JP4871690B2 - 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4871690B2
JP4871690B2 JP2006265496A JP2006265496A JP4871690B2 JP 4871690 B2 JP4871690 B2 JP 4871690B2 JP 2006265496 A JP2006265496 A JP 2006265496A JP 2006265496 A JP2006265496 A JP 2006265496A JP 4871690 B2 JP4871690 B2 JP 4871690B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
state imaging
imaging device
resin
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006265496A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008085195A (ja
Inventor
孝 木戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2006265496A priority Critical patent/JP4871690B2/ja
Publication of JP2008085195A publication Critical patent/JP2008085195A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4871690B2 publication Critical patent/JP4871690B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とをウェーハを介して接合し、個々のチップに分割されることにより製造される固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置に関するものである。
デジタルカメラや携帯電話に用いられるCCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)からなる固体撮像装置は、近年益々の小型化が要求されている。
そのような要求から、固体撮像装置の小型化を図るため、多数の固体撮像素子の受光部が形成された固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とを、各受光部を包囲する位置に対応させて形成されたスペーサを介して接合した後、接合基板を個々の固体撮像装置に分離することにより製造される固体撮像装置、及びその製造方法が提案されている(例えば、特許文献1。)。
以下に引用文献1に記載される固体撮像装置の例を記載する。図5及び図6は、固体撮像装置の外観形状を示す斜視図、及び断面図である。
固体撮像装置21は、スペーサ13を介してカバーガラス12が矩形状の固体撮像素子チップ11Cに接合されている。固体撮像素子チップ11C上には、固体撮像素子11A及び固体撮像素子11Aと電気的に接続するための複数の接続端子であるパッド11B、11B…が設けられ、固体撮像素子11Aを取り囲むように枠形状のスペーサ13が設けられている。カバーガラス12は、スペーサ13の上に取り付けられて固体撮像素子11Aを封止する。
なお、固体撮像素子チップ11Cは、多数の固体撮像素子の受光部が形成された固体撮像素子ウェーハを各チップのサイズに分割されたものであり、カバーガラス12は光透過性保護部材が各チップのサイズに分割されたものである。また、スペーサ13は、接着剤13Aを介してカバーガラス12と、接着剤13Bを介して固体撮像素子チップ11Cと、それぞれ接合されている。
固体撮像素子11Aの製造には、一般的な半導体素子製造工程が適用される。固体撮像素子11Aは、ウェーハ(固体撮像素子チップ11C)に形成された受光素子であるフォトダイオード、励起電圧を外部に転送する転送電極、開口部を有する遮光膜、及び層間絶縁膜を備えている。更に、固体撮像素子11Aは、層間絶縁膜の上部にインナーレンズが形成され、インナーレンズの上部に中間層を介してカラーフィルタが設けられ、カラーフィルタの上部には中間層を介してマイクロレンズ等が設けられている。
固体撮像素子11Aはこのように構成されているため、外部から入射する光がマイクロレンズ及びインナーレンズによって集光されてフォトダイオードに照射され、有効開口率が上がるようになっている。
パッド11B、11B…は、たとえば、導電性材料を用いて固体撮像素子チップ11Cの上にパターン形成されている。また、パッド11Bと固体撮像素子11Aとの間も同様にパターン形成によって配線が施されている。
更に、固体撮像素子チップ11Cを貫通する貫通配線24が設けられており、パッド11Bと外部接続端子26との導通が取られている。
分割されて多数の固体撮像素子チップ11Cとなるウェーハとしては、厚さが例えば300μm程度の単結晶シリコンウェーハを用いるのが一般的である。
スペーサ13は、無機材料、たとえば、シリコンで形成されている。すなわち、スペーサ13の材質としては、ウェーハ(固体撮像素子チップ11C)及びカバーガラス12と熱膨張係数等の物性が類似した材質が望ましい。枠形状のスペーサ13の一部分を断面で見たときに、その断面の幅は例えば200μm程度、厚さは例えば100μm程度である。
カバーガラス12には、CCDのフォトダイオードの破壊を防止するために、透明なα線遮蔽ガラス又は「パイレックス(登録商標)ガラス」等が用いられ、その厚さは、例えば500μm程度である。
特開2001−351997号公報
上に説明されるような固体撮像装置では、スペーサによりカバーガラスと固体撮像素子の間に空隙が設けられ、これにより感度向上を図っている。しかし、このような構造の固体撮像装置では、カバーガラスやスペーサ、または接着剤などの界面から空隙内へ水分が浸入し、駆動時の固体撮像素子の加熱による空隙内の温度変化などにより、空隙内部に結露が生じて感度不良の問題が生じる。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、ウェーハレベルで空隙の封止性を向上し、耐湿性の高い固体撮像装置を製造する固体撮像装置の製造方法、および固体撮像装置を提供することを目的としている。
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とをスペーサを介して接合する接合工程と、接合された前記光透過性保護部材を前記固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに切断する切断工程と、切断された前記光透過性保護部材の切断部を樹脂により封止する封止工程と、前記固体撮像素子ウェーハへ貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、前記樹脂と、前記固体撮像素子ウェーハとを切断することにより、個々のチップに分離する分離工程と、を行うことを特徴としている。
請求項1の発明によれば、光透過性保護部材がスペーサを介して固体撮像素子ウェーハと接合される。接合後、光透過性保護部材は固体撮像素子ウェーハ表面に形成された固体撮像素子のチップサイズに合わせて切断される。切断後は、スペーサと切断された光透過性保護部材とに挟まれた切断部に樹脂を封入し、切断部の封止を行う。切断部の封止後は、固体撮像素子ウェーハの各チップに対して貫通配線が形成される。最後に貫通配線が形成された固体撮像素子ウェーハと封止している樹脂とを切断して分離することにより個々の固体撮像装置となる。
これにより、接合されたウェーハが貫通配線形成工程を行う前に固体撮像装置の周囲が樹脂により封止され、空隙の封止性が向上し、貫通配線形成工程での薬液からの固体撮像素子ウェーハ、光透過性保護部材とスペーサとの接着面、スペーサとウェーハとの接着面、及び接着剤の保護を行うことが可能となる。
請求項2に記載の発明は、光透過性保護部材をサポート部材に貼り合わせ、固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに前記光透過性保護部材を切断する切断工程と、固体撮像素子ウェーハとチップのサイズに切断された前記光透過性保護部材とをスペーサを介して接合する接合工程と、前記サポート部材を剥離する剥離工程と、切断された前記光透過性保護部材の切断部を樹脂により封止する封止工程と、前記固体撮像素子ウェーハへ貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、前記樹脂と、前記固体撮像素子ウェーハとを切断することにより、個々のチップに分離する分離工程と、を行うことも特徴としている。
請求項2の発明によれば、光透過性保護部材にサポート部材を貼り合わせ、光透過性保護部材を固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに切断する。切断された光透過性保護部材は、スペーサを介して固体撮像素子ウェーハと接合されたのち、サポート部材が剥離される。剥離後は、切断部に樹脂を封入し、切断部の封止を行う。切断部の封止後は、固体撮像素子ウェーハの各チップに対して貫通配線が形成される。最後に貫通配線が形成された固体撮像素子ウェーハと封止している樹脂とを切断して分離することにより個々の固体撮像装置となる。
これにより、接合されたウェーハを高温で処理する工程前に固体撮像装置の周囲が樹脂により封止され、空隙の封止性が向上する。また、接合後に光透過性保護部材を切断する必要がなく、樹脂封止前に水などを使用する工程を削減可能となる。
請求項3に記載の発明は、固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とをスペーサを介して接合する接合工程と、接合された前記固体撮像素子ウェーハを、該固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに切断する切断工程と、切断された前記固体撮像素子ウェーハの切断部を樹脂により封止する封止工程と、前記固体撮像素子ウェーハへ貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、前記樹脂と、前記光透過性保護部材とを切断することにより、個々のチップに分離する分離工程と、を行うことも特徴としている。
請求項3の発明によれば、光透過性保護部材がスペーサを介して固体撮像素子ウェーハと接合される。接合後、固体撮像素子ウェーハは、固体撮像素子ウェーハ表面に形成された固体撮像素子のチップサイズに合わせて、光透過性保護部材が接合された面とは反対側の面より切断される。切断後は、スペーサと切断された固体撮像素子ウェーハとに挟まれた切断部に樹脂を封入し、切断部の封止を行う。切断部の封止後は、固体撮像素子ウェーハの各チップに対して貫通配線が形成される。最後に光透過性保護部材と封止している樹脂とを切断して分離することにより個々の固体撮像装置となる。
これにより、接合されたウェーハを高温で処理する工程前に固体撮像装置の周囲が樹脂により封止され、空隙の封止性が向上する。
請求項4に記載の発明は、請求項1、2、または3のいずれか1項において、前記封止工程後、前記貫通配線形成工程の前に前記樹脂に溝を形成する溝入れ工程を行うことを特徴としている。
請求項4の発明によれば、充填した樹脂に溝を入れることにより、樹脂の硬化収縮により発生するウェーハ反りの低減、高温で処理する工程での充填した樹脂の熱膨張によるウェーハの反りを低減することができる。
請求項5に記載の発明は、請求項1、2、または3のいずれか1項において、前記封止工程は、トランスファーモールド、ポッティング、または印刷のいずれかにより行われることを特徴としている。
請求項5の発明によれば、溝に確実に樹脂が供給され、固体撮像装置周囲の封止が確実に行われる。
以上説明したように、本発明の固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置によれば、高温の処理が行われる工程前に熱膨張係数の異なる部材からなる接合品の一方を切断することにより、熱膨張係数差により生じるウエハの反りを削減することができる。また固体撮像素子の周囲を樹脂で封止することにより、空隙の封止性を向上し、耐湿性の高い高品質の固体撮像装置を製造することを可能とする。
以下添付図面に従って本発明に係る固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置の好ましい実施の形態について詳説する。
図1は本発明の固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置の第1の実施の形態の手順を示した模式図である。
本発明に係わる固体撮像装置の製造方法の第1の実施の形態では、図1(a)に示すように、まず接合工程として表面に固体撮像素子3、固体撮像素子3と電気的に接続するための複数の接続端子であるパッド4、4、4…等が設けられた固体撮像素子ウェーハ1に対して光透過性保護部材2がスペーサ5を介して接着剤により接合される。
スペーサ5は、固体撮像素子3を取り囲むように枠形状に設けられ、無機材料、たとえば、シリコンで形成され、固体撮像素子ウェーハ1および光透過性保護部材2と熱膨張係数等の物性が類似した材質が望ましい。スペーサ5の一部分を断面で見たときに、その断面の幅は例えば200μm程度、厚さは例えば100μm程度となる。
光透過性保護部材2には、CCDのフォトダイオードの破壊を防止するために、透明な低α線ガラス又は「パイレックス(登録商標)ガラス」等が用いられ、その厚さは、例えば300から500μm程度である。
接着剤には、UV硬化型、常温硬化型であるエポキシ系接着材またはレジスト等が用いられる。なお、固体撮像素子の接続端子(Alパッド等)と接触させているため、イオン性不純物(ハロゲン系)が少ないものが好ましい。
続いて、図1(b)に示すように、切断工程として、固体撮像素子ウェーハ1の光透過性保護部材2が接合された面の逆側の面にテープ22が貼着され、ブレードを高速に回転させることにより対象物の切削切断を行うダイシングマシンにより、固体撮像素子ウェーハ1に形成されたチップサイズに合わせて光透過性保護部材2がダイシングされて個々のカバーガラス2Aに分割される。
ダイシングにより個々のカバーガラス2Aに分割された光透過性保護部材2の切断部7へは、図1(c)に示すように、封止工程として、樹脂8が供給されて固体撮像装置の周囲を封止する。
このとき、樹脂8の供給は、トランスファーモールド、ポッティング、または印刷のいずれかの方法により行われる。更に、前記印刷は真空下で行うのが好ましく、これを本願では真空印刷と呼ぶ。
トランスファーモールドは、図4(a)に示されるように、接合されてダイシングされた固体撮像素子ウェーハ1と光透過性保護部材2とを、カバーガラス2Aの表面へリリースフィルム41を貼着した状態で型43内へ収納する。型43内へは、シリンダ42により樹脂8を封入する。これにより切断部7内へ樹脂8が供給される。
ポッティングは、図4(b)に示されるように、接合されてダイシングされた固体撮像素子ウェーハ1と光透過性保護部材2とを、樹脂流出防止治具45内へ収納する。この状体で切断部7へシリンジ44より樹脂8が注入される。
印刷については、図4(c)に示されるように、接合されてダイシングされた固体撮像素子ウェーハ1と光透過性保護部材2とを、カバーガラス2Aに保護シート47を貼着した状態で樹脂流出防止治具45内へ収納する。この状態で、樹脂流出防止治具45の端部より、スキージ46を使用して樹脂8を引き伸ばし、各切断部7へ樹脂8が封入される。
さらに、印刷を真空下で行うのが好ましいが、その場合は、図4(c)に示されるように、接合されてダイシングされた固体撮像素子ウェーハ1と光透過性保護部材2とを、カバーガラス2Aに保護シート47を貼着した状態で樹脂流出防止治具45内へ収納する。この状態で、真空引きを行い、樹脂流出防止治具45の端部より、スキージ46を使用して樹脂8を引き伸ばした後に大気圧に戻し、各切断部7へ樹脂8が封入される。
樹脂8には、熱硬化型、UV硬化型、または光硬化型である樹脂素材が用いられ、例えば(一液性半導体封止用)エポキシ樹脂、シリコン、エポキシ系接着材等が利用可能である。また、充填する樹脂の特性としては、低硬化収縮、低応力、低弾性係数であることが望ましい。
封止工程後は、図1(d)に示すように、溝入れ工程として、ダイシング装置のブレード35等により、封止した樹脂8に対して溝9を形成する。これにより、充填した樹脂のキュア時の硬化収縮により発生するウェーハ反りの低減、後の工程において高温での処理が行われた場合、充填した樹脂の熱膨張によるウェーハの反りを低減することができる。また、接合された光透過性保護部材2をチップサイズに切断することにより、固体撮像素子ウェーハ1の熱膨張率係数差による反りを低減する。
なお、溝入れ工程は、充填樹脂の硬化収縮により発生する反り量が小さい場合、熱膨張による応力が小さく、反りが発生し難い場合には省略してもよい。
溝入れ工程後は、テープ22が剥離され、図1(e)に示されるように、貫通配線形成工程として、固体撮像素子ウェーハ1へ、各パッド4へ通じる貫通配線31と外部接合端子32が形成される。貫通配線31、及び外部接続端子32の形成においては、接合された光透過性保護部材2と固体撮像素子ウェーハ1へ、150℃まで加熱するCVD工程、110℃まで加熱するレジストベーク工程、及び260℃まで加熱するバンプリフロー工程等の加熱を伴う各工程が施される。
貫通配線形成工程後は、図1(f)に示されるように、分離工程として、再びテープ22が貼着され、ブレード35により封止した樹脂8と固体撮像素子ウェーハ1を個々の固体撮像素子チップ1Aに分離する。
これにより、図1(g)に示すように、固体撮像装置10は、周囲を樹脂8により封止され、カバーガラス2Aと固体撮像素子3との間の空隙の封止性が向上し、耐湿性の高い高品質の固体撮像装置となる。
次に、本発明に係る固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置の第2の実施の形態について詳説する。
図2は本発明の固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置の第2の実施の形態の手順を示した模式図である。
本発明に係わる固体撮像装置の製造方法の第2の実施の形態では、図2(a)に示すように、まず切断工程として、サポート部材36と光透過性保護部材2を貼り合わせ、光透過性保護部材2が固体撮像素子ウェーハ1に形成されたチップサイズに合わせてダイシングされる。
サポート部材としては、光透過性、高耐熱性等、また熱膨張係数が接合するウェーハと一致もしくは近い部材が用いられる。
切断工程後、個々のカバーガラス2Aに分割された光透過性保護部材2は、図2(b)に示されるように、接合工程として、スペーサ5を介して接着剤により固体撮像素子ウェーハ1へ接合される。
接合工程後、サポート部材36は、剥離工程として、個々のカバーガラス2Aに分割された光透過性保護部材2より剥離される。
剥離工程後、切断部7へは、図2(c)に示すように、封止工程として、樹脂8が供給されて固体撮像装置の周囲が封止される。
このとき、樹脂8の供給は、トランスファーモールド、ポッティング、印刷、または真空印刷のいずれかの方法により行われる。
封止工程後は、図2(d)に示すように、溝入れ工程として、ブレード35等により、封止した樹脂8に対して溝9を形成する。これにより、充填した樹脂のキュア時の硬化収縮により発生するウェーハ反りの低減、及び後の工程において高温での処理が行われた場合、充填した樹脂の膨張によるウェーハの反りを低減する。また、接合された光透過性保護部材2をチップサイズに切断することにより、固体撮像素子ウェーハ1の熱膨張率係数差による反りを低減する。
なお、溝入れ工程は、充填樹脂の硬化収縮により発生する反り量が小さい場合、熱膨張による応力が小さく、反りが発生し難い場合には省略してもよい。
溝入れ工程後は、テープ22が剥離され、図2(e)に示されるように、貫通配線形成工程として、固体撮像素子ウェーハ1へ、各パッド4へ通じる貫通配線31と外部接合端子32が形成される。貫通配線31、及び外部接続端子32の形成においては、接合された光透過性保護部材2と固体撮像素子ウェーハ1へ、CVD工程、レジストベーク工程、及びバンプリフロー工程等の加熱を伴う各工程が施される。
貫通配線形成工程後は、図2(f)に示されるように、分離工程として、再びテープ22が貼着され、ブレード35により封止した樹脂8と固体撮像素子ウェーハ1を個々の固体撮像素子チップ1Aに分離する。
これにより、図2(g)に示すように、固体撮像装置50は、周囲を樹脂8により封止され、カバーガラス2Aと固体撮像素子3との間の空隙の封止性が向上し、耐湿性の高い、高品質の固体撮像装置となる。
次に、本発明に係る固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置の第3の実施の形態について詳説する。
図3は本発明の固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置の第3の実施の形態の手順を示した模式図である。
本発明に係わる固体撮像装置の製造方法の第3の実施の形態では、図3(a)に示すように、まず接合工程として、固体撮像素子ウェーハ1に対して光透過性保護部材2がスペーサ5を介して接着剤により接合される。
続いて、図3(b)に示すように、切断工程として、光透過性保護部材2の固体撮像素子ウェーハ1が接合された面の逆側の面にテープ22が貼着され、ダイシングマシンにより、固体撮像素子ウェーハ1に形成されたチップサイズに合わせて固体撮像素子ウェーハ1がダイシングされて個々の固体撮像素子チップ1Aに分割される。
ダイシングにより個々の固体撮像素子チップ1Aに分割された固体撮像素子ウェーハ1の切断部7Aへは、図3(c)に示すように、封止工程として、樹脂8が供給されて固体撮像装置の周囲を封止する。
このとき、樹脂8の供給は、トランスファーモールド、ポッティング、印刷、または真空印刷のいずれかの方法により行われる。
封止工程後は、テープ22が剥離され、図3(d)に示されるように、貫通配線形成工程として、個々の固体撮像素子チップ1Aに対し、各パッド4へ通じる貫通配線31と外部接合端子32が形成される。貫通配線31、及び外部接続端子32の形成においては、CVD工程、レジストベーク工程、バンプリフロー工程等の加熱を伴う各工程が施される。
貫通配線形成工程後は、図3(e)に示されるように、分離工程として、再びテープ22が貼着され、ブレード35により封止した樹脂8と光透過性保護部材2を個々のカバーガラス2Aに分離する。
これにより、図3(f)に示すように、固体撮像装置60は、周囲を樹脂8により封止され、カバーガラス2Aと固体撮像素子3との間の空隙の封止性が向上し、耐湿性の高い高品質の固体撮像装置となる。
なお、第3の実施の形態において、図3(c)に示される封止工程と、図3(d)に示される貫通配線形成工程との間に、切断部7Aに供給した樹脂8へ溝を形成する溝入れ工程を行っても、好適に実施可能である。
以上説明したように、本発明に係る固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置によれば、接合された固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部剤とを、高温で処理する必要のある貫通配線形成工程を行う前にウェーハレベルで切断して個片化し、樹脂により封止することで、カバーガラスと固体撮像素子との間の空隙の封止性が向上する。これにより、耐湿性の高い高品質の固体撮像装置を製造することが可能となる。
更に、高温で処理する工程前に封止した樹脂に溝を入れることにより、充填した樹脂の膨張によるウエハの反りの低減、光透過性保護部材と固体撮像素子ウェーハの熱膨張率係数差による接合ウェーハの反りの低減、および貫通配線形成工程での薬液からの固体撮像素子ウェーハの保護を行うことが可能となる。
本発明の第1の実施の形態の手順を示した模式図。 本発明の第2の実施の形態の手順を示した模式図。 本発明の第3の実施の形態の手順を示した模式図。 封止工程の方法を示した模式図。 従来の製造方法による固体撮像装置の斜視図。 従来の製造方法による固体撮像装置の断面図。
符号の説明
1…固体撮像素子ウェーハ,1A、11C…固体撮像素子チップ,2…光透過性保護部材,2A、12…カバーガラス,3、11A…固体撮像素子,4、11B…パッド,5、13…スペーサ,7…切断部,8…樹脂,9…溝,10、21、50、60…固体撮像装置,13A、13B…接着剤,24、31…貫通配線,26、32…外部接続端子

Claims (10)

  1. 固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とをスペーサを介して接合する接合工程と、
    接合された前記光透過性保護部材を前記固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに切断する切断工程と、
    切断された前記光透過性保護部材の切断部を樹脂により封止する封止工程と、
    前記固体撮像素子ウェーハへ貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、
    前記樹脂と、前記固体撮像素子ウェーハとを切断することにより、個々のチップに分離する分離工程と、を行うことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 光透過性保護部材をサポート部材に貼り合せ、固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに前記光透過性保護部材を切断する切断工程と、
    固体撮像素子ウェーハとチップのサイズに切断された前記光透過性保護部材とをスペーサを介して接合する接合工程と、
    前記サポート部材を剥離する剥離工程と、
    切断された前記光透過性保護部材の切断部を樹脂により封止する封止工程と、
    前記固体撮像素子ウェーハへ貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、
    前記樹脂と、前記固体撮像素子ウェーハとを切断することにより、個々のチップに分離する分離工程と、を行うことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  3. 固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とをスペーサを介して接合する接合工程と、
    接合された前記固体撮像素子ウェーハを、該固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに切断する切断工程と、
    切断された前記固体撮像素子ウェーハの切断部を樹脂により封止する封止工程と、
    前記固体撮像素子ウェーハへ貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、
    前記樹脂と、前記光透過性保護部材とを切断することにより、個々のチップに分離する分離工程と、を行うことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記封止工程後、前記貫通配線形成工程の前に前記樹脂に溝を形成する溝入れ工程を行うことを特徴とする請求項1、2、または3のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記封止工程は、トランスファーモールド、ポッティング、印刷、または真空印刷のいずれかにより行われることを特徴とする請求項1、2、または3のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とがスペーサを介して接合され、個々のチップに分割されることにより製造される固体撮像装置において、
    前記固体撮像素子ウェーハと前記光透過性保護部材とを接合したのち、該光透過性保護部材を該固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに切断し、切断された該光透過性保護部材の切断部を樹脂により封止したのちに、該固体撮像素子ウェーハへ貫通配線が形成され、前記貫通配線形成後に該固体撮像素子ウェーハと該樹脂とを切断することにより個々のチップに分割されて製造されることを特徴とする固体撮像装置。
  7. 固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とがスペーサを介して接合され、個々のチップに分割されることにより製造される固体撮像装置において、
    前記光透過性保護部材とサポート部材を接合し、該光透過性保護部材を前記固体撮像素子ウェーハに形成されたチップのサイズに切断した後、該固体撮像素子ウェーハとスペーサを介して接合するとともに前記サポート部材を剥離し、切断された該光透過性保護部材の切断部を樹脂により封止したのちに、該固体撮像素子ウェーハへ貫通配線が形成され、前記貫通配線形成後に該固体撮像素子ウェーハと該樹脂とを切断することにより個々のチップに分割されて製造されることを特徴とする固体撮像装置。
  8. 固体撮像素子ウェーハと光透過性保護部材とがスペーサを介して接合され、個々のチップに分割されることにより製造される固体撮像装置において、
    前記固体撮像素子ウェーハと前記光透過性保護部材とを接合したのち、該固体撮像素子ウェーハをチップのサイズに切断し、切断された該固体撮像素子ウェーハの切断部を樹脂により封止したのちに、該固体撮像素子ウェーハへ貫通配線が形成され、前記貫通配線形成後に該光透過性保護部材と該樹脂とを切断することにより個々のチップに分割されて製造されることを特徴とする固体撮像装置。
  9. 前記切断部を樹脂により封止したのちに、前記樹脂に溝を形成し、前記溝が形成されたのちに、前記固体撮像素子ウェーハへ前記貫通配線が形成されることを特徴とする請求項6、7、または8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  10. 前記樹脂による前記切断部の封止は、トランスファーモールド、ポッティング、または印刷のいずれかにより行われることを特徴とする請求項6、7、または8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
JP2006265496A 2006-09-28 2006-09-28 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 Expired - Fee Related JP4871690B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006265496A JP4871690B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006265496A JP4871690B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008085195A JP2008085195A (ja) 2008-04-10
JP4871690B2 true JP4871690B2 (ja) 2012-02-08

Family

ID=39355704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006265496A Expired - Fee Related JP4871690B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4871690B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4939313B2 (ja) * 2007-06-12 2012-05-23 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2009194345A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Spansion Llc 半導体装置の製造方法
JP4966931B2 (ja) 2008-08-26 2012-07-04 シャープ株式会社 電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
JP5318634B2 (ja) 2009-03-30 2013-10-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 チップサイズパッケージ状の半導体チップ及び製造方法
JP2011198853A (ja) 2010-03-17 2011-10-06 Fujifilm Corp マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
CN103392141B (zh) * 2011-03-01 2014-09-17 富士胶片株式会社 透镜模块的制造方法及透镜模块

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3839271B2 (ja) * 2001-05-01 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2004165191A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法及びカメラシステム
JP3827310B2 (ja) * 2003-02-13 2006-09-27 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2006093458A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008085195A (ja) 2008-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3881888B2 (ja) 光デバイスの製造方法
JP3675402B2 (ja) 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器
TWI394269B (zh) 電子元件晶圓模組、電子元件晶圓模組之製造方法、電子元件模組及電子資訊裝置
JP5324890B2 (ja) カメラモジュールおよびその製造方法
TWI566393B (zh) 晶圓級封裝式半導體裝置及其製造方法
JP4871690B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
JP2007188909A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
KR101385410B1 (ko) 고체 촬상 디바이스의 제조 방법
US20030124762A1 (en) Optical device and method of manufacturing the same, optical module, circuit board, and electronic instrument
JP2010165939A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP4450168B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置用カバー
JP2011187482A (ja) 固体撮像装置、光学装置用モジュール、及び固体撮像装置の製造方法
KR100826394B1 (ko) 반도체 패키지 제조방법
JP2004063782A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2003347529A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2007123351A (ja) 固体撮像装置
JP2010087081A (ja) 固体撮像装置の製造方法
US10916578B2 (en) Semiconductor apparatus and camera
JP4407800B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009044494A (ja) 撮像デバイス
JP2010177351A (ja) 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器
WO2014027476A1 (ja) 半導体デバイス
JP2007273629A (ja) 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
JP2013038346A (ja) 光学装置
JP5047077B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111026

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111028

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees