JP3881888B2 - 光デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 201
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4244—Mounting of the optical elements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
受光部等のような光学的部分を有する光素子は、光学的部分を有する表面と封止するためのカバーとの間に空間を設けたほうがよいことがわかっている。このため、光素子が切断され、個片化された後に、光学的部分が光学的部分とカバーとの間に空間を設けてカバーによって封止される光デバイスの製造方法が知られている。ウエハ等の基板をダイシング等により切断する際には切削屑等が発生する。この切削屑等のゴミが光学的部分に付着したまま封止されると、その後に該空間内からゴミを除去することができなくなり、光デバイスの品質が低下するという問題があった。特に、マイクロレンズ付の光学的部分を有する固体撮像装置の場合には、マイクロレンズは凹凸を有するため、ゴミが付着しやすく、完全に除去するのが困難であった。このため、マイクロレンズ付の光学的部分を有する場合には、さらに固体撮像装置の品質が低下しやすいという問題があった。
【０００３】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、品質の高い光デバイスの製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ）光学的部分を有し、前記光学的部分の外側に電極が形成された光素子が複数形成された基板に、光透過性部分を有し、連結部によって連結することにより相互の位置が固定された複数のカバーを前記連結部が前記電極の上方に位置するように取り付け、それぞれの前記カバーによって、それぞれの前記光学的部分を封止し、
（ｂ）前記連結部を第１のカッタで切断して、前記連結部における前記電極の上方の部分を除去し、
（ｃ）前記基板を、第２のカッタで個々の前記光素子に切断することを含み、
前記第１のカッタの幅は前記第２のカッタの幅よりも大きい。
【０００５】
本発明によれば、光学的部分を封止してから基板を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【０００６】
（２）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ）少なくとも光透過性部分を有するプレート部と前記プレート部の周縁部に形成されたスペーサ部を有する複数のカバーの相互位置を固定し、
（ｂ）光学的部分を有する光素子が複数形成された基板に、前記プレート部が前記光学的部分の上方に配置されるように前記複数のカバーを一度に取り付け、それぞれの前記カバーによって、それぞれの前記光学的部分を封止し、
（ｃ）前記基板を、個々の前記光素子に切断することを含む。
【０００７】
こうすることで、カバーの取り付けが簡単になる。
【０００８】
（３）この光デバイスの製造方法において、
前記複数のカバーは、シートに貼り付けることにより、相互の位置が固定されたものであってもよい。
【０００９】
（４）この光デバイスの製造方法において、
前記複数のカバーは、連結部によって連結することにより相互の位置が固定されたものであり、
（２）における前記（ｂ）工程の後に、前記連結部を切断することをさらに含んでもよい。
【００１０】
（５）この光デバイスの製造方法において、
前記複数のカバーは、前記連結部とともに一体的に形成されたものであってもよい。
【００１１】
（６）この光デバイスの製造方法において、
第１のカッタで前記連結部を切断し、第２のカッタで前記基板を切断してもよい。
【００１２】
（７）この光デバイスの製造方法において、
前記第１のカッタの幅は、第２のカッタの幅よりも大きくてもよい。
【００１３】
（８）この光デバイスの製造方法において、
前記光素子には、前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記連結部を切断するときに、前記連結部における前記電極の上方の部分を除去してもよい。
【００１４】
これによれば、基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
【００１５】
（９）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記カバーは、全体的に光透過性を有してもよい。
【００１６】
（１０）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記カバーは、前記光学的部分の上方に配置されるプレート部と、前記プレート部の周縁部に形成されたスペーサ部と、を有し、前記プレート部の少なくとも一部が前記光透過性部分であってもよい。
【００１７】
（１１）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記カバー及び前記光学的部分の間に空間が形成されるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００１８】
（１２）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間が真空になるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００１９】
（１３）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間を大気圧よりも減圧して、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００２０】
（１４）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間を窒素で充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００２１】
（１５）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間がドライエアで充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００２２】
（１６）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記カバー及び前記光学的部分の間に空間が形成されるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（１７）この製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間が真空になるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（１８）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間を大気圧よりも減圧して、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（１９）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間を窒素で充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（２０）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間がドライエアで充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（２１）この光デバイスの製造方法において、
前記光透過性部分は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させなくてもよい。
【００２３】
（２２）この光デバイスの製造方法において、
前記光学的部分が形成された前記基板は、半導体ウエハであってもよい。
【００２４】
（２３）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べられた複数の受光部を有していてもよい。
【００２５】
（２４）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に設けられたカラーフィルタを有していてもよい。
【００２６】
（２５）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記基板の表面に設けられたマイクロレンズアレイを有していてもよい。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３２】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図６（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイス及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、基板１０にカバー３０を取り付ける。
【００３３】
基板１０には、後述する切断工程での作業性を向上させるためにシート１２を貼り付けておいてもよい。図２は、基板１０の一部を拡大した図である。基板１０は、光学的部分１４を含む複数の光素子６０を有する。光素子６０は、光学的部分１４と電極２６とを含む。光学的部分１４は、光が入射又は出射する部分である。または、光学的部分１４は、光エネルギーと他のエネルギー（例えば電気）を変換する。すなわち、１つの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部・発光部）１６を有する。
【００３４】
本実施の形態では、それぞれの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部又はイメージセンサ部）１６を有する。複数のエネルギー変換部１６は、二次元的に並べられて、画像センシングを行えるようになっている。すなわち、本実施の形態で製造される光デバイス又は光モジュールは、イメージセンサ（例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ）等の固体撮像装置である。エネルギー変換部１６は、パッシベーション膜１８で覆われている。パッシベーション膜１８は、光透過性を有する。基板１０が、半導体基板（例えば半導体ウエハ）を含むものであれば、ＳｉＯ2、ＳｉＮでパッシベーション膜１８を形成してもよい。
【００３５】
光学的部分１４は、カラーフィルタ２０を有していてもよい。カラーフィルタ２０は、パッシベーション膜１８上に形成されている。また、カラーフィルタ２０上に平坦化層２２が設けられ、その上にマイクロレンズアレイ２４が設けられていてもよい。
【００３６】
基板１０には、複数の電極２６が形成されている。図２に示す電極２６は、パッド上に形成されたバンプを有するが、パッドのみであってもよい。電極２６は、個々の光素子６０において、光学的部分１４の外側に形成されていることが好ましい。隣同士の光学的部分１４の間に、電極２６が形成されている。１つの光学的部分１４に、１グループの電極２６（複数）が対応している。例えば、図６（Ｂ）に示すように、光学的部分１４の複数辺（例えば対向する二辺）もしくは一辺（図示せず）に沿って電極２６を配置してもよい。
【００３７】
カバー３０は、光学的部分１４を封止するものである。カバー３０は、図３に拡大して示すように、プレート部３２とスペーサ部３４を有する。プレート部３２の形状は特に限定されないが、例えば図３に示すように四辺形である。プレート部３２は、光学的部分１４の上方に配置される。スペーサ部３４は、プレート部３２の周縁部に、凸形状に形成されてなる。スペーサ部３４は、切れ目なく連続的に形成されている。スペーサ部３４は、光学的部分１４を囲む位置に配置されて、光学的部分１４の上方にプレート部３２を支持する。スペーサ部３４は、光学的部分１４とプレート部３２との間に空間が形成される程度の高さを有していてもよい。図３に示すカバー３０は、プレート部３２とスペーサ部３４が一体的に形成されたものである。例えば、樹脂の射出成形でカバー３０を形成することができる。
【００３８】
カバー３０において、少なくとも光学的部分１４の上方に配置される部分は、光透過性部分となっている。例えば、プレート部３２の少なくとも一部（又は全体）が光透過性を有する。あるいは、カバー３０の全体が光透過性を有していてもよい。例えば、プレート３２及びスペーサ部３４の両方が光透過性を有していてもよい。カバー３０の光透過性部分（例えばプレート３２）は、光が透過するものであれば損失の大きさは問わないし、特定の波長の光のみを透過するものであってもよい。カバー３０の光透過性部分（例えばプレート３２）は、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないものであってもよい。カバー３０の光透過性部分（例えばプレート３２）は、可視光に対して損失が小さく、赤外線領域の光に対して損失が大きくてもよい。もしくは、カバー３０の表面、例えばプレート部３２の表面に、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないように処理が施されていても良いし、可視光に対して損失が小さく赤外線領域の光に対して損失が大きくなるように処理がされていてもよい。具体的には、カバー３０の表面、例えばプレート部３２の表面に、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させない膜が設けられてもよいし、可視光に対して損失が小さく赤外線領域の光に対して損失が大きくなる膜が設けられていても良い。少なくとも、カバー３０の光透過性部分は、ガラス等の光透過性の絶縁物で形成されることが好ましい。
【００３９】
図４は、カバーの変形例を示す図である。図４に示すカバー４０は、プレート部４２とスペーサ部４４が、別部材で構成されている。プレート部４２として光学ガラスを使用してもよいし、プラスチックプレートを使用してもよい。スペーサ部４４は、樹脂や金属で形成してもよい。プレート部４２とスペーサ部４４は接着剤で接着してもよい。
【００４０】
基板１０には、光学的部分１４を有する複数の光素子６０が形成されており、各光学的部分１４に対応して基板１０にカバー３０を取り付ける。カバー３０を１つずつ取り付けてもよいし、複数のカバー３０を、相互の位置を固定した状態で一度に基板１０に取り付けてもよい。例えば、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、シート３６に複数のカバー３０を貼り付けて、複数のカバー３０の相互の位置を固定してもよい。図１（Ｂ）に示すように、複数のカバー３０は、マトリクス状に並んでいてもよい。
【００４１】
カバー３０の基板１０への取り付けには、図示しない接着剤を使用してもよい。接着剤は、カバー３０（スペーサ部３４）及び基板１０の少なくとも一方に塗布する。接着剤として熱可塑性樹脂を使用した場合には、紫外線を照射するなどにより接着剤を仮硬化させて流動性を低下させてから取り付けを行い、加熱によって接着力を発現させてもよい。これにより、光学的部分１４に接着材が付着するのを防ぐことができる。カバー３０を取り付ける直前には、洗浄乾燥などによって光学的部分１４の表面を洗浄し、ゴミやケバなどを除去する処理を施すことが好ましい。
【００４２】
図５（Ａ）に示すように、上述した工程を経て、カバー３０を基板１０に取り付ける。なお、必要であれば、カバー３０に貼られたシート３６を剥がす。基板１０に取り付けられたカバー３０は、光学的部分１４を封止する。本実施の形態では、カバー３０（プレート部３２）と基板１０の間に空間が形成されるように、光学的部分１４を封止する。ここで、空間を大気圧よりも減圧したり、真空にしてもよく、窒素やドライエアで満たしてもよい。例えば、大気圧よりも減圧した圧力下、又は、真空、窒素、ドライエアの雰囲気下で封止工程を行う。
【００４３】
図５（Ｂ）に示すように、基板１０を切断して、個々の光素子６０とする。その切断には、カッタ３８（例えばダイシングブレード）を使用する。基板１０は、光学的部分１４の外側であって、さらに電極２６の外側で切断する。図５（Ｂ）に示す例では、隣同士の光学的部分１４の間に、それぞれの光学的部分１４に対応する電極２６が形成されており、それらの電極２６（複数）の間で基板１０を切断する。基板１０にシート１２が貼り付けられていれば、基板１０を光素子６０ごとに分離しても各光素子６０がバラバラにならない。こうして、光デバイスが得られる。本実施の形態によれば、光学的部分１４を封止してから基板１０を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【００４４】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。光デバイスは、光素子６０ａと、カバー３０を有する。カバー３０の光透過性部分（プレート部３２）から光学的部分１４に光が入射する。基板１０に設けられた光学的部分１４は、カバー３０によって封止されている。光学的部分１４とカバー３０（プレート部３２）との間には、空間が形成されている。その空間は、大気圧よりも減圧されていてもよいし、真空になっていてもよいし、窒素やドライエアで満たされていてもよい。そうすることで、光学的部分１４に結露が生じにくくなる。さらに、その空間が、大気圧よりも減圧されている、または、真空である場合には、上記光学的部分１４の封止工程の後に加熱工程がある場合に、封止部内の気体の熱膨張による破裂を防ぐこともできる。光学的部分１４の外側であって、さらにカバー３０の外側には、基板１０に電極２６が設けられている。その他の詳細は、上述した光デバイスの製造方法で説明した内容が該当する。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００４６】
（第２の実施の形態）
図７（Ａ）、図７（Ｂ）及び図８は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。なお、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のVIIB-VIIB線断面図である。本実施の形態では、カバー５０を使用する。カバー５０は、プレート部５２及びスペーサ部５４を有し、これらには、第１の実施の形態で説明したプレート部３２及びスペーサ部３４の説明が該当する。隣同士のカバー５０は、連結部５６で連結されて相互の位置が固定されている。複数のカバー５０と複数の連結部５６は、一体的に（例えば射出成形などで）形成してもよい。
【００４７】
図７（Ａ）に示すように、複数の矩形のカバー５０をマトリクス状に配列し、隣同士のカバー５０の角部を、連結部５６で連結してもよい。１つの連結部５６で、複数（図７（Ａ）に示す例では４つ）のカバー５０が連結されている。連結部５６は、カバー５０（例えばその角部）から延長された第１の部分と、複数の第１の部分を結合する第２の部分と、を有する。第１の部分は、プレート部５２の対角線の延長線方向に延びていてもよい。第２の部分は、隣同士のカバー５０の間の中間又はほぼ中間に位置していてもよい。連結部５６は、プレート部５４よりも薄く形成されていてもよい。図７（Ｂ）に示すように、連結部５６は、プレート部５２におけるスペーサ部５４の突出方向とは反対の面と面一（又はほぼ面一）になっていてもよい。
【００４８】
図８に示すように、本実施の形態に係る光デバイスの製造方法は、連結部５６を切断することを含む。連結部５６は、単に切断するだけでなく、除去してもよい。例えば、図８に示すように、隣同士のカバー５０の間隔に近い幅のカッタ５８で連結部５６を切断する。その切断ラインは、基板１０における電極２６の上方に位置する。連結部５６を除去することで、電極２６の上方が開放され、電極２６に対する電気的な接続を行いやすくなる。
【００４９】
連結部５６の切断（又は除去）は、基板１０の表面や電極２６を破損しないように行う。本実施の形態では、連結部５６における基板１０を向く面は、プレート部５２における基板１０を向く面よりも、基板１０から離れた位置にある。したがって、連結部５６の表面が電極２６から離れているので、カッタ５８の先端が電極２６に接触しにくくなっている。なお、連結部５６を切断（除去）するカッタ５８（例えばダイシングブレード）は、基板１０を切断するカッタ３８（図５（Ｂ）参照）よりも幅が大きくなっていてもよい。なお、カッタ５８を第１のカッタ、カッタ３８を第２のカッタということができる。
【００５０】
（第３の実施の形態）
図９は、本発明の第３の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。図９に示す光モジュールは、図６（Ａ）に示す光素子６０ａを有する。光素子６０ａは、支持部材（例えばケース）６２に取り付けられている。支持部材６２には、配線６４が形成されている。支持部材６２は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）であってもよい。光素子６０ａの電極２６と配線６４とは、電気的に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ６６を用いてもよい。また、電気的な接続部（例えばワイヤ６６及びそのボンディングされた部分）には、封止材料６８が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、封止材料６８で封止されている。封止材料６８は、例えばポッティングによって設けてもよい。光素子６０ａは、カバー３０によって光学的部分１４が封止されており、カバー３０がダムとして機能するため、封止材料６８が光学的部分１４を覆わない。
【００５１】
配線６４の一部は、外部端子（例えばリード）７０となっている。外部端子７０は、回路基板７２に形成された配線パターン７４と電気的に接続されている。図９に示す例では、回路基板７２に穴が形成されており、その穴に外部端子７０が挿入されている。その穴の周囲に配線パターン７４のランドが形成され、そのランドと外部端子７０とは、ろう材（例えばはんだ）で接合されている。このように、回路基板７２は、光モジュールが実装されてなる。
【００５２】
また、図示しないが、支持部材６２は、外部端子７０等を有さないものであってもよい。すなわち、支持部材６２は、回路基板であってもよい。
【００５３】
（その他の実施の形態）
図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図１０に示す光モジュールは、図６（Ａ）に示す光素子６０ａと、これが取り付けられた支持部材８０とを有する。支持部材８０には、穴８２が形成されており、カバー３０の少なくとも一部が穴８２の内側に位置している。また、穴８２には、レンズホルダ８４が取り付けられている。レンズホルダ８４にも穴８６が形成され、その内側にレンズ８８が取り付けられている。穴８６，８２は連通しており、レンズ８８にて集光した光がカバー３０に入射する。なお、カバー３０（少なくともそのプレート部３２）は、赤外線の領域の光をカットするものであってもよい。光素子６０ａの電極２６と、支持部材８０の配線８９との接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子６０ａと支持部材８０との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。
【００５４】
図１１は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図１１に示す光モジュールは、図６（Ａ）に示す光素子６０ａと、これが取り付けられた支持部材９０とを有する。支持部材９０には、穴９２が形成されており、カバー３０（少なくともそのプレート部３２）の少なくとも一部が穴９２の内側に位置している。また、穴９２には、レンズホルダ８４が取り付けられている（詳しくは上述した）。
【００５５】
図１１において、光素子６０ａは、基板９４に実装されており、その電極２６と基板９４に形成された配線パターン９６とが接合されている。その接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子６０ａと基板９４との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。基板９４にも穴９８が形成されている。穴８６，９２，９８は連通しており、レンズ８８にて集光した光が第１の基板１０に入射する。
【００５６】
基板９４には、電子部品（例えば半導体チップ）１００が実装（例えばフェースダウンボンディング）されている。電子部品１００と配線パターン９６とは電気的に接続されている。基板９４には、その他の電子部品が複数実装されていてもよい。基板９４が屈曲し、電子部品１００と光素子６０ａとが接着剤１０２を介して接着されている。なお、予め、光素子６０ａと電子部品１００をそれぞれ基板９４に実装してから、基板９４を屈曲させて、光素子６０ａと電子部品１００を接着してもよい。
【００５７】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図１２に示すノート型パーソナルコンピュータ１０００は、光モジュールが組み込まれたカメラ１１００を有する。また、図１３に示すデジタルカメラ２０００は光モジュールを有する。さらに、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示す携帯電話３０００は、光モジュールが組み込まれたカメラ３１００を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法の変形例を説明する図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の第３の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１４】図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 基板
１４ 光学的部分
１６ エネルギー変換部（受光部）
２０ カラーフィルタ
２４ マイクロレンズアレイ
２６ 電極
３０ カバー
３２ プレート部
３４ スペーサ部
３６ シート
３８ カッタ（第２のカッタ）
４０ カバー
４２ プレート部
４４ スペーサ部
５０ カバー
５２ プレート部
５４ スペーサ部
５６ 連結部
５８ カッタ（第１のカッタ）
６０，６０ａ 光素子
６２ 支持部材
７２ 回路基板
８０ 支持部材
９０ 支持部材
【発明の属する技術分野】
本発明は、光デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
受光部等のような光学的部分を有する光素子は、光学的部分を有する表面と封止するためのカバーとの間に空間を設けたほうがよいことがわかっている。このため、光素子が切断され、個片化された後に、光学的部分が光学的部分とカバーとの間に空間を設けてカバーによって封止される光デバイスの製造方法が知られている。ウエハ等の基板をダイシング等により切断する際には切削屑等が発生する。この切削屑等のゴミが光学的部分に付着したまま封止されると、その後に該空間内からゴミを除去することができなくなり、光デバイスの品質が低下するという問題があった。特に、マイクロレンズ付の光学的部分を有する固体撮像装置の場合には、マイクロレンズは凹凸を有するため、ゴミが付着しやすく、完全に除去するのが困難であった。このため、マイクロレンズ付の光学的部分を有する場合には、さらに固体撮像装置の品質が低下しやすいという問題があった。
【０００３】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、品質の高い光デバイスの製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ）光学的部分を有し、前記光学的部分の外側に電極が形成された光素子が複数形成された基板に、光透過性部分を有し、連結部によって連結することにより相互の位置が固定された複数のカバーを前記連結部が前記電極の上方に位置するように取り付け、それぞれの前記カバーによって、それぞれの前記光学的部分を封止し、
（ｂ）前記連結部を第１のカッタで切断して、前記連結部における前記電極の上方の部分を除去し、
（ｃ）前記基板を、第２のカッタで個々の前記光素子に切断することを含み、
前記第１のカッタの幅は前記第２のカッタの幅よりも大きい。
【０００５】
本発明によれば、光学的部分を封止してから基板を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【０００６】
（２）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ）少なくとも光透過性部分を有するプレート部と前記プレート部の周縁部に形成されたスペーサ部を有する複数のカバーの相互位置を固定し、
（ｂ）光学的部分を有する光素子が複数形成された基板に、前記プレート部が前記光学的部分の上方に配置されるように前記複数のカバーを一度に取り付け、それぞれの前記カバーによって、それぞれの前記光学的部分を封止し、
（ｃ）前記基板を、個々の前記光素子に切断することを含む。
【０００７】
こうすることで、カバーの取り付けが簡単になる。
【０００８】
（３）この光デバイスの製造方法において、
前記複数のカバーは、シートに貼り付けることにより、相互の位置が固定されたものであってもよい。
【０００９】
（４）この光デバイスの製造方法において、
前記複数のカバーは、連結部によって連結することにより相互の位置が固定されたものであり、
（２）における前記（ｂ）工程の後に、前記連結部を切断することをさらに含んでもよい。
【００１０】
（５）この光デバイスの製造方法において、
前記複数のカバーは、前記連結部とともに一体的に形成されたものであってもよい。
【００１１】
（６）この光デバイスの製造方法において、
第１のカッタで前記連結部を切断し、第２のカッタで前記基板を切断してもよい。
【００１２】
（７）この光デバイスの製造方法において、
前記第１のカッタの幅は、第２のカッタの幅よりも大きくてもよい。
【００１３】
（８）この光デバイスの製造方法において、
前記光素子には、前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記連結部を切断するときに、前記連結部における前記電極の上方の部分を除去してもよい。
【００１４】
これによれば、基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
【００１５】
（９）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記カバーは、全体的に光透過性を有してもよい。
【００１６】
（１０）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記カバーは、前記光学的部分の上方に配置されるプレート部と、前記プレート部の周縁部に形成されたスペーサ部と、を有し、前記プレート部の少なくとも一部が前記光透過性部分であってもよい。
【００１７】
（１１）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記カバー及び前記光学的部分の間に空間が形成されるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００１８】
（１２）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間が真空になるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００１９】
（１３）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間を大気圧よりも減圧して、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００２０】
（１４）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間を窒素で充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００２１】
（１５）この光デバイスの製造方法において、
（１）における前記（ａ）工程で、前記空間がドライエアで充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
【００２２】
（１６）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記カバー及び前記光学的部分の間に空間が形成されるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（１７）この製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間が真空になるように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（１８）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間を大気圧よりも減圧して、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（１９）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間を窒素で充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（２０）この光デバイスの製造方法において、
（２）における前記（ｂ）工程で、前記空間がドライエアで充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
（２１）この光デバイスの製造方法において、
前記光透過性部分は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させなくてもよい。
【００２３】
（２２）この光デバイスの製造方法において、
前記光学的部分が形成された前記基板は、半導体ウエハであってもよい。
【００２４】
（２３）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べられた複数の受光部を有していてもよい。
【００２５】
（２４）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に設けられたカラーフィルタを有していてもよい。
【００２６】
（２５）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記基板の表面に設けられたマイクロレンズアレイを有していてもよい。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３２】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図６（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイス及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、基板１０にカバー３０を取り付ける。
【００３３】
基板１０には、後述する切断工程での作業性を向上させるためにシート１２を貼り付けておいてもよい。図２は、基板１０の一部を拡大した図である。基板１０は、光学的部分１４を含む複数の光素子６０を有する。光素子６０は、光学的部分１４と電極２６とを含む。光学的部分１４は、光が入射又は出射する部分である。または、光学的部分１４は、光エネルギーと他のエネルギー（例えば電気）を変換する。すなわち、１つの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部・発光部）１６を有する。
【００３４】
本実施の形態では、それぞれの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部又はイメージセンサ部）１６を有する。複数のエネルギー変換部１６は、二次元的に並べられて、画像センシングを行えるようになっている。すなわち、本実施の形態で製造される光デバイス又は光モジュールは、イメージセンサ（例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ）等の固体撮像装置である。エネルギー変換部１６は、パッシベーション膜１８で覆われている。パッシベーション膜１８は、光透過性を有する。基板１０が、半導体基板（例えば半導体ウエハ）を含むものであれば、ＳｉＯ2、ＳｉＮでパッシベーション膜１８を形成してもよい。
【００３５】
光学的部分１４は、カラーフィルタ２０を有していてもよい。カラーフィルタ２０は、パッシベーション膜１８上に形成されている。また、カラーフィルタ２０上に平坦化層２２が設けられ、その上にマイクロレンズアレイ２４が設けられていてもよい。
【００３６】
基板１０には、複数の電極２６が形成されている。図２に示す電極２６は、パッド上に形成されたバンプを有するが、パッドのみであってもよい。電極２６は、個々の光素子６０において、光学的部分１４の外側に形成されていることが好ましい。隣同士の光学的部分１４の間に、電極２６が形成されている。１つの光学的部分１４に、１グループの電極２６（複数）が対応している。例えば、図６（Ｂ）に示すように、光学的部分１４の複数辺（例えば対向する二辺）もしくは一辺（図示せず）に沿って電極２６を配置してもよい。
【００３７】
カバー３０は、光学的部分１４を封止するものである。カバー３０は、図３に拡大して示すように、プレート部３２とスペーサ部３４を有する。プレート部３２の形状は特に限定されないが、例えば図３に示すように四辺形である。プレート部３２は、光学的部分１４の上方に配置される。スペーサ部３４は、プレート部３２の周縁部に、凸形状に形成されてなる。スペーサ部３４は、切れ目なく連続的に形成されている。スペーサ部３４は、光学的部分１４を囲む位置に配置されて、光学的部分１４の上方にプレート部３２を支持する。スペーサ部３４は、光学的部分１４とプレート部３２との間に空間が形成される程度の高さを有していてもよい。図３に示すカバー３０は、プレート部３２とスペーサ部３４が一体的に形成されたものである。例えば、樹脂の射出成形でカバー３０を形成することができる。
【００３８】
カバー３０において、少なくとも光学的部分１４の上方に配置される部分は、光透過性部分となっている。例えば、プレート部３２の少なくとも一部（又は全体）が光透過性を有する。あるいは、カバー３０の全体が光透過性を有していてもよい。例えば、プレート３２及びスペーサ部３４の両方が光透過性を有していてもよい。カバー３０の光透過性部分（例えばプレート３２）は、光が透過するものであれば損失の大きさは問わないし、特定の波長の光のみを透過するものであってもよい。カバー３０の光透過性部分（例えばプレート３２）は、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないものであってもよい。カバー３０の光透過性部分（例えばプレート３２）は、可視光に対して損失が小さく、赤外線領域の光に対して損失が大きくてもよい。もしくは、カバー３０の表面、例えばプレート部３２の表面に、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないように処理が施されていても良いし、可視光に対して損失が小さく赤外線領域の光に対して損失が大きくなるように処理がされていてもよい。具体的には、カバー３０の表面、例えばプレート部３２の表面に、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させない膜が設けられてもよいし、可視光に対して損失が小さく赤外線領域の光に対して損失が大きくなる膜が設けられていても良い。少なくとも、カバー３０の光透過性部分は、ガラス等の光透過性の絶縁物で形成されることが好ましい。
【００３９】
図４は、カバーの変形例を示す図である。図４に示すカバー４０は、プレート部４２とスペーサ部４４が、別部材で構成されている。プレート部４２として光学ガラスを使用してもよいし、プラスチックプレートを使用してもよい。スペーサ部４４は、樹脂や金属で形成してもよい。プレート部４２とスペーサ部４４は接着剤で接着してもよい。
【００４０】
基板１０には、光学的部分１４を有する複数の光素子６０が形成されており、各光学的部分１４に対応して基板１０にカバー３０を取り付ける。カバー３０を１つずつ取り付けてもよいし、複数のカバー３０を、相互の位置を固定した状態で一度に基板１０に取り付けてもよい。例えば、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、シート３６に複数のカバー３０を貼り付けて、複数のカバー３０の相互の位置を固定してもよい。図１（Ｂ）に示すように、複数のカバー３０は、マトリクス状に並んでいてもよい。
【００４１】
カバー３０の基板１０への取り付けには、図示しない接着剤を使用してもよい。接着剤は、カバー３０（スペーサ部３４）及び基板１０の少なくとも一方に塗布する。接着剤として熱可塑性樹脂を使用した場合には、紫外線を照射するなどにより接着剤を仮硬化させて流動性を低下させてから取り付けを行い、加熱によって接着力を発現させてもよい。これにより、光学的部分１４に接着材が付着するのを防ぐことができる。カバー３０を取り付ける直前には、洗浄乾燥などによって光学的部分１４の表面を洗浄し、ゴミやケバなどを除去する処理を施すことが好ましい。
【００４２】
図５（Ａ）に示すように、上述した工程を経て、カバー３０を基板１０に取り付ける。なお、必要であれば、カバー３０に貼られたシート３６を剥がす。基板１０に取り付けられたカバー３０は、光学的部分１４を封止する。本実施の形態では、カバー３０（プレート部３２）と基板１０の間に空間が形成されるように、光学的部分１４を封止する。ここで、空間を大気圧よりも減圧したり、真空にしてもよく、窒素やドライエアで満たしてもよい。例えば、大気圧よりも減圧した圧力下、又は、真空、窒素、ドライエアの雰囲気下で封止工程を行う。
【００４３】
図５（Ｂ）に示すように、基板１０を切断して、個々の光素子６０とする。その切断には、カッタ３８（例えばダイシングブレード）を使用する。基板１０は、光学的部分１４の外側であって、さらに電極２６の外側で切断する。図５（Ｂ）に示す例では、隣同士の光学的部分１４の間に、それぞれの光学的部分１４に対応する電極２６が形成されており、それらの電極２６（複数）の間で基板１０を切断する。基板１０にシート１２が貼り付けられていれば、基板１０を光素子６０ごとに分離しても各光素子６０がバラバラにならない。こうして、光デバイスが得られる。本実施の形態によれば、光学的部分１４を封止してから基板１０を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【００４４】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。光デバイスは、光素子６０ａと、カバー３０を有する。カバー３０の光透過性部分（プレート部３２）から光学的部分１４に光が入射する。基板１０に設けられた光学的部分１４は、カバー３０によって封止されている。光学的部分１４とカバー３０（プレート部３２）との間には、空間が形成されている。その空間は、大気圧よりも減圧されていてもよいし、真空になっていてもよいし、窒素やドライエアで満たされていてもよい。そうすることで、光学的部分１４に結露が生じにくくなる。さらに、その空間が、大気圧よりも減圧されている、または、真空である場合には、上記光学的部分１４の封止工程の後に加熱工程がある場合に、封止部内の気体の熱膨張による破裂を防ぐこともできる。光学的部分１４の外側であって、さらにカバー３０の外側には、基板１０に電極２６が設けられている。その他の詳細は、上述した光デバイスの製造方法で説明した内容が該当する。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００４６】
（第２の実施の形態）
図７（Ａ）、図７（Ｂ）及び図８は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。なお、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のVIIB-VIIB線断面図である。本実施の形態では、カバー５０を使用する。カバー５０は、プレート部５２及びスペーサ部５４を有し、これらには、第１の実施の形態で説明したプレート部３２及びスペーサ部３４の説明が該当する。隣同士のカバー５０は、連結部５６で連結されて相互の位置が固定されている。複数のカバー５０と複数の連結部５６は、一体的に（例えば射出成形などで）形成してもよい。
【００４７】
図７（Ａ）に示すように、複数の矩形のカバー５０をマトリクス状に配列し、隣同士のカバー５０の角部を、連結部５６で連結してもよい。１つの連結部５６で、複数（図７（Ａ）に示す例では４つ）のカバー５０が連結されている。連結部５６は、カバー５０（例えばその角部）から延長された第１の部分と、複数の第１の部分を結合する第２の部分と、を有する。第１の部分は、プレート部５２の対角線の延長線方向に延びていてもよい。第２の部分は、隣同士のカバー５０の間の中間又はほぼ中間に位置していてもよい。連結部５６は、プレート部５４よりも薄く形成されていてもよい。図７（Ｂ）に示すように、連結部５６は、プレート部５２におけるスペーサ部５４の突出方向とは反対の面と面一（又はほぼ面一）になっていてもよい。
【００４８】
図８に示すように、本実施の形態に係る光デバイスの製造方法は、連結部５６を切断することを含む。連結部５６は、単に切断するだけでなく、除去してもよい。例えば、図８に示すように、隣同士のカバー５０の間隔に近い幅のカッタ５８で連結部５６を切断する。その切断ラインは、基板１０における電極２６の上方に位置する。連結部５６を除去することで、電極２６の上方が開放され、電極２６に対する電気的な接続を行いやすくなる。
【００４９】
連結部５６の切断（又は除去）は、基板１０の表面や電極２６を破損しないように行う。本実施の形態では、連結部５６における基板１０を向く面は、プレート部５２における基板１０を向く面よりも、基板１０から離れた位置にある。したがって、連結部５６の表面が電極２６から離れているので、カッタ５８の先端が電極２６に接触しにくくなっている。なお、連結部５６を切断（除去）するカッタ５８（例えばダイシングブレード）は、基板１０を切断するカッタ３８（図５（Ｂ）参照）よりも幅が大きくなっていてもよい。なお、カッタ５８を第１のカッタ、カッタ３８を第２のカッタということができる。
【００５０】
（第３の実施の形態）
図９は、本発明の第３の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。図９に示す光モジュールは、図６（Ａ）に示す光素子６０ａを有する。光素子６０ａは、支持部材（例えばケース）６２に取り付けられている。支持部材６２には、配線６４が形成されている。支持部材６２は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）であってもよい。光素子６０ａの電極２６と配線６４とは、電気的に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ６６を用いてもよい。また、電気的な接続部（例えばワイヤ６６及びそのボンディングされた部分）には、封止材料６８が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、封止材料６８で封止されている。封止材料６８は、例えばポッティングによって設けてもよい。光素子６０ａは、カバー３０によって光学的部分１４が封止されており、カバー３０がダムとして機能するため、封止材料６８が光学的部分１４を覆わない。
【００５１】
配線６４の一部は、外部端子（例えばリード）７０となっている。外部端子７０は、回路基板７２に形成された配線パターン７４と電気的に接続されている。図９に示す例では、回路基板７２に穴が形成されており、その穴に外部端子７０が挿入されている。その穴の周囲に配線パターン７４のランドが形成され、そのランドと外部端子７０とは、ろう材（例えばはんだ）で接合されている。このように、回路基板７２は、光モジュールが実装されてなる。
【００５２】
また、図示しないが、支持部材６２は、外部端子７０等を有さないものであってもよい。すなわち、支持部材６２は、回路基板であってもよい。
【００５３】
（その他の実施の形態）
図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図１０に示す光モジュールは、図６（Ａ）に示す光素子６０ａと、これが取り付けられた支持部材８０とを有する。支持部材８０には、穴８２が形成されており、カバー３０の少なくとも一部が穴８２の内側に位置している。また、穴８２には、レンズホルダ８４が取り付けられている。レンズホルダ８４にも穴８６が形成され、その内側にレンズ８８が取り付けられている。穴８６，８２は連通しており、レンズ８８にて集光した光がカバー３０に入射する。なお、カバー３０（少なくともそのプレート部３２）は、赤外線の領域の光をカットするものであってもよい。光素子６０ａの電極２６と、支持部材８０の配線８９との接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子６０ａと支持部材８０との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。
【００５４】
図１１は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図１１に示す光モジュールは、図６（Ａ）に示す光素子６０ａと、これが取り付けられた支持部材９０とを有する。支持部材９０には、穴９２が形成されており、カバー３０（少なくともそのプレート部３２）の少なくとも一部が穴９２の内側に位置している。また、穴９２には、レンズホルダ８４が取り付けられている（詳しくは上述した）。
【００５５】
図１１において、光素子６０ａは、基板９４に実装されており、その電極２６と基板９４に形成された配線パターン９６とが接合されている。その接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子６０ａと基板９４との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。基板９４にも穴９８が形成されている。穴８６，９２，９８は連通しており、レンズ８８にて集光した光が第１の基板１０に入射する。
【００５６】
基板９４には、電子部品（例えば半導体チップ）１００が実装（例えばフェースダウンボンディング）されている。電子部品１００と配線パターン９６とは電気的に接続されている。基板９４には、その他の電子部品が複数実装されていてもよい。基板９４が屈曲し、電子部品１００と光素子６０ａとが接着剤１０２を介して接着されている。なお、予め、光素子６０ａと電子部品１００をそれぞれ基板９４に実装してから、基板９４を屈曲させて、光素子６０ａと電子部品１００を接着してもよい。
【００５７】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図１２に示すノート型パーソナルコンピュータ１０００は、光モジュールが組み込まれたカメラ１１００を有する。また、図１３に示すデジタルカメラ２０００は光モジュールを有する。さらに、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示す携帯電話３０００は、光モジュールが組み込まれたカメラ３１００を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法の変形例を説明する図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の第３の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１４】図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 基板
１４ 光学的部分
１６ エネルギー変換部（受光部）
２０ カラーフィルタ
２４ マイクロレンズアレイ
２６ 電極
３０ カバー
３２ プレート部
３４ スペーサ部
３６ シート
３８ カッタ（第２のカッタ）
４０ カバー
４２ プレート部
４４ スペーサ部
５０ カバー
５２ プレート部
５４ スペーサ部
５６ 連結部
５８ カッタ（第１のカッタ）
６０，６０ａ 光素子
６２ 支持部材
７２ 回路基板
８０ 支持部材
９０ 支持部材
Claims (13)
- （ａ）光学的部分を有し、前記光学的部分の外側に電極が形成された光素子が複数形成された基板に、光透過性部分を有し、連結部によって連結することにより相互の位置が固定された複数のカバーを前記連結部が前記電極の上方に位置するように取り付け、それぞれの前記カバーによって、それぞれの前記光学的部分を封止し、
（ｂ）前記連結部を第１のカッタで切断して、前記連結部における前記電極の上方の部分を除去し、
（ｃ）前記基板を、第２のカッタで個々の前記光素子に切断することを含み、
前記第１のカッタの幅は前記第２のカッタの幅よりも大きい光デバイスの製造方法。 - 請求項１に記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記カバーは、全体的に光透過性を有する光デバイスの製造方法。 - 請求項１に記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記カバーは、前記光学的部分の上方に配置されるプレート部と、前記プレート部の周縁部に形成されたスペーサ部と、を有し、前記プレート部の少なくとも一部が前記光透過性部分である光デバイスの製造方法。 - 請求項１に記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記カバー及び前記光学的部分の間に空間が形成されるように、それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。 - 請求項４記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記空間が真空になるように、それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。 - 請求項４記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記空間を大気圧よりも減圧して、それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。 - 請求項４記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記空間を窒素で充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。 - 請求項４記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記空間がドライエアで充満するように、それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。 - 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の光デバイスの製造方法において、
前記光透過性部分は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させない光デバイスの製造方法。 - 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の光デバイスの製造方法において、
前記光学的部分が形成された前記基板は、半導体ウエハである光デバイスの製造方法。 - 請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べられた複数の受光部を有してなる光デバイスの製造方法。 - 請求項１１記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に設けられたカラーフィルタを有してなる光デバイスの製造方法。 - 請求項１１又は請求項１２のいずれか１項に記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記基板の表面に設けられたマイクロレンズアレイを有してなる光デバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397051A JP3881888B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイスの製造方法 |
| US10/308,877 US7001797B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-12-03 | Optical device and method of manufacturing the same, optical module, circuit board, and electronic instrument |
| CNB021593590A CN1251484C (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-26 | 光装置的制造方法 |
| CNB2005101250984A CN100411122C (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-26 | 光装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397051A JP3881888B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197656A JP2003197656A (ja) | 2003-07-11 |
| JP3881888B2 true JP3881888B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=19189153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001397051A Expired - Fee Related JP3881888B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7001797B2 (ja) |
| JP (1) | JP3881888B2 (ja) |
| CN (2) | CN100411122C (ja) |
Families Citing this family (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003198897A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光モジュール、回路基板及び電子機器 |
| US7127793B2 (en) * | 2002-04-24 | 2006-10-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of producing solid state pickup device |
| JP2003332560A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びマイクロプロセッサ |
| JP4443865B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4094386B2 (ja) | 2002-09-02 | 2008-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子回路装置 |
| JP4373063B2 (ja) | 2002-09-02 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子回路装置 |
| US6982470B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment |
| US20040161871A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment |
| JP2004241695A (ja) | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Seiko Epson Corp | 光デバイスの製造方法 |
| US7002241B1 (en) * | 2003-02-12 | 2006-02-21 | National Semiconductor Corporation | Packaging of semiconductor device with a non-opaque cover |
| JP4574118B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2010-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2004312666A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
| US6921676B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-07-26 | Agilent Technologies, Inc. | Wafer-scale manufacturing method |
| US8283679B2 (en) * | 2003-06-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates |
| JP2005026314A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP4796271B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2011-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4551638B2 (ja) | 2003-08-01 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2005056998A (ja) | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6995462B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Image sensor packages |
| JP4147171B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| TWI324829B (en) * | 2004-02-06 | 2010-05-11 | Advanced Semiconductor Eng | Optical semiconductor package and method for manufacturing the same |
| JP2007242642A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子、光ヘッド装置、及び光情報処理装置 |
| US7632713B2 (en) * | 2004-04-27 | 2009-12-15 | Aptina Imaging Corporation | Methods of packaging microelectronic imaging devices |
| JP3830495B2 (ja) | 2004-05-10 | 2006-10-04 | シャープ株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び光学装置用モジュール |
| US7164520B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
| US8092734B2 (en) | 2004-05-13 | 2012-01-10 | Aptina Imaging Corporation | Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers |
| JP3830497B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2006-10-04 | シャープ株式会社 | 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006013073A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Sharp Corp | ボンディング装置、ボンディング方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006100763A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法及び接合装置 |
| US7551246B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-23 | Idc, Llc. | System and method for display device with integrated desiccant |
| US7710629B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with reinforcing substance |
| KR100687069B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2007-02-27 | 삼성전자주식회사 | 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법 |
| JP2006237134A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JP4714499B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
| KR100809682B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법 |
| JP4889974B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2012-03-07 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
| KR100731801B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-06-25 | 테라셈 주식회사 | 이미지센서용 반도체패키지 및 그 제조방법 |
| JP4382030B2 (ja) | 2005-11-15 | 2009-12-09 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100747611B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-08-08 | 삼성전자주식회사 | 미소소자 패키지 및 그 제조방법 |
| WO2007120885A2 (en) | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mems devices and processes for packaging such devices |
| US8040587B2 (en) | 2006-05-17 | 2011-10-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Desiccant in a MEMS device |
| DE102006053862B4 (de) * | 2006-11-14 | 2008-07-24 | Schott Ag | Verfahren zum Verpacken von Bauelementen |
| US7816164B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-10-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS processing |
| JPWO2008084646A1 (ja) * | 2007-01-11 | 2010-04-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 撮像装置の製造方法及び撮像装置並びに携帯端末 |
| US8456560B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-06-04 | Digitaloptics Corporation | Wafer level camera module and method of manufacture |
| JP5281252B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2013-09-04 | 新光電気工業株式会社 | 照度検出装置 |
| US7927916B2 (en) * | 2007-04-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Optic wafer with reliefs, wafer assembly including same and methods of dicing wafer assembly |
| EP2064148A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | Optimization of desiccant usage in a mems package |
| JP2009260260A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-11-05 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5329903B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-10-30 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法 |
| JP5511180B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
| US8410690B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-04-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with desiccant |
| US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
| US8844123B2 (en) * | 2009-12-03 | 2014-09-30 | Chin-Chi Yang | Method of manufacturing a hollow surface mount type electronic component |
| DE102009047506A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensor mit einem Sensorgehäuse |
| JP6182909B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-08-23 | 株式会社リコー | 有機ｅｌ発光装置の製造方法 |
| CN103560139B (zh) * | 2013-11-19 | 2016-04-13 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构及其封装方法 |
| US9299735B2 (en) * | 2013-11-19 | 2016-03-29 | China Wafer Level Csp Co., Ltd. | Image sensor package structure and method |
| JP2016186526A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
| US20230215886A1 (en) * | 2020-05-28 | 2023-07-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578774B2 (ja) * | 1986-09-02 | 1997-02-05 | 日本板硝子株式会社 | レンズ付きモジュ−ルの製造方法 |
| KR930007532B1 (ko) * | 1990-07-12 | 1993-08-12 | 금성일렉트론 주식회사 | Soi 구조를 이용한 3차원 ccd 영상소자 및 그 제조방법 |
| JPH07202152A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| FR2731647B1 (fr) * | 1995-03-15 | 1997-04-30 | Corning Inc | Procede de fabrication d'un moule constitue d'un reseau d'alveoles pour la fabrication de reseaux de microlentilles optiques |
| US5798557A (en) * | 1996-08-29 | 1998-08-25 | Harris Corporation | Lid wafer bond packaging and micromachining |
| JPH11162641A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電場発光デバイス |
| JP3363367B2 (ja) * | 1998-01-28 | 2003-01-08 | ミサワホーム株式会社 | 太陽電池モジュール用カバーガラス構造 |
| US5923958A (en) * | 1998-05-28 | 1999-07-13 | Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. | Method for semiconductor chip packaging |
| US6448544B1 (en) | 1998-06-08 | 2002-09-10 | Brandeis University | Low noise, high resolution image detection system and method |
| US6428650B1 (en) * | 1998-06-23 | 2002-08-06 | Amerasia International Technology, Inc. | Cover for an optical device and method for making same |
| JP2000223446A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN1173548C (zh) * | 1999-02-08 | 2004-10-27 | 深圳矽感科技有限公司 | 彩色图象传感器中光检测器的改进排列 |
| JP3462806B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2003-11-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2001166193A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sony Corp | 撮像装置 |
| US6483030B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Snap lid image sensor package |
| JP2001223079A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Futaba Corp | 有機ｅｌ表示素子 |
| JP3880278B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3931545B2 (ja) * | 2000-03-22 | 2007-06-20 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュール |
| US6492699B1 (en) * | 2000-05-22 | 2002-12-10 | Amkor Technology, Inc. | Image sensor package having sealed cavity over active area |
| JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
| JP2002134762A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光学装置及びその製造方法 |
| AUPR245601A0 (en) * | 2001-01-10 | 2001-02-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | An apparatus (WSM09) |
| US20040161871A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001397051A patent/JP3881888B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-03 US US10/308,877 patent/US7001797B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-26 CN CNB2005101250984A patent/CN100411122C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-26 CN CNB021593590A patent/CN1251484C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030122137A1 (en) | 2003-07-03 |
| US7001797B2 (en) | 2006-02-21 |
| CN100411122C (zh) | 2008-08-13 |
| CN1430406A (zh) | 2003-07-16 |
| CN1251484C (zh) | 2006-04-12 |
| JP2003197656A (ja) | 2003-07-11 |
| CN1783443A (zh) | 2006-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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