JP4679243B2 - マスク作成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
トライトーン領域42:Tri-tone=Xa,Yb,Xb,Yc
トライトーン領域43:Tri-tone=Xc,Yb,Xd,Yc
トライトーン領域44:Tri-tone=Xa,Yc,Xd,Yd
次に、このような検査制御情報が付与されたマスクパターンデータおよび図1に示したマスク欠陥検査装置を用いたマスク検査工程を含むマスク作成方法について説明する。
次に、描画・検査用データに基づいて、ガラス基板等の透明基板上に遮光パターンおよび半透明パターンを含むマスクパターンを作成する(ステップS5)。
Claims (5)
- 複数のパターン領域を含むマスクの設計データを用意する工程であって、前記複数のパターン領域がそれぞれ同一の繰り返しパターンを含む、前記設計データを用意する工程と、
前記設計データに基づいて前記マスクのマスクパターンデータを生成する工程と、
前記マスクパターンデータに基づいて前記マスク上の欠陥の検査を制御するための検査制御情報を生成する工程であって、前記検査制御情報が前記複数のパターン領域の位置情報および前記繰り返しパターンの検査感度情報を含む、前記検査制御情報を生成する工程と、
前記マスクパターンデータに前記検査制御情報を付与する工程と、
前記検査制御情報を付与した前記マスクパターンデータに基づいて、前記マスクのマスクパターンを形成する工程と、
前記検査制御情報を付与した前記マスクパターンデータに基づいて、前記マスクパターンを検査する工程であって、前記複数のパターン領域の前記位置情報に基づいて、前記マスクパターンの中から、前記複数のパターン領域内の前記繰り返しパターンに対応した部分を選択し、この選択した部分を前記検査感度情報に対応した検査感度でDie-to-Die比較方式により検査し、前記マスクパターンのうち前記複数のパターン領域と異なる部分をDie-to-Database比較方式により検査する前記工程と
を含むことを特徴とするマスク作成方法。 - 前記Die-to-Die比較方式および前記Die-to-Database比較方式により前記マスクパターンを検査する工程は、同一のマスク欠陥検査装置により行うことを特徴とする請求項1に記載のマスク作成方法。
- 前記マスクパターンを前記Die-to-Die比較方式により検査する際の検査感度は、前記マスクパターンを前記Die-to-Database比較方式により検査する際の検査感度よりも高いことを特徴とする請求項1または2に記載のマスク作成方法。
- 前記マスクは、光を透過する透明基板、該透明基板上に設けられ、前記光を遮光する遮光パターン、および、該遮光パターンの一部分を含む領域上に設けられ、前記光の一部を透過する半透明パターンを備え、
前記検査制御情報は、前記マスクパターンデータに基づいて、前記透明基板と前記遮光パターンと前記半透明パターンとが積層されてなる積層構造部を含む領域の位置情報および前記積層構造部をDie-to-Database比較方式により検査する際の検査感度情報を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のマスク作成方法。 - 半導体基板を含む基板上にレジストを塗布する工程と、
前記基板の上方に、請求項1ないし4のいずれか1項に記載のマスク作成方法により作成されたマスクを配置し、前記マスクを介して前記レジストに光または荷電ビームを照射した後、前記レジストを現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングして、パターンを形成する工程と
を有することを特徴する半導体装置の製造方法。
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