JP5816782B2 - セラミック電子部品とその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1について説明する。
以下、本発明の実施の形態2について説明する。
本実施例のセラミック焼結体1は、AgあるいはAgを主原料とするAg電極2(例えば、Ag−Pt、Ag−Pd等の合金)との一体同時焼成を可能とした低誘電率である低温焼結セラミックである。
得られた図1記載のセラミック焼結体サンプルのAg電極2形成側を研磨してAg電極2を除去した上で、鏡面研磨した。そして、鏡面研磨後のセラミック焼結体1の乾燥重量を測定後、水中で脱泡処理し、水中重量及び含水重量を測定した。それら重量値を用いてアルキメデス法による比重を算出すると共に、吸水率を算出した。併せて、閉気孔率及び開気孔率も算出した。なお、閉気孔率とは閉気孔体積を全体積で除したもの、開気孔率とは開気孔体積を全体積で除したものである。
上記セラミック焼結体サンプルを、Ag電極2に垂直に研磨し、鏡面研磨面のAg電極2近傍をSEM観察し、デラミネーション発生率の評価結果を比重、吸水率、開気孔率、閉気孔率と以下の(表1)に併記した。
2 Ag電極
3a 開気孔
3b 開気孔
4a 閉気孔
4b 閉気孔
5 フィラー
21 セラミック焼結体
22a Ag電極
22b Ag電極
23a 開気孔
23b 開気孔
24a 閉気孔
24b 閉気孔
25 フィラー
Claims (9)
- セラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の表面あるいは内層に設けられたAg電極とを備え、前記セラミック焼結体は、硼珪酸ガラス相内に、複数のフィラーと、複数の閉気孔と、複数の開気孔とを設けた構成とし、前記閉気孔ないし前記開気孔の孔径は、前記低誘電率セラミック焼結体のAg電極設置面から離れるに従って徐徐に小さくなるように形成され、前記硼珪酸ガラスの結晶化率を90%以下としたことを特徴とするセラミック電子部品。
- セラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の表面あるいは内層に設けられたAg電極とを備え、前記セラミック焼結体は、硼珪酸ガラス相内に、複数のフィラーと、複数の閉気孔と、複数の開気孔とを設けた構成とし、前記閉気孔ないし前記開気孔の孔径は、前記低誘電率セラミック焼結体のAg電極設置面から離れるに従って徐徐に小さくなるように形成され、前記硼珪酸ガラスのガラス屈服点を550℃以上、750℃以下としたことを特徴とするセラミック電子部品。
- 前記閉気孔ないし前記開気孔の孔径は、前記Ag電極を中心に、略同心円状に前記Ag電極設置面から離れるほど小さくなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセラミック電子部品。
- セラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の少なくとも一部を介在させて対向配置した複数のAg電極とを備え、前記セラミック焼結体は、硼珪酸ガラス相内に、複数のフィラーと、複数の閉気孔と、複数の開気孔とを設けた構成とし、前記Ag電極間に位置する前記セラミック焼結体において、前記閉気孔ないし前記開気孔の孔径は、Ag電極設置面からAg電極間を結ぶ中央部分に向かって徐徐に小さくなるように形成され、前記硼珪酸ガラスの結晶化率を90%以下としたことを特徴とするセラミック電子部品。
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- 前記閉気孔ないし前記開気孔の孔径は、前記セラミック焼結体に、対向して設けられた2つの前記Ag電極それぞれを中心に、略同心円状に前記Ag電極設置面から離れるほど小さくなることを特徴とする請求項4または請求項5に記載のセラミック電子部品。
- 硼珪酸ガラス粉末に、フィラー、無機発泡剤を添加、混錬し、前記セラミック焼結体を成形後、このセラミック焼結体をAg電極と共に空気中で焼成するセラミック電子部品の製造方法であって、前記無機発泡剤の分解完了温度が、前記硼珪酸ガラス粉末の屈服点以上であり、前記硼珪酸ガラス粉末の結晶化率を90%以下としたことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
- 硼珪酸ガラス粉末に、フィラー、無機発泡剤を添加、混錬し、前記セラミック焼結体を成形後、このセラミック焼結体をAg電極と共に空気中で焼成するセラミック電子部品の製造方法であって、前記無機発泡剤の分解完了温度が、前記硼珪酸ガラス粉末の屈服点以上であり、前記硼珪酸ガラスのガラス屈服点を550℃以上、750℃以下としたことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
- 前記無機発泡剤としてCaCO3とSrCO3の少なくとも一方を添加することを特徴とする請求項7まはた請求項8に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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