JPH10275957A

JPH10275957A - 光半導体チップキャリア

Info

Publication number: JPH10275957A
Application number: JP9079317A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Gomyo; 博之五明; Satoshi Aoki; 聰青木; Minoru Fujita; 実藤田; Masahiro Aoki; 雅博青木; Tatsumi Ido; 立身井戸
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-03-31
Filing date: 1997-03-31
Publication date: 1998-10-13

Abstract

(57)【要約】【目的】実装の簡易な高周波特性を改善した光半導体
チップキャリアを得る。【解決手段】光半導体チップキャリア６０を導電性の
ベース基板２５と誘電体基板４１で構成する。誘電体基
板４１上には、信号ライン２５１、接地ライン２５２、
終端抵抗２５３、メッキ処理されたスルーホール２５６
等が形成される。半導体レーザ１５１と光変調器１５２
からなる集積化光源チップ１５がベース基板上に基板４
１と隣接して半田付けされ、バイアス用のチップコンデ
ンサ３もベース基板上に半田付けされる。半導体レーザ
とチップコンデンサ間、光変調器と信号ライン間等はボ
ンディングワイヤ７５１〜７５３により接続される。【効果】チップキャリアに起因するインダクタンスや
寄生容量の低減、ボンディングワイヤ接続箇所の低減に
より、高周波化と実装工数低減が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体レーザや
光変調器などの光半導体チップとチップコンデンサなど
の部品とを一緒にパッケージに組み込んで構成する光モ
ジュール等で使用するのに好適な光半導体チップキャリ
アに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光モジュールは、半導体レーザ
ダイオード（以下、半導体ＬＤと称する）や光変調器等
の光半導体チップ及びチップコンデンサなどを半田付け
して搭載した光半導体チップキャリアを、電源端子、入
力信号端子、接地端子、光出力用ファイバコネクタ端子
などを備えたパッケージ内に組み込むことにより形成さ
れている。半導体ＬＤ等の光半導体チップは、半導体メ
モリやマイクロプロセッサなどのシリコン半導体チップ
と異なり、電気信号特性の検査だけでなく、光出力の特
性を測定して良品選別を行う必要がある。

【０００３】しかしながら、光出力の特性を測定するに
は、外部測定系へ出射光の光軸合わせ等の調整を行う必
要がある。このため、光半導体チップ上にプローブを当
てての測定では、発光パターンや、高周波特性を含めた
光出力特性の正確な測定が行えない。そこで、通常、光
モジュールに組み込む光半導体チップのチップ選別は次
のように行っている。

【０００４】例えば、半導体ＬＤチップの場合、複数個
の半導体ＬＤチップをウエハから横一列に切り出した状
態で、先ずプローブ測定検査によるパルス駆動選別を行
う。この場合、外部測定系と厳密な光軸合わせの調整等
を必要としない測定項目、すなわち電流−光出力特性と
発振波長の測定等によりチップの大まかな良否判定を行
う。ここでパルス駆動により選別を行うのは、直流駆動
では放熱が問題となって測定できないからである。次
に、パルス駆動選別により選別された良品チップおよび
コンデンサ等を半田付けした光半導体チップキャリアを
評価用ステムに実装し、ＣＷ（Continuous Wave）駆動
選別を行う。なお、評価用ステムへの実装については後
述する。このＣＷ駆動選別では、評価用ステムに外部測
定系を接続して電流−光出力特性、発振波長、発光パタ
ーン、及び高周波特性等を測定して良否判定をする。半
導体ＬＤチップ等を搭載した光半導体チップキャリアは
評価用ステムから外された後、所要の特性仕様を満足す
る良品チップを搭載した光半導体チップキャリアだけが
最終的にパッケージに組み込まれて光モジュールとな
る。

【０００５】ここで、半導体ＬＤと光変調器を集積化し
た集積化光源チップ１１を搭載した光半導体チップキャ
リアの評価用ステムへの実装について、図１を用いて説
明する。図１は、集積化光源チップやチップコンデンサ
等を搭載した従来の光半導体チップキャリアの概略を示
す図であり、同図（ａ）は評価用ステムに取り付けた光
半導体チップキャリアの平面図、（ｂ）は平面図中に示
したＡ−Ａ’線に沿った部分の断面図である。

【０００６】図１（ａ），（ｂ）において、参照符号１
０は接地ラインとしても使用する金属導体から成る高周
波特性評価用ステムを示し、この評価用ステム１０上に
は高周波伝送線路となるマイクロストリップ線路２ａ，
２ｂ，２ｃを形成した誘電体基板４が半田付け等により
固着されている。更に、誘電体基板４上のストリップ線
路２ｂ，２ｃ間には、高周波整合用の終端抵抗５が半田
付けされている。また、マイクロストリップ線路２ｃに
は評価用ステム１０に達するメッキ処理したスルーホー
ル２６が形成され、評価用ステム１０と電気的に接続さ
れている。更に、ボンディングパッド部２２を設けたセ
ラミックなどの誘電体材料からなる光半導体チップキャ
リア２１に、集積化光源チップ１１とチップコンデンサ
３が半田付けされ、集積化光源チップ１１とチップコン
デンサ３の表面側電極との間、及び集積化光源チップ１
１とボンディングパッド部２２との間は、それぞれボン
ディングワイヤ７１１及び７１２により電気的に接続さ
れている。この光半導体チップキャリア２１が、固着さ
れた誘電体基板４を有する評価用ステム１０に半田付け
される。更に、チップコンデンサ３の裏面側電極は、複
数本のボンディングワイヤ７１５により接地電位の評価
用ステム１０に電気的に接続され、ボンディングパッド
部２２とマイクロストリップ線路２ａ，２ｂとはそれぞ
れボンディングワイヤ７１３，７１４により電気的に接
続されている。

【０００７】このようにして光半導体チップキャリア２
１の評価用ステム１０への実装が行われ、前述したＣＷ
駆動選別にかけられる。ＣＷ駆動選別の測定後、光半導
体チップキャリア２１と評価用ステム側に接続されてい
たボンディングワイヤ７１３，７１４，７１５を切離し
た後、評価用ステム１０に半田付けで固定していた光半
導体チップキャリア２１を外す。同様にして、別の集積
化光源チップを搭載した光半導体チップキャリアを評価
用ステムに取付け、ＣＷ駆動選別にかける。これを繰り
返して、集積化光源チップの良否判定を行い、選別す
る。

【０００８】なお、この関連技術に関しては、例えば電
子情報通信学会論文誌Ｃ−Ｉ，Ｖｏｌ．Ｊ７７−Ｃ−
Ｉ，Ｎｏ．５，ｐｐ．２６８−２７５（１９９４年５
月）等があるが、光モジュールを構成する光半導体チッ
プキャリアの詳細については開示されていない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、光半
導体チップの実装に関して光半導体チップを搭載する光
半導体チップキャリアに小型化、高速化が要求されてい
る。しかしながら、前述したように、従来は光半導体チ
ップ１１とチップコンデンサ３をそれぞれ誘電体を材料
とする光半導体チップキャリア２１に半田付けし、この
光半導体チップキャリア２１をマイクロストリップ線路
を有する誘電体基板４が固着された高周波特性の評価用
ステム１０に搭載していた。更に、高周波整合用の終端
抵抗５を、光半導体チップキャリアの外付けとして、評
価用ステムの誘電体基板４上に半田付けしていた。ま
た、それぞれの部品間は、ボンディングワイヤ７１１、
７１２、７１３、７１４、７１５により接続していた。
このため、ボンディングワイヤのインダクダンス成分が
特性に影響を与えていた。

【００１０】図１に示した評価用ステム１０ヘの実装状
態について、図２の等価回路を用いて高周波特性の数値
計算を行った結果が、図３（ｂ）と（ｃ）である。ここ
で、図２に示した等価回路の各パラメータは、次の通り
である。Ｚ０は評価用ステム４のマイクロストリップラ
インのインピーダンスで５０Ω、Ｌ１はボンディングワ
イヤ７１３のインダクタンスで０．３ｎＨ、Ｌ２はボン
ディングワイヤ７１４のインダクタンスで０．３ｎＨ、
Ｌｐはボンディングパッド部２２のインダクタンスで
０．１ｎＨ、Ｌ４はボンディングワイヤ７１５のインダ
クタンスで０．１ｎＨ、Ｌ３はボンディングワイヤ７１
２のインダクタンスで０．９ｎＨ、Ｃｃはボンディング
パッド部２２の容量で０．３ｐＦ、Ｃｇは光半導体チッ
プキャリア２１の容量で０．３ｐＦ、Ｒｉｎは半導体Ｌ
Ｄチップ１１の光変調器部の内部抵抗で５Ω、Ｃｍは半
導体ＬＤチップ１１の光変調器部の容量で０．４ｐＦ、
Ｒｔは終端抵抗５の抵抗で５０Ωである。なお、半導体
ＬＤ部は直流駆動であるから高周波特性の解析では無視
できるため、図２では変調器部だけを等価回路に表わし
ている。従って、ボンディングワイヤ７１１のインダク
タンス成分は、省略してある。

【００１１】これらの数値を用いて計算した結果、図３
（ａ）に示したように、周波数応答特性では７ＧＨｚ近
傍でピーキングが生じ、さらに図３（ｂ）に示したよう
に、高周波反射特性が劣化することがわかった。

【００１２】また、評価用ステム１０への実装作業にお
いて、光半導体チップ１１及びチップコンデンサ３の光
半導体チップキャリア２１への半田付け、外付けの終端
抵抗５の誘電体基板４への半田付け、さらに、光半導体
チップキャリア２１の評価用ステム１０への半田付け、
及びワイヤボンディング等の作業があり、評価用ステム
への実装工程に時間を要する難点があった。評価用ステ
ム１０からボンディングワイヤを切断して外した後、光
モジュールへ実装する実装工程においても、同様の作業
が再度必要であり、時間を要する難点があった。ボンデ
ィングワイヤの接続及び切断箇所が多いと、作業中に傷
を付けたり、機械的ストレスが増加して、歩留まり低下
をきたす一つの原因ともなる。

【００１３】そこで、本発明の目的は、高周波特性を改
善した光半導体チップキャリアを提供することにある。
また、半田付けされる部品数を減らして実装時間を短縮
できる光半導体チップキャリアを提供することも目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】図１で示した従来の光半
導体チップキャリア２１の高周波特性の劣化は、ボンデ
ィングワイヤのインダクタンスと光半導体チップ１１の
奇生容量との共振が原因である。この対策として、ボン
ディングワイヤ長を短くしてインダクタンスを減少させ
ることが有効である。

【００１５】従って、前述した課題を解決するために、
本発明に係る光半導体チップキャリアは、例えば図６に
示すように光半導体チップの近傍まで高周波伝送線路を
形成しボンディングワイヤ長を短縮することができるよ
うに構成した。すなわち、本発明に係る光半導体チップ
キャリアは、高熱伝導性を有する導電性のベース基板
と、このベース基板上の一部に固着された誘電体基板と
からなり、この誘電体基板上には入力信号ラインとなる
高周波伝送線路とベース基板に電気的に接続可能な導電
性材料を含むスルーホール部を有する接地ラインと高周
波伝送線路の入力信号と高周波整合をとるための抵抗と
が少なくとも形成されていて、ベース基板上の誘電体基
板と隣接する位置に光半導体チップを固着して高周波伝
送線路と光半導体チップ間を最短距離でボンディングワ
イヤにより接続できるように構成したことを特徴とする
ものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係る光半導体チップキャ
リアの好適な実施の形態は、高熱伝導性を有するＳｉや
ＣｕＷなどからなる導電性のベース基板と、このベース
基板上の一部に半田付けなどで固着された誘電体基板と
から光半導体チップキャリアが構成され、この誘電体基
板上には入力信号ラインとなるマイクロストリップライ
ンで形成した高周波伝送線路とベース基板に電気的に接
続可能な導電性材料を含むスルーホール部、例えばメッ
キ処理されたスルーホール部を有する接地ラインと高周
波伝送線路の入力信号と高周波整合すなわちインピーダ
ンスマッチングをとるための５０Ωの終端抵抗とが少な
くとも形成されていて、ベース基板上の誘電体基板と隣
接する位置に光半導体チップを固着して高周波伝送線路
と光半導体チップ間をボンディングワイヤにより最短距
離で接続できるようにした構成の光半導体チップキャリ
アである。

【００１７】このように光半導体チップキャリアを、導
電性材料を用いたベース基板と、高周波伝送線路及びイ
ンピーダンスマッチング用の抵抗とを設けた誘電体基板
とから構成し、光半導体チップをベース基板上に高周波
伝送線路と隣接して固着できるようにした。これによ
り、高周波伝送線路とのボンディングワイヤ長を短くで
きる。それと同時に、寄生容量の低減及びワイヤボンデ
ィング箇所の低減が図れるので、高周波化及び実装工数
の低減を達成できる。

【００１８】

【実施例】次に、本発明に係る光半導体チップキャリア
の更に具体的な実施例につき、添付図面を参照しながら
以下詳細に説明する。

【００１９】＜実施例１＞図６は、本発明による光半導
体チップキャリアの一実施例を示す図であり、同図
（ａ）は光半導体チップやチップコンデンサ等を光半導
体チップキャリアに実装した状態の平面図、（ｂ）はそ
の側面図である。本実施例の光半導体チップキャリア６
０は、ベース基板２５と誘電体基板４１とで構成されて
いる。なお、図６には評価用ステムは示していない。

【００２０】本実施例では、光半導体チップとして、光
変調器１５２と半導体ＬＤ１５１を集積化した集積化光
源チップ１５を誘電体基板４１と最隣接する位置のベー
ス基板２５上に実装している。集積化光源チップ１５と
バイアス端子用のチップコンデンサ３は、ベース基板２
５上に半田付けしている。なお、本実施例で用いる集積
化光源チップ１５は、数Ｇビット／秒〜数十Ｇビット／
秒の高速変調を要求される長距離・大容量光伝送システ
ム等に適用可能な光源である。この集積化光源チップ１
５は、半導体ＬＤ１５１に直流バイアスを印加して常に
発光させておき、光変調器１５１に高周波信号を印加し
て高速変調した半導体ＬＤの出射光を取り出し、光ファ
イバ伝送に用いるものである。この場合、チップコンデ
ンサ３は、高周波成分をバイパスさせて直流バイアスを
安定化させるために設けてある。このような集積化光源
チップ１５は、半導体ＬＤを直接駆動電流によりオンオ
フして光ファイバ伝送する構成の場合に比べて、出射光
のスペクトルの広がりが抑えられ、長距離伝送に向いて
いる。

【００２１】本実施例の光半導体チップキャリア６０
は、ベース基板２５に高熱伝導性を有する導電性の基
板、例えば、Ｓｉ基板やＣｕＷ基板等を用いている。従
って、ベース基板２５の電位は、評価用ステムに半田付
けされて測定する場合、接地電位となる。このベース基
板２５に固着された誘電体基板４１上には、高周波線路
となる信号ライン２５１と接地ライン２５２とがマイク
ロストリップ線路で同一平面上に形成され、信号ライン
２５１と接地ライン２５２が非対称に配置された非対称
コープレーナ電極構造となるように形成されている。更
に、誘電体基板４１上には薄膜抵抗或いはチップ抵抗に
よる５０Ωの終端抵抗２５３も設けられている。接地ラ
イン２５２にはベース基板２５に達する内部がメッキ処
理されたスルーホール２５６が設けられており、これに
より接地ライン２５２はベース基板２５に電気的に接続
される。

【００２２】そして、信号ライン２５１と集積化光源チ
ップの変調器１５２との間、終端抵抗２５３と集積化光
源チップの変調器１５２との間、及び集積化光源チップ
の半導体ＬＤ１５１とチップコンデンサ３との間は、そ
れぞれをボンディングワイヤ７５１，７５２，７５３に
より電気的に接続している。

【００２３】このように構成される本実施例の光半導体
チップキャリア６０では、従来例のように、ボンディン
グパッド部２２を用いる代わりに、光半導体チップキャ
リア６０上の集積化光源チップ１５の近傍まで、高周波
伝送線路（すなわち信号ライン２５１）を形成してボン
ディングワイヤ長を短くしている。また、ベース基板２
５にはＳｉ、ＣｕＷ等の導電性の材料を用い、光半導体
チップキャリア６０に起因するインダクタンスや寄生容
量を無視できるまでに減少させている。従来例のチップ
キャリア２１の高周波特性の劣化は、ボンディングワイ
ヤのインダクタンスと光半導体チップの寄生容量との共
振が原因である。従って、本実施例の光半導体チップキ
ャリア６０はこの対策としてボンディングワイヤ長を短
くしてインダクタンスを減少させている。

【００２４】本実施例の光半導体チップキャリア６０の
等価回路を示せば、図７のようになる。但し、図７に示
した等価回路では直流バイアス系を除いてある。図７に
おいて、Ｚ０’は信号ライン２５１のインピーダンス、
Ｌ１’はボンディングワイヤ７５１のインダクタンス、
Ｌ２’はボンディングワイヤ７５２のインダクタンス、
Ｒｉｎ’は集積化光源チップ１５の変調器部１５２の内
部抵抗、Ｒｔ’は終端抵抗２５３の抵抗値、Ｃｍ’は集
積化光源チップ１５の変調器部１５２の容量である。こ
の等価回路を用いて、周波数応答特性と高周波反射特性
を数値計算により求めた結果が、図８の（ａ）及び
（ｂ）である。ここで、計算に使用した上記パラメータ
のそれぞれの値は、Ｚ０’＝５０Ω、Ｌ１’＝０．６ｎ
Ｈ、Ｌ２’＝０．７ｎＨ、Ｒｉｎ’＝１０Ω、Ｃｍ’＝
０．４ｐＦである。

【００２５】従来例の光半導体チップキャリア２１を用
いた場合の計算結果を示した図２と比較して、本実施例
の光半導体チップキャリア６０では周波数応答特性で約
４ＧＨｚ、高周波反射特性で約１５ｄＢ改善される。ま
た、従来例では評価用ステム側に設けた終端抵抗を、本
実施例では光半導体チップキャリア６０に内蔵させ、ベ
ース基板２５に導電性材料を用いたことにより、光半導
体チップキャリアの評価用ステムへの半田付け省略やワ
イヤボンディング回数を減少することができ、評価用ス
テムへの実装時間の短縮が図れる。同様に、ワイヤボン
ディング回数が減っただけ、光半導体チップキャリア６
０を評価用ステムから外して光モジュールへ組み込む場
合の実装時間も短縮する。

【００２６】本実施例の光半導体チップキャリア６０
は、信号ライン２５１と接地ライン２５２とが非対称コ
ープレーナ電極構造となっていて、出射角の大きな集積
化光源チップを用いる場合に好適である。評価用ステム
上の信号ラインと光半導体チップキャリアの信号ライン
２５１とを最短距離に配置してボンディングしても、出
射光を遮ることがないからである。例えば、図５に示し
たようにベース基板２５上に固着した誘電体基板４２に
形成する電極パターンとして、信号ライン２５２を並列
に挾むように接地ライン２５２ａ，２５２ｂを形成する
対称コープレーナ電極構造にすると、ボンディングワイ
長を短くするために、集積化光源チップ１４の実装位置
が光半導体チップキャリア６１のベース基板２５上の奧
の最隣接位置に半田付けされる。集積化光源チップ１４
が光出射角の大きな出射パターンを有するを場合、出射
光６の一部分がチップキャリア６１で遮られてしまう。
なお、図５は本発明に係る光半導体チップキャリアの平
面図であり、図６と同様の構成部分については同一の参
照符号を付してある。従って、図５に示した光半導体チ
ップキャリア６１は、光出射角の小さな出射パターンを
有する集積化光源チップを搭載する場合に適している。

【００２７】＜実施例２＞図４は、本発明による光半導
体チップキャリアの別の一実施例を示す図であり、同図
（ａ）は光半導体チップやチップコンデンサ等を光半導
体チップキャリアに実装して評価用ステムに搭載した状
態の平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ’線における断面図で
ある。

【００２８】本実施例の光半導体チップキャリア７０
は、導電性のベース基板２３とセラミックなどからなる
誘電体基板４２とで構成される。誘電体基板４２には、
マイクロストリップ線路からなる信号ライン２３１と、
これを挾むように両側に並行に接地ライン２３２，２３
４が設けられた対称コープレーナ電極構造を形成してい
る。更に、ボンディングパッド２３５と接地ライン２３
４との間には、薄膜抵抗による終端抵抗２３３が形成さ
れている。接地ライン２３２，２３４には、ベース基板
２３に達する内部がメッキ処理されたスルーホール２３
６が形成されていて、電気的にベース基板２３と接続さ
れている。信号ライン２３１は、評価用ステム１０に固
着された誘電体基板４上に形成された信号ライン４０１
と最短距離でボンディングワイヤ２６１により電気的に
接続されている。ベース基板２３上には、チップコンデ
ンサ３と、光半導体チップとしてマッハツェンダ型光変
調器を形成した光変調器チップ１３とが誘電体基板４２
に半田付けされ、信号ライン２３１と光変調器チップ１
３間、ボンディング電極部２３５と光変調器チップ１３
間、および光変調器チップ１３とチップコンデンサ３間
は、それぞれボンディングワイヤ２６２，２６３，２６
４により電気的に接続されている。また、ベース基板２
３上の誘電体基板４２の表面と、光変調器チップ１３の
表面、及びチップコンデンサ３の表面の高さがほぼ一致
するように、ベース基板２３の誘電体基板４２を半田付
けする部分の厚さは、少し薄くしてある。これにより、
ボンディングし易くなると共にボンディングワイヤ長も
その分だけ短くでき、インダクタンスが減少する。

【００２９】本実施例の光半導体チップキャリア７０も
前記実施例と同様に、終端抵抗を内蔵させ、ベース基板
２３に導電性材料を用いたことにより、光半導体チップ
キャリアの評価用ステムへの半田付け省略やワイヤボン
ディング回数を減少することができ、実装時間の短縮が
図れる。更に、光半導体チップキャリアに起因するイン
ダクタンスや寄生容量を無視できるまでに減少させてい
るので、前記実施例と同様に高周波特性の向上が図れ
た。また、対称コープレーナ電極構造としたことによ
り、信号ライン２３１に与えるノイズが低減される。

【００３０】＜実施例３＞図９は、本発明に係る光半導
体チップキャリアのまた別の実施例を示す図であり、同
図（ａ）は光半導体チップやチップコンデンサ等を光半
導体チップキャリアに実装した状態の平面図、（ｂ）は
その側面図である。

【００３１】本実施例の光半導体チップキャリア６２
は、導電性のベース基板２７と、誘電体基板４３とから
構成される。誘電体基板４３には、信号ライン２７１及
び接地ライン２７２と、終端抵抗２７３とが集積化され
ている。従って、図６に示した集積化光源チップ１５の
光変調器１５２と終端抵抗２７３の電極間のボンディン
グワイヤ７５２が省略できる。すなわち、本実施例では
図７に示した等価回路図において、ボンディングワイヤ
７５２に起因するインダクタンスＬ２’が無視できるこ
ととなり、高周波化とワイヤボンディング回数の低減と
を達成できる。

【００３２】なお、接地ライン２７２にはメッキ処理さ
れた複数個のスルーホール２５６が設けられているの
で、これにより光半導体チップキャリア６２を評価用ス
テムに搭載したときに接地ライン２７２は評価用ステム
と電気的に接続される。また、半導体ＬＤ１５１とチッ
プコンデンサ３間及び信号ライン２５１と光変調器１５
２間は、図６と同様に、それぞれボンディングワイヤ７
５３及び７５１により接続されている。

【００３３】以上、本発明の好適な実施例について説明
したが、本発明の精神を逸脱しない範囲内において種々
の設計変更をなし得ることは勿論である。例えば、実施
例では光半導体チップキャリア上に光半導体チップとチ
ップコンデンサとを搭載したが、半導体ＬＤチップだけ
を搭載する用途の場合にも適用できることは言うまでも
ない。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、光半導体チップキャリ
アをＳｉやＣｕＷといった高熱伝導性を有する導電性材
料を用いたベース基板と、信号ライン、接地ライン及び
終端抵抗を設けた誘電体基板とから構成することによ
り、光半導体チップキャリアに起因するインダクタンス
や寄生容量の低減及びボンディングワイヤ接続箇所の低
減が図れ、高周波化と評価用ステムへの実装工数及び光
モジュールへの実装工数の低減を達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光半導体チップキャリアを評価用ステム
に搭載した状態を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は平面図中に示したＡ−Ａ’線に沿った断面図で
ある。

【図２】図１に示した光半導体チップキャリアの等価回
路図である。

【図３】図２に示した等価回路により従来の光半導体チ
ップキャリアの高周波特性を計算した結果を示す図であ
り、（ａ）は周波数特性、（ｂ）は反射特性である。

【図４】本発明に係る光半導体チップキャリアを評価用
ステムに搭載した一実施例を示す図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は側面図である。

【図５】本発明に係る光半導体チップキャリアの別の実
施例を示す図であり、出射角の大きな発光素子を実装し
た場合の状態を模式的に示した平面図である。

【図６】本発明に係る光半導体チップキャリアのまた別
の実施例を示す集積化光源とチップコンデンサを実装し
た図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

【図７】図６に示した光半導体チップキャリアの等価回
路図である。

【図８】図７に示した等価回路により本発明の光半導体
チップキャリアの高周波特性を計算した結果を示す図で
あり、（ａ）は周波数特性、（ｂ）は反射特性である。

【図９】本発明に係る光半導体チップキャリアの更に別
の実施例を示す集積化光源とチップコンデンサを実装し
た図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

【符号の説明】

２ａ，２ｂ，２ｃ…マイクロストリップ線路、３…チッ
プコンデンサ、４，４１，４２…誘電体基板、６…出射
光、１０…評価用ステム、１１，１４，１５…集積化光
源チップ、１３…光変調器チップ、２１…光半導体チッ
プキャリア、２２，２３５…ボンディングパッド部、２
３，２５，２７…ベース基板、２６，２３６，２５６…
スルーホール、６０，６１，６２，７０…光半導体チッ
プキャリア、１５１…半導体ＬＤ、１５２…光変調器、
２３１，２５１，２５２，２７１，４０１…信号ライ
ン、２３２，２３４，２５２ａ，２５２ｂ，２７２…接
地ライン、２３３，２５３、２７３…終端抵抗、２６１
〜２６４…ボンディングワイヤ、７１１〜７１５…ボン
ディングワイヤ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青木雅博東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者井戸立身東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高熱伝導性を有する導電性のベース基板
と、該ベース基板上の一部に固着された誘電体基板とか
らなり、前記誘電体基板上には入力信号ラインとなる高周波伝送
線路と該ベース基板に電気的に接続可能な導電性材料を
含むスルーホール部を有する接地ラインと前記高周波伝
送線路の入力信号と高周波整合をとるための抵抗とが少
なくとも形成されていて、前記ベース基板上の誘電体基板と隣接する位置に光半導
体チップを固着して前記高周波伝送線路と光半導体チッ
プ間をボンディングワイヤにより接続できるように構成
したことを特徴とする光半導体チップキャリア。
【請求項２】前記ベース基板の導電材料は、Ｓｉまたは
ＣｕＷである請求項１記載の光半導体チップキャリア。
【請求項３】前記高周波伝送線路および接地ラインは、
マイクロストリップラインで形成してなる請求項１記載
の光半導体チップキャリア。
【請求項４】前記高周波伝送線路は、その両側に前記接
地ラインで挾まれるように隣接配置してなる請求項３記
載の光半導体チップキャリア。
【請求項５】前記高周波伝送線路は、前記ベース基板に
搭載する光半導体チップの出射光側と反対側の位置に前
記接地ラインを隣接配置してなる請求項３記載の光半導
体チップキャリア。
【請求項６】前記高周波整合をとるための抵抗は、前記
高周波伝送線路と接地ラインとの間に設けられた終端抵
抗である請求項１記載の光半導体チップキャリア。
【請求項７】前記光半導体チップは、半導体レーザダイ
オードと光変調器とが集積化された集積化光源である請
求項１記載の光半導体チップキャリア。
【請求項８】前記ベース基板は、前記誘電体基板の表面
と前記光半導体チップの表面の高さが略同一となるよう
に、誘電体基板を固着する部分の厚さが、光半導体チッ
プを搭載する部分の厚さよりも薄く形成されてなる請求
項１記載の光半導体チップキャリア。