JP5278783B1 - 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】擬似欠陥の発生を防ぐことができ、高感度で欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラムを提供することができる。
【解決手段】本発明の一態様にかかる欠陥検査装置は、光源１と、試料１３の照明された領域からの光を受光する検出器１７と、複数の単位検査領域を順番に検査するために、光源１１からの光と試料との相対位置を変化させるステージ１２と、ステージ１２での走査に応じて、検出器１７から出力される検出信号をしきい値と比較する比較部７１と、複数の単位検査領域を順番に検査する際に、複数の単位検査領域における共通の位置をマスクするために、共通の位置をマスク位置として設定するマスク位置設定部７３と、マスク位置以外における、比較手段の比較結果に基づいて欠陥を検出する欠陥検出手段と、を備えた欠陥検査装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラムに関し、特に詳しくは、試料からの光を受光して欠陥を検出する欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラムに関する。

特許文献１には、パターンを撮影するカメラを用いて、半導体集積回路の欠陥を検出する欠陥検査装置が開示されている。この欠陥検査装置では、撮影した画像を比較することで、欠陥を検出している（段落００３０）。さらに、特許文献１の方法では、擬似欠陥が発生しやすい領域以外の領域のみが表示される画像に基づいて、欠陥を検出している。擬似欠陥が発生しやすい領域は、試料の回路パターン（配線パターン）に応じて決定されている。

例えば、配線の上で成長した結晶粒によって生じた凹凸のコントラスト差による色ムラのために、複数の実欠陥が発生しているように見える擬似欠陥が発生している。このような擬似欠陥の発生を防ぐため、反射光の強度が所定の閾値以上になる領域を擬似欠陥発生領域としている（段落００３９）。

特開２００５−２１７０６０号公報

特許文献１では、試料のパターンに応じた位置によって、擬似欠陥発生領域を設定している。従って、試料のパターンに関わらず発生してしまう擬似欠陥については、発生を抑制することができないという問題点がある。

本発明は、擬似欠陥の発生を防ぐことができ、高感度で欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラムを提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に係る欠陥検査装置は、試料を照明する光源と、前記試料の照明された領域からの光を受光する検出器と、複数の単位検査領域を順番に検査するために、前記光源からの光と前記試料との相対位置を変化させる第１の走査手段と、前記第１の走査手段での走査に応じて、前記検出器から出力される検出信号をしきい値と比較する比較手段と、前記第１の走査手段が複数の単位検査領域を順番に検査する際に、複数の前記単位検査領域に対して共通の位置をマスクするために、前記共通の位置をマスク位置として設定するマスク位置設定手段と、前記マスク位置設定手段で設定されたマスク位置以外における、前記比較手段の比較結果に基づいて欠陥を検出するマスク処理手段と、を備えたものである。この構成では、擬似欠陥の発生を防ぐことができ、高感度で欠陥検査を行うことができる・

本発明の第２の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、前記単位検査領域が前記試料のパターンによらない所定の大きさの領域であることを特徴とするものである。これにより、試料のパターンによらずにマスク位置を設定することができるため、簡便に検査することができる。

本発明の第３の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、前記単位検査領域内において、前記照明光を偏向させる第２の走査手段をさらに備え、前記単位検査領域において、前記第２の走査手段の走査方向における所定の走査位置、及び前記走査方向と直交する方向における所定の位置の少なくとも一方に基づいて、前記マスク位置が設定されているものである。これにより、マスク位置を小さくすることができるため、実欠陥を消去する確率を低減することができる。

本発明の第４の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、複数の前記単位検査領域において、前記欠陥候補が検出された位置をマスク位置として設定するものである。これにより、より正確に検査することができる。

本発明の第５の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、前記光源からの光を複数の光ビームを有するマルチビームに変換するマルチビーム変換手段をさらに備え、前記複数の光ビームの中の一部の光ビームに対してのみマスク位置が設定されているものである。これにより、マスク位置を小さくすることができるため、実欠陥を消去する確率を低減することができる。

本発明の第６の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、前記マスク位置において前記欠陥候補のサイズが、消去サイズより大きい場合に、前記欠陥候補を欠陥として判定するものである。これにより、擬似欠陥を消去することができ、正確な検査を行うことができる。

本発明の第７の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、前記マスク位置をマスクした後、隣の欠陥候補までの距離に応じて欠陥候補をマージするマージ処理部をさらに備えたものである。これにより、マスク位置の欠陥候補を消去した場合でも、欠陥サイズを正確に測定することができる。

本発明の第８の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、複数の前記単位検査領域のうち、一部の前記単位検査領域における比較結果に基づいて、前記マスク位置を設定することを特徴とするものである。これにより、適切にマスク位置を設定することができるため、正確に検査することができる。

本発明の第９の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置であって、前記比較手段の比較結果に応じて、前記単位検査領域毎に前記マスク位置を調整することを特徴とするものである。これにより、正確に検査することができる。

本発明の第１０の態様に係る欠陥検査方法は、試料を照明するステップと、前記試料の照明された領域からの光を受光して、検出信号を出力するステップと、複数の単位検査領域を順番に検査するために、前記光源からの光と前記試料との相対位置を変化させて、第１の走査を行うステップと、前記第１の走査に応じて、前記検出器から出力される検出信号をしきい値と比較するステップと、前記第１の走査によって複数の単位検査領域を順番に検査する際に、複数の前記単位検査領域に対して共通の位置をマスクするために、前記共通の位置をマスク位置として設定するステップと、前記マスク位置以外における、前記検出信号としきい値との比較結果に基づいて欠陥を検出するステップと、を備えたものである。この方法では、擬似欠陥の発生を防ぐことができ、高感度で欠陥検査を行うことができる・

本発明の第１１の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、前記単位検査領域が前記試料のパターンによらない所定の大きさの領域であることを特徴とするものである。これにより、試料のパターンによらずにマスク位置を設定することができるため、簡便に検査することができる。

本発明の第１２の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、前記単位検査領域内において、前記照明光を偏向させることで第２の走査を行うステップをさらに備え、前記単位検査領域において、前記第２の走査の走査方向における所定の走査位置、及び前記走査方向と直交する方向における所定の位置の少なくとも一方に基づいて、前記マスク位置が設定されているものである。これにより、マスク位置を小さくすることができるため、実欠陥を消去する確率を低減することができる。

本発明の第１３の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、複数の前記単位検査領域において、前記欠陥候補が検出された位置をマスク位置として設定するものである。これにより、より正確に検査することができる。

本発明の第１４の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、前記光源からの光を複数の光ビームを有するマルチビームに変換するステップをさらに備え、前記複数の光ビームの中の一部の光ビームに対してのみマスク位置が設定されているものである。これにより、マスク位置を小さくすることができるため、実欠陥を消去する確率を低減することができる。

本発明の第１５の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、前記マスク位置における前記欠陥候補のサイズが、消去サイズより大きい場合に、前記欠陥候補を欠陥と判定するものである。これにより、擬似欠陥を消去することができ、正確な検査を行うことができる。

本発明の第１６の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、 前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、前記マスク位置をマスクした後、隣の欠陥候補までの距離に応じて欠陥候補をマージするステップをさらに備えたものである。これにより、マスク位置の欠陥候補を消去した場合でも、欠陥サイズを正確に測定することができる。

本発明の第１７の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、複数の前記単位検査領域のうち、一部の前記単位検査領域における比較結果に基づいて、前記マスク位置を設定することを特徴とするものである。これにより、適切にマスク位置を設定することができるため、正確に検査することができる。

本発明の第１８の態様に係る欠陥検査方法は、上記の欠陥検査方法であって、前記比較するステップでの比較結果に応じて、前記単位検査領域毎に前記マスク位置を調整することを特徴とするものである。これにより、正確に検査することができる。

本発明の第１９の態様に係る欠陥検査プログラムは、試料の照明された領域からの光を受光する検出器からの検出信号を用いて欠陥検査を行うための欠陥検査プログラムであって、コンピュータに対して、複数の単位検査領域を順番に検査するために、前記光源からの光と前記試料との相対位置を変化させて、第１の走査を行うステップと、前記第１の走査に応じて、前記検出器から出力される検出信号をしきい値と比較するステップと、前記第１の走査によって複数の単位検査領域を順番に検査する際に、複数の前記単位検査領域に対して共通の位置をマスクするために、前記共通の位置をマスク位置として設定するステップと、前記マスク位置以外における、前記検出信号としきい値との比較結果に基づいて欠陥を検出するステップと、を実行させるものである。このプログラムでは、擬似欠陥の発生を防ぐことができ、高感度で欠陥検査を行うことができる。

本発明によれば、擬似欠陥の発生を防ぐことができ、高感度で欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラムを提供することができる。

本実施の形態にかかる欠陥検査装置の全体構成を模式的に示す図である。 欠陥検査装置において検出した擬似欠陥と実欠陥を示す図である。 欠陥検査装置のステージによる走査経路を示す図である。 ポリゴンミラーによるマルチビームの走査経路を示す図である。 検査ストライプ領域におけるマスク位置を模式的に示す図である。 マスク処理を行わない場合のマージ処理を示す図である マスク処理を行った場合のマージ処理を示す図である 本実施の形態にかかる欠陥検査装置の信号処理装置を示すブロック図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。

本実施の形態にかかる欠陥検査装置の構成について、図１を用いて説明する。図１は、欠陥検査装置の全体構成を示す図である。欠陥検査装置は、光源１と、回折格子２と、リレーレンズ３,４と、偏光ビームスプリッタ５と、ポリゴンミラー６と、信号処理装置７と、リレーレンズ８，９と、１／４波長板１０と、対物レンズ１１と、ステージ１２と、駆動モータ１４と、位置センサ１５と、検出器１７と、を備えている。検査対象の試料１３としては、半導体装置や、フォトマスク等が挙げられるが、検査対象は特に限定されるものではない。

光源１は、例えば、試料１３を照明する照明光を出射する。光源１としては、例えば、連続発振するレーザ光源や、擬似連続発振するレーザ光源を用いることができる。具体的な例としては、ＹＡＧレーザの高調波や、Ａｒガスレーザ等を用いることができる。もちろん、水銀ランプやキセノンランプ等のレーザ光源以外の光源を用いてもよい。

光源１から出射したレーザ光は、回折格子２に入射する。回折格子２は、例えば、ホログラム型の回折格子であり、複数のビーム（マルチビーム）を生成する。回折格子２は、マルチビームが１次元に配列された１次元マルチビームを生成する。なお、回折格子２で生成された１次元マルチビームは、紙面と垂直な方向に沿って配列されている。ここで、マルチビームの配列方向をＹ方向とする。また、マルチビームが２次元に配列された２次元マルチビームを回折格子２が生成しても良い。このように、回折格子２は、レーザビームを、ｍ（ｍは１以上の整数）×ｎ（ｎは２以上の整数）のビームアレイに変換する。もちろん、回折格子２以外によって、マルチビームを生成しても良い。あるいは、複数のレーザ光源を用いて、マルチビームを生成してもよい。

回折格子２からのマルチビームは、リレーレンズ３、及びリレーレンズ４でリレーされて、偏光ビームスプリッタ５に入射する。偏光ビームスプリッタ５は入射する光の偏光状態に応じて、光を透過又は反射する。例えば、偏光ビームスプリッタ５は、Ｐ偏光を透過して、Ｓ偏光を反射する。偏光ビームスプリッタ５を透過したマルチビームは、ポリゴンミラー６に入射する。

ポリゴンミラー６は一定の回転速度で回転するように、信号処理装置７で制御されている。従って、ポリゴンミラー６は、照明光をスキャンするスキャナとなる。ポリゴンミラー６の回転軸は、紙面と垂直な方向になっている。従って、ポリゴンミラー６は、図１の左右方向にマルチビームを偏向して、１次元走査を行う。ここで、ポリゴンミラー６のスキャン方向をＸ方向とする。また、ポリゴンミラー６の回転位置情報は、信号処理装置７に入力される。すなわち、ポリゴンミラー６による走査位置情報が、信号処理装置７に入力される。これにより、試料１３上のどの位置に、マルチビームが入射しているかを検出することができる。もちろん、ポリゴンミラー６の代わりにガルバノミラーを用いて、マルチビームをスキャンしてもよい。さらには、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ）ミラー等の他のスキャナを用いてもよい。

ポリゴンミラー６で偏向されたマルチビームは、リレーレンズ８及びリレーレンズ９でリレーされて、１／４波長板１０に入射する。１／４波長板１０は、入射した光の偏光状態を変化させる。例えば、光ビームが往復で１／４波長板１０を２回通過することで、Ｐ偏光がＳ偏光となる。なお、偏光ビームスプリッタ５の代わりにハーフミラーを用いてもよい。この場合、１／４波長板１０は不要となる。

１／４波長板１０を透過した光ビームは、対物レンズ１１に入射する。対物レンズ１１は、マルチビームを微小スポット状に集束して、ステージ１２上に載置された試料１３上にマルチビームのスポットアレイを形成する。すなわち、１列に並んでいるマルチビームのそれぞれが、試料１３上に微小スポットを形成する。例えば、各光ビームのスポットは、直径０．５μｍの円形である。また、隣接するスポット間の間隔を２μｍとすることができる。さらに、ポリゴンミラー６の回転によって、マルチビームはマルチビームの配列方向と垂直なＸ方向に走査される。

そして、試料１３で反射された反射光は、照明光と同じ光路でポリゴンミラー６に入射する。すなわち、反射光は、対物レンズ１１、１／４波長板１０、リレーレンズ９、リレーレンズ８を介してポリゴンミラー６に入射する。もちろん、反射光も照明光と同様に、複数の光ビームが１次元に配列されたマルチビームとなっている。ポリゴンミラー６は、反射光を偏向させることで、デスキャンする。

ポリゴンミラー６でデスキャンされた反射光は、偏光ビームスプリッタ５で反射される。そして、偏光ビームスプリッタ５で反射された反射光は、結像レンズ１６で結像されて検出器１７に入射する。検出器１７としては、１次元フォトダイオードアレイを用いることができる。すなわち、検出器１７は、Ｙ方向に配列されたフォトダイオードを有している。各フォトダイオードは、ピンホール上の開口部を有する受光画素となる。そして、光スポットからの反射光は、ピンホールを介して、フォトダイオードで検出される。フォトダイオードは、受光量に応じた検出信号を出力する。もちろん、フォトダイオード以外の受光素子を有する検出器１７を用いてもよい。例えば、検出器１７としてＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサ等を用いてもよい。もちろん、フォトダイオード等の光検出器を複数配置してもよい。

検出器１７は、主に試料１３からの正反射光を検出するものである。また、検出器１７は、試料表面と共役な位置にあって、その検出サイズが小さいことから、明視野共焦点光学系を構成することになる。

試料１３表面が正常な場合、試料表面からの正反射光が各フォトダイオードに入射する。よって、各フォトダイオードは、所定の輝度の検出信号を信号処理装置７に出力する。一方、試料表面上に異物欠陥等が存在すると、異物で照明光が散乱される。すなわち、欠陥箇所では、フォトダイオードに入射する光量が低下して、検出信号のレベルが低下する。同様に、試料１３の表面が凸状や凹状となった欠陥箇所においても、検出信号のレベルが低下する。信号処理装置７は検出器１７から出力される検出信号をしきい値（スライスレベル）と比較して、その比較結果をメモリ等に記憶する。信号処理装置７は、この比較結果に基づいて、欠陥検査を行う。信号処理装置７は、例えば、パーソナルコンピュータ等であり、所定の演算処理を行う

試料１３を支持するステージ１２は、駆動モータ１４によって駆動される。ステージ１２は、ＸＹ方向に移動するＸＹステージになっている。駆動モータ１４は、例えば、信号処理装置７によって制御されるサーボモータとなっている。従って、信号処理装置７が駆動モータ１４を制御することで、試料１３上のマルチビームの位置を走査することができる。さらに、ステージ１２には、位置センサ１５が設けられている。位置センサ１５は、ステージ１２の駆動位置を検出して、駆動位置情報を信号処理装置７に出力する。これにより、信号処理装置７が走査位置を検出することができる。もちろん、ステージ１２ではなく、対物レンズ１１を含む光学系を移動することで、走査を行っても良い。

信号処理装置７は、ポリゴンミラー６と駆動モータ１４による走査を制御している。さらに、信号処理装置７には、ポリゴンミラー６からの回転位置情報と位置センサ１５からの駆動位置情報が入力されている。従って、信号処理装置７は、マルチビームのそれぞれが、試料１３のどの位置に入射しているかを把握している。さらに、信号処理装置７は、検出信号としきい値とを比較して、比較信号を生成している。信号処理装置７は、そして比較信号をメモリ等に記憶している。

信号処理装置７は、例えば、検出信号がしきい値を越えた欠陥候補を１とし、検出信号がしきい値を越えていない正常箇所を０とする。従って、信号処理装置７は、デジタル信号処理を行うことができる。信号処理装置７は、検出信号が連続してしきい値を越えている範囲から、欠陥候補サイズを求める。そして、比較信号のデータから、試料１３上の欠陥候補の位置（座標）とサイズとが対応付けて記憶されることになる。そして、信号処理装置７は、欠陥候補サイズと対応付けられた欠陥候補の位置欠陥候補マップとして記憶する。

本実施の形態にかかる欠陥検査装置では、検出信号としきい値を比較して、その比較結果に基づいて欠陥を検出している。しかしながら、種々の理由によって、欠陥ではない正常箇所からの反射光の輝度が弱くあるいは強くなってしまうことがある。この場合、正常箇所を擬似欠陥として検出してしまうことにある。よって、欠陥候補マップでは、図２に示すように、実欠陥３１と擬似欠陥３２が混在することになる。検出感度を高くするために、しきい値を低くすると、擬似欠陥３２の数も増加してしまう。そこで、本実施の形態では、以下のマスク処理を行うことで、擬似欠陥３２の発生を防いで、高感度で欠陥検査を行っている。

まず、駆動モータ１４によるスキャン経路について、図３を用いて説明する。図３は、ステージ１２の駆動による走査を示す平面図である。図３では、ステージ１２の走査による対物レンズ１１の軌跡を矢印で示している。ステージ１２は、試料１３の一端から他端まで−Ｙ方向に移動する。すると、Ｙ方向を長手方向とする帯状の検査ストライプ領域１３ａが検査される。

次に、検査ストライプ領域の幅だけステージ１２を−Ｘ方向に移動する。そして、＋Ｙ方向にステージ１２を移動して、隣の検査ストライプ領域１３ａを検査する。このように、ステージ１２がジグザクに移動している。そして、左の検査ストライプ領域１３ａから順番に検査していく。なお、図３では、試料１３を１７個の検査ストライプ領域１３ａに分けて、検査を行っている例を示すが、検査ストライプ領域１３ａの設定については特に限定されるものではない。

さらに、検査ストライプ領域１３ａ内のマルチビームのビームスポットの軌跡について、図４を用いて説明する。図４は、ポリゴンミラー６を回転させた時の、マルチビームのビームスポット４１の軌跡を示す平面図である。また、図４では、試料１３に設けられた複数の検査ストライプ領域１３ａのうちの一つの検査ストライプ領域１３ａを拡大して図示している。

マルチビームのビームスポット４１は、Ｙ方向に配列されている。ここでは、７本のマルチビームが生成されているため、試料１３上には、７つのビームスポット４１が形成される。７つのビームスポット４１から光は、検出器１７の異なる受光画素で検出される。ここで、各マルチスポットに基づく検出信号をそれぞれチャンネルＣｈ１〜Ｃｈ７とする。

ポリゴンミラー６を回転させることで、ビームスポット４１がＸ方向に移動していく。検査ストライプ領域１３ａにおけるＸ方向位置（Ｘ座標）は、ポリゴンミラー６の回転角度に対応している。ビームスポット４１が実欠陥３１を照明すると、その時の検出信号は、正常箇所と比べて変化する。図４では、Ｃｈ３のビームスポット４１のスキャン経路上に実欠陥３１が存在している。

なお、ポリゴンミラー６の回転による走査範囲が、検査ストライプ領域１３ａのＸ方向の幅に対応する。試料１３は、例えば、数１００μｍの検査ストライプ領域１３ａに分けられる。なお、検査ストライプ領域１３ａの幅は、ポリゴンミラー６の形状、及び対物レンズ１１を含む光学系の倍率等に応じて決まる。

そして、ステージ１２をＹ方向に移動させながら、ポリゴンミラー６を回転させていく。これにより、試料１３上において、ビームスポット４１が斜めに移動していく。そして、試料１３の検査ストライプ領域１３ａの全体が照明されるように、ポリゴンミラー６の回転速度、ステージ１２の移動速度、マルチビームのスポット径、スポット間隔を設定する。そして、信号処理装置７は、チャネルＣｈ１〜Ｃｈ７の検出信号をしきい値とそれぞれ比較していく。このようにして、１本の検査ストライプ領域１３ａをマルチビームでスキャンしていく。そして、複数の検査ストライプ領域１３ａを順番にマルチビームスキャンしていくことで、試料１３の全体を検査する。

検査ストライプ領域１３ａを単位検査領域とし、複数の単位検査領域を順番に検査していく。これにより、試料１３全体において、欠陥の有無を検査することができる。すなわち、試料１３における座標と欠陥の有無とを対応付けた欠陥候補マップを測定することができる。後述するように、欠陥候補マップに、欠陥サイズを対応付けても良い。

擬似欠陥３２が発生する理由としては、例えば、干渉縞によるものがある。すなわち、干渉性の高いレーザ光などを照明光として用いると、干渉縞により明暗が生じてしまう。このような干渉縞による擬似欠陥は、検査ストライプ領域１３ａの特定の位置で発生しやすい。より具体的には、マルチビームの内の特定のビームスポット４１が、所定のＸ方向位置となった時に擬似欠陥３２が発生しやすい。

そこで、検査ストライプ領域１３ａにおいて、擬似欠陥３２の発生頻度が高い特定の位置をマスクするようにする。ここで、擬似欠陥３２の発生頻度が高い位置をマスク位置とする。このマスク位置における欠陥候補を欠陥から除外する。換言すると、マスク位置における欠陥候補を擬似欠陥３２と判定する。複数の検査ストライプ領域１３ａにおいて、マスク位置は共通となる。すなわち、全ての検査ストライプ領域１３ａ内におけるマスク位置の座標は、一致する。このように、複数の検査ストライプ領域１３ａの共通の位置をマスク位置とする。そして、信号処理装置７は、マスク位置をマスクするようにマスク処理を行う。マスクされたマスク位置以外の領域における比較結果に応じて、欠陥検査を行う。

ここで、図５を用いて、マスク位置４２についてより詳細に説明する。図５は、試料１３におけるビームスポット４１とマスク位置４２を示す図である。図５では、３つの検査ストライプ領域１３ａを示している。図５に示すように、Ｃｈ３に対応するビームスポット４１が特定のＸ方向位置Ｘ１となる時の位置をマスク位置４２とする。図５では、３×３＝９個のマスク位置４２が設定されている。もちろんマスク位置４２は一定の幅を有していてもよい。そして、複数の検査ストライプ領域１３ａにおいて、同じマスク位置４２を設定する。図５に示すように、Ｃｈ３に対応するビームスポット４１がＸ１となる位置をマスク位置４２と設定する。換言すると、ポリゴンミラー６の回転角度が所定角度になった時にＣｈ３に対応するビームスポット４１が照明する箇所がマスク位置４２となる。マスク位置４２では擬似欠陥３２の発生確率が高い。

このようなマスク位置４２は、１つの検査ストライプ領域１３ａに複数存在することになる。例えば、それぞれの検査ストライプ領域１３ａにおいては、マスク位置４２は、Ｙ方向の一列に配列されている。さらに、Ｃｈ３についてのみマスク位置４２を設定しているため、Ｙ方向においてマスク位置４２は等間隔に配列される。複数の検査ストライプ領域１３ａにおいて、マスク位置４２は、一致する。もちろん、２つ以上のチャンネルにマスク位置４２を設定しても良いし、１つのチャンネルに対して、２つ以上のマスク位置４２を設定しても良い

このように、予め指定したチャンネル及び検査ストライプ領域１３ａ内の位置に合致する場合のみ、マスク位置４２として、欠陥削除フラグを立てる。すなわち、マスク位置４２以外で検出信号がしきい値を越えた位置を、欠陥とする。こうすることで、特定の位置で発生しやすい擬似欠陥３２を削除することができる。また、マスク位置４２以外では、通常通り、欠陥を検出することができるので、実欠陥３１に与える影響を極力抑制することができる。さらに、欠陥検出のしきい値を低くすることができるので、検出感度を高くすることができる。

例えば、検出信号としきい値とを比較して、検出信号がしきい値を越えた箇所を欠陥候補とする。これにより、それぞれの検出画素に欠陥候補が存在しているか否かを示す欠陥候補マップが形成される。そして、欠陥候補のマップの中から、マスク位置４２での欠陥候補を除去する。すなわち、マスク位置４２での欠陥候補を擬似欠陥３２とし、マスク位置以外での欠陥候補を実欠陥３１とする。このようにすることで、実欠陥３１と擬似欠陥３２を確実に判別することができる。このようにして、欠陥サイズとともに、実欠陥３１の位置が示された実欠陥３１の欠陥マップを測定することができる。

さらに、本実施の形態では、マスク位置４２において検出された欠陥候補の欠陥サイズに応じて、実欠陥３１か擬似欠陥３２であるかを判別している。干渉縞に起因する擬似欠陥３２では、特定の走査条件で発生するため、比較的サイズが小さくなる。従って、マスク位置４２において、検出した欠陥候補の欠陥サイズが消去サイズよりも小さいものは、擬似欠陥３２として判定する。ここで、消去サイズとは、マスク位置４２における欠陥候補を実欠陥３１か擬似欠陥３２かを判別するためのしきい値である。換言すると、マスク位置４２において検出された欠陥候補のサイズが消去サイズよりも小さい場合、擬似欠陥３２として判定して、欠陥候補マップから消去する。一方、マスク位置４２において検出された欠陥候補のサイズが消去サイズよりも大きい場合、実欠陥３１と判定して、欠陥マップに加える。

このような消去サイズが、マスク位置４２毎に設定される。例えば、異なるチャンネルのマスク位置４２では、異なる消去サイズを設定することができる。また、異なるＸ位置のマスク位置４２では、異なる消去サイズを設定することができる。同じチャンネル、かつ同じＸ位置のマスク位置４２では、同じ消去サイズを設定するようにしてもよい。すなわち、同じチャンネル、かつ同じＸ位置のマスク位置４２では、走査条件が同じであるため、消去サイズを同じに設定することが好ましい。

例えば、検出信号がある一定時間以上、連続してしきい値を越えた場合、欠陥サイズが大きいため、その箇所を実欠陥３１とする。検出信号が連続してしきい値を越えた時間がある時間より短い場合、欠陥サイズが小さいため、そのマスク位置における欠陥候補を擬似欠陥とする。このように、サイズに応じて実欠陥３１か擬似欠陥３２かを判定している。もちろん、Ｘ方向、及びＹ方向における欠陥サイズに応じて、欠陥候補マップの欠陥候補を実欠陥３１としてもよい。なお、欠陥候補の消去サイズは、ポリゴンミラー６の走査速度等に応じて設定すればよい。このようにすることで、より正確に検査することができる。

なお、マスク位置４２において、サイズの小さい実欠陥３１が存在している場合、実欠陥３１を検出できなくなってしまう可能性がある。すなわち、マスク位置４２において実欠陥３１をマスクしてしまうおそれがある。欠陥候補の中から実欠陥３１を消去してしまう確率について、以下に説明する。

マスク位置を設定した全てのチャンネルのマスク幅を足し合わせたものを（マスク位置の総幅）とすると、実欠陥３１を消去してしまう確率は、以下の式にて導出することができる。

実欠陥３１の消去確率
＝（マスク位置の総幅）／（総チャンネル数×検査ストライプ領域幅）×（消去サイズ以下の欠陥候補数）／（総欠陥候補数）

マスク位置４２の総幅を小さくすることで、実欠陥３１の消去確率を低減することができる。すなわち、検査ストライプ領域１３ａにおけるマスク位置４２の面積の割合を小さくすることで、実欠陥３１の消去確率を低減することができる。さらに、消去サイズを小さくすることで、マスク位置４２における実欠陥３１の消去確率を低減することができる。このように、実欠陥３１はマスク位置の総面積と消去サイズに依存しているため、実質的に実欠陥３１の消去リスクは無視できる程度のものとなる。

さらに、試料１３に応じて、マスク位置４２を設定するようにしてもよい。例えば、試料１３の一部の検査ストライプ領域１３ａについて、検出信号を抽出する。そして、試料１３の一部の領域における欠陥候補マップに応じて、マスク位置４２を設定しても良い。

例えば、マスク位置４２を設定する場合、予めマスク位置４２を設定しない条件で、検査を行う。例えば、２以上の検査ストライプ領域１３ａの検出信号をしきい値と比較する。そして、検査ストライプ領域１３ａにおいて検出信号がしきい値を超える確率が高い位置を、マスク位置４２とする。マスク位置４２の設定時のしきい値は、擬似欠陥３２が発生しやすくなるよう十分に低くする。すなわち、高い検出感度で、検査を行った時の欠陥候補数に基づいて、マスク位置４２を設定する。このようにすることで、簡便にマスク位置４２を設定することができる。

さらに、マスク位置４２を設定する時に、検出される欠陥候補の検査ストライプ領域１３ａ内のＸ方向位置やＹ座標に着目することで、より正確にマスク位置４２を設定することができる。具体的には、複数の検査ストライプ領域１３ａ内の同じＸ方向位置で検出される欠陥候補のみを対象にして、マスク位置４２を設定する。あるいは、Ｙ方向に離れた位置で検出される欠陥候補のみを対象にして、マスク位置４２を設定する。もちろん、両方を組み合わせても良い。こうすることで、たまたま実欠陥３１が含まれる領域でマスク位置４２を設定したとしても、複数の検査ストライプ領域１３ａ内の同じＸ方向位置や、Ｙ方向に離れた位置で実欠陥が同じチャンネルで検出される確率はほぼ０であるため、実欠陥３１の影響を受けずに、マスク位置４２を正確に設定することができる。

このようなマスク位置４２は、光学系のみによって決まるものである。従って、光学系の構成が変わった場合、マスク位置４２を変更することが好ましい。例えば、フィルタを光学系に挿入したり、光源１を調整したりした時に、マスク位置４２の設定を更新する。また、予め複数パターンのマスク位置４２のマップを用意しておいて、試料１３に応じて、適切なマップを選択しても良い。例えば、試料１３の反射率に応じて、マスク位置４２のマップを複数設定しておく。そして、反射率が高い試料１３と低い試料１３とでマスク位置４２のマップを使い分ける。さらには、所望の検出感度に応じて、マスク位置４２の大きさを変更するようにしても良い。

さらに、干渉縞が生じるチャンネルや検査ストライプ領域１３ａ内の位置が変動するような場合には、マスク位置４２を自動的に調整するようにしても良い。例えば、ある試料１３に含まれる複数の検査ストライプ領域１３ａのうち、一部の検査ストライプ領域１３ａについて、検査を行う。そして、一部の検査ストライプ領域１３ａの検出信号と、しきい値を比較して、欠陥候補を検出する。欠陥候補が発生する確率が一定以上の位置をマスク位置４２とする。こうすることで、マスク位置４２となるチャンネルとＸ方向位置とを設定することができる。そして、設定したマスク位置４２を用いて、試料１３全体を検査する。さらに、試料１３を変えた場合、その試料１３の一部の検査ストライプ領域１３ａに対する欠陥候補マップから、マスク位置４２を設定する。そして、マスク位置４２のマップを用いて、試料１３全体を検査する。こうすることで、適切なマスク位置４２を設定することができるため、より正確に検査することができる。マスク位置４２を設定する時は上記のとおり、複数の検査ストライプ領域１３ａを検査して、欠陥候補の検査ストライプ領域１３ａ内のＸ方向位置やＹ座標に着目するのが好ましい。

さらに正確に検査するために、試料１３の検査を行いながら、その都度、すなわち、検査ストライプ領域１３ａの検査毎に、それまでの検査結果を用いてマスク位置４２を自動的に調整するようにしても良い。

さらに、欠陥サイズを特定するために、擬似欠陥３２を消去した後に、欠陥候補をマージする処理を行ってもよい。マージ処理では、ある一定の距離以内にある２つの実欠陥３１を合成して、１つの実欠陥３１とする。例えば、マスク位置４２を設けない場合と、マスク位置４２を設けた場合におけるマージ処理について、図６、及び図７を用いて説明する。図６は、マスク位置４２を設けない場合のマージ処理を示す図であり、図７は、マスク位置４２を設けた場合のマージ処理を示す図である。図６、及び図７において、区切られた小さな矩形が検出画素４３となる。そして、検出画素４３のそれぞれに対して、検出信号としきい値との比較が行われることで、欠陥マップが生成される。

図６、及び図７では複数の検出画素４３におよぶ巨大な実欠陥３１が存在している。図６、及び図７において、検出信号がしきい値を越えた欠陥候補４４の配置は略同じであるが、図７では、マスク位置４２のみ欠陥候補４４が消去されている。マスク位置４２でのみ欠陥候補４４が削除されるため、マスク位置４２以外の欠陥候補４４の配置は同じになっている。

マスク位置４２を設けた場合でもあっても、その周辺箇所には欠陥候補４４が存在している。よって、マージ処理を行うことで、最終的な実欠陥３１のサイズを同じものとすることができる。例えば、実欠陥３１の欠陥サイズが消去サイズに比べて十分大きい場合、マスク位置４２の隣の検出画素４３は、欠陥候補４４が存在する。欠陥候補４４から一定の距離以内に欠陥候補があるため、マスク位置４２が隣の欠陥候補にマージされる。マージ処理を行うことでマスク位置４２も実欠陥３１となる。このように、マスク位置４２をマスクした後に、マージ処理を行うことで、実欠陥３１のサイズに対する影響を抑制することができる。すなわち、欠陥サイズを正確に測定することができる。

以下、上記の処理を行う信号処理装置７の構成について、図８を用いて説明する。図８は、信号処理装置７の構成を示すブロック図である。信号処理装置７は、比較部７１と、マスク処理部７２と、マスク位置設定部７３と、サイズ判定部７４と、マージ処理部７５と、サイズ決定部７６と、を備えている。

比較部７１は、予め設定されているしきい値と、検出器１７からの検出信号を比較する。例えば、検出信号としきい値との比較結果から、欠陥候補とそのＸＹ座標が対応付けられた欠陥候補マップが生成される。マスク位置設定部７３は、欠陥候補をマスクするマスク位置を設定している。すなわち、マスク位置設定部７３は、特定のチャンネルに対する検査ストライプ領域１３ａにおけるＸ方向位置をマスク位置４２として記憶している。もちろん、複数のチャンネルに対してマスク位置４２を設定する場合、それぞれのチャンネルに対してマスク位置４２となるＸ方向位置が設定されている。マスク位置設定部７３は、複数の検査ストライプ領域１３ａに対して共通のマスク位置を設定している。

マスク処理部７２は、マスク位置設定部７３に設定されているマスク位置４２を参照して、マスク処理を行う。マスク処理部７２は、マスク位置設定部７３に設定されたマスク位置以外における、比較部７１の比較結果に基づいて欠陥を検出する。これにより、欠陥候補として検出された擬似欠陥３２を適切に排除することができる。そして、マスク処理部７２が実欠陥３１の大きさと位置を対応付けた欠陥マップを生成する。

サイズ判定部７４は、マスク位置４２における欠陥候補が消去サイズ以下であるかを判定して、欠陥候補マップの中のマスク位置における欠陥候補が実欠陥３１又は擬似欠陥３２であるかを判別する。消去サイズは、Ｘ方向サイズ、又はＹ方向サイズによって定めても良い。あるいは、消去サイズは、Ｘ方向、及びＹ方向の両方のサイズによって定めても良い。マスク位置４２において、消去サイズ以下の欠陥候補が擬似欠陥３２と判定され、欠陥候補マップから削除される。マスク位置４２において、消去サイズよりも大きい欠陥候補が実欠陥３１と判定され、マスク処理部７２が生成した欠陥マップに加えられる。

なお、サイズ判定部７４が欠陥候補のサイズを判定した後に、マスク処理部７２がマスク処理を行ってもよい。例えば、１つの消去サイズのみ設定されている場合、消去サイズより大きい欠陥候補が、実欠陥３１として抽出される。そして、サイズ判定部７４が、消去サイズよりも大きい実欠陥３１の欠陥マップを作成する。この後、消去サイズ以下の欠陥候補の内、マスク位置４２の欠陥候補を消去する。そして、マスク位置４２以外の欠陥候補を実欠陥３１として抽出する。そしてマスク位置４２以外で検出された実欠陥３１を欠陥マップに加える。マスク処理部７２におけるマスク処理と、サイズ判定部７４におけるサイズ判定処理は信号処理装置７によって処理できるものであれば、特に限定されるものではない。例えば、信号処理装置７におけるコンピュータプログラムによって、上記の処理を行うことができる。

マージ処理部７５は、マスク処理部７２、及びサイズ判定部７４で欠陥候補が消去された欠陥候補マップに対して、マージ処理を行う。これにより、マスク位置近傍に欠陥候補が存在する場合は、マスク位置近傍の欠陥候補にマスク位置４２がマージされる。そしてサイズ決定部７６は、マージ処理部７５でマージされた欠陥のサイズを決定する。すなわち、隣接する欠陥候補を１つの実欠陥３１として、実欠陥３１のサイズを測定する。こうすることで、欠陥サイズを正確に測定することができる。

このようにすることで、欠陥サイズに座標を対応させた欠陥マップを測定することができる。さらに、検査ストライプ領域１３ａに対してマスク位置４２を設定しているため、擬似欠陥３２が検出されるのを防ぐことができる。すなわち、干渉縞の明暗が生じた場合でも、擬似欠陥３２が検出される確率を低減することができる。よって、しきい値を下げることでき、高感度の欠陥検査が可能になる。また、試料１３のパターンによらない箇所をマスク位置４２に設定している。このため、予め試料１３のパターン形状等が分かっていなくても、検査することができる。すなわち、試料１３における照明位置を考慮せずに、光学系のみでマスク位置４２を設定することができる。

また、マスク位置設定部７３は、比較部７１での比較結果に応じて、マスク位置４２を設定する。マスク位置設定部７３は、例えば、複数の検査ストライプ領域での欠陥候補マップから、欠陥候補が発生しやすい箇所を特定する。そして、欠陥候補がある一定の確率以上で発生する箇所をマスク位置４２として設定する。このようにすることで、マスク位置を適切に設定することができ、より正確な検査が可能になる。

なお、上記の説明では、マルチビームを用いたが、シングルビームを用いた欠陥検査装置に上記のマスク処理を適用することも可能である。この場合は、検査ストライプ領域１３ａにおいて、光ビームのスキャン方向（例えば、Ｘ方向）における特定の位置が、マスク位置４２となる。すなわち、ステージ１２の移動に応じた検査ストライプ領域１３ａにおいて、ポリゴンミラー６の走査角度が特定の角度となったタイミングでマスクされる。このようにすることで、擬似欠陥３２の発生を抑制することができ、高感度での検査が可能になる。もちろん、ポリゴンミラー６以外の偏向手段によって光ビームを走査しても良い。

また、上記のマスク処理は、ビームスキャンを行わない欠陥検査装置にも適用可能である。ステージ又はカメラの移動により、カメラによる撮像を繰り返し行う欠陥検査装置に適用することも可能である。例えば、ステージ等を駆動して、ＣＣＤカメラと試料１３との相対位置を移動させる場合、２次元ＣＣＤカメラの特定の受光画素がマスク位置となる。なお、この場合、単位検査領域は、２次元ＣＣＤカメラの視野によって決まる。そして、複数の撮像画像に対して、共通の受光画素をマスク位置とする。

このように、単位検査領域は、欠陥検査装置の光学系によるものであり、複数の単位検査領域において走査条件や撮像条件が同じになるように、単位検査領域が設定される。すなわち、単位検査領域は、試料１３のパターンによらない所定の大きさの領域である。このようにすることで、試料１３のパターンに関わらず検査を行うことができるため、簡便に検査することができる。

上記の説明では、検出信号がしきい値を下回った場合、欠陥候補と判定したが、検出信号がしきい値を上回った場合を欠陥候補と判定しても良い。すなわち、検出信号に対して、上限値と下限値の一方、又は両方を設定すればよい。下限値、及び上限値の両方を設定した場合、それぞれのしきい値毎にマスク位置４２を設けてもよく、同じマスク位置４２としてもよい。

１ 光源
２ 回折格子
３ リレーレンズ
４ リレーレンズ
５ 偏光ビームスプリッタ
６ ポリゴンミラー
７ 信号処理装置
８ リレーレンズ
９ リレーレンズ
１０ １／４波長板
１１ 対物レンズ
１２ ステージ
１３ 試料
１４ 駆動モータ
１５ 位置センサ
１６ 結像レンズ
１７ 検出器
３１ 実欠陥
３２ 擬似欠陥
４１ ビームスポット
４２ マスク位置
４３ 検出画素
４４ 欠陥候補
７１ 比較部
７２ マスク処理部
７３ マスク位置設定部
７４ サイズ判定部
７５ マージ処理部
７６ サイズ決定部

Claims (17)

1. 試料を照明する光源と、
   前記試料の照明された領域からの光を受光する検出器と、
   複数の単位検査領域を順番に検査するために、前記光源からの照明光と前記試料との相対位置を変化させる第１の走査手段と、
   前記第１の走査手段での走査に応じて、前記検出器から出力される検出信号をしきい値と比較する比較手段と、
   前記第１の走査手段が複数の単位検査領域を順番に検査する際に、複数の前記単位検査領域に対して共通の位置をマスクするために、前記共通の位置をマスク位置として設定するマスク位置設定手段と、
   前記マスク位置設定手段で設定されたマスク位置以外における、前記比較手段の比較結果に基づいて欠陥を検出するマスク処理手段と、を備え、
   前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、
   ２以上の前記単位検査領域において、同じ位置に前記欠陥候補が検出された場合に、当該同じ位置を前記複数の単位検査領域に対する前記マスク位置として設定する欠陥検査装置。
2. 前記単位検査領域が前記試料のパターンによらない所定の大きさの領域であることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査装置。
3. 前記単位検査領域内において、前記照明光を偏向させる第２の走査手段をさらに備え、
   前記単位検査領域において、前記第２の走査手段の走査方向における所定の走査位置、及び前記走査方向と直交する方向における所定の位置の少なくとも一方に基づいて、前記マスク位置が設定されている請求項１、又は２に記載の欠陥検査装置。
4. 前記光源からの光を複数の光ビームを有するマルチビームに変換するマルチビーム変換手段をさらに備え、
   前記複数の光ビームの中の一部の光ビームに対してのみマスク位置が設定されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の欠陥検査装置。
5. 前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、
   前記マスク位置における前記欠陥候補のサイズが、消去サイズより大きい場合に、前記欠陥候補を欠陥と判定する請求項１〜４のいずれか１項に記載の欠陥検査装置。
6. 前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、
   前記マスク位置をマスクした後に、隣の欠陥候補までの距離に応じて欠陥候補をマージするマージ処理部をさらに備えた請求項１〜５のいずれか１項に記載の欠陥検査装置。
7. 複数の前記単位検査領域のうち、一部の前記単位検査領域における比較結果に基づいて、前記マスク位置を設定することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の欠陥検査装置。
8. 前記比較手段の比較結果に応じて、前記単位検査領域毎に前記マスク位置を調整することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の欠陥検査装置。
9. 光源からの照明光によって試料を照明するステップと、
   前記試料の照明された領域からの光を検出器で受光して、検出信号を出力するステップと、
   複数の単位検査領域を順番に検査するために、前記照明光と前記試料との相対位置を変化させて、第１の走査を行うステップと、
   前記第１の走査に応じて、前記検出信号をしきい値と比較するステップと、
   前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出するステップと、
   前記第１の走査によって複数の単位検査領域を順番に検査する際に、複数の前記単位検査領域に対して共通の位置をマスク位置としてマスクするために、２以上の前記単位検査領域において、同じ位置に前記欠陥候補が検出された場合に、当該同じ位置を前記複数の単位検査領域に対する前記マスク位置として設定するステップと、
   前記マスク位置以外における、前記検出信号としきい値との比較結果に基づいて欠陥を検出するステップと、を備えた欠陥検査方法。
10. 前記単位検査領域が前記試料のパターンによらない所定の大きさの領域であることを特徴とする請求項９に記載の欠陥検査方法。
11. 前記単位検査領域内において、前記照明光を偏向させることで第２の走査を行うステップをさらに備え、
    前記単位検査領域内において、前記第２の走査の走査方向における所定の走査位置、及び前記走査方向と直交する方向における位置の少なくとも一方に応じて、マスク位置が設定されている請求項９、又は１０に記載の欠陥検査方法。
12. 前記光源からの光を複数の光ビームを有するマルチビームに変換するステップをさらに備え、
    前記複数の光ビームの中の一部の光ビームに対してのみマスク位置が設定されている請求項９〜１１のいずれか１項に記載の欠陥検査方法。
13. 前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、
    前記マスク位置における前記欠陥候補のサイズが、消去サイズより大きい場合に、前記欠陥候補を欠陥と判定する請求項９〜１２のいずれか１項に記載の欠陥検方法。
14. 前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出し、
    前記マスク位置をマスクした後、隣の欠陥候補までの距離に応じて欠陥候補をマージするステップをさらに備えた請求項９〜１３のいずれか１項に記載の欠陥検査方法。
15. 複数の前記単位検査領域のうち、一部の前記単位検査領域における比較結果に基づいて、前記マスク位置を設定することを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の欠陥検査方法。
16. 前記比較するステップでの比較結果に応じて、前記単位検査領域毎に前記マスク位置を調整することを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の欠陥検査方法。
17. 試料の照明された領域からの光を受光する検出器からの検出信号を用いて欠陥検査を行うための欠陥検査プログラムであって、
    コンピュータに対して、
    複数の単位検査領域を順番に検査するために、照明光と前記試料との相対位置を変化させて、第１の走査を行うステップと、
    前記第１の走査に応じて、前記検出器から出力される検出信号をしきい値と比較するステップと、
    前記検出信号と前記しきい値との比較結果に応じて、欠陥候補を検出するステップと、
    前記第１の走査によって複数の単位検査領域を順番に検査する際に、複数の前記単位検査領域に対して共通の位置をマスク位置としてマスクするために、２以上の前記単位検査領域において、同じ位置に前記欠陥候補が検出された場合に、当該同じ位置を前記複数の単位検査領域に対する前記マスク位置として設定するステップと、
    前記マスク位置以外における、前記検出信号としきい値との比較結果に基づいて欠陥を検出するステップと、を実行させる欠陥検査プログラム。

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