JP4671500B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージ等に適用される配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来技術】
従来より、セラミック多層配線基板としては、アルミナ質焼結体からなる絶縁基板の表面または内部にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線回路層が形成されたアルミナ配線基板が最も普及している。
【0003】
しかし、最近の急速な情報通信技術の発達に伴い、使用される周波数帯域はますます高周波に移行しつつある。このような、高周波の信号の伝送を行う配線基板においては、高周波信号を遅延なく伝送するためや、寄生容量等によるノイズの発生を低減するために、配線回路層を形成する導体の抵抗が小さいことと、絶縁層を形成する絶縁基板の誘電率が低いことが要求される。
【0004】
ところが、従来のアルミナ配線基板では、焼成温度が1600℃程度と高いため、その導体には高融点金属であるタングステン(W)や、モリブデン(Mo)などが用いられるが、これらの配線導体は導体抵抗が大きく、さらにアルミナの誘電率も9程度と高く、信号遅延が大きいことから、W、Moなどの金属に代えて銅、銀、金などの低抵抗金属を導体として使用し、さらに絶縁層の誘電率を低くすることが要求されている。
【0005】
このような低抵抗金属からなる配線回路層は、アルミナと同時焼成することが不可能であるため、最近では、ガラス、またはガラスとセラミックスとの複合材料からなる、いわゆるガラスセラミックスを絶縁基板として用いた配線基板が開発されつつある。
【0006】
例えば、特公平4−12639号公報のように、ガラスにSiO2系フィラーを添加し、銅、銀、金などの低抵抗金属からなる配線層と900〜1000℃の温度で同時焼成した多層配線基板や、特開昭60−240135号公報のように、ホウケイ酸亜鉛系ガラスに、Al2O3、ムライトなどのフィラーを添加したものを低抵抗金属と同時焼成したものなどが提案されている。その他、特開平5−298919号公報には、ムライトやコージェライトを結晶相として析出させたガラスセラミック材料も提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来のガラスセラミック材料においては、金、銀、銅を同時焼成にて配線を形成する導体として使用できるものの、その誘電率は5〜8程度であり、さらなる信号遅延の低減、寄生容量の低減のためには、誘電率は5以下であることが要求される。
【0008】
しかし、緻密なセラミック系材料における誘電率の最低値は溶融シリカの3.8であり、従来のガラスとセラミックフィラーの組み合わせによって誘電率を5以下とすることは困難であった。
【0009】
そこで、誘電率を5以下にする方法として、特開平4−76982号公報のように、中空ガラスを用いて焼結体中に気孔を導入する方法が提案されている。しかしながら、シラスバルーン等の中空ガラスを用いると、通常のボールミル混合では中空ガラスが粉砕されるためボールを除去する必要があったり、また中空ガラスは高価である等の問題や、通常の原料粉末と、著しく比重の低い中空ガラスのような原料粉末とを混合すると、均一に混合することや、成形が非常に困難となる等の問題があった。
【0010】
一方、焼結体中に気孔を導入する方法としては、樹脂球や分相ガラス等を用いて気孔を導入する方法が特開平11−116333号等に提案されているが、発泡の制御が難しく、安定した特性が得られにくく、配線基板用途としては歩留りが低いという問題があった。そこで、特開昭60−264374号公報のように、アルミナ粉末を含侵固着させたガラス繊維から成る保護層を配置した耐熱性型枠を用いて、発泡性セラミックス原料混合物を焼成する方法が提案されている。しかしながら、耐熱性型枠等を用いて焼成する方法では、大量生産に不向きであったり、型枠によるコストが増加したりするため、配線基板の製造方法としては大きな問題がある。
【0011】
従って、本発明は、誘電率が低く、信号遅延を低減できる配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、非酸化物系セラミック粉末および/または金属粉末と、ガラス粉末とを、気体を発生するように組み合わせ、この組成物を用いて成形、焼成することによって、焼結体に閉気孔が効率的に形成される結果、低誘電率化を図ることができることを見いだし、本発明に至った。
【0015】
本発明の配線基板の製造方法は、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、PbOおよびBi 2 O 3 のうちいずれか1種以上を含有するガラス粉末と、Si 3 N 4 またはSiCのうちいずれかの非酸化物系セラミック粉末および/またはW、CuおよびAlの群から選ばれるいずれか1種の金属粉末とを含有するセラミック組成物を含むグリーンシートを作製する工程と、該グリーンシートにビアホール導体およびメタライズ配線層を形成する工程と、前記ビアホール導体および前記メタライズ配線層を有する前記グリーンシートを複数積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、該グリーンシート積層体の両面に、難焼結性のセラミック成形体からなる拘束シートを積層して複合積層体を形成する工程と、該複合積層体を800℃〜950℃の温度で焼成した後、前記拘束シートを除去して、前記ビアホール導体および前記メタライズ配線層を有する前記絶縁基板を形成する工程と、を具備することを特徴とするものである。また、上記配線基板の製造方法では、前記ガラス粉末として、SiO 2 を75重量%−Al 2 O 3 を4重量%−Li 2 Oを8重量%−K 2 Oを2重量%−CaOを11重量%、SiO 2 を72重量%−B 2 O 3 を24重量%−Al 2 O 3 を1重量%−Li 2 Oを1重量%−Na 2 Oを1重量%−K 2 Oを1重%、SiO 2 を58重量%−B 2 O 3 を9重量%−Al 2 O 3 を10重量%−Bi 2 O 3 を13重量%−CaOを10重量%およびSiO 2 を29重量%−B 2 O 3 を7重量%−Al 2 O 3 を2重量%−ZnOを7重量%−BaOを55重量%のうちいずれかの組成を有するものを用いることが望ましい。また、上記配線基板の製造方法では、焼成中に気体を発生させて、前記絶縁基板中に気孔を導入することが望ましい。
【0018】
また、上記配線基板の製造方法では、前記難焼結性セラミック成形体として、Al2O3、SiO2 およびMg2SiO4の群から選ばれる少なくとも1種を主成分とするものを用いることが望ましく、さらには前記難焼結性セラミック成形体として、ガラスを0.5〜20重量%含有するものを用いることが望ましい。これによって、配線基板の平面方向の収縮を抑制するとともに、配線基板を構成する絶縁基板内に発生した気孔を封じ込めることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
低誘電率セラミック焼結体は、開気孔率が1%以下、特に0.7%以下、最適には0.5%以下、閉気孔率が5%以上、特に10%以上、最適には15%以上を示し、かつ該低誘電率セラミック焼結体の表面がガラス層で覆われているものである。
【0021】
ここで、開気孔率が1%より大きいと、低誘電率セラミック焼結体表面に各種化学処理を施す場合や、配線基板として用いる際にめっきを施す必要がある場合や、さらには、半田ディップ等を行う際に、各種化学薬品や、めっき液、さらには半田等が、開気孔中に残留し、特性の悪化を引き起こしたり、外観上の不具合を引き起こす原因となったり、配線基板において、配線回路層の寸歩精度の悪化や、場合によっては、オープン、ショート等の電気的不良の原因ともなる。
【0022】
一方、低誘電率セラミック焼結体内部に閉気孔を導入することにより低誘電率を実現している。そのため、閉気孔率が5%より小さいと、基板の誘電率が高くなる。
【0023】
さらに、かかる低誘電率セラミック焼結体において、低誘電率セラミック焼結体表面の少なくとも表裏面の一部あるいは全部がガラス層で被覆することによって上記開気孔率を1%以下に保つことが可能となるものであって、このガラス層が形成されていないと開気孔率を1%以下に保つことが困難となる。このガラス層の厚みは5μm以上、特に10μm以上、最適には15μm以上であることが望ましく、ガラス層の厚みが5μmよりも薄くなると、各種化学薬品や、めっき液、半田等により、ガラス層が侵されることにより、特性の悪化、外観不良、寸歩精度の悪化、オープン、ショート不良等の原因となる。
【0024】
また、低誘電率セラミック焼結体は、上記の気孔の存在によって誘電率が5以下、特に4.5以下、最適には4以下であることも大きな特徴である。この誘電率が5より大きくなると、この焼結体を配線基板における絶縁基板として用いると高周波信号の信号遅延時間が大きくなる。
【0025】
また、前記ガラス層としては、SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物の群から選ばれる少なくとも1種を含有することが望ましく、逆に、PbOは環境へ悪影響を与えるため0.1重量%以下であることが望ましい。
【0026】
また、低誘電率セラミック焼結体は、ガラス相と、少なくとも非酸化物系結晶相および/または金属相とを構成相として含むものである。これは、Au、Ag、Cuといった、低融点、低抵抗金属と1000℃以下で同時焼成するために、ガラスの軟化流動を利用することが好適であるためであり、金属相、非酸化物系結晶相以外に、酸化物系結晶相が含まれていてもよい。
【0027】
本発明によれば、ガラス相と上記無機結晶相とは任意の比率で含有されるが、金属相の存在量が多いと絶縁性が悪化するため、その存在量が、10重量%以下、特に5重量%以下であることが望ましい。
【0028】
なお、上記非酸化物系結晶相としては、AlN、Si3N4、SiC、BN、TiN、TiCの群から選ばれる少なくとも1種、特に、SiC、TiN、TiCの群から選ばれる少なくとも1種,とりわけSiCが望ましい。
【0029】
また、金属相としては、Cu、Ag、W、Mo、Al、Cr、Niの群から選ばれる少なくとも1種、特にCu、W、Mo、Alの群、さらにはCu、Alの群から選ばれる少なくとも1種、さらにはCu、Alの群から選ばれる少なくとも1種が最も望ましい。
【0030】
また、酸化物系結晶相としては、SiO2、LiAlSi2O6、NaAlSi2O6、KaSi2O6、SrAl2Si2O8、BaAl2Si2O8、CaAl2Si2O8、LiAlSiO4、NaAlSiO4、KAlSiO4、ZrO2、MgAl2O4、ZnAl2O4、MgSiO3、Mg2SiO4、Zn2SiO4、CaMgSi2O6、Mg2Al4Si5O18、Zn2Al4Si5O18、ムライトの群から選ばれる少なくとも1種が挙げられ、用途に合わせて選択できる。
【0031】
図1に低誘電率セラミック焼結体の組織を説明するための概略図を示した。図1に示される通り、低誘電率セラミック焼結体は、1%以下の開気孔(OP)と5%以上の閉気孔(CP)を有し、焼結体表面の少なくとも表裏面の一部あるいは全部がガラス層(NC)で覆われている。また、焼結体中にはガラス相(G)と、非酸化物系結晶相および/または金属相(C)が存在する。なお、前記ガラス層(NC)と前記ガラス相(G)は同一の成分を含み、さらには同一の組成物からなることが望ましい。
【0032】
上記低誘電率セラミック焼結体は、特に絶縁基板と、その表面および/または内部に配設された配線回路層を具備してなる配線基板における絶縁基板として最も有用である。
そこで、図2に、配線基板としての典型的な例として、半導体素子を収納搭載した半導体素子収納用パッケージの概略断面図を図2に示した。図2によれば、パッケージは、絶縁基板1の表面および/あるいは内部に配線回路層2が形成され、絶縁基板1の下面には、複数の接続用電極が3が配列されている。また、絶縁基板1の上面中央部には、半導体素子4が、ガラス、樹脂等の接着剤を介して接着固定され、半導体素子4は配線回路層2とボンディングワイヤ5を介して電気的に接続され、さらにその上から封止樹脂6により覆うことにより封止されている。そして、半導体素子4と絶縁基板1の下面に形成された複数の接続用電極3とは、配線回路層2を介して電気的に接続されている。なお、図2に示されるようなパッケージにおける絶縁基板1は、前述した低誘電率セラミック焼結体により形成される。
【0033】
また、配線基板を構成する絶縁基板は、ガラス粉末と無機フィラー粉末との混合粉末を焼成して得られるガラスセラミック焼結体であることが望ましく、前記無機フィラー粉末は、少なくとも非酸化物系セラミック粉末および/あるいは金属粉末を含有することが望ましい。
【0034】
また、配線基板は、配線回路層2および接続用電極3が、Au、Ag、Cu、Pd、Ptの群から選ばれる1種以上の金属を主成分とする金属焼結体および/あるいは金属箔からなることが望ましく、特にPd、PtはAgと同時に使用されることが望ましい。
【0035】
次に、低誘電率セラミック焼結体の製造方法とともに、これを絶縁基板として用いた配線基板を作製する方法について、特に多層配線基板を作製する場合について説明する。
【0036】
まず、セラミック組成物として、ガラス粉末と、少なくとも非酸化物系セラミック粉末および/あるいは金属粉末を含むフィラー粉末との混合粉末からなる。これは、上記粉末を任意に組み合わせることにより、焼成中に気体を発生させることができるため、焼結体中に気孔を導入することができるためである。
【0037】
このとき、水ガラス等などのガラスから直接気体が発生するガラスを用いても差し支えないが、気体の発生量を制御し易い事や、熱膨張係数、誘電率、誘電損失、比重等を任意に制御することが可能となるため、ガラスとフィラーとの反応によって気体が発生するような組み合わせで用いることが望ましい。
【0038】
また、本発明によれば、前記ガラス粉末のガラス転移温度、特に軟化点(軟化温度)はセラミック組成物の焼成温度よりも低いことが望ましい。これは、混合粉末から気体を発生させる際に、ガラスが軟化していないと気体が発生しても十分な体積の閉気孔が形成されないためである。
【0039】
ここで、上記ガラス粉末としては、非酸化物系セラミック粉末および/あるいは金属粉末と混合、焼成した際に気体が発生さえすれば、どのような組成系であってもよい。但し、ガラス中に、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、PbO、Bi2O3のいずれか1種以上、特にアルカリ金属酸化物、Bi2O3を含有することが気体の発生を促進させる上で望ましく、さらには、3成分以上の多成分ガラスであることが望ましい。ここで、PbOは環境への影響面からは0.1重量%以下であることが望ましい。さらに、アルカリ土類金属酸化物は気体の発生能力が低いため、単独で用いずに複数成分を混合させて用いるのが望ましい。
【0040】
また、前記非酸化物系セラミック粉末として、Si3N4 またはSiCのうちのいずれかを用い、また、前記金属粉末としては、Cu、WおよびAlの群から選ばれるいずれか1種を用いる。これは、上記非酸化物粉末や金属粉末が焼成中にガラスと反応して閉気孔を形成するための気体を発生しやすいためである。
【0041】
なお、上記ガラス粉末の含有量は、セラミック組成物全体の50重量%以上、特に60重量%以上、最適には70重量%以上であることが、また、上記金属粉末および/あるいは非酸化物系セラミック粉末の含有量は、混合粉末全体の50重量%以下、特に40重量%以下、最適には30重量%以下であることが、気体の発生量を制御する上で望ましい。
【0042】
さらに、前記無機フィラー中には、上述した金属粉末および/あるいは非酸化物系セラミック粉末以外の無機粉末、特に酸化物セラミック粉末を含有しても差し支えない。このような無機粉末を無機フィラーとして含有させることにより、気体の発生量や、例えば誘電率、誘電正接、熱膨張係数等の低誘電率セラミック焼結体特性を制御することができる。上記無機粉末の例としては、SiO2、LiAlSi2O6、NaAlSi2O6、KaSi2O6、SrAl2Si2O8、BaAl2Si2O8、CaAl2Si2O8、LiAlSiO4、NaAlSiO4、KAlSiO4、ZrO2、MgAl2O4、ZnAl2O4、MgSiO3、Mg2SiO4、Zn2SiO4、CaMgSi2O6、Mg2Al4Si5O18、Zn2Al4Si5O18、ムライトの群から選ばれる少なくとも1種が挙げられ、用途に合わせて選択できる。
【0043】
次に、上記のセラミック組成物に対して、有機バインダー、溶剤等を加えて所定形状に成形する。絶縁基板を作製するには、上記のスラリーを用いて周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、グリーンシートを成形する。
【0044】
次に、このグリーンシートにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填する。なお該導体ペーストは、Au、Ag、Cu、Pt、Pdの群から選ばれる1種以上の金属成分と、アクリル樹脂などからなる有機バインダーとジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、テルピネオールなどの有機溶剤とを均質混合して形成される。なお、該導体ペースト中には無機成分を添加してもよい。
【0045】
次に、このビアホール導体が形成されたグリーンシート表面に、配線回路層を形成する。配線回路層を形成するには、金属ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などにより、メタライズ配線層を印刷塗布することにより、ビアホール導体を接続した配線回路層を具備する一単位のグリーンシートを形成することができる。
【0046】
また、他の方法としては、前記ビアホール導体が形成されたグリーンシート表面に金属箔により形成する。このような金属箔からなる配線回路層は、グリーンシートの表面に金属箔を接着した後に周知のフォトエッチング法などの手法により所望の回路パターンを形成する方法が知られているが、かかる方法ではエッチング液によりグリーンシートを変質させる恐れがあるため、転写法にて形成することが望ましい。
【0047】
転写法による配線回路層の形成方法としては、まず高分子材料等からなる転写フィルム上に金属箔を接着した後、この金属箔の表面にレジスト層を形成し、フォトエッチング法等により、所望の回路パターン化して配線回路層を形成する。そして、この配線回路層を形成した転写フィルムを、前記ビアホール導体を形成したグリーンシートの表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィルムのみを剥離することにより、ビアホール導体を接続した金属箔からなる配線回路層を具備する一単位のグリーンシートを形成することができる。なお、上記印刷法による配線回路層と、上記転写法による配線回路層は、混在していても差し支えない。
【0048】
その後、配線回路層を形成したグリーンシートを積層圧着してグリーンシート積層体を形成し、これを400〜800℃、特に450〜750℃の酸化性雰囲気中、または低酸化性雰囲気中にて有機分を揮散させるために脱バインダ処理した後、1000℃以下の酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気で焼成する。
【0049】
なお、焼成雰囲気については、用いる低抵抗金属の種類に応じて適宜決定され、例えば、銅等の酸化性雰囲気中での焼成によって酸化する金属を用いる場合には、N2等の非酸化性雰囲気中にて焼成を行えばよい。
【0050】
特に、本発明によれば、焼成に際して、焼結体の表面にガラス層を形成することによって、発生した気体を焼結体中に封印し、また、平面方向の焼成収縮を抑制するとともに、気体の発生による焼結体の変形を防止するため、難焼結性セラミック成形体を前記グリーンシート積層体の両面に加圧、積層して焼成を行なうことが望ましい。また、焼成時の反りを防止するために、複合積層体上面に重しを載せる等して50Pa〜1MPa過重をかけてもかまわない。
【0051】
この拘束シートは、難焼結性の酸化物成分を主成分とすることが望ましく、焼成温度では緻密化しない組成物を用いる。よって、拘束シートで前記グリーンシート積層体を挟むことにより、焼成中に界面に摩擦力が働き、前記グリーンシート積層体の焼成収縮を抑制すると同時に、原料粉末から気体が発生するのに伴って起こる、絶縁基板の変形や収縮バラツキに伴う寸法精度の悪化を防止する働きがある。なお、ここでいう焼成温度とは、前記複合積層体を焼成する際の焼成プロファイル中の最高温度を指す。
【0052】
この拘束シートは、難焼結性酸化物成分とガラスからなる無機成分に、さらに有機バインダー、溶剤等を加えてスラリーを調整した後、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形することにより得られる。
【0053】
本発明によれば、この拘束シート中に、ガラス転移点が焼成温度以下であるガラス成分を0.5〜20重量%、特に1〜15重量%含有することが望ましい。このガラス成分は、焼成中に拘束シート側からグリーンシート側へと軟化流動により移動し、絶縁基板(焼結体)の表裏面の一部あるいは全部にガラス層を形成させることができる。そのため該ガラスのガラス転移温度は焼成温度以下であることが望ましい。
【0054】
また、ガラス成分が0.5重量%よりも少ないと、絶縁基板1表面に形成するガラス層が不充分となり外観上の不具合や電気的不良を引き起こす恐れがあり、逆に20重量%よりも多いと拘束シートが焼結し始めグリーンシート積層体の収縮と変形を抑制することが困難となるとともに、焼結後の拘束シートを絶縁基板1から除去することが困難となるためである。
【0055】
また、前記拘束シート中に含まれるガラス成分は、前記グリーンシート中に含まれるガラス成分と同一のものであっても本質的に差し支えないが、より緻密なガラス層を絶縁基板表面に形成するためには、後述する気体の発生を促進する成分、即ちアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、PbO、Bi2O3の群から選ばれる少なくとも1種の成分の含有量を、その合量で20重量%以下、特に10重量%以下とすることが望ましい。
【0056】
また、本発明によれば、前記難焼結性成分が、焼成温度以下、特に1000℃以下、さらに1100℃以下、最適には1200℃以下の焼成温度により緻密化しないことが望ましい。これは、前記難焼結性成分が、焼成温度以下で緻密化してしまうと、拘束シートが焼結し始めてしまいグリーンシート積層体の収縮と変形を抑制し、高い寸法精度を得ることが困難となるためである。なお、ここでいう緻密化とは相対密度90%以上を指す。
【0057】
また、本発明によれば、前記難焼結性成分が、Al2O3、SiO2、MgO、ZrO2、TiO2、MgAl2O4、ZnAl2O4、Mg2SiO4の群、特にAl2O3、SiO2、ZrO2、Mg2SiO4の群から選ばれる少なくとも1種を主体とすることが望ましい。これは、上記酸化物成分が拘束力に優れるとともに、比較的安価であるためである。
【0058】
また、上記拘束シートの厚みは、片面が上記グリーンシート積層体の厚さに対して10%以上であるのが好ましく、これより薄いと拘束シートの拘束力が低下するおそれがある。一方、有機分の揮散を容易にし、かつ絶縁基板からの拘束シートの除去性を考慮すれば、拘束シートの厚みは1mm以下であることが望ましい。
【0059】
上記のような拘束シートをグリーンシート積層体の両面に積層して焼成した後は、拘束シートを超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト(砥粒と水を噴射させる方法)等により、焼結された絶縁基板表面から除去することにより、本発明の配線基板を作製することができる。
【0060】
このようにして作製された配線基板の表面には、半導体素子4が搭載され配線回路層2と信号の伝達が可能なように接続される。接続方法としては、配線回路層2上に直接搭載させて接続させたり、あるいはボンディングワイヤや、TABテープなどにより配線回路層2と半導体素子4とが接続される。
【0061】
さらに、半導体素子が搭載された配線基板表面に、絶縁基板と同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなるキャップをガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合することにより、半導体素子4を気密に封止することができ、これにより図2に示したような半導体素子収納用パッケージを作製することができる。
【0062】
【実施例】
表1に示した組成とガラス転移点を有す4種の平均粒径が2μmのガラス粉末A〜Eを準備した。
【0063】
【表1】
【0064】
上記ガラス粉末と平均粒径1μmのフィラー粉末とを、表3、表4に従って秤量し、さらに有機バインダー、可塑剤、トルエンを添加し、ボールミル混合を行うことによりスラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ200μmのグリーンシートを作製した。
【0065】
難焼結性成分粉末と表1に示すガラス粉末とを表2に従い秤量し、上記と同様の方法で厚さ200μmの拘束シートを作製した。
【0066】
そして、この上記グリーンシートを4枚積層し、50℃の温度で10MPaの圧力を加えて熱圧着しグリーンシート積層体を作製した。
【0067】
続いて、このグリーンシート積層体の表裏面に、拘束シートを片面各2層積層し、同様の方法で熱圧着し、合計8層の複合積層体を作製した。
【0068】
【表2】
【0069】
得られた複合積層体をN2/H2O雰囲気中、700℃の条件で脱バインダーした後、N2雰囲気中で表3,4の条件において焼成し、その後ウェットブラスト処理を行い拘束シートを除去することにより絶縁基板用焼結体を得た。
【0070】
また、アルキメデス法により開気孔率を算出し表3、表4に示した。
【0071】
また、焼結体の切断した断面を鏡面研磨し、光学顕微鏡にて微細気孔を観察し、画像解析を行うことにより閉気孔率を算出し、さらに焼結体表面に形成されたガラス層の厚みを最も厚い個所と最も薄い個所との平均値として算出した結果を表3、表4に示す。
【0072】
また、得られた焼結体について、LCRメーターを用いて静電容量を測定し、そこから誘電率を算出した値を表3、表4に示す。なお測定周波数は1MHzである。また、焼結体中における結晶相をX線回折測定から同定した結果を表3、表4に示した。
【0073】
一方、配線基板を作製するために、上記グリーンシートに、パンチングにて所定のビアホールを形成し、平均粒径が5μmのCu粉末と有機バインダー、溶媒を添加し混錬した導体ペーストをビアホール内に充填した。
【0074】
続いて、高分子フィルム上にCu箔を接着し、さらにレジストを形成して、フォトエッチング法にて所定の配線パターンを形成した転写シートを形成した。これを、上記ビアホール導体を形成したグリーンシート上に位置合わせして、上記転写シートを積層し、60℃、15MPaで熱圧着した後、高分子フィルムを剥がすことにより、ビアホール導体を接続した配線回路層が形成されたグリーンシートを作製した。なお、配線基板は、35mm□、厚さ0.4mmとなるように作製した。
【0075】
そして、上記同様の方法にて、グリーンシートの積層、拘束シート積層、脱バインダー、焼成、ウェットブラスト処理を行った後、Ni−Auめっきを施し、配線基板を作製した。
【0076】
上記配線基板を200ヶ作製し、外観検査を行い、変形/付着の有無、めっきの欠けや広がりを確認し、無を良品とした。また、寸法バラツキを測定し、±350μmを良品とした。これら、外観検査、寸法バラツキによる歩留りを表3、表4に示した。なお、歩留り90%以上を合格とした。
【0077】
さらに、比較例として、拘束シートを使用しない場合や、無機フィラーとして金属粉末あるいは非酸化物系セラミック粉末を含有しない系についても同様の方法にて絶縁基板用焼結体および配線基板を作成し、同様の評価を行った結果を表3、表4に示す。
【0078】
【表3】
【0079】
【表4】
【0080】
表3、表4の結果から明らかなように、本発明に基づき、焼成中に気体を発生する混合粉末を用い、該混合粉末を主成分とするグリーンシートの両面に、難焼結性酸化物を主成分とする拘束シートを積層した後、焼成することにより、該低誘電率セラミック焼結体の開気孔率を1%以下、閉気孔率を5%以上とし、かつ該低誘電率セラミック焼結体の少なくとも表裏面の一部あるいは全部をガラス層で覆わしめた低誘電率セラミック焼結体および配線基板が得られることがわかる。その結果、誘電率が5以下を示し、かつ低抵抗導体と同時焼成可能な、低誘電率の低誘電率セラミック焼結体および配線基板が、歩留り良く、安価に得ることができる。
【0081】
これに対して、拘束シートを使用しない試料No.1では、気体の発生による開気孔を拘束シート中のガラス成分により覆うことができないことに加え、絶縁基板の変形により良品を得ることができない。
【0082】
また、フィラー中に金属粉末および/あるいは非酸化物系セラミック粉末を含有しない試料No.13、14では、焼成中に十分な量の気体が発生しない結果、5よりも大きい誘電率を示す。
【0083】
さらに、拘束シート中のガラス成分が0.5重量%よりも少ない試料No.27では、開気孔率が1%以上となり、外観不良が増加し、歩留りが90%より小さくなる。
【0084】
また、拘束シート中のガラス成分が20重量%よいも多い試料No.32では、拘束シートが焼結し始めるため、寸法バラツキが大きくなると同時に、ウェットブラスト処理により拘束シートを除去するのが困難となり外観不良が増加する結果、歩留りが90%より小さくなる。
【0085】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、焼結体である絶縁基板中に閉気孔を形成することにより絶縁基板の低誘電率化を図れるとともに、信号遅延時間の短縮、寄生容量の低減ができ、高周波信号を効率良く伝達できる配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】低誘電率セラミック焼結体における組織を説明するための概略図である。
【図2】配線基板を説明するための、半導体素子収納用パッケージの概略断面図である。
【符号の説明】
OP 開気孔
CP 閉気孔
NC ガラス層
G ガラス相
C 非酸化物系/金属結晶相
1 絶縁基板
2 配線回路層
3 接続用電極
4 半導体素子
5 ワイヤ
6 封止樹脂
Claims (5)
- アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、PbOおよびBi 2 O 3 のうちいずれか1種以上を含有するガラス粉末と、Si 3 N 4 またはSiCのうちいずれかの非酸化物系セラミック粉末および/またはW、CuおよびAlの群から選ばれるいずれか1種の金属粉末とを含有するセラミック組成物を含むグリーンシートを作製する工程と、
該グリーンシートにビアホール導体およびメタライズ配線層を形成する工程と、
前記ビアホール導体および前記メタライズ配線層を有する前記グリーンシートを複数積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、
該グリーンシート積層体の両面に、難焼結性のセラミック成形体からなる拘束シートを積層して複合積層体を形成する工程と、
該複合積層体を800℃〜950℃の温度で焼成した後、前記拘束シートを除去して、前記ビアホール導体および前記メタライズ配線層を有する前記絶縁基板を形成する工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記ガラス粉末として、SiO 2 を75重量%−Al 2 O 3 を4重量%−Li 2 Oを8重量%−K 2 Oを2重量%−CaOを11重量%、SiO 2 を72重量%−B 2 O 3 を24重量%−Al 2 O 3 を1重量%−Li 2 Oを1重量%−Na 2 Oを1重量%−K 2 Oを1重%、SiO 2 を58重量%−B 2 O 3 を9重量%−Al 2 O 3 を10重量%−Bi 2 O 3 を13重量%−CaOを10重量%およびSiO 2 を29重量%−B 2 O 3 を7重量%−Al 2 O 3 を2重量%−ZnOを7重量%−BaOを55重量%のうちいずれかの組成を有するものを用いることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 焼成中に気体を発生させて、前記絶縁基板中に気孔を導入することを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板の製造方法。
- 前記難焼結性セラミック成形体として、Al2O3、SiO2 およびMg2SiO4の群から選ばれる少なくとも1種を主成分とするものを用いることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の配線基板の製造方法。
- 前記難焼結性セラミック成形体として、ガラスを0.5〜20重量%含有するものを用いることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の配線基板の製造方法。
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