞在を終えた当該基板Ｗがそこから搬出されるまでの第３の搬送時間とを足し合わせた最小所要時間を求め、その最小所要時間以上の範囲内で規定値Ｔ_sを決定してよい。

なお、上記の実施形態では、トランスファ・モジュールＴＭ内の真空搬送ロボットＲＢ₁とローダ・モジュールＬＭ内の大気搬送ロボットＲＢ₂をそれぞれ個別の搬送用モジュール・コントローラＭＣ_T，ＭＣ_Lによって制御している。しかし、１つのコントローラによって真空搬送ロボットＲＢ₁と大気搬送ロボットＲＢ₂とを同時または並列的に制御することも可能である。同様に、プロセス用モジュール・コントローラＭＣ₁，ＭＣ₂，ＭＣ₃，ＭＣ₄の全部を１つのコントローラで制御するようにしてもよい。

本発明の処理システムは、上記実施形態のような真空系の処理システムに限定されるものではなく、一部または全体が大気系の処理部を有するシステムにも適用可能である。被処理体も、半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等も可能である。

一実施形態における処理システムの構成を示す略平面図である。 実施形態におけるピック＆プレース動作を説明するための模式図である。 実施形態における単一プロセスのためのプロセス・モジュールと搬送経路の関係を示す図である。 実施形態における作用の一段階を示す図である。 実施形態における作用の一段階を示す図である。 実施形態における作用の一段階を示す図である。 実施形態における複合プロセスのための第１のプロセス・モジュール組み合わせパターンと搬送経路との関係を示す図である。 実施形態における複合プロセスのための第２のプロセス・モジュール組み合わせパターンと搬送経路との関係を示す図である。 実施形態における作用の一段階を示す図である。 実施形態における作用の一段階を示す図である。 実施形態のクラスタツールの一変形例の構成を示す略平面図である。

符号の説明

ＴＭ トランスファ・モジュール
ＲＢ₁ 真空搬送ロボット
Ｆ_A，Ｆ_B 搬送アーム
ＰＭ₁，ＰＭ₂，ＰＭ₃，ＰＭ₄，ＰＭ₅，ＰＭ₆ プロセス・モジュール
ＬＬＭ₁，ＬＬＭ₂ ロードロック・モジュール
ＧＶ ゲートバルブ
ＬＭ ローダ・モジュール
ＬＰ ロードポート
ＯＲＴ オリフラ合わせ機構
ＲＢ₂ 大気搬送ロボット
１０ 案内レール
１２ スライダ

Claims (18)

1. 搬送部の周囲に被処理基板に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールとロードロック・モジュールとを配置するとともに、前記ロートロック・モジュールを介して大気側に複数の前記基板を収納するカセットを配置し、前記カセットと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
   前記複数のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステム内に投入された各基板にいずれか１つのプロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる処理システム。
2. 前記コンディショニングが完了している複数のプロセス・モジュールに対して、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各プロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、前記プロセスが済んだプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する、請求項１に記載の処理システム。
3. 搬送部の周囲に被処理基板に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールとロードロック・モジュールとを配置するとともに、前記ロートロック・モジュールを介して大気側に複数の前記基板を収納するカセットを配置し、前記カセットと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
   前記複数組のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組から逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステムに投入された各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる処理システム。
4. 前記コンディショニングが完了している複数組のプロセス・モジュールについては、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各組のプロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、前記レシピの複合プロセスが終了した組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する請求項３に記載の処理システム。
5. 各組内では各基板が各組に属する複数のプロセス・モジュールに所定の順序でシリアルに搬送され、各プロセス・モジュールで前記複合プロセスの一部を受ける、請求項３または請求項４に記載の処理システム。
6. 前記複合プロセスは、先工程の第１プロセスと後工程の第２プロセスとからなり、
   各組のプロセス・モジュールは、前記第１プロセスを実行するための第１群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つと、前記第２プロセスを実行するための第２群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つとで構成される、請求項３〜５のいずれか一項に記載の処理システム。
7. 各組内で前記第１群に属する第１のプロセス・モジュールが前記第２群に属する第２のプロセス・モジュールよりも先に前記コンディショニングを完了させた場合は、前記第２のプロセス・モジュールが前記コンディショニングを完了させるまでの残時間を先読み方式で監視し、前記残時間が所定の基準値を下回った時点で当該組に対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始する、請求項６に記載の処理システム。
8. 前記基準値は、前記残時間監視の各時点で前記第１プロセスを未だ受けていない未処理の基板が前記搬送部内で待機している位置から前記第１のプロセス・モジュールに搬入されるまでの第１の搬送時間と、前記基板が前記第１プロセスを受けるために前記第１のプロセス・モジュール内に滞在するレシピ時間と、前記第１のプロセス・モジュール内の滞在を終えた前記基板が前記第１のプロセス・モジュールから搬出されるまでの第２の搬送時間とを含む時間として設定される、請求項７に記載の処理システム。
9. 前記第１群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを最初に完了させたものと前記第２群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを最初に完了させたものとで第１組のプロセス・モジュールが構成され、
   前記第１群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを２番目に完了させたものと前記第２群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを２番目に完了させたものとで第２組のプロセス・モジュールが構成される、請求項６〜８のいずれか一項に記載の処理システム。
10. 各々の前記プロセス・モジュールが前記基板を保持して設定温度に加熱するためのサセプタを有し、前記サセプタの温度が前記プロセスの実行を可能な状態にする条件の一つである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の処理システム。
11. 前記プロセス・モジュールが減圧下で前記プロセスを実行するための真空チャンバを有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の処理システム。
12. 前記ロードロック・モジュールが全搬送経路で共用される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の処理システム。
13. 前記ロードロック・モジュールが各搬送経路毎に個別に設けられる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の処理システム。
14. 前記搬送部が、
    各々の前記プロセス・モジュールと第１のゲートバルブを介して連結され、前記ロードロック・モジュールと第２のゲートバルブを介して連結される真空搬送室と、
    前記ロードロック・モジュールと前記プロセス・モジュールとの間で前記基板を搬送するために前記真空搬送室内に設けられる第１の搬送機構と
    を有する、請求項１２または請求項１３に記載の処理システム。
15. 前記搬送機構が、各々の前記プロセス・モジュールに出入り可能な２つの搬送アームを有し、前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで当該プロセス・モジュールで前記プロセスを終えた基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで当該プロセス・モジュールで前記プロセスを受けるべき別の基板を搬入し、前記ロードロック・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで未処理の基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで処理済みの基板を搬入する、請求項１４に記載の処理システム。
16. 前記カセットを大気圧下で支持するロードポートと、
    前記ロードポートに接続または隣接し、前記ロードロック・モジュールに第３のゲートバルブを介して連結される大気圧搬送モジュールと、
    前記ロードポート上の前記カセットと前記ロードロック・モジュールとの間で前記基板を搬送するために前記大気圧搬送モジュール内に設けられる第２の搬送機構と
    を有する請求項１４または請求項１５に記載の処理システム。
17. 真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
    前記複数のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの前記プロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる処理システム。
18. 真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各組のプロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
    前記複数組のプロセス・モジュールが、処理システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピを実行可能な状態にするために前記プロセス・モジュール内部の条件を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる処理システム。

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