JP6131320B2 - 基板処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置、この基板処理装置で実行されるプログラムを読み取り可能な記録媒体、及び半導体ウエハ等の基板を処理して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関し、特に、１つの処理室内で１枚又は数枚程度の基板処理を行う装置における基板の搬送制御技術に関するものである。
基板処理装置の一種である半導体製造装置において、従来から基板の搬送制御が行われている。
下記の特許文献１には、真空搬送するためのロードロック室の真空引き終了時点と、処理室での基板処理終了時点とをマッチングさせることが記載されている。特許文献２には、予備室に一定時間間隔で基板を搬送するように制御することが記載されている。特許文献３には、複数の処理室での処理時間が異なる基板処理装置において、処理室への基板投入間隔を一定として、処理室での基板滞留を発生させないように制御することが記載されている。
背景技術において、基板処理装置の一実施形態である多枚葉装置では、スループットの向上を図るため、処理済み基板の回収と並行して、次に処理室で処理する基板の搬送を開始していた。しかしながら、処理室内の処理済み基板の滞留が発生する場合があった。
特開２００３−１０９９９５号公報 特開２００５−１３６０２１号公報 ＷＯ２００５−０５５３１４号公報
本発明の目的は、前述した基板処理装置の基板搬送における問題を解決し、処理済み基板の装置内の滞留を抑制する搬送制御を実行する基板処理装置または半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一態様によれば、 基板を処理する複数の処理室と、基板を収容する１つ又は複数の収納容器を載置する載置部と、負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気搬送室と前記真空搬送室とを介し、前記載置部に載置された前記収納容器から前記複数の処理室へ基板を搬送して、前記複数の処理室で基板処理を開始し、その後、前記収納容器から前記複数の処理室のうち所定の処理室へ基板を搬送する際に、前記複数の処理室における、それぞれの基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板を処理する複数の処理室と、負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気搬送室及び前記真空搬送室を介して前記基板を前記処理室に搬送する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムを読み取り可能な記録媒体であって、制御部に、複数の処理室で基板処理を開始した後、所定の処理室へ基板を搬送する際に、所定の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、基板を真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、大気搬送機が収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程を実行させるプログラムを読み取り可能に記録する記録媒体が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、 大気圧下で基板が搬送される大気搬送室と、負圧下で基板が搬送される真空搬送室とを介し、基板を処理する複数の処理室へ基板を搬送する基板搬送工程と、 複数の処理室において、基板に所定の処理を実施する基板処理工程と、 複数の処理室で基板処理を開始した後、複数の処理室のうち所定の処理室へ基板を搬送する際に、複数の処理室における、それぞれの基板処理の残時間であるレシピ残時間と、基板を真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、大気搬送機が基板を搬送するタイミングを決定するタイミング決定工程と、 を備える半導体装置の製造方法が提供される。
上記の構成によれば、基板処理装置における処理済み基板の滞留を抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成図（上面図）である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御部の構成図である。 本発明の一実施形態に係る第２実施例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る第２実施例の動作フロー図である。 本発明における第１の課題を説明するための図である。 本発明における第２の課題を説明するための図である。
（１）基板処理装置の構成 以下、本発明の実施形態における基板処理装置を説明する。本実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。また、本実施形態の基板処理装置は、１つの処理室で複数枚（例えば５枚）の基板にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理などの成膜処理を含む基板処理を行う多枚葉装置である。
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成図であり、上面から見た装置イメージ図である。 図１に示す基板処理装置１００は、減圧状態で基板（例えばシリコン等からなるウエハＷ）を取り扱う真空側の構成と、大気圧状態においてウエハＷを取り扱う大気側の構成とを備えている。真空側の構成は、主に、真空搬送室ＴＭと、予備室兼冷却室（以降、単に冷却室ともいう。）ＬＭ１，ＬＭ２と、ウエハＷを処理する処理室（プロセスチャンバ）ＰＭ１，ＰＭ２とを備える。大気側の構成は、主に、大気搬送室ＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）と、載置部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３とを備える。
ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３には、ウエハＷを収納するウエハキャリア（ウエハ収納容器）としてのポッド（ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pod）ＦＰ１〜ＦＰ３が、それぞれ、基板処理装置外部から搬送されて載置され、また、基板処理装置外部へ搬送される。このような構成により、例えば、ロードポートＬＰ１上のポッドＦＰ１から未処理のウエハＷが取り出され、冷却室ＬＭ１を経て、処理室ＰＭ１へ搬入されて処理された後、処理済みのウエハＷは、その逆の手順で、ロードポートＬＰ１上のポッドＦＰ１へ戻される。
（真空側の構成） 真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の負圧（減圧）に耐えることが出来る真空気密可能な構造に構成されている。なお、本実施形態においては、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。冷却室ＬＭ１，ＬＭ２、処理室ＰＭ１，ＰＭ２は、真空搬送室ＴＭの外周を囲むように隣接して配置されている。
真空搬送室ＴＭ内には、減圧状態でウエハＷを搬送する搬送手段（基板搬送機）としての真空搬送ロボットＶＲが例えば１台設けられている。真空搬送ロボットＶＲは、ウエハＷを基板載置部である２組の基板支持アーム（以下、アーム）に載せることで、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２及び処理室ＰＭ１，ＰＭ２との間で、ウエハＷの搬送を行なう。なお、真空搬送ロボットＶＲは、真空搬送室ＴＭの気密性を維持しつつ昇降できるように構成される。また、２組のアームは、上下方向に離間して設けられ、それぞれ水平方向に伸縮でき、係る水平面内で回転移動できるように構成されている。
処理室ＰＭ１，ＰＭ２は、真空搬送室ＴＭに複数、例えば２つ連結することができる。複数の処理室ＰＭ１，ＰＭ２は、多枚葉装置１００の目的に応じて、同じ処理を行う処理室（例えば、同じ膜種の成膜室）であってもよいし、異なる処理を行う処理室（例えば、異なる膜種の成膜室）であってもよい。 処理室ＰＭ１，ＰＭ２は、ウエハＷが載置される基板載置台ＳＴ１、ＳＴ２をそれぞれ備え、例えばウエハＷを５枚ずつ減圧状態で一括処理する多枚葉式の処理室として構成されている。
また、処理室ＰＭ１，ＰＭ２は、それぞれ、その機能に応じた各種の構成、例えばガス導入機構や排気機構や圧力調整機構や温度制御機構やプラズマ放電機構等を備えている。これらの機構は、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）等の圧力コントローラ１５、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内の温度を制御する温度調整器、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１９、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１８などを備えている。上記各構成は、プロセスチャンバコントローラ１４に電気的に接続されている。プロセスチャンバコントローラ１４を含む装置コントローラとしての制御部１０の構成については後述する。
また、処理室ＰＭ１，ＰＭ２は、開閉弁としての処理室ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２により真空搬送室ＴＭにそれぞれ連接されている。したがって、処理室ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２を開けることにより、真空搬送室ＴＭとの間で減圧下にてウエハＷの搬送を行うことが可能である。また、処理室ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２を閉じることにより、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内の圧力や処理ガス雰囲気を保持したまま、ウエハＷに対して各種の基板処理を行うことが可能である。
予備室兼冷却室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空搬送室ＴＭ内へウエハＷを搬入する予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内からウエハＷを搬出する予備室として機能する。冷却室ＬＭ１，ＬＭ２の内部には、ウエハＷを搬入搬出する際、ウエハＷを一時的に保持する基板保持台ＬＨ１，ＬＨ２が、それぞれ設けられている。基板保持台ＬＨ１，ＬＨ２は、複数枚（例えば２枚）のウエハＷを保持する多段型スロットとしてそれぞれ構成されていてもよい。
また、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２は、開閉弁としての真空側ゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２により真空搬送室ＴＭにそれぞれ連接されており、また、開閉弁としての大気側ゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２により後述する大気搬送室ＥＦＥＭにそれぞれ連接されている。したがって、真空搬送室ＴＭ側の真空側ゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２を閉じたまま、大気搬送室ＥＦＥＭ側の大気側ゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２と大気搬送室ＥＦＥＭとの間で、大気圧下にてウエハＷの搬送を行うことが可能である。
また、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来る構造に構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、大気搬送室ＥＦＥＭ側の大気側ゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２を閉じて冷却室ＬＭ１，ＬＭ２の内部を真空排気した後で、真空搬送室ＴＭ側の真空側ゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２と真空搬送室ＴＭとの間で、減圧下にてウエハＷの搬送を行うことが可能である。 このように、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２は、大気圧状態と負圧状態とを切換え可能に構成されている。
また、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２は、処理室ＰＭ１又はＰＭ２で処理された処理済みのウエハＷを、それぞれ基板保持台ＬＨ１，ＬＨ２に保持し、所定の温度以下になるよう冷却するように構成されている。例えば、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２内に不活性ガスを導入しつつ排気することにより、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２内の気圧を所定の値に保った状態で、例えば、大気圧状態や負圧状態で、基板保持台ＬＨ１，ＬＨ２に保持したウエハＷを冷却する。
（大気側の構成） 一方、基板処理装置１００の大気側には、上述の通り、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２に接続されたフロントモジュールである大気搬送室ＥＦＥＭと、大気搬送室ＥＦＥＭに隣接して接続され、例えば１ロット分、２５枚のウエハＷをそれぞれ収納した収納容器としてのポッドＦＰ１〜ＦＰ３を載置する収納容器載置部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。
大気搬送室ＥＦＥＭ内には、搬送手段（基板搬送機）としての大気搬送ロボットＡＲが例えば１台設けられている。大気搬送ロボットＡＲは、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３との間でウエハＷの搬送を行なう。大気搬送ロボットＡＲも、真空搬送ロボットＶＲと同様に基板載置部である２組のアームを有する。
また、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、基板位置調整装置として、ウエハＷの結晶方位の位置合わせ等を行うオリフラ（Orientation Flat）合わせ装置であるウエハアライナーＡＵが設けられている。ウエハＷがノッチタイプであるときは、ウエハアライナーＡＵをノッチ合わせ装置とすることも可能である。また、大気搬送室ＥＦＥＭには、大気搬送室ＥＦＥＭの内部にクリーンエアを供給する図示しないクリーンエアユニットが設けられている。
各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３は、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に、複数枚のウエハＷを収納したポッドＦＰ１〜ＦＰ３をそれぞれ載置するように構成される。それぞれのポッドＦＰ１〜ＦＰ３内には、ウエハＷをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが例えば１ロット分、２５スロット設けられている。各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３にポッドＦＰ１〜ＦＰ３が載置されると、後述する搬送系コントローラ１３が、ポッドＦＰ１〜ＦＰ３に付されポッドＦＰ１〜ＦＰ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード等を読み取って記憶するよう構成される。
また、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のうち、例えばロードポートＬＰ３にはダミー基板としてのウエハＷを収納する収納容器としてのダミー用ポッドＦＰＤが常駐されることがある。この場合、製品基板としてのウエハＷは、ポッドＦＰ１又はポッドＦＰ２に収納され、ロードポートＬＰ１又はロードポートＬＰ２に載置され、基板処理装置１００内に搬送されて各種の基板処理を受けることとなる。 以上、本実施形態の基板処理装置について説明をしたが、各室の数や構成、組み合わせは上記に限られず、適宜、選択することができる。
以降、処理室ＰＭ１及びＰＭ２のいずれかを指すときは処理室ＰＭ、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２のいずれかを指すときは冷却室ＬＭ、基板保持台ＬＨ１又はＬＨ２のいずれかを指すときは基板保持台ＬＨ、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のいずれかを指すときはロードポートＬＰ、ポッドＦＰ１〜ＦＰ３のいずれかを指すときはポッドＦＰ、基板載置台ＳＴ１又はＳＴ２のいずれかを指すときは基板載置台ＳＴというように称す。
次に、図１を用いて基板処理装置１００における基板搬送方法を説明する。
ウエハＷの処理手順を説明する。 基板処理装置１００は、図示しないユーザインタフェース（ＧＵＩ又はホスト）により、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に載置したポッドＦＰ１〜ＦＰ３内のウエハＷに対する成膜指示がなされると、ポッドＦＰ１〜ＦＰ３から成膜室ＰＭ１及びＰＭ２に対するウエハ搬送を開始する。ポッドＦＰ１〜ＦＰ３には、それぞれ２５枚のウエハＷ１〜Ｗ２５が収納されている。２５枚のウエハＷは、ウエハＷ１〜Ｗ２５の順に取出され処理される。
まず、図示しないポッドオープナにより、例えば、フープドアＦＤ１が開放され、大気搬送ロボットＡＲが、ポッドＦＰ１内のウエハＷを１枚取出し（ウエハＷ１）、ウエハアライナーＡＵに載置する。ウエハアライナーＡＵは、載置されたウエハＷ１の位置を調整、詳しくは、ウエハＷ１のウエハ面に平行な水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向、円周方向）の位置を調整する。
ウエハアライナーＡＵがウエハＷ１の位置を調整している間に、大気搬送ロボットＡＲは、ポッドＦＰ１内の次のウエハＷを１枚取出し（ウエハＷ２）、ウエハＷ１の位置調整が終了するまで待機する。 ウエハＷ１の位置調整が終了すると、大気搬送ロボットＡＲは、大気搬送ロボットＡＲが保持しているウエハＷ２と、ウエハアライナーＡＵが保持しているウエハＷ１とを交換する。大気搬送ロボットＡＲは、図１に示すように、２つのアームを備えているので、ウエハＷ２を保持していないアームを用いてウエハアライナーＡＵが保持しているウエハＷ１を取出し、その直後に、他方のアームで保持していたウエハＷ２をウエハアライナーＡＵに載置する。 ウエハアライナーＡＵは、新たに載置されたウエハＷ２の位置調整を行う。
ウエハアライナーＡＵから取出したウエハＷ１を保持した大気搬送ロボットＡＲは、例えば、冷却室ＬＭ１の大気側ゲートバルブＬＧＡ１が開くと、冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１にウエハＷ１を載置する。このとき、冷却室ＬＭ１の真空側ゲートバルブＬＧＶ１は閉じられており、真空搬送室ＴＭ内の負圧は維持されている。 基板保持台ＬＨ１にウエハＷ１が載置された後、冷却室ＬＭ１の大気側ゲートバルブＬＧＡ１が閉じられ、冷却室ＬＭ１は、図示しない排気装置により負圧になるよう排気される。
冷却室ＬＭ１の負圧排気を実行している間に、大気搬送ロボットＡＲは、ポッドＦＰ１内の次のウエハＷを１枚取出し（ウエハＷ３）、ウエハアライナーＡＵにおいてウエハＷ２の位置調整が終了すると、大気搬送ロボットＡＲが保持しているウエハＷ３と、ウエハアライナーＡＵが保持しているウエハＷ２とを交換する。 ウエハアライナーＡＵは、新たに載置されたウエハＷ３の位置調整を行う。
大気搬送ロボットＡＲは、冷却室ＬＭ２の大気側ゲートバルブＬＧＡ２が開くと、冷却室ＬＭ２の基板保持台ＬＨ２にウエハＷ２を載置する。 なお、大気搬送ロボットＡＲは、基板保持台ＬＨのいずれかに空きがあれば、基板保持台ＬＨにウエハＷを載置するように構成されている。この例では、冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１又は冷却室ＬＭ２の基板保持台ＬＨ２に空きがあれば、基板保持台ＬＨ１又は基板保持台ＬＨ２にウエハＷを載置する。 もし、基板保持台ＬＨのいずれにも空きがない場合は、大気搬送ロボットＡＲは、基板保持台ＬＨにウエハＷを載置できないので、基板保持台ＬＨに空きができウエハＷを載置可能になるまで、冷却室ＬＭの直前の位置で、ウエハＷを載置した状態で停止し待機する。
以下、大気搬送ロボットＡＲは、ポッドＦＰからのウエハＷの取出し動作、ウエハアライナーＡＵが保持しているウエハＷとの交換動作、基板保持台ＬＨへの載置動作を、指示された成膜予定数を終了するまで繰り返し実施する。
基板保持台ＬＨ１へウエハＷ１が載置された後、冷却室ＬＭ１の負圧排気動作により、冷却室ＬＭ１が予め設定された圧力値（負圧値）に減圧されると、冷却室ＬＭ１の真空側ゲートバルブＬＧＶ１が開けられる。 続いて、真空搬送ロボットＶＲは、冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１から１枚のウエハ（ウエハＷ１）を取り出す。冷却室ＬＭ１からウエハＷ１が取り出された後、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が閉じられ、冷却室ＬＭ１が大気圧に戻される。こうして、次のウエハＷ３を冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１に載置する準備が行われる。
真空搬送ロボットＶＲは、冷却室ＬＭ１の大気圧戻しが行われている間に処理室ゲートバルブＰＧＶ１が開くので、処理室ＰＭ１の基板載置台ＳＴ１にウエハＷ１を載置する。 なお、真空搬送ロボットＶＲは、そのウエハに対して指定された処理室ＰＭが基板処理を実施中又は実施済みでなく、その処理室ＰＭの基板載置台ＳＴに空きがある場合は、その基板載置台ＳＴにウエハＷを載置するよう構成されている。この例では、処理室ＰＭ１の基板載置台ＳＴ１に空きがあれば、ウエハＷを載置する。 もし、指定された処理室ＰＭの基板載置台ＳＴに空きがない場合は、基板載置台ＳＴにウエハＷを載置できないので、真空搬送ロボットＶＲは、基板載置台ＳＴにウエハＷを載置可能になるまで、つまり処理室ＰＭの処理が終了するまで、処理室ＰＭの直前で、ウエハＷを載置した状態で停止し待機する。そして、処理が終了すると、基板載置台ＳＴ上の処理済みウエハＷと真空搬送ロボットＶＲ上の未処理ウエハＷを交換する。
処理室ＰＭ１の基板載置台ＳＴ１にウエハＷ１を載置すると、処理室ゲートバルブＰＧＶ１が閉じられる。 以下、真空搬送ロボットＶＲは、基板保持台ＬＨからのウエハＷの取出し動作、処理室ＰＭの基板載置台ＳＴへの載置動作を、指示された成膜処理予定数を終了するまで繰り返し実施する。
こうして、処理室ＰＭ１の基板載置台ＳＴ１がウエハＷで満たされる（例えば、５枚のウエハＷ１〜Ｗ５）と、成膜等の基板処理が開始される。
処理室ＰＭ１において所望の基板処理が終了すると、処理室ゲートバルブＰＧＶ１が開けられ、真空搬送ロボットＶＲは、基板載置台ＳＴ１からウエハＷを１枚取出す（ウエハＷ１）。このとき、真空搬送ロボットＶＲが、処理室ＰＭ１で処理予定の未処理ウエハＷ６を保持していた場合は、未処理ウエハＷ６と基板載置台ＳＴ１上の処理済みウエハＷ１を交換する。
処理室ＰＭ１からウエハＷ１が取出された後、処理室ゲートバルブＰＧＶ１が閉じられる。 処理室ＰＭ１から取出されたウエハＷ１を保持した真空搬送ロボットＶＲは、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が開けられると、冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１にウエハＷ１を載置する。このとき、冷却室ＬＭ１が大気圧状態であった場合は、図示しない排気装置により、冷却室ＬＭ１内が負圧にされた後、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が開けられ、基板保持台ＬＨ１にウエハＷ１が載置される。また、冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１に未処理ウエハＷ７が存在している場合は、未処理ウエハＷ７と真空搬送ロボットＶＲが保持していたウエハＷ１が交換される。
冷却室ＬＭ１へのウエハＷ１の載置が終了すると、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が閉じられ、図示しない不活性ガス導入装置により冷却室ＬＭ１内に不活性ガスが導入され、冷却室ＬＭ１内の圧力が大気圧に戻される。同時に、基板保持台ＬＨ１に載置されたウエハＷ１に対して、予め設定された時間に従い、冷却処理が開始される。冷却処理は、例えば、常温の不活性ガスを冷却室ＬＭ１内に導入するとともに排気することにより行われる。
なお、いずれかの冷却室ＬＭの基板保持台ＬＨに空きがあり、かつ、いずれかの処理室ＰＭ内に処理中又は処理済みのウエハＷが存在するときは、冷却室ＬＭにおける処理済みのウエハＷの冷却処理は行うが、当該冷却室ＬＭの大気圧戻しは行わず、当該冷却室ＬＭ内を負圧に維持する。換言すると、いずれの冷却室ＬＭの基板保持台ＬＨにも空きがないとき、又は、いずれの処理室ＰＭ内にも処理中又は処理済みのウエハＷが存在しないときは、冷却室ＬＭは大気圧に戻される。これは、処理室ＰＭ内から処理済みのウエハＷを冷却室ＬＭ内へ極力短時間で搬出し、ポッドＦＰへ極力短時間で戻すためである。つまり、基板処理装置１００における基板処理を極力短時間で完了するためである。 したがって、処理室ＰＭ内に処理中又は処理済みのウエハＷが存在する場合、冷却室ＬＭ内は、ウエハＷで満たされるまで負圧に維持される。冷却室ＬＭ内がウエハＷで満たされ、かつ、処理済みウエハＷの冷却処理が終了すると、冷却室ＬＭ１内の圧力は大気圧に戻される。
ウエハＷ１が冷却室ＬＭ１内に載置され、かつ冷却室ＬＭ１内の圧力が大気圧に戻されると、大気側ゲートバルブＬＧＡ１が開けられる。続いて、大気搬送ロボットＡＲにより、冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１から、１枚のウエハＷ（ウエハＷ１）が取出される。このとき、未処理ウエハＷが大気搬送ロボットＡＲに保持されていた場合は、未処理ウエハＷと基板保持台ＬＨ１のウエハＷ１を交換する。
冷却室ＬＭ１からウエハＷ１が取出された後、大気側ゲートバルブＬＧＡ１が閉じられ、次の処理済みウエハＷを冷却室ＬＭ１の基板保持台ＬＨ１に載置するための準備として、冷却室ＬＭ１内が排気され負圧にされる。そして、次の処理済みウエハＷが基板保持台ＬＨ１に載置され、前述した冷却室ＬＭ１の大気圧復帰条件が満たされると、再度、冷却室ＬＭ１内に不活性ガスが導入され、冷却室ＬＭ１内の圧力が大気圧に戻され、基板保持台ＬＨ１に載置されたウエハＷに対して、冷却処理がなされる。
冷却室ＬＭ１から取出したウエハＷ１を保持した大気搬送ロボットＡＲは、ロードポートＬＰ１上のポッドＦＰ１内に、ウエハＷ１を収納する。 以上の動作を繰り返すことにより、ポッドＦＰ１に収納された２５枚のウエハＷの基板処理が順次実施される。
上述した基板搬送方法においては、ポッドＦＰから取り出された基板が、基板処理装置において滞留するという課題がある。 図５は、第１の課題を説明するための図である。図５の例では、ポッドＦＰ１から取り出されたＡ集団のウエハＷ（Ａ１〜Ａ５）は、処理室ＰＭ１に搬送されて処理され、ポッドＦＰ１に戻される。ポッドＦＰ２から取り出されたＢ集団のウエハＷ（Ｂ１〜Ｂ２５）は、Ａ集団が処理室ＰＭ１に搬送された後に、処理室ＰＭ２に搬送されて処理され、ポッドＦＰ２に戻される。
先に処理室ＰＭ１に載置されたＡ集団のウエハＡ１〜Ａ５の処理が開始され、次に処理室ＰＭ２に載置されたＢ集団のウエハＢ１〜Ｂ５の処理が開始され、Ａ集団とＢ集団の処理が併行して実施される。処理室ＰＭ１と処理室ＰＭ２における処理は、同じ処理であってもよいし、異なる処理であってもよい。
Ａ集団のウエハＡ１〜Ａ５の基板処理が終了した時点で、基板処理装置１００内におけるウエハＷの配置は、図５に示すとおりである。すなわち、処理室ＰＭ１内には処理済みのウエハＡ１〜Ａ５、処理室ＰＭ２内には処理中のウエハＢ１〜Ｂ５、真空搬送ロボットＶＲ上には未処理ウエハＢ６が存在している。 これは、前述したように、真空搬送ロボットＶＲは、指定されたウエハ搬送先の処理室ＰＭが基板処理を実施中又は実施済みでなく、該処理室ＰＭの基板載置台ＳＴに空きがあれば、空いている基板載置台ＳＴにウエハＷを載置し、基板載置台ＳＴに空きがない場合は、基板載置台ＳＴにウエハＷを載置可能になるまで、処理室ＰＭの直前で停止し待機するよう構成されているためである。そして、処理が終了すると、基板載置台ＳＴ上の処理済みウエハＷと真空搬送ロボットＶＲ上の未処理ウエハＷが交換されるように構成されている。
このように、先発のＡ集団のウエハＡ１〜Ａ５の基板処理が終了した時点で、真空搬送ロボットＶＲ上には後発のＢ集団の未処理ウエハＢ６が、処理室ＰＭ２のＢ集団の基板処理が終了し処理室ＰＭ２内の処理済みウエハＢ１と交換可能となるのを待っている。したがって、Ａ集団のウエハＡ１〜Ａ５は、Ｂ集団のウエハＢ１〜Ｂ２５の基板処理が終了するまで、処理室ＰＭ１内に滞留することになる。
図５の例における滞留時間の具体例について説明する。この例では、先発のＡ集団の基板処理が終了する直前に、後発のＢ集団の基板処理が開始されたものとする。前述したように、ポッドＦＰ２に収納されていたＢ集団のウエハＷ（Ｂ１〜Ｂ２５）は２５枚である。この多枚葉装置では、１回の基板処理においてｍ枚（図５の例では５枚）のウエハＷを同時に処理できるので、２５枚のＢ集団のウエハＷに対して、（２５／ｍ）回の基板処理が実施される（小数第１位繰り上げ）。図５の例では、２５／５＝５回の基板処理が実施される。
真空搬送室ＴＭには、指示された処理予定数（２５枚）を終了するまで、Ｂ集団の未処理ウエハが搬送されるので、指示された処理予定数を処理室ＰＭ２に搬送するまで、真空搬送ロボットＶＲは空くことはない。そして、真空搬送ロボットＶＲが空かない限り、処理室ＰＭ１内の処理済みのウエハＡ１〜Ａ５は、搬出されない。 したがって、処理室ＰＭ２における１回の処理時間をｎ秒とした場合、処理室ＰＭ１内の処理済みのＡ集団のウエハＡ１〜Ａ５は、処理室ＰＭ２における基板処理を{（２５／ｍ）−１}回実施する時間と、処理室ＰＭ２において処理済みウエハと未処理ウエハを交換する時間との合計時間、処理室ＰＭ１内に滞留することになる。すなわち、処理室ＰＭ１内の処理済みのＡ集団のウエハＡ１〜Ａ５は、Ｂ集団のウエハＢ２１〜Ｂ２５を処理室ＰＭ２に搬送するまでの時間、滞留する。少なくとも、処理室ＰＭ２における基板処理を{（２５／ｍ）−１}回実施する時間である{（２５／ｍ）−１}ｎ秒間、処理室ＰＭ１内に滞留する。図５の例では、少なくとも、{（２５／５）−１}、つまり４ｎ秒間、滞留することになる。
次に、第２の課題について、図６を用いて説明する。図６の例では、ポッドＦＰ１から取り出されたＡ集団のウエハＷ（Ａ１〜Ａ５）は、処理室ＰＭ１に搬送されて処理され、ポッドＦＰ１に戻される。ポッドＦＰ２から取り出されたＢ集団のウエハＷ（Ｂ１〜Ｂ５）は、Ａ集団が処理室ＰＭ１に搬送された後に、処理室ＰＭ２に搬送されて処理され、ポッドＦＰ２に戻される。
Ｂ集団のウエハＢ１〜Ｂ５が基板処理中又は処理済みの状態において、基板処理装置１００内におけるウエハＷの配置は、図６に示すとおりである。すなわち、処理室ＰＭ２内には処理中又は処理済みのウエハＢ１〜Ｂ５、冷却室ＬＭ１内には処理済みのウエハＡ５、冷却室ＬＭ２内には済みのウエハＡ４が存在しており、ウエハＡ４，Ａ５は、負圧状態の冷却室ＬＭ１及びＬＭ２内に滞留している。 これは、前述したように、いずれかの冷却室ＬＭの基板保持台ＬＨに空きがあり、かつ、いずれかの処理室ＰＭ内に処理中又は処理済みのウエハＷが存在するときは、冷却室ＬＭにおける処理済みのウエハＷの冷却処理は行うが、当該冷却室ＬＭの大気圧戻しは行わず、当該冷却室ＬＭ内を負圧に維持するように構成されているためである。
このように、処理室ＰＭ２内に処理中又は処理済みのウエハＢ１〜Ｂ５が存在しているので、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２内が負圧に維持されている。したがって、大気搬送ロボットＡＲは、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２内のウエハＡ４，Ａ５を取出すことができない。 そして、Ｂ集団のウエハの処理が終了し、処理済みのウエハが処理室ＰＭ２内から冷却室ＬＭ１及びＬＭ２に搬入され、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２の基板保持台ＬＨ１及びＬＨ２に空きがなくなると、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２は大気圧に戻される。そうすると、大気搬送ロボットＡＲは、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２内のウエハＡ４，Ａ５を取出し、ポッドＦＰ１に戻す。 こうして、Ｂ集団のウエハの基板処理が終了し、処理済みのウエハが処理室ＰＭ２内から冷却室ＬＭ１及びＬＭ２に搬入されるまで、Ａ集団のウエハＡ４，Ａ５は、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２内に滞留することになる。
図６の例における滞留時間の具体例について説明する。この例では、先発のＡ集団のウエハＡ４，Ａ５が冷却室ＬＭ１及びＬＭ２に載置された直後に、後発のＢ集団の基板処理が開始されたものとする。 前述したように、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２は、後発のＢ集団のために負圧状態に維持される。したがって、後発のＢ集団の基板処理が終了し、真空搬送ロボットＶＲが後発のＢ集団のウエハを冷却室ＬＭ１及びＬＭ２に載置し、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２が大気圧に戻されるまでは、Ａ集団のウエハＡ４，Ａ５は、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２から取出されない。
したがって、処理室ＰＭ２における１回の処理時間をｎ秒とし、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２が負圧から大気圧に戻されるまでの時間をｐ秒とした場合、真空搬送ロボットＶＲの搬送時間を考慮しなければ、Ａ集団のウエハＡ４，Ａ５は、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２内に（ｎ＋ｐ）秒間、滞留することになる。
そこで、本発明の発明者は、前述した第１の課題又は第２の課題を解決し、基板処理装置における処理済み基板の滞留を抑制する基板搬送制御を実現した。これにより、本実施の形態では、基板の滞留を抑制しながら基板搬送を効率よく実行できるようになり、上述の基板搬送よりもスループットが向上した。尚、基板の滞留が無い改良された本実施の形態(第１実施例及び第２実施例)に関しては後述する。
（２）装置コントローラの構成 次に、基板処理装置１００を制御する装置コントローラとしての制御部１０について、主に図２を用いて説明する。図２は、基板処理装置１００の制御部１０の構成図である。 図２に示すように、制御部１０において、スイッチングハブ１６を介して、操作部コントローラ１１と、搬送系コントローラ１３と、プロセスチャンバコントローラ１４とがＬＡＮ等の通信ネットワーク３１で相互に接続されるように設けられている。また、上位コンピュータ（ホスト）５０が、ＬＡＮ等の通信ネットワーク３１により接続されている。
制御部１０は、例えば基板処理装置１００の内部に設けられ、操作部コントローラ１１、搬送系コントローラ１３、プロセスチャンバコントローラ１４等を備えることで、基板処理装置１００の各部を制御するよう構成される。 操作部コントローラ１１、搬送系コントローラ１３、プロセスチャンバコントローラ１４は、それぞれ、ハードウエア構成としては、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と各コントローラの動作プログラム等を格納する記憶部１１ｍ、１３ｍ、１４ｍとを備えており、各ＣＰＵは、それぞれの動作プログラムに従って動作する。各記憶部１１ｍ、１３ｍ、１４ｍはそれぞれ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、上記ＣＰＵの動作プログラムを記憶する記憶媒体をも含む。各記憶部１１ｍ、１３ｍ、１４ｍ等の基板処理装置１００の記憶部を総称して、記憶部３０と呼ぶ。
制御部１０、あるいは、操作部コントローラ１１や搬送系コントローラ１３やプロセスチャンバコントローラ１４は、例えばパソコン（パーソナルコンピュータ）等の一般的な汎用コンピュータとして構成されていてもよい。この場合、各種プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ-ＲＯＭ、ＵＳＢメモリ、磁気テープ、ハードディスク、ＤＶＤ等）を用いて汎用コンピュータにプログラムをインストールすることにより、各コントローラを構成することができる。
また、上述の処理を実行するプログラムを供給するための手段は、任意に選択できる。上述のように所定の記録媒体を介して供給するほか、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給することができる。
操作部コントローラ１１は、操作部コントローラ１１に接続された操作表示部１１ｓとともに、操作者とのインタフェースであり、操作表示部１１ｓを介して操作者による操作や指示を受け付けるよう構成される。主に、操作部コントローラ１１と操作表示部１１ｓとで操作部が構成される。操作表示部１１ｓには、各種の操作画面や各種データ等の情報が表示される。操作表示部１１ｓに表示されるデータは、操作部コントローラ１１の記憶部１１ｍに記憶されている。
プロセスチャンバコントローラ１４及び搬送系コントローラ１３には、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ等の信号線３２を通じて、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１９、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１８が、シーケンサ１７を介してそれぞれ接続されている。また、処理室における基板処理手順を示すプロセスレシピや、基板搬送手順を示す基板搬送レシピ、及び各種プログラムが記憶される記憶部１４ｍ，１３ｍをそれぞれ備える。
プロセスチャンバコントローラ１４は、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内での基板処理を制御するよう構成される。具体的には、プロセスチャンバコントローラ１４には、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）等の圧力コントローラ１５が、例えば信号線３２を通じて接続されている。プロセスチャンバコントローラ１４は、例えば上位コンピュータ５０から受信し記憶部１４ｍに記憶されたプロセスレシピに基づいて、ウエハＷを処理する際の制御データ（制御指示）を、圧力コントローラ１５や、処理ガスの供給・排気用バルブ、各種スイッチ、マスフローコントローラ、温度調整器等に対して出力し、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内における基板処理の制御を行う。なお、プロセスレシピは、操作部コントローラ１１を介して操作者により作成又は編集されることも可能である。
搬送系コントローラ１３は、真空搬送ロボットＶＲや大気搬送ロボットＡＲを制御するロボットコントローラを含み、ウエハＷの搬送制御を行うよう構成される。搬送系コントローラ１３には、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置されたポッドＦＰ１〜ＦＰ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード１，２，３・・・等が記憶されるキャリアＩＤ記憶部２０が、例えば信号線３２を通じて接続されている。 搬送系コントローラ１３は、例えば上位コンピュータ５０から受信し記憶部１３ｍに記憶された基板搬送レシピに基づいて、ウエハＷを搬送する際の制御データ（制御指示）を、真空搬送ロボットＶＲや大気搬送ロボットＡＲ、ウエハアライナーＡＵ、各種バルブ、スイッチ等に対して出力し、基板処理装置１００内におけるウエハＷの搬送制御を行う。なお、基板搬送レシピは、操作部コントローラ１１を介して操作者により作成又は編集されることも可能である。
以上の構成により、制御部１０は、例えば操作表示部１１ｓからの操作者の指示に基づき、プロセスチャンバコントローラ１４の記憶部１４ｍに記憶されているプロセスレシピを実行するもので、該プロセスレシピに従って、処理室ＰＭ１，ＰＭ２に供給する処理ガスの流量や、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内の圧力や、処理室ＰＭ１，ＰＭ２内のウエハＷの温度等が、所定の値になるように制御する。 また、制御部１０は、上記プロセスレシピを実行する際に上記基板搬送レシピに従って、大気搬送ロボットＡＲや真空搬送ロボットＶＲを用いて、搬送系コントローラ１３の記憶部１３ｍに記憶した基板搬送レシピを実行して、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上のポッドＦＰ１〜ＦＰ３と、ウエハアライナーＡＵと、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２と、処理室ＰＭ１，ＰＭ２との間で、ウエハＷを搬送する。このとき、後述する第１実施例や第２実施例のように、ウエハＷの搬送制御を行う。
（３）基板処理工程 次に、上記の構成をもつ基板処理装置１００を使用する基板処理工程を説明する。この基板処理工程は、例えば半導体装置を製造する半導体製造工程の一工程として実施される。この基板処理工程においては、基板処理装置１００の各構成部を、制御部１０が制御するものである。 まず、冷却室ＬＭ１，ＬＭ２の真空搬送室ＴＭ側の真空側ゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２を閉じ、大気搬送室ＥＦＥＭ側の大気側ゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２を開いて、真空搬送室ＴＭ内及び処理室ＰＭ１，ＰＭ２内を真空排気する。並行して、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、クリーンエアを供給し、大気搬送室ＥＦＥＭ内が大気圧状態になるようにする。
その後、未処理のウエハ２５枚を収納した例えばポッドＦＰ１が、工程内搬送装置によって、基板処理装置１００へ搬送されて来ると、図１に示されているように、搬送されてきたポッドＦＰ１は、例えばロードポートＬＰ１の上に、工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ロードポートＬＰ１上に載置されたポッドＦＰ１は、該ポッドＦＰ１のＩＤ（例えばバーコード）がＩＤ読取装置（不図示）により読取られて認証される。
続いて、制御部１０は、基板処理装置１００の各部を制御し、基板搬送レシピに従ってウエハＷの搬送を開始する。具体的には、図１に示すように、大気搬送ロボットＡＲが、例えばポッドＦＰ１内の先頭のウエハＷを、ポッドＦＰ１内の所定スロットから大気搬送室ＥＦＥＭ内に搬送し、ウエハアライナーＡＵ上に載置する。 ウエハアライナーＡＵは、載置されたウエハＷを、水平面における縦横方向及び円周方向に動かして、ウエハＷのノッチ位置等を調整する。ウエハアライナーＡＵによりウエハＷの位置調整が終了した後、大気搬送ロボットＡＲは、ウエハアライナーＡＵ上のウエハＷをピックアップする。
次に、大気側ゲートバルブＬＧＡ１が開けられ、大気搬送ロボットＡＲは、ウエハＷを大気圧状態の冷却室ＬＭ１に搬入し、冷却室ＬＭ１内の基板保持台ＬＨ１上に移載する。この移載作業中には、真空搬送室ＴＭ側の真空側ゲートバルブＬＧＶ１は閉じられており、真空搬送室ＴＭ内の負圧は維持されている。
ウエハＷの基板保持台ＬＨ１への移載が完了すると、大気側ゲートバルブＬＧＡ１が閉じられ、冷却室ＬＭ１内が、排気装置（図示せず）によって、所定の負圧になるよう真空排気される。
この間、冷却室ＬＭ２内へのウエハＷの搬送も同時進行で行われる。すなわち、ウエハＷが搬送された冷却室ＬＭ１内を真空排気して減圧している間、例えばポッドＦＰ１内のウエハＷを、上記と同様の手順により、冷却室ＬＭ２内へ搬送する。
冷却室ＬＭ１が、予め設定された圧力値に減圧されると、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が開かれ、真空搬送室ＴＭの真空搬送ロボットＶＲが、基板保持台ＬＨ１からウエハＷをピックアップして、真空搬送室ＴＭ内へ搬入する。それから、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が閉じられ、冷却室ＬＭ１が大気圧に戻され、次のウエハＷが冷却室ＬＭ１内へ搬入される。
その後、処理室ＰＭ１の処理室ゲートバルブＰＧＶ１が開かれ、真空搬送ロボットＶＲが、ピックアップしていたウエハＷを処理室ＰＭ１に搬入し、基板載置台ＳＴ１上に載置する。このようにして、冷却室ＬＭ１及びＬＭ２内のウエハＷの処理室ＰＭ１内への搬送が繰り返され、処理室ＰＭ１内の基板載置台ＳＴ１上に複数枚のウエハＷが載置される。 その後、処理室ゲートバルブＰＧＶ１が閉じられた後、処理室ＰＭ１内に、ガス供給装置（図示せず）から処理用ガスが供給され、負圧下で所望の処理、例えば、基板上に半導体装置を形成するための基板処理がウエハＷに施される。このとき、処理室ＰＭ２内においても、同一の、或いは異なる内容の基板処理が同時進行される場合がある。
処理室ＰＭ１において基板処理が終了した後、処理室ゲートバルブＰＧＶ１が開かれ、真空搬送ロボットＶＲは、ウエハＷを処理室ＰＭ１から搬出する。ウエハＷを処理室ＰＭ１から搬出後、処理室ゲートバルブＰＧＶ１が閉じられる。次に、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が開かれると、真空搬送ロボットＶＲは、処理室ＰＭ１から搬出したウエハＷを、冷却室ＬＭ１へ搬入し、基板保持台ＬＨ１上に載置する。 そして、冷却室ＬＭ１がウエハで満たされると、真空側ゲートバルブＬＧＶ１が閉じられ、冷却室ＬＭ１内で処理済みのウエハＷの冷却が開始される。併行して、冷却室ＬＭ１に接続された不活性ガス供給装置（図示せず）から不活性ガスが導入され、冷却室ＬＭ１内の圧力が大気圧に戻される。
冷却室ＬＭ１において、予め設定された冷却処理時間Ｃｔが経過し、かつ冷却室ＬＭ１内の圧力が大気圧に戻されると、大気側ゲートバルブＬＧＡ１が開かれる。続いて、大気搬送ロボットＡＲが、基板保持台ＬＨ１から処理済みのウエハＷをピックアップして大気搬送室ＥＦＥＭに搬出し、大気搬送ロボットＡＲは、処理済みのウエハＷをポッドＦＰ１に収納する。その後、大気側ゲートバルブＬＧＡ１が閉じられる。
上記の基板処理工程によってポッドＦＰ１内の全てのウエハＷに所望の処理が行われ、処理済みの２５枚のウエハＷの全てが、ポッドＦＰ１へ収納されると、ポッドＦＰ１のキャップがフープドアＦＤ１により閉じられる。キャップを閉じられたポッドＦＰ１は、ロードポートＬＰ１の上から次の工程へ、工程内搬送装置によって搬送される。以上の動作が繰り返されることにより、ウエハがポッド単位で２５枚ずつ、順次処理されていく。
処理室ＰＭ１での基板処理と併行して処理室ＰＭ２での基板処理を行う場合は、例えばロードポートＬＰ２に載置されたポッドＦＰ２内のウエハＷが、ポッドＦＰ１内のウエハＷと同様の手順で、処理室ＰＭ２へ搬送されて処理され、ポッドＦＰ２へ戻される。ポッドＦＰ２内のウエハＷは、ポッドＦＰ１内のウエハＷの１回の処理数（例えば５枚）を処理室ＰＭ１へ搬送した後に、処理室ＰＭ２へ搬送されるか、又は、ポッドＦＰ１内のウエハＷの１回の処理数（例えば５枚）の処理室ＰＭ１への搬送と併行して、処理室ＰＭ２へ搬送される。処理後にポッドＦＰ２へ戻されるときも同様である。
（４）本実施形態の基板搬送制御 次に、本実施形態の基板搬送制御について説明する。 まず、搬送系コントローラ１３の記憶部１３ｍやプロセスチャンバコントローラ１４の記憶部１４ｍ等で構成される記憶部３０について説明する。 搬送系コントローラ１３の記憶部１３ｍの例えば不揮発性領域には、大気搬送ロボットＡＲや真空搬送ロボットＶＲやウエハアライナーＡＵや各ゲートバルブ等の動作時間が、ハードウエアパラメータとして記憶されている。このハードウエアパラメータは、操作表示部１１ｓから操作者が設定することが可能である。
詳しくは、ハードウエアパラメータとして、大気搬送ロボットＡＲがロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上のポッドＦＰ１〜ＦＰ３からウエハアライナーＡＵへ基板を搬送する時間と、ウエハアライナーＡＵから予備室（冷却室）ＬＭ１，ＬＭ２へ基板を搬送する時間と、ウエハアライナーＡＵの位置調整時間と、真空搬送ロボットＶＲが予備室（冷却室）ＬＭ１，ＬＭ２と処理室ＰＭ１，ＰＭ２との間で基板を搬送する時間と、フープドアＦＤ１〜ＦＤ３の開閉動作時間と、大気側ゲートバルブＬＧＡ１,ＬＧＡ２の開閉動作時間と、真空側ゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２の開閉動作時間と、処理室ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２の開閉動作時間と、予備室（冷却室）ＬＭ１，ＬＭ２が排気により大気圧状態から所定の負圧状態に到達するまでのエバック時間（減圧時間）ＬＥｔと、予備室（冷却室）ＬＭ１，ＬＭ２が不活性ガス導入により所定の負圧状態から大気圧状態に到達するまでの大気圧復帰時間と、予備室（冷却室）ＬＭ１，ＬＭ２における冷却処理時間Ｃｔ等が記憶されている。
（第１実施例） 次に、第１の課題を解決するための第１実施例を説明する。 第１実施例では、搬送系コントローラ１３は、処理室ＰＭで基板処理中の場合は、処理室ＰＭにおける基板処理の残時間（レシピ残時間：ＲＲｔ）と、ロードポートＬＰ上のポッドＦＰからウエハＷを取出し、真空搬送ロボットＶＲのアーム上に載置するまでの時間（アプローチ時間：ＬＶｔ）とに基づき、それらの大小関係を判定し、大気搬送ロボットＡＲがポッドＦＰからウエハＷを取出すタイミングを決定する。例えば、レシピ残時間ＲＲｔがアプローチ時間ＬＶｔ以下になると、ロードポートＬＰ上のポッドＦＰからウエハＷを取出し、真空搬送ロボットＶＲのアーム上に載置するように、大気搬送ロボットＡＲ、各ゲートバルブ、真空搬送ロボットＶＲ等を制御する。
詳しくは、搬送系コントローラ１３は、ハードウエアパラメータを参照して、ロードポートＬＰ上のポッドＦＰからウエハＷが取出され、ウエハアライナーＡＵを経て、真空搬送ロボットＶＲのアーム上に載置されるまでのアプローチ時間ＬＶｔを算出する。 また、プロセスチャンバコントローラ１４は、処理室ＰＭで基板処理中において、レシピ残時間ＲＲｔを、刻々と搬送系コントローラ１３へ通知する。
ここで、アプローチ時間ＬＶｔには、フープドアＦＤの開動作時間、フープドアＦＤからウエハアライナーＡＵへのウエハ搬送時間、ウエハアライナーＡＵでの位置調整動作時間、大気側ゲートバルブＬＧＡの開動作時間、ウエハアライナーＡＵから予備室ＬＭへのウエハ搬送時間、大気側ゲートバルブＬＧＡの閉動作時間、予備室ＬＭのエバック時間ＬＥｔ、真空側ゲートバルブＬＧＶの開動作時間、真空搬送ロボットＶＲによる予備室ＬＭからのウエハ取出し時間、真空側ゲートバルブＬＧＶの閉動作時間が含まれる。 なお、レシピ残時間ＲＲｔには、処理室ゲートバルブＰＧＶの開動作時間を含めてもよい。
例えば、搬送系コントローラ１３は、複数の処理室(本実施の形態では、処理室ＰＭ１及びＰＭ２)で基板処理を開始し、その後、ロードポートＬＰ２上のポッドＦＰ２から処理室ＰＭ２へ基板を搬送する際に、処理室ＰＭ２におけるレシピ残時間ＲＲｔと、ロードポートＬＰ２上のポッドＦＰ２からウエハＷを取出し、真空搬送ロボットＶＲのアーム上に載置するまでのアプローチ時間ＬＶｔとに基づき、大気搬送ロボットＡＲがポッドＦＰ２からウエハＷを取出すタイミングを決定する。
具体的には、処理室ＰＭ２におけるレシピ残時間ＲＲｔが、アプローチ時間ＬＶｔ以下になると、大気搬送ロボットＡＲがポッドＦＰ２からウエハＷを取出すように、大気搬送ロボットＡＲ、各ゲートバルブ等を制御する。この際、ポッドＦＰ２にウエハＷが無い場合、処理室ＰＭ２内の処理済基板の搬送が優先される。要するに、レシピ残時間ＲＲｔがゼロになったら真空搬送ロボットＶＲ及び大気搬送ロボットＡＲを介して、処理室ＰＭ２内の処理済基板がポッドＦＰ２内の元の位置にそれぞれ搬送される。 あるいは、搬送系コントローラ１３は、処理室ＰＭ１におけるレシピ残時間ＲＲｔが、ロードポートＬＰ１上のポッドＦＰ１からウエハＷを取出し、真空搬送ロボットＶＲのアーム上に載置するまでのアプローチ時間ＬＶｔ以下になると、大気搬送ロボットＡＲがポッドＦＰ１からウエハＷを取出すように、大気搬送ロボットＡＲ、各ゲートバルブ等を制御する。 尚、この際、ポッドＦＰ１にウエハＷが無い場合、上述した処理室ＰＭ２内の処理済基板と同様に、処理室ＰＭ１内の処理済基板の搬送が行われる。
こうすることにより、例えば処理室ＰＭ２での基板処理終了時点で、つまり、処理室ＰＭ２内の処理済みウエハＷ（例えば、図５のウエハＢ１）と交換可能となるタイミングで、次の未処理ウエハＷ（例えば、図５のウエハＢ６）が真空搬送ロボットＶＲのアーム上に載置されることになる。 したがって、真空搬送ロボットＶＲの空き時間、つまり、真空搬送ロボットＶＲのアーム上にウエハＷが載置されていない時間を、最大限大きくすることができるので、他方の処理室ＰＭ１内の処理済みウエハＷ（例えば、図５のウエハＡ１〜Ａ５）を優先して搬出することが可能となる。
こうして、第１の課題、例えば図５のように、処理室ＰＭ１内の処理済みのＡ集団のウエハＡ１〜Ａ５が、Ｂ集団のウエハＢ１〜Ｂ２５が処理室ＰＭ２に搬送されるまでの時間、処理室ＰＭ１内に滞留することを抑制することができる。
なお、第１実施例において、図１の構成に代えて、処理室ＰＭ１及びＰＭ２とロードポートＬＰとの間に、基板搬送ロボットＲを備える基板搬送室を設け、処理室ＰＭ１及びＰＭ２とロードポートＬＰ上のポッドＦＰとの間で、基板搬送する構成とすることも可能である。この基板搬送室は、基板処理内容に応じて、大気圧搬送室又は負圧及び大気圧の切り換え可能な搬送室とする。
以上説明した第１実施例によれば、少なくとも次の効果を得ることができる。 （Ａ１）処理室ＰＭ１及びＰＭ２で基板処理を開始した後、ポッドＦＰから処理室ＰＭ２へ基板を搬送する際に、処理室ＰＭ２におけるレシピ残時間と、ポッドＦＰから基板を取出し真空搬送ロボットＶＲに載置するまでのアプローチ時間とに基づき、大気搬送ロボットＡＲがポッドＦＰから基板を取出すタイミングを決定するので、本発明を構成しない場合と比べ、処理室ＰＭ１内の処理済み基板が滞留することを抑制できる。 （Ａ２）処理室ＰＭ２におけるレシピ残時間がアプローチ時間以下になると、大気搬送ロボットＡＲがポッドＦＰから基板を取出すので、より確実に処理室ＰＭ１内の処理済み基板が滞留することを抑制できる。また、処理室ＰＭ１内の処理済み基板が滞留することを抑制しつつ、処理室ＰＭ２における基板処理が遅れることを抑制することができる。 （Ａ３）また、処理室ＰＭ１及びＰＭ２で基板処理を開始した後、ポッドＦＰから処理室ＰＭ２へ基板を搬送する際に、処理室ＰＭ１及び処理室ＰＭ２におけるレシピ残時間と、ポッドＦＰから基板を取出し真空搬送ロボットＶＲに載置するまでのアプローチ時間とを比較し、処理室ＰＭ１におけるレシピ残時間がアプローチ時間以下になると、処理室ＰＭ１内の処理済み基板の搬送を優先させるので、より確実に処理室ＰＭ１内の処理済み基板が滞留することを抑制できる。 （Ａ４）アプローチ時間は、少なくとも、大気搬送ロボットＡＲがポッドＦＰから予備室へ基板を搬送する時間と、予備室が大気圧状態から負圧状態に到達するまでの時間と、真空搬送ロボットＶＲが予備室から基板を取出す時間とを含むようにしたので、予備室が介在する場合のアプローチ時間を適切に算出できる。
（第２実施例） 次に、第２の課題を解決するための第２実施例を、図３を用いて説明する。図３は、本実施形態に係る第２実施例を説明するための図である。図３において、ｔ０は、例えば冷却室ＬＭ１内から大気側へ冷却済みウエハＷを搬出したときの、ウエハ搬出完了タイミングである。レシピ残時間ＲＲｔは、基板処理中の処理室ＰＭ、例えば処理室ＰＭ２における残りの基板処理時間である。ＰＭ搬送時間（処理済み基板搬出時間）ＰＭｔは、処理室ＰＭ２から処理済みウエハＷを搬出するのに要する時間である。クーリング残時間（冷却残時間）ＣＲｔは、冷却室ＬＭ１で冷却中のウエハＷの冷却が終了するまでの残時間である。ＬＭ搬送時間（冷却済み基板搬出時間）ＬＭｔは、冷却室ＬＭ１から冷却済みウエハＷを搬出する時間である。エバック時間ＬＥｔは、冷却室ＬＭ１を大気圧から負圧にするのに要する時間である。 ＰＭ搬送時間ＰＭｔ、ＬＭ搬送時間ＬＭｔ、エバック時間ＬＥｔは、前述したハードウエアパラメータとして、記憶部３０に記憶されている。
処理搬出時間ＲＧｔは、例えば処理室ＰＭ２において基板処理を終了して処理室ＰＭ２から処理済みウエハＷを搬出するまでの時間であり、レシピ残時間ＲＲｔとＰＭ搬送時間ＰＭｔとの合計値である。ＰＭ搬送時間ＰＭｔには、処理室ゲートバルブＰＧＶの開動作時間を含めてもよい。 冷却エバック時間ＣＥｔは、例えば冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷを冷却して大気側へ取出し、その後、冷却室ＬＭ１内を大気圧から負圧にするまでの時間であり、クーリング残時間ＣＲｔと、ＬＭ搬送時間ＬＭｔと、エバック時間ＬＥｔとの合計値である。ＬＭ搬送時間ＬＭｔには、大気側ゲートバルブＬＧＡの開閉動作時間を含めてもよい。
第２実施例では、搬送系コントローラ１３は、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２内が大気圧状態において、処理室ＰＭから処理済みウエハを搬出する際に、処理室ＰＭにおけるレシピ残時間ＲＲｔと、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２におけるクーリング残時間ＣＲｔとに基づき、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２を大気圧から負圧にするよう制御する。 詳しくは、搬送系コントローラ１３は、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２内が大気圧状態において、処理室ＰＭから処理済みウエハを搬出する際に、処理搬出時間ＲＧｔ（レシピ残時間ＲＲｔとＰＭ搬送時間ＰＭｔとの合計値）と冷却エバック時間ＣＥｔ（クーリング残時間ＣＲｔとＬＭ搬送時間ＬＭｔとエバック時間ＬＥｔとの合計値）とに基づき、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２を大気圧から負圧にするよう制御する。
例えば、搬送系コントローラ１３は、図３（ａ）に示すように、処理搬出時間ＲＧｔが、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２の冷却エバック時間ＣＥｔよりも大きい場合に、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２内の大気圧を維持し、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２内から冷却済みウエハＷを搬出する。この場合は、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔよりも大きいので、例えば処理室ＰＭ２において基板処理を終了して処理室ＰＭ２から処理済みウエハＷを搬出するまでの間に、冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷを冷却して大気側へ取出し、その後、冷却室ＬＭ１内を大気圧から負圧にすることができる。つまり、処理室ＰＭ２からの処理済みウエハＷの搬出を遅らせることなく、冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷを大気側へ取出すことが可能となる。
また、搬送系コントローラ１３は、図３（ｂ）に示すように、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２内が大気圧状態において、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔ以下である場合に、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２内から冷却済みウエハＷを搬出することなく、冷却室ＬＭ１又はＬＭ２内を大気圧から負圧にする。この場合は、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔ以下なので、例えば処理室ＰＭ２において基板処理を終了して処理室ＰＭ２から処理済みウエハＷを搬出するまでの間に、冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷを冷却して大気側へ取出し、その後、冷却室ＬＭ１内を大気圧から負圧にすることができない。つまり、冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷを大気側へ取出すと、処理室ＰＭ２からの処理済みウエハＷの搬出を遅らせることになり、基板処理装置１００の生産効率が低下する。ここで、処理室ＰＭ１についても同様なのは言うまでもない。
詳しくは、搬送系コントローラ１３は、ハードウエアパラメータを参照して、処理室ＰＭにおけるレシピ残時間ＲＲｔと、処理室ＰＭから処理済みウエハＷを搬出するＰＭ搬送時間ＰＭｔとを加算して、処理搬出時間ＲＧｔを算出する。前述したように、レシピ残時間ＲＲｔは、プロセスチャンバコントローラ１４から刻々とリアルタイムで搬送系コントローラ１３へ通知される。 また、搬送系コントローラ１３は、ハードウエアパラメータを参照して、冷却室ＬＭのクーリング残時間（冷却残時間）ＣＲｔと、冷却室ＬＭから冷却済みウエハＷを搬出するＬＭ搬送時間ＬＭｔと、冷却室ＬＭのエバック時間ＬＥｔとを加算して、冷却エバック時間ＣＥｔを算出する。 クーリング残時間ＣＲｔは、冷却開始時点からその時点までの経過時間を前述した冷却処理時間Ｃｔから減算することにより算出される。クーリング残時間ＣＲｔは、搬送系コントローラ１３が、刻々とリアルタイムで監視し取得している。
例えば、搬送系コントローラ１３は、冷却室ＬＭ１内が大気圧状態において、処理室ＰＭ１から処理済みウエハを搬出した後、処理室ＰＭ２から処理済みウエハを搬出する際に、処理室ＰＭ２において基板処理を終了して処理済みウエハＷを搬出するまでの処理搬出時間ＲＧｔが、冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷを冷却して大気側へ取出した後、冷却室ＬＭ１内を大気圧から負圧にするまでの冷却エバック時間ＣＥｔよりも大きい場合に、冷却室ＬＭ１内の大気圧を維持し、冷却室ＬＭ１内から冷却済みウエハＷを搬出する。 また、搬送系コントローラ１３は、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔ以下である場合に、冷却室ＬＭ１内から冷却済みウエハＷを搬出することなく、冷却室ＬＭ１内を大気圧から負圧にする。
第２実施例における搬送系コントローラ１３の動作を、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態の第２実施例の動作フロー図である。 まず、搬送系コントローラ１３は、例えば、冷却室ＬＭ１内が大気圧状態において、冷却室ＬＭ１の状態を確認し取得する（図４のステップＳ１）。そして、真空側、つまり真空搬送室ＴＭと処理室ＰＭ１又はＰＭ２内にウエハＷが存在するか否かを判定する（ステップＳ２）。真空側にウエハＷが存在しない場合（ステップＳ２でＮｏ）は、冷却室ＬＭ１内を大気圧に維持する（ステップＳ５）。真空側にウエハＷが存在する場合（ステップＳ２でＹｅｓ）は、真空側のウエハＷが処理済みであるか否かを判定する（ステップＳ３）。真空側のウエハＷが処理済みである場合（ステップＳ３でＹｅｓ）は、冷却室ＬＭ１内を負圧にし（ステップＳ６）、処理室ＰＭ１又はＰＭ２から冷却室ＬＭ１内への処理済みウエハＷの搬入に備える。
真空側のウエハＷが処理済みでない場合（ステップＳ３でＮｏ）は、レシピ残時間ＲＲｔがクーリング残時間ＣＲｔ以下であるか否かを判定する（ステップＳ４）。詳しくは、レシピ残時間ＲＲｔとＰＭからウエハＷを搬出するＰＭ搬送時間ＰＭｔとの合計時間である処理搬出時間ＲＧｔが、クーリング残時間ＣＲｔとＬＭからウエハＷを搬出するＬＭ搬送時間ＬＭｔとエバック時間ＬＥｔとの合計時間である冷却エバック時間ＣＥｔ以下であるか否かを判定する。 なお、ＰＭ搬送時間ＰＭｔ、ＬＭ搬送時間ＬＭｔ、エバック時間ＬＥｔを無視し、レシピ残時間ＲＲｔがクーリング残時間ＣＲｔ以下であるか否かを判定するようにしてもよい。このようにしても、冷却室内の処理済み基板が滞留することを抑制できる。
そして、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔ以下である場合（ステップＳ４でＹｅｓ）は、冷却室ＬＭ１内を負圧にし（ステップＳ６）、処理室ＰＭ１又はＰＭ２から冷却室ＬＭ１内への処理済みウエハＷの搬出に備える。また、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔ以下でない場合（ステップＳ４でＮｏ）は、冷却室ＬＭ１内を大気圧に維持し（ステップＳ５）、冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷを搬出可能にする。
こうすることにより、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔよりも大きい場合は、冷却室ＬＭ１内を大気圧に維持するので、冷却室ＬＭ１内の処理済みウエハＷ（例えば、図６のウエハＡ５）を滞留させることなく搬出することができる。 また、処理搬出時間ＲＧｔが冷却エバック時間ＣＥｔ以下である場合は、冷却室ＬＭ１内を負圧にするので、処理室ＰＭ１又はＰＭ２から処理済みウエハＷを待たせることなく冷却室ＬＭ１へ搬出することができる。 このようにして、処理室ＰＭ１又はＰＭ２から冷却室ＬＭ１への処理済みウエハＷの搬出遅れ（搬出待ち）を抑制できるので、基板処理装置１００全体の処理時間を短縮することができる。
以上説明した第２実施例によれば、少なくとも次の効果を得ることができる。 （Ｂ１）処理室ＰＭ１及びＰＭ２で基板処理を実施し、処理室ＰＭ１から処理済み基板を搬出した後、処理室ＰＭ２から処理済み基板を搬出する際に、処理室ＰＭ２におけるレシピ残時間と、冷却室における冷却残時間とに基づき、冷却室を大気圧から負圧にするので、冷却室内の処理室ＰＭ１からの処理済み基板が無駄に滞留し続けることを抑制できる。よって、スループットの低下を抑えられる。 （Ｂ２）レシピ残時間が冷却残時間以下になると冷却室を大気圧から負圧にするので、確実に冷却室内の処理室ＰＭ１からの処理済み基板が滞留することを抑制できる。また、冷却室内の処理済み基板が滞留することを抑制しつつ、処理室ＰＭ２から処理済み基板の搬出遅れの発生を抑制することができる。 （Ｂ３）処理室ＰＭ１及びＰＭ２で基板処理を実施し、処理室ＰＭ１から処理済み基板を搬出した後、処理室ＰＭ２から処理済み基板を搬出する際に、処理室ＰＭ２におけるレシピ残時間と処理室ＰＭ２から処理済み基板を搬出する基板搬出時間との合計時間である処理搬出時間と、冷却室における冷却残時間と冷却室から冷却済み基板を搬出する冷却済み基板搬出時間と冷却室を大気圧から負圧にするのに要するエバック時間との合計時間である冷却エバック時間と、に基づき冷却室を大気圧から負圧にするので、より適切に、冷却室内の処理室ＰＭ１からの処理済み基板が滞留することを抑制しつつ、処理室ＰＭ２からの処理済み基板搬出遅れの発生を抑制することができる。 （Ｂ４）また、処理室ＰＭ１からの処理済基板と処理室ＰＭ２からの処理済基板が、同じ冷却室内に存在することを抑えられる。これにより、処理室ＰＭ１と処理室ＰＭ２が異なる基板処理を行っていたとしても、処理品質の低下の恐れを回避できる。
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 前記実施形態では、ロードポートが３つで予備室（冷却室）が２つで処理室が２つで処理室内に５枚の基板が載置される場合について説明したが、これらの数に限定されるものではない。 また、前記実施形態では、ポッドＦＰ１のウエハを処理室ＰＭ１で処理し、ポッドＦＰ２のウエハを処理室ＰＭ２で処理するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、ポッドＦＰ２のウエハを処理室ＰＭ１で処理することも可能であるし、ポッドＦＰ１とポッドＦＰ２のウエハを処理室ＰＭ１で処理することも可能である。 また、第１実施例と第２実施例は、いずれか一方のみ実施するように構成してもよいし、両方を実施するように構成してもよい。第１実施例のみ実施する場合は、予備室兼冷却室ＬＭの冷却機能は必ずしも必要ではなく、その場合は予備室ＬＭとして機能する。
本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、エピタキシャル成長膜、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、拡散処理、エッチング処理、露光処理、リソグラフィ、塗布処理、モールド処理、現像処理、ダイシング処理、ワイヤボンディング処理、検査処理等であってもよい。
(本発明の好ましい態様) 以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記１) 本発明の一態様によれば、 基板を処理する複数の処理室と、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器を載置する載置部と、 負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、 大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、 前記大気搬送室と前記真空搬送室とを介し、前記載置部に載置された前記収納容器から前記複数の処理室へ基板を搬送して、前記複数の処理室で基板処理を開始し、その後、前記収納容器から前記複数の処理室のうち所定の処理室へ基板を搬送する際に、前記複数の処理室における、それぞれの基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
(付記２) 好ましくは、負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって、前記複数の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、を備えた付記１の基板処理装置であって、 前記制御部は、前記複数の処理室のうち、所定の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する基板処理装置が提供される。
(付記３)更に、好ましくは、付記１または付記２の基板処理装置において、前記制御部は、前記所定の処理室から処理済基板を搬出する際に、前記処理済基板の搬出が終了するまで、前記大気搬送機が前記基板収納容器から未処理の基板を取出すタイミングを遅らせる基板処理装置が提供される。
(付記４)更に、好ましくは、付記１の基板処理装置において、前記制御部は、前記レシピ残時間が前記アプローチ時間以下になると、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すように制御する基板処理装置が提供される。
(付記５)更に、好ましくは、付記２の基板処理装置において、前記制御部は、前記レシピ残時間が前記冷却残時間以下になると、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する基板処理装置が提供される。
(付記６)更に、好ましくは、付記２の基板処理装置において、前記制御部は、前記レシピ残時間と前記所定の処理室から処理済み基板を搬出するのに要する時間である処理済み基板搬出時間との合計時間である処理搬出時間と、前記冷却残時間と前記冷却室から冷却済み基板を搬出するのに要する時間である冷却済み基板搬出時間と前記冷却室を大気圧から負圧にするのに要する時間であるエバック時間との合計時間である冷却エバック時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する基板処理装置が提供される。
(付記７)更に、好ましくは、付記６の基板処理装置において、前記制御部は、前記処理搬出時間が前記冷却エバック時間以下になると、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する制御する基板処理装置が提供される。
(付記８)本発明の他の態様によれば、基板を処理する複数の処理室と、 負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、 大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気搬送室及び前記真空搬送室を介して前記基板を前記処理室に搬送する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムを読み取り可能な記録媒体であって、前記制御部に、前記複数の処理室で基板処理を開始した後、所定の処理室へ基板を搬送する際に、前記所定の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記基板を前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、 を実行させるプログラムを読み取り可能に記録する記録媒体が提供される。
(付記９)好ましくは、前記処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、を備えた付記８の基板処理装置で実行されるプログラムを読み取り可能に記録した記録媒体であって、前記制御部に、前記所定の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 前記冷却室において、前記複数の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、 を実行させるプログラムを読み取り可能に記録する記録媒体が提供される。
(付記１０)本発明の更に他の態様によれば、大気圧下で基板が搬送される大気搬送室と、負圧下で基板が搬送される真空搬送室とを介し、前記基板を処理する複数の処理室へ前記基板を搬送する基板搬送工程と、 前記複数の処理室において、前記基板に所定の処理を実施する基板処理工程と、 前記複数の処理室で基板処理を開始した後、前記複数の処理室のうち所定の処理室へ基板を搬送する際に、前記複数の処理室における、それぞれの基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記基板を前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記基板を搬送するタイミングを決定するタイミング決定工程と、 を備える半導体装置の製造方法が提供される。
(付記１１) 好ましくは、付記９の半導体装置の製造方法において、前記所定の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記複数の処理室のうち所定の処理室以外の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記複数の処理室のうち所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 前記複数の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、 を更に備える請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
(付記１２) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を処理する第１及び第２の処理室と、基板を収容する１つ又は複数の収納容器を載置する載置部と、負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気搬送室と前記真空搬送室とを介し、前記載置部に載置された前記収納容器から前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送して、前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始し、その後、前記収納容器から前記第１及び第２の処理室のうち所定の処理室へ基板を搬送する際に、前記第１及び第２の処理室における、それぞれの基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間に基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定する制御部と、 を備える基板処理装置が提供される。
(付記１３)好ましくは、前記制御部は、前記レシピ残時間が前記アプローチ時間以下になると、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すように制御する付記１２の基板処理装置が提供される。
(付記１４) 好ましくは、前記アプローチ時間は、前記大気搬送機が前記収納容器から前記予備室へ基板を搬送する時間と、前記予備室が大気圧状態から負圧状態に到達するまでの時間と、前記予備室内の基板を前記真空搬送機に載置するまでの時間と、を含む付記１２または付記１３の基板処理装置が提供される。
(付記１５) 本発明の他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能な予備室と、前記予備室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する第１及び第２の処理室へ基板を搬送する基板搬送工程と、前記第１及び第２の処理室において、負圧下で、基板上に半導体装置を形成するための基板処理を実施する基板処理工程と、前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始した後、前記収納容器から前記第２の処理室へ基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、 を備える半導体装置の製造方法が提供される。
(付記１６) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能な予備室と、前記予備室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する第１及び第２の処理室へ未処理基板を搬送する未処理基板搬送工程と、 前記未処理基板搬送工程において、前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始した後、前記収納容器から前記第２の処理室へ基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、 を備える基板搬送方法が提供される。
(付記１７) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能な予備室と、前記予備室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する第１及び第２の処理室へ基板を搬送する基板搬送工程と、 前記第１及び第２の処理室において、負圧下で、基板上に半導体装置を形成するための基板処理を実施する基板処理工程と、 前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始した後、前記収納容器から前記第２の処理室へ基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、 を備えるプログラム、又は前記プログラムを格納する記憶媒体が提供される。
(付記１８) 本発明の更に他の態様によれば、 負圧下で基板を処理する第１及び第２の処理室と、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器と、 前記第１及び第２の処理室と隣接し、負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、 前記収納容器と隣接し、大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、 前記真空搬送室と前記大気搬送室とに隣接し、負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって、前記第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、 前記大気搬送室と前記冷却室と前記真空搬送室とを介し、前記収納容器から前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送して、前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始し、その後、前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する制御部と、 を備える基板処理装置が提供される。
(付記１９) 好ましくは、付記１８の基板処理装置によれば、前記制御部は、前記レシピ残時間が前記冷却残時間以下になると、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する基板処理装置が提供される。
(付記２０) 好ましくは、付記１８の基板処理装置によれば、 前記制御部は、前記レシピ残時間と前記第２の処理室から処理済み基板を搬出するのに要する時間である処理済み基板搬出時間との合計時間である処理搬出時間と、前記冷却残時間と前記冷却室から冷却済み基板を搬出するのに要する時間である冷却済み基板搬出時間と前記冷却室を大気圧から負圧にするのに要する時間であるエバック時間との合計時間である冷却エバック時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する基板処理装置が提供される。
(付記２１) 好ましくは、付記２０の基板処理装置によれば、 前記制御部は、前記処理搬出時間が前記冷却エバック時間以下になると、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する基板処理装置が提供される。
(付記２２) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記冷却室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送する基板搬送工程と、 前記第１及び第２の処理室において、負圧下で、基板上に半導体装置を形成するための基板処理を実施する基板処理工程と、 前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 前記冷却室において、前記第１及び第２の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、 を備える半導体装置の製造方法が提供される。
(付記２３) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記冷却室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する前記第１及び第２の処理室へ、未処理基板を搬送する未処理基板搬送工程と、 前記第１及び第２の処理室から処理済み基板を、前記真空搬送室を介して前記冷却室へ搬送する処理済み基板搬送工程と、 前記冷却室から冷却済み基板を、前記大気圧搬送室を介して前記収納容器へ搬送する冷却済み基板搬送工程と、 前記処理済み基板搬送工程において、前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 を備える基板搬送方法が提供される。
(付記２４) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記冷却室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送する基板搬送工程と、 前記第１及び第２の処理室において、負圧下で、基板上に半導体装置を形成するための基板処理を実施する基板処理工程と、 前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 前記冷却室において、前記第１及び第２の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、 を備えるプログラム、又は前記プログラムを格納する記憶媒体が提供される。
(付記２５) 本発明の更に他の態様によれば、 負圧下で基板を処理する第１及び第２の処理室と、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器と、 前記第１及び第２の処理室と隣接し、負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、 前記収納容器と隣接し、大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、 前記真空搬送室と前記大気搬送室とに隣接し、負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって、前記第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、 前記大気搬送室と前記冷却室と前記真空搬送室とを介し、前記収納容器から前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送して、前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始し、その後、前記収納容器から前記第２の処理室へ基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するとともに、前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記レシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する制御部と、 を備える基板処理装置が提供される。
(付記２６) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記冷却室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送する基板搬送工程と、 前記第１及び第２の処理室において、負圧下で、基板上に半導体装置を形成するための基板処理を実施する基板処理工程と、 前記冷却室において、前記第１及び第２の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、 前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始した後、前記収納容器から前記第２の処理室へ基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、 前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記レシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 を備える半導体装置の製造方法が提供される。
(付記２７) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記冷却室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する前記第１及び第２の処理室へ、未処理基板を搬送する未処理基板搬送工程と、 前記第１及び第２の処理室から処理済み基板を、前記真空搬送室を介して前記冷却室へ搬送する処理済み基板搬送工程と、 前記冷却室から冷却済み基板を、前記大気圧搬送室を介して前記収納容器へ搬送する冷却済み基板搬送工程と、 前記未処理基板搬送工程において、前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始した後、前記収納容器から前記第２の処理室へ未処理基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から未処理基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、 前記処理済み基板搬送工程において、前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記レシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 を備える基板搬送方法が提供される。
(付記２８) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器から、前記収納容器と隣接し大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気圧搬送室と隣接し負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって第１及び第２の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記冷却室と隣接し負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室とを介し、前記真空搬送室と隣接し負圧下で基板を処理する前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送する基板搬送工程と、 前記第１及び第２の処理室において、負圧下で、基板上に半導体装置を形成するための基板処理を実施する基板処理工程と、 前記冷却室において、前記第１及び第２の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、 前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始した後、前記収納容器から前記第２の処理室へ基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、 前記第１の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記第２の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記レシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、 を備えるプログラム、又は前記プログラムを格納する記憶媒体が提供される。
(付記２９) 本発明の更に他の態様によれば、 基板を処理する第１及び第２の処理室と、 基板を収容する１つ又は複数の収納容器と、 前記第１及び第２の処理室と前記収納容器との間で基板を搬送する基板搬送機を有する基板搬送室と、 前記収納容器から前記第１及び第２の処理室へ基板を搬送して、前記第１及び第２の処理室で基板処理を開始し、その後、前記収納容器から前記第２の処理室へ基板を搬送する際に、前記第２の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記基板搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記基板搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定する制御部と、 を備える基板処理装置が提供される。
この出願は、２０１３年４月１０日に出願された日本出願特願２０１３−０８２１２１を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
例えば半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置に係り、特に、１つの処理室内で１枚又は数枚程度の基板処理を行う基板処理装置における基板の搬送制御技術一般に適用できる。
１０…制御部（コントローラ）、１１…操作部コントローラ、１１ｓ…操作表示部、１１ｍ…記憶部、１３…搬送系コントローラ、１３ｍ…記憶部、１４…プロセスチャンバコントローラ、１４ｍ…記憶部、１５…圧力コントローラ、１６…スイッチングハブ、１７…シーケンサ、１８…ＳＷデジタルＩ／Ｏ、１９…バルブデジタルＩ／Ｏ、２０…キャリアＩＤ記憶部、２１…通信部、３０…記憶部、３１…ネットワーク、３２…信号線、５０…上位コンピュータ、１００…基板処理装置、ＡＵ…ウエハアライナー、ＡＲ…大気搬送ロボット（大気搬送機）、ＥＦＥＭ…大気搬送室、ＦＤ１〜ＦＤ３…フープドア、ＦＰ１〜ＦＰ３…フープ（収納容器）、ＬＧＡ１,ＬＧＡ２…大気側ゲートバルブ、ＬＧＶ１,ＬＧＶ２…真空側ゲートバルブ、ＬＨ１，ＬＨ２…基板保持台、ＬＭ１，ＬＭ２…予備室兼冷却室、ＬＰ１〜ＬＰ３…ロードポート（収納容器載置部）、ＰＧＶ１，ＰＧＶ２…処理室ゲートバルブ、ＰＭ１〜ＰＭ２…処理室、ＳＴ１，ＳＴ２…基板載置台、ＴＭ…真空搬送室、ＶＲ…真空搬送ロボット（真空搬送機）、Ｗ…ウエハ（基板）。

Claims (11)

  1. 基板を処理する複数の処理室と、
    基板を収容する１つ又は複数の収納容器を載置する載置部と、
    負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、
    大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、
    前記大気搬送室と前記真空搬送室との間に設けられ、負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって、前記複数の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、
    前記複数の処理室における、それぞれの基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記収納容器から基板を取出し前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定する制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記複数の処理室のうち、所定の処理室から前記処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から前記処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する基板処理装置。
  2. 前記制御部は、前記所定の処理室から前記処理済み基板を搬出する際に、前記処理済み基板の搬出が終了するまで、前記大気搬送機が前記収納容器から未処理の基板を取出すタイミングを遅らせる請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記レシピ残時間が前記アプローチ時間以下になると、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すように制御する請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記レシピ残時間が前記冷却残時間以下になると、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する請求項１記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、前記レシピ残時間と前記所定の処理室から処理済み基板を搬出するのに要する時間である処理済み基板搬出時間との合計時間である処理搬出時間と、前記冷却残時間と前記冷却室から冷却済み基板を搬出するのに要する時間である冷却済み基板搬出時間と前記冷却室を大気圧から負圧にするのに要する時間であるエバック時間との合計時間である冷却エバック時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する請求項１記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、前記処理搬出時間が前記冷却エバック時間以下になると、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する制御する請求項５記載の基板処理装置。
  7. 基板を処理する複数の処理室と、基板を収容する１つ又は複数の収納容器を載置する載置部と、負圧下で基板を搬送する真空搬送機を有する真空搬送室と、大気圧下で基板を搬送する大気搬送機を有する大気搬送室と、前記大気搬送室と前記真空搬送室との間に設けられ、前記処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記大気搬送室及び前記真空搬送室を介して前記基板を前記処理室に搬送する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
    前記制御部に、
    前記複数の処理室のうち、所定の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記基板を前記真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記大気搬送機が前記収納容器から基板を取出すタイミングを決定するタイミング決定工程と、
    前記所定の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、前記複数の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、を実行させるプログラム。
  8. 大気圧下で基板が搬送される大気搬送室と、負圧下で基板が搬送される真空搬送室と、前記大気搬送室と前記真空搬送室との間に設けられる冷却室と、をそれぞれ介し、前記基板を処理する複数の処理室へ前記基板を搬送する基板搬送工程と、前記複数の処理室において、前記基板に所定の処理を実施する基板処理工程と、前記複数の処理室における、それぞれの基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記基板を前記真空搬送室内で搬送する真空搬送機に載置するまでの時間であるアプローチ時間とに基づき、前記基板を前記大気搬送室内で搬送する大気搬送機が前記基板を搬送するタイミングを決定するタイミング決定工程と、
    前記複数の処理室のうち所定の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、前記複数の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、を有する半導体装置の製造方法。
  9. 基板を処理する複数の処理室と、
    負圧下で基板が搬送される真空搬送室と、
    大気圧下で基板が搬送される大気搬送室と、
    前記大気搬送室と前記真空搬送室との間に設けられ、負圧状態と大気圧状態とを切り換え可能であって、前記複数の処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、
    前記複数の処理室のうち、所定の処理室から前記処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から前記処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にするよう制御する制御部と、を備えた基板処理装置。
  10. 基板を処理する複数の処理室と、負圧下で基板が搬送される真空搬送室と、大気圧下で基板が搬送される大気搬送室と、前記大気搬送室と前記真空搬送室との間に設けられ、前記処理室から搬送された処理済み基板を冷却する冷却室と、前記大気搬送室及び前記真空搬送室を介して前記基板を前記処理室に搬送する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
    前記制御部に、
    前記複数の処理室のうち、所定の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、前記複数の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、を実行させるプログラム。
  11. 大気圧下で基板が搬送される大気搬送室と、負圧下で基板が搬送される真空搬送室と、前記大気搬送室と前記真空搬送室との間に設けられる冷却室と、をそれぞれ介し、前記基板を処理する複数の処理室へ前記基板を搬送する基板搬送工程と、前記複数の処理室において、前記基板に所定の処理を実施する基板処理工程と、
    前記複数の処理室のうち所定の処理室から処理済み基板を搬出した後、前記所定の処理室以外の処理室から処理済み基板を搬出する際に、前記所定の処理室以外の処理室における基板処理の残時間であるレシピ残時間と、前記冷却室における基板冷却の残時間である冷却残時間とに基づき、前記冷却室を大気圧から負圧にする冷却室減圧工程と、前記複数の処理室から搬出された処理済み基板を冷却する基板冷却工程と、を有する半導体装置の製造方法。

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