JP2005049611A - マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラム - Google Patents
マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005049611A JP2005049611A JP2003281492A JP2003281492A JP2005049611A JP 2005049611 A JP2005049611 A JP 2005049611A JP 2003281492 A JP2003281492 A JP 2003281492A JP 2003281492 A JP2003281492 A JP 2003281492A JP 2005049611 A JP2005049611 A JP 2005049611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- pattern
- mask
- area
- defect inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【課題】露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するのにあたり、マスクパターンの特徴部分を抽出分類することで、作業者の手作業を要することなく自動的にその露光用マスク上を領域分割し得るようにし、これにより検査効率やその信頼性の向上等が図れるようにする。
【解決手段】露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するマスク欠陥検査装置を、前記露光用マスク上を所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに領域分割する領域分割手段11と、複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いて前記パターン欠陥の検査を行う欠陥検査手段12と、各領域と前記検査基準との対応関係情報に基づいて各領域別に前記検査基準を切り替えるよう前記欠陥検査手段12に指示を与える基準指示手段13とを備えて構成する。
【選択図】図2
【解決手段】露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するマスク欠陥検査装置を、前記露光用マスク上を所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに領域分割する領域分割手段11と、複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いて前記パターン欠陥の検査を行う欠陥検査手段12と、各領域と前記検査基準との対応関係情報に基づいて各領域別に前記検査基準を切り替えるよう前記欠陥検査手段12に指示を与える基準指示手段13とを備えて構成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置製造プロセスのリソグラフィ工程にて用いられる露光用マスクについてのマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラムに関する。
一般に、半導体装置製造プロセスは、露光用マスクを用いて被露光体であるウエハ基板上に所望の回路パターンを転写するリソグラフィ工程を含んでいる。このリソグラフィ工程で形成される回路パターンは、露光用マスク上に形成されたマスクパターンによってその形状が特定される。したがって、所望する通りの回路パターンを得るためには、露光用マスク上に所望通りのマスクパターンが形成されているか否か、すなわち露光用マスクにパターン欠陥があるか否かを事前に検査し、リソグラフィ工程で用いる際に無欠陥の状態にしておくことが必要である。このようなパターン欠陥の検査としては、例えば、その露光用マスク上における検査領域を、必要とされる検査感度別に領域分割し、各領域について好適な検査感度を適用することで、検査感度調整の際に全検査領域の検査感度向上を図る、といったものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、従来、各領域別の検査感度を適用してパターン欠陥を検査するためには、作業者の手作業による領域分割および各領域別の検査感度の設定が必要となってしまう。特に、領域分割については、例えば特許文献1においてもその手法や基準等が示されておらず、通常は作業者がマスクパターンの形状またはその基となる設計データの内容から適宜判断して行うのが一般的である。したがって、パターン欠陥の検査にあたっては、繁雑な作業が必要になるため、検査効率という観点からは必ずしも好適であるとはいえず、検査スループットの低下を招く要因となってしまうおそれがある。また、領域分割および検査感度設定を作業者の手作業に委ねていたのでは、誤って領域分割や検査感度設定等が行われる可能性もあることから、必ずしも検査感度向上が図れるとは限らず、却って欠陥検査の信頼性低下を招いてしまうおそれもある。
その一方で、露光用マスク上に形成されるマスクパターンには、種々の特徴を有したパターン構成要素が含まれている。例えば、ゲート線を形成するためのパターン構成要素では、近年の半導体装置の微細化に伴い、要求されるパターン線幅も微細化の一途を辿っている。また、例えば、ホール部を形成するためのパターン構成要素では、良好な通電状態を確保するために、その形状そのものよりも透過光量または透過荷電粒子線量、すなわちパターン面積のほうが重視されることが多い。これらのことから、露光用マスク上のマスクパターンに対しては、そのマスクパターンの特徴部分毎に、それぞれに適した検査アルゴリズムや検査感度(精度)等を用いてパターン欠陥の検査を行うべきである。
そこで、本発明は、露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するのにあたり、マスクパターンの特徴部分を抽出分類することで、作業者の手作業を要することなく自動的にその露光用マスク上を領域分割し得るようにし、これにより検査効率やその信頼性の向上等が図れるマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラムを提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク欠陥検査装置である。すなわち、露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、前記露光用マスクに形成されるマスクパターンのパターン構成要素が所定条件に合致するか否かを判断し、当該所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに前記露光用マスク上を領域分割する領域分割手段と、予め設定された複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いて前記パターン欠陥の検査を行う欠陥検査手段と、前記所定条件を用いて分割される各領域と前記複数種類の検査基準との対応関係情報を記憶保持するとともに、前記対応関係情報に基づいて前記領域分割手段が分割した領域別に前記検査基準を切り替えるよう前記欠陥検査手段に指示を与える基準指示手段とを備えることを特徴とするものである。
また、本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク欠陥検査プログラムである。すなわち、露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査プログラムであって、コンピュータを、前記露光用マスクに形成されるマスクパターンのパターン構成要素が所定条件に合致するか否かを判断し、当該所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに前記露光用マスク上を領域分割する領域分割手段と、予め設定された複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いて前記パターン欠陥の検査を行う欠陥検査手段と、前記所定条件を用いて分割される各領域と前記複数種類の検査基準との対応関係情報を記憶保持するとともに、前記対応関係情報に基づいて前記領域分割手段が分割した領域別に前記検査基準を切り替えるよう前記欠陥検査手段に指示を与える基準指示手段として機能させることを特徴とするものである。
上記構成のマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラムによれば、検査対象となる露光用マスクについて、領域分割手段が、そのマスクパターンのパターン構成要素が所定条件に合致するか否かを判断する。所定条件としては、各パターン構成要素の特徴を判別し得るもの、例えばゲート線形成用とホール部形成用とを判別し得るものが、予め設定されているものとする。そして、領域分割手段は、その所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに露光用マスク上を領域分割する。つまり、検査対象となる露光用マスク上のマスクパターンは、領域分割手段によって、その特徴部分別に領域分割されることになる。このとき、領域分割手段は、複数種類の所定条件に基づいて領域分割を行ってもよい。例えば、二種類の所定条件を基にした場合であれば、露光用マスク上が少なくとも三種に領域分割されることになる。
領域分割手段が領域分割を行うと、欠陥検査手段は、その領域分割された露光用マスクについて、複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いてパターン欠陥の検査を行う。ただし、このとき、欠陥検査手段は、基準指示手段からの指示に従い、分割領域別に検査基準を切り替えてパターン欠陥の検査を行う。ここで、検査基準とは、パターン欠陥の検査を行う際の基準となるもの、例えば検査アルゴリズムや検査感度等のことをいう。したがって、欠陥検査手段は、露光用マスク上におけるマスクパターンの特徴部分別に、その特徴部分に最も適した検査基準を適用して、その露光用マスクに対するパターン欠陥の検査を行い得るようになる。
領域分割手段が領域分割を行うと、欠陥検査手段は、その領域分割された露光用マスクについて、複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いてパターン欠陥の検査を行う。ただし、このとき、欠陥検査手段は、基準指示手段からの指示に従い、分割領域別に検査基準を切り替えてパターン欠陥の検査を行う。ここで、検査基準とは、パターン欠陥の検査を行う際の基準となるもの、例えば検査アルゴリズムや検査感度等のことをいう。したがって、欠陥検査手段は、露光用マスク上におけるマスクパターンの特徴部分別に、その特徴部分に最も適した検査基準を適用して、その露光用マスクに対するパターン欠陥の検査を行い得るようになる。
本発明に係るマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラムによれば、露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するのにあたり、マスクパターンの特徴部分を抽出分類することで、作業者の手作業を要することなく自動的にその露光用マスク上を領域分割し得るようにし、各領域別に検査条件の選択を切り替え得るようにしているので、繁雑な作業を要することなく効率的な欠陥検査が行えるようになり、検査スループットの向上が期待できる。しかも、領域分割や検査感度設定等の人為的な過誤も回避し得るので、欠陥検査の信頼性向上が図れるようにもなる。
以下、図面に基づき本発明に係るマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラムについて説明する。
先ず、本発明に係るマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラムの説明に先立ち、そのマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラムでの検査対象となる露光用マスクについて説明する。ここでは、電子線等倍近接露光で使用される露光用マスクを例に挙げて説明する。電子線等倍近接露光とは、例えばLEEPL(Low Energy E-beam Proximity Projection Lithography)技術として広く知られているように、露光用マスクと被露光物であるウエハ基板とを近接させ、その露光用マスクに設けられた開口を透過した荷電粒子線により、ウエハ基板上への回路パターンの転写を行う露光技術である。
図1は、電子線等倍近接露光で使用される露光用マスクの構成例を示す説明面である。電子線等倍近接露光で用いられる露光用マスクとしては、メンブレン1aを梁1bで支えた構造の透過型のステンシルマスク1が知られている。メンブレン1aには、転写すべき回路パターンに対応した形状の開口(この開口のパターンが「マスクパターン」となる)が形成される。また、梁1bは、マスク補強のためのストラット(Strut)として機能する。なお、メンブレン1aの材質は、Si、SiN、SiC、SiO2、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボンのいずれか、またはこれらを組み合わせたものが用いられる。
メンブレン1a上のマスクパターンは、転写すべき回路パターンについての設計データ(回路パターンの形状についての図形データ)に基づいて形成される。ただし、その形成は、周知のようにリソグラフィ技術(露光およびエッチング処理等)を用いて行われる。そのため、特にパターンの微細化が進む近年では、設計データをそのまま用いてマスクパターンを形成するのではなく、その設計データに対してOPC(Optical Proximity effect Correction;光近接効果補正)等を施して、マスクパターンを形成するための描画用データを得て、その描画用データを用いてマスクパターンの形成を行うことが一般的である。
次に、以上のようなステンシルマスク1に対して、そのマスクパターンのパターン欠陥を検査するマスク欠陥検査装置の概略構成について説明する。図2は、本発明に係るマスク欠陥検査装置の概略構成の一例を示すブロック図である。図例のように、ここで説明するマスク欠陥検査装置10は、少なくとも、領域分割部11と、欠陥検査部12と、基準指示部13とを備えて構成されている。
領域分割部11は、検査対象となるステンシルマスク1について、そのステンシルマスク1に形成されるマスクパターンのパターン構成要素が所定条件に合致するか否かを判断し、所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とにステンシルマスク1上を領域分割するものである。さらに詳しくは、そのステンシルマスク1にマスクパターンを形成するための描画用データから、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素を抽出し、そのパターン構成要素が属する領域とそれ以外とにステンシルマスク1上を領域分割するものである。つまり、領域分割部11では、詳細を後述する配置の繰り返し性に関する条件が、マスクパターンのパターン構成要素の特徴を判別するための所定条件として設定されている。なお、ここでは、領域分割のための所定条件として、配置の繰り返し性に関する条件を例に挙げたが、パターン構成要素の特徴を判別し得るものであれば他の条件であってもよい。また、設定されている条件は、必ずしも一種類のみである必要はなく、二種類以上が所定条件として設定されていてもよい。所定条件が一種類のみであれば、領域分割部11は、ステンシルマスク1上を二種の領域に分割することになるが、例えば二種類の所定条件を基にした場合であれば、ステンシルマスク1上を少なくとも三種の領域に分割することになる。
欠陥検査部12は、検査対象となるステンシルマスク1について、そのステンシルマスク1上のマスクパターンにパターン欠陥があるか否かを検査するものである。欠陥検査部12では、その検査を、ステンシルマスク1上に形成されたマスクパターンを撮像し、あるいはマスクパターンを撮像する装置からその撮像結果を得て、それと描画用データとを比較し、それぞれの対応箇所が合致するか否かを判断することによって行う。ただし、その際に、欠陥検査部12は、予め設定された複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いてその検査を行い得るとともに、領域分割部11が分割した領域別にその検査基準を切り替え得るようになっている。ここで、検査基準とは、パターン欠陥の検査を行う際の基準となるものをいい、例えばパターン欠陥の検査を行う際に用いる検査アルゴリズムがこれに該当する。その場合において、複数種類の検査アルゴリズムのうちの一つは、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素の検査に適したもの、具体的にはホール部等の検査に適したようにパターン構成要素の面積を重視した検査アルゴリズムであるものとする。なお、ここでは、検査基準として検査アルゴリズムを例に挙げたが、パターン欠陥の検査の際に基準として用いられるものであれば、検査感度やそのパラーメータ等、他の基準であってもよい。
基準指示部13は、欠陥検査部12における検査アルゴリズム(検査基準)の選択切り替えを制御するためのものである。すなわち、基準指示部13では、領域分割のための所定条件を用いて分割される各領域と欠陥検査部12が用いる複数種類の検査アルゴリズムとの対応関係に関する情報(以下「対応関係情報」という)を、例えばテーブル形式で記憶保持しているとともに、その対応関係情報に基づいて領域分割部11が分割した領域別に検査アルゴリズムを切り替えるよう欠陥検査部12に指示を与えるようになっている。この基準指示部13からの指示により、欠陥検査部12は、どの領域のときにどの検査アルゴリズムを用いればよいかがわかるようになる。
ところで、これらの各部11〜13は、その機能をコンピュータ上で実現することが考えられる。つまり、これらの各部11〜13が実現する各機能は、露光用マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査プログラムというソフトウエアが、コンピュータというハードウエア資源を用いて情報処理を行うことによって、具体的に実現することも可能である。この場合、マスク欠陥検査プログラムは、コンピュータ内にインストールされているのではなく、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであっても、または有線若しくは無線による通信手段を介して配信されるものであってもよい。つまり、以上に説明したマスク欠陥検査装置10は、コンピュータをマスク欠陥検査装置として機能させるためのマスク欠陥検査プログラムによっても実現することが可能である。
次に、以上のようなマスク欠陥検査装置10を用いて、ステンシルマスク1におけるパターン欠陥を検査する場合の処理手順について説明する。図3は本発明に係るマスク欠陥検査装置によるパターン欠陥の検査手順の一例を示すフローチャートであり、図4および図5はそのときに行われる図形処理の具体例を示す説明図である。なお、ここでは、説明の簡便化を図るため、領域分割のための所定条件として、配置の繰り返し性に関する一つの条件のみが設定されており、その条件に応じて分割された領域別の検査基準として、各領域に適した検査アルゴリズムを選択的に用いる場合を例に挙げて説明する。
パターン欠陥の検査を行う場合には、図3に示すように、先ず、検査対象となるステンシルマスク1上に形成されるマスクパターンについて、その描画用データをマスク欠陥検査装置10へ入力し、そのマスク欠陥検査装置10に検査用データを生成させる(ステップ101、以下ステップを「S」と略す)。検査用データとは、実際にステンシルマスク1上に描画されているマスクパターンと一致するもの、すなわち描画用データと略同等のもので、マスク欠陥検査装置10内での処理、例えば領域分割部11による領域分割処理に用いるためのデータである。この検査用データは、例えば描画用データの再構築を領域分割部11に行わせることによって生成することが考えられる。
このとき、マスクパターンの設計データではなく、描画用データを基にするのは、以下に述べる理由によるためである。例えば、ステンシルマスク1上を領域分割するのにあたっては、描画用データ生成前の設計データを用いて行うことも考えられる。ところが、設計データを用いると、描画用データの生成時に行われるデータ演算処理やOPC処理が反映されていないため、実際のステンシルマスク1上のマスクパターンとは合致しない領域分割してしまうおそれがある。したがって、設計データを基にしたのでは、パターン欠陥の検査精度向上等を図る上で必ずしも好ましいとはいえない。よって、検査用データの生成は、描画用データを基にして行うのである。
検査用データの生成後は、続いて、マスク欠陥検査装置10では、領域分割部11がその検査用データを用いて領域分割のための処理を開始する。先ず、領域分割部11は、検査用データから、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素を抽出する(S102)。
配置の繰り返し性有無の判定は、次に述べるようにして行えばよい。領域分割部11は、例えば図4に示すように、検査用データにおけるパターン構成要素21,22のそれぞれについて、その外接矩形23,24を求め、その外接矩形23,24における辺の長さを認識する。そして、辺の長さが同一である外接矩形23,24が予め定められた個数(閾値)を超える数だけ配置されていると、その外接矩形23,24に囲まれたパターン構成要素21,22は、配置に繰り返し性があると判断する。
このようにして、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素を抽出したら、領域分割部11は、次いで、その繰り返し性のあるパターン構成要素によって構成される配置領域を求める(S103)。
領域を求めるにあたっては、次に述べるようにして行えばよい。領域分割部11は、例えば図5に示すように、繰り返し性のあるパターン構成要素25のそれぞれについて、その重心位置26を求める。重心位置26は、上述した外接矩形を利用して近似的に求めると、簡便かつ迅速に求めることが可能となる。重心位置26を求めた後は、各パターン構成要素25における重心位置26同士間の距離を算出し、重心位置26間のピッチPx,Pyを求める。ピッチPx,Pyを求めた後は、重心位置26同士間のx方向およびY方向の距離Dx,Dyを測定し、その距離Dx,DyがそれぞれピッチPx,Pyと一致しているか否かを判定する。その結果、それぞれが互いに一致していれば、領域分割部11は、その一致する領域を、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素25の配置領域とみなす。具体的には、その一致する領域におけるパターン構成要素25の重心位置26を結んだ領域27を、その上下左右にパターン構成要素25の辺の長さOx,Oy(外接矩形の辺の長さで代用しても構わない)の半分の値だけ延長した領域28を求め、その領域28を、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素25によって構成される領域とする。
配置に繰り返し性のあるパターン構成要素の配置領域を特定した後は、領域分割部11では、次いで、その配置領域内に、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素以外のパターン構成要素が存在するか否かを調べる(S104)。このときも、先に述べた繰り返し性の判断の場合と同様に、外接矩形の辺長を指標として用いればよい。
その結果、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素以外のパターン構成要素が存在していなければ、その配置領域は、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素のみによって構成されていることになる。これを受けて、基準指示部13は、既に記憶保持している対応関係情報に基づいて、その配置領域に適用する検査アルゴリズムを決定する(S105)。例えば、基準指示部13では、領域分割部11が求めた外接矩形の辺長Ox,Oyを用いて、その配置領域28を構成するパターン構成要素25のサイズおよび形状を類推し、そのサイズおよび形状に好適な検査アルゴリズムを、対応関係情報として記憶保持されている中から選び出す。具体的には、辺長Ox=辺長Oyであれば、そのパターン構成要素25はホール部を形成するためのものと判断できるので、ホール部の形成に好適な検査アルゴリズム、例えば検査用透過光または透過荷電粒子のエネルギー量を欠陥判別の指標とするアルゴリズムを用いるように決定する。
一方、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素以外のパターン構成要素が存在している場合には、その配置領域には、配置に繰り返し性のないパターン構成要素も含まれていることになる。これを受けて、基準指示部13は、既に記憶保持している対応関係情報に基づいて、その配置領域に適用する検査アルゴリズムを決定する(S106)。例えば、基準指示部13では、一般にデフォルトとして用いられる検査アルゴリズム、具体的にはゲート線等の形成に好適な検査アルゴリズムであり、パターン構成要素の形状自体を欠陥判別の指標とするアルゴリズムを用いるように決定する。
このような検査アルゴリズムの決定は、各領域と検査アルゴリズムとの対応関係、さらに詳しくはその領域に属するパターン構成要素サイズおよび形状と検査アルゴリズムとの対応関係を規定するための対応関係情報を、基準指示部13内に事前に設定しておくことによって行うことが可能である。
その後は、決定した検査アルゴリズムが、その検査アルゴリズムが適用される配置領域の位置座標とともに、基準指示部13から欠陥検査部12へ指示される。この指示を受けて、欠陥検査部12は、基準指示部13が決定した検査アルゴリズムを用いて、領域分割部11が特定した配置領域に対するパターン欠陥の検査を行うことになる(S107)。このとき、欠陥検査部12は、繰り返し性のあるパターン構成要素以外の配置領域を一旦検査(検査のための走査を含む。以下同様とする。)した後、検査アルゴリズムを切り替え、繰り返し性のあるパターン構成要素のみからなる配置領域の検査を行ってもよいし、各配置領域についての検査を、その都度検査アルゴリズムを切り替えつつ、同時に行ってもよい。いずれにしても、欠陥検査部12は、検査対象となる配置領域が替わると、欠陥検査部12は、基準指示部13からの指示に従いつつ、用いる検査アルゴリズムの切り替えを行う。なお、この欠陥検査部12によるパターン欠陥の検査自体については、公知技術をそのまま適用したものであるため、ここではその説明を省略する。
以上のように、本実施形態で説明したマスク欠陥検査装置10、およびこれと同様の機能を実現するマスク欠陥検査プログラムでは、検査対象となるステンシルマスク1についてのパターン欠陥を検査するのにあたり、そのステンシルマスク1に形成されるマスクパターンの特徴部分を抽出分類することで、作業者の手作業等を一切要することなく、自動的にそのステンシルマスク1上を領域分割し得るようにし、事前に記憶保持している対応関係情報を基に、各領域別に検査アルゴリズムの選択を切り替えるようになっている。したがって、本実施形態のマスク欠陥検査装置10およびマスク欠陥検査プログラムによれば、ステンシルマスク1上におけるマスクパターンの特徴部分別に、その特徴部分に最も適した検査アルゴリズムを適用して、そのステンシルマスク1に対するパターン欠陥の検査を行い得るので、その検査効率やその信頼性の向上等が図れるようになる。
特に、本実施形態で説明したように、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素に着目し、そのパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに領域分割をすれば、例えば半導体装置の回路パターンにおけるゲート線とホール部を切り分けるといった領域分割が可能となり、各領域別に形状重視の検査アルゴリズムと透過光または透過荷電粒子線量重視の検査アルゴリズムと使い分けられるようになる。したがって、半導体装置の微細化がより一層進展する場合であっても、各領域別に検査アルゴリズムと使い分けることで、検査効率の向上と検査の信頼性向上という相反する事項を両立させ得るようになる。
しかも、本実施形態で説明したように、検査領域の抽出を描画用データから導出するようにすれば、設計データから検査領域を抽出する場合に比べ、検査条件の設定がより高精度に行える。なぜならば、実際にステンシルマスク1上に形成されているマスクパターンについて、検査条件を指定できるためである。
なお、当然のことではあるが、本実施形態は本発明の好適な一実施具体例に過ぎず、本発明がこれに限定されるものでないことは勿論である。例えば、本実施形態では、電子線等倍近接露光で使用されるステンシルマスク1について本発明による欠陥検査を行う場合を例に挙げたが、電子線等倍近接露光以外で使用されるものであっても全く同様に本発明を適用することは可能である。
また、本実施形態では、領域分割のための所定条件としてパターン繰り返し性に着目した場合を例に挙げて説明したが、必ずしもこれに限定されず、領域分割を他の条件に基づいて行ってもよいことはいうまでもない。
さらに、本実施形態では、領域別に選択する検査基準が検査アルゴリズムである場合を例に挙げたが、パターン構成要素の種類やサイズ毎等に最適な検査を可能にするものであれば、他の検査基準、例えば欠陥検出感度を選択するようにしても構わない。さらにまた、選択する検査基準には、次に述べるようなものも考えられる。例えば、配置に繰り返し性のあるパターン構成要素によって構成される領域が複数抽出され、かつ、その領域の面積が互いに同一の場合に、それらの領域の欠陥検査に好適な検査アルゴリズムの他に、その検査手法をも選択するというものである。具体的には、ホール部等によって構成される領域には、その領域をそれぞれ単一のセルとみなしてセル比較検査を行い、他の領域に関してはデータ比較検査を行うといった具合である。
1…ステンシルマスク、1a…メンブレン、1b…梁、10…マスク欠陥検査装置、11…領域分割部、12…欠陥検査部、13…基準指示部、21,22,25…パターン構成要素、23,24…外接矩形、26…重心位置、27,28…領域
Claims (4)
- 露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記露光用マスクに形成されるマスクパターンのパターン構成要素が所定条件に合致するか否かを判断し、当該所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに前記露光用マスク上を領域分割する領域分割手段と、
予め設定された複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いて前記パターン欠陥の検査を行う欠陥検査手段と、
前記所定条件を用いて分割される各領域と前記複数種類の検査基準との対応関係情報を記憶保持するとともに、前記対応関係情報に基づいて前記領域分割手段が分割した領域別に前記検査基準を切り替えるよう前記欠陥検査手段に指示を与える基準指示手段と
を備えることを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 前記領域分割手段は、前記マスクパターンを形成するための描画用データから配置に繰り返し性のあるパターン構成要素を抽出し、当該パターン構成要素が属する領域とそれ以外とに前記露光用マスク上を領域分割するものであり、
前記欠陥検査手段は、前記検査基準として複数種類の検査アルゴリズムのいずれかを選択するとともに、当該検査アルゴリズムのうちの一つが配置に繰り返し性のあるパターン構成要素の検査に適したものである
ことを特徴とする請求項1記載のマスク欠陥検査装置。 - 露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査プログラムであって、
コンピュータを、
前記露光用マスクに形成されるマスクパターンのパターン構成要素が所定条件に合致するか否かを判断し、当該所定条件に合致するパターン構成要素が属する領域とそれ以外とに前記露光用マスク上を領域分割する領域分割手段と、
予め設定された複数種類の検査基準のいずれかを選択的に用いて前記パターン欠陥の検査を行う欠陥検査手段と、
前記所定条件を用いて分割される各領域と前記複数種類の検査基準との対応関係情報を記憶保持するとともに、前記対応関係情報に基づいて前記領域分割手段が分割した領域別に前記検査基準を切り替えるよう前記欠陥検査手段に指示を与える基準指示手段
として機能させることを特徴とするマスク欠陥検査プログラム。 - 前記領域分割手段は、前記マスクパターンを形成するための描画用データから配置に繰り返し性のあるパターン構成要素を抽出し、当該パターン構成要素が属する領域とそれ以外とに前記露光用マスク上を領域分割するものであり、
前記欠陥検査手段は、前記検査基準として複数種類の検査アルゴリズムのいずれかを選択するとともに、当該検査アルゴリズムのうちの一つが配置に繰り返し性のあるパターン構成要素の検査に適したものである
ことを特徴とする請求項3記載のマスク欠陥検査プログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003281492A JP2005049611A (ja) | 2003-07-29 | 2003-07-29 | マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003281492A JP2005049611A (ja) | 2003-07-29 | 2003-07-29 | マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005049611A true JP2005049611A (ja) | 2005-02-24 |
Family
ID=34266978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003281492A Pending JP2005049611A (ja) | 2003-07-29 | 2003-07-29 | マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005049611A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006330269A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | マスク作成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2014515859A (ja) * | 2011-04-26 | 2014-07-03 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | データベース駆動型のセルツーセルレチクル検査 |
JP2016021004A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
CN107229182A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | Hoya株式会社 | 图案修正方法、光掩模及其制造方法以及修正膜形成装置 |
-
2003
- 2003-07-29 JP JP2003281492A patent/JP2005049611A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006330269A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | マスク作成方法および半導体装置の製造方法 |
JP4679243B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | マスク作成方法および半導体装置の製造方法 |
US8036446B2 (en) | 2005-05-25 | 2011-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor mask inspection using die-to-die and die-to-database comparisons |
JP2014515859A (ja) * | 2011-04-26 | 2014-07-03 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | データベース駆動型のセルツーセルレチクル検査 |
JP2016021004A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
CN107229182A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | Hoya株式会社 | 图案修正方法、光掩模及其制造方法以及修正膜形成装置 |
CN107229182B (zh) * | 2016-03-25 | 2021-02-09 | Hoya株式会社 | 图案修正方法、光掩模及其制造方法以及修正膜形成装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4791267B2 (ja) | 欠陥検査システム | |
TWI517210B (zh) | Pattern evaluation method and pattern evaluation device | |
JP4199939B2 (ja) | 半導体検査システム | |
KR102443815B1 (ko) | 대량의 패턴 서칭을 위한 검사와 디자인 간의 드리프트의 자동 보정 시스템 및 방법 | |
US8994815B2 (en) | Method of extracting contour lines of image data obtained by means of charged particle beam device, and contour line extraction device | |
US20070250805A1 (en) | System and method for examining mask pattern fidelity | |
JP6637375B2 (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
JP5433631B2 (ja) | 半導体デバイスの欠陥検査方法およびそのシステム | |
JP4512395B2 (ja) | 露光プロセスモニタ方法及びその装置 | |
JP2008147143A (ja) | Sem装置又はsemシステムにおける撮像レシピ生成方法及び計測レシピ生成方法並びにsem装置又はsemシステム | |
WO2013046843A1 (ja) | 画像分類支援を行う荷電粒子線装置 | |
JP2015508513A (ja) | データベース支援再適格性レチクル検査の方法および装置 | |
JP4860294B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
JP7281547B2 (ja) | プロセス制御のためのインダイメトロロジ方法及びシステム | |
JP2007005818A (ja) | パターンマッチング方法及び装置 | |
JP2005049611A (ja) | マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査プログラム | |
KR102392057B1 (ko) | 자동 결함 분류 방법 | |
JP6906044B2 (ja) | 感度改善およびニューサンス抑制のため、論理的およびホットスポット検査でzレイヤコンテキストを使用するシステムおよび方法 | |
JP4262288B2 (ja) | パターンマッチング方法及び装置 | |
US8223403B2 (en) | Inspection apparatus, inspection method and manufacturing method of mask for exposure, and mask for exposure | |
US7441226B2 (en) | Method, system, apparatus and program for programming defect data for evaluation of reticle inspection apparatus | |
JP6513982B2 (ja) | 欠陥検査装置並びに欠陥検査装置の管理方法及び管理装置 | |
JP4388045B2 (ja) | パターン検査方法 | |
JP5039594B2 (ja) | レビュー装置,検査領域設定支援システム、および、欠陥の画像得方法 | |
JP2005134347A (ja) | レチクル検査装置及びレチクル検査方法 |