JP4687133B2 - 光送信アセンブリ - Google Patents
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Description
1)半導体受光素子106及びそのチップキャリア105をキャリア52の外、すなわち、電子冷却器51外に配置したこと。
2)キャリア52がAlNのみで構成され、薄膜金属以外の金属部品を含まないこと。
3)キャリア52とレンズ102とを、接着剤で直接接合しているため、キャリア52とレンズ102のいずれも金属部品を含む必要が無く、体積も削減できたこと
等により、EA−DFB素子103等の各部品を搭載したキャリア52の熱容量が311.8[mJ/℃]から11.9[mJ/℃]に大幅に削減されている。例えば、環境温度70℃で、光送信アセンブリ1を起動し、サーミスタ104によって検出されるキャリア52の表面温度を30℃に制御する場合を想定する。温度安定までに許容される時間が30秒であるとすると、本発明の光送信アセンブリ、あるいはキャリア52の構成では、わずかに16mWの能力が電子冷却に要求されるだけである。この場合EA−DFB素子103が給電されることによる発熱の効果を考慮していないが、同様の計算を従来の光送信アセンブリに対して行うと、電子冷却器として416mWの能力が必要となる。
Claims (4)
- 光送信アセンブリであって、
変調信号を供給され該変調信号に対応して光信号を変調する半導体変調器と該半導体変
調器へレーザ光を供給する半導体レーザが一体に集積された半導体素子と、
該半導体発光素子を搭載し、表面及び内面を有する絶縁性のキャリアとを有し、
該キャリアは該半導体発光素子の搭載領域と、第1の伝送線と、第2の伝送線と、第1
の伝送線を終端する第1の終端抵抗と、第2の伝送線を終端する第2の終端抵抗と、接地
ラインとを該表面に備え、
該内面には、複数のビアホールを介して該表面の接地ラインと接続された接地ラインを
備え、
該変調信号は該第1の伝送線を介して前記半導体変調器に供給されるとともに前記第1の終端抵抗を介して前記接地ラインと接続され、該変調信号に対して位相を反転させた相補的信号が該第2の伝送線と前記第2の終端抵抗を介して前記接地ラインに接続される、ことを特徴とする光送信アセンブリ。 - 前記変調信号および前記相補的信号を伝送する配線基板をさらに備え、前記第1の終端
抵抗は前記搭載領域との間に第1の間隔をもって搭載されており、前記第2の終端抵抗は
前記搭載領域との間に第2の間隔をもって搭載されており、該第1の間隔より該第2の間隔は大きく、この差が該配線基板上で補償されている、請求項1に記載の光送信アセンブリ。 - 前記キャリアは窒化アルミニウム製である、請求項1または2に記載の光送信アセンブリ。
- 前記半導体発光素子の有する寄生容量と等価な容量値を有するキャパシタンスが、前記
第2の終端抵抗に並列に接続されている、請求項1〜3に記載の光送信アセンブリ。
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