JP4654201B2 - リソグラフィ装置及び測定方法 - Google Patents
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Description
マスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、マスク画像全体が目標部分Cに一度で(即ち単一「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTがx方向及び/又はy方向にシフトされ、異なる目標部分Cが投影ビームPBによって照射される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で露光される目標部分のサイズが制限されることになる。
所与の目標部分Cが単一「フラッシュ」で露光されない点を除き、基本的にステップ・モードと同じシナリオが適用される。走査モードでは、マスク・テーブルMTを所与の方向(いわゆる「走査方向」、たとえばy方向)に速度vで移動させることができるため、投影ビームPBでマスク画像を走査することができる。それと同時に基板テーブルWTが同じ方向又は逆方向に、速度V=Mvで移動する。MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4又はM=1/5)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び/又は方向は、投影システムPLの倍率、縮小率(縮小)及び/又は画像反転特性によって決まる。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Cを露光することができる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光で露光される目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって露光される目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
プログラム可能パターニング構造を保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターニング構造が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターニング構造を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (23)
- 測定方法であって、
基板の第1の部分の少なくとも1つの高さを測定するために第1のセンサを使用するステップと、
前記基板の前記第1の部分の少なくとも1つの高さを測定するために第2のセンサを使用するステップと、
前記第1のセンサを使用して測定した前記少なくとも1つの高さ、及び、前記第2のセンサを使用して測定した前記少なくとも1つの高さに基づいて、前記第1のセンサのオフセット誤差の第1の特性表示を生成するステップと、
基板の第2の部分の複数の高さを測定するために前記第1のセンサを使用するステップと、
前記第1の特性表示及び基板の前記第2の部分の前記複数の高さに基づいて、基板の前記第2の部分の第2の特性表示を生成するステップと、を含み、
前記第1のセンサが第1のプロセス依存性を有するプロセス依存型センサであり、
前記第2のセンサが、前記第1のプロセス依存性とは異なる第2のプロセス依存性を有するプロセス依存型センサであり、
第1の特性表示を生成する前記ステップが、前記第1のセンサを使用して測定した前記高さと前記第2のセンサを使用して測定した前記高さの差と、前記第1のセンサのオフセット誤差と、の関係を示すグラフを用いて、前記差に対応した前記第1のセンサのオフセット誤差を得るステップを含む、
方法。 - 前記第1の部分及び前記第2の部分が同じ基板の部分である、
請求項1に記載の測定方法。 - 前記第1の部分及び前記第2の部分が異なる複数の基板の部分である、
請求項1に記載の測定方法。 - 前記方法が、前記第2の特性表示に基づいて基板を露光するステップをさらに含む、
請求項1に記載の測定方法。 - 前記方法が、前記露光ステップに先立って前記第2の特性表示を記憶するステップをさらに含む、
請求項4に記載の測定方法。 - 第2の特性表示を生成する前記ステップが前記露光ステップの間に生じる、
請求項4に記載の測定方法。 - 基板を露光する前記ステップが、前記第2の特性表示に基づいて前記基板の位置を制御するステップを含む、
請求項4に記載の測定方法。 - 基板を露光する前記ステップが、パターン化された放射のビームを露光すべき基板の目標部分に投射するステップを含み、
前記目標部分の少なくとも一部が放射線感応材料の層で覆われた、
請求項4に記載の測定方法。 - 前記第2の特性表示にハイト・マップが含まれている、
請求項1に記載の測定方法。 - 前記方法が、
異なる複数の基板の複数の部分の第1の複数の高さを測定するために前記第1のセンサを使用するステップと、
異なる複数の基板の前記複数の部分の第2の複数の高さを測定するために第2のセンサを使用するステップと、をさらに含み、
第1の特性表示を生成する前記ステップが、前記第1及び第2の複数の高さに基づいている、
請求項1に記載の測定方法。 - 前記第1の部分が基板の複数のサブ部分を含む、
請求項10に記載の測定方法。 - 基板の第1の部分の少なくとも1つの高さを測定するために第1のセンサを使用する前記ステップが、前記第1の部分の光学特性及び前記第1の部分の電気特性のうちの少なくともいずれか1つの特性に基づいて高さを測定するステップを含む、
請求項1に記載の測定方法。 - 前記第1の特性表示及び前記第2の特性表示が、いずれも前記基板の表面の所定の部分の内側で実行された測定に基づいている、
請求項1に記載の測定方法。 - いずれも前記基板の表面の他の所定の部分の内側で実行された測定に基づいて、他の第1の特性表示及び他の第2の特性表示が生成される、
請求項13に記載の測定方法。 - 基板の第1の部分に対して実行された測定に基づいて前記第1の特性表示が決定され、前記基板の第2の部分に対して実行された測定に基づいて第2の特性表示が決定され、前記第1及び前記第2の特性表示の補間に基づいて他の特性表示が決定される、
請求項1に記載の測定方法。 - 複数の基板の第1のグループに対するオフセット誤差の第1の特性表示が決定され、且つ、複数の基板の第2のグループの基板の少なくとも1つの高さを測定するために、複数の基板の前記第1のグループに対する前記オフセット誤差の前記第1の特性表示と、前記第1及び第2のセンサによって実行された測定と、に基づいて、複数の基板の前記第2のグループに対する他の第1の特性表示が決定される、
請求項1に記載の測定方法。 - 基板の第1の部分の少なくとも1つの高さを測定し、且つ、基板の第2の部分の複数の高さを測定するようになされた第1のセンサと、
前記基板の前記第1の部分の少なくとも1つの高さを測定するようになされた第2のセンサと、
(1)前記第1のセンサを使用して測定した前記少なくとも1つの高さ、及び、前記第2のセンサを使用して測定した前記少なくとも1つの高さに基づいて、前記第1のセンサのオフセット誤差の第1の特性表示を生成するようになされ、且つ、(2)前記第1の特性表示及び基板の前記第2の部分の前記複数の高さに基づいて、基板の前記第2の部分の特性表示を生成するようになされたプロセッサと、を備え、
前記第1のセンサが、第1のプロセス依存性を有するプロセス依存型センサであり、
前記第2のセンサが、前記第1のプロセス依存性とは異なる第2のプロセス依存性を有するプロセス依存型センサであり、
前記プロセッサが、前記第1の特性表示を生成する際に、前記第1のセンサを使用して測定した前記高さと前記第2のセンサを使用して測定した前記高さの差と、前記第1のセンサのオフセット誤差と、の関係を示すグラフを用いて、前記差に対応した前記第1のセンサのオフセット誤差を得るものである、
リソグラフィ装置。 - 前記装置が、所望のパターンに従って放射のビームをパターン化するようになされたパターニング構造と、
基板を保持するようになされた基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板テーブルによって保持されている基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、をさらに備え、
前記装置が、前記第2の特性表示に基づいて前記基板テーブルを配置するようになされた、
請求項17に記載のリソグラフィ装置。 - 前記装置が、前記放射のビームを提供するようになされた放射システムをさらに備えた、
請求項18に記載のリソグラフィ装置。 - 前記目標部分の少なくとも一部が放射線感応材料の層で覆われた、
請求項17に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1のセンサが、前記第1の部分の光学特性及び前記第1の部分の電気特性のうちの少なくとも1つに基づいて前記第1の部分の高さを測定するようになされた、
請求項17に記載のリソグラフィ装置。 - 前記装置が、前記第1及び第2の特性表示のうちの少なくともいずれか一方を記憶するようになされた記憶装置をさらに備えた、
請求項17に記載のリソグラフィ装置。 - 測定方法を記述した命令を含んだデータ記憶媒体であって、前記方法が、
基板の第1の部分の少なくとも1つの高さを測定するために第1のセンサを使用するステップと、
前記基板の前記第1の部分の少なくとも1つの高さを測定するために第2のセンサを使用するステップと、
前記第1のセンサを使用して測定した前記少なくとも1つの高さ、及び、前記第2のセンサを使用して測定した前記少なくとも1つの高さに基づいて、前記第1のセンサのオフセット誤差の第1の特性表示を生成するステップと、
基板の第2の部分の複数の高さを測定するために前記第1のセンサを使用するステップと、
前記第1の特性表示及び基板の前記第2の部分の前記複数の高さに基づいて、基板の前記第2の部分の第2の特性表示を生成するステップと、を含み、
前記第1のセンサが第1のプロセス依存性を有するプロセス依存型センサであり、
前記第2のセンサが、前記第1のプロセス依存性とは異なる第2のプロセス依存性を有するプロセス依存型センサであり、
第1の特性表示を生成する前記ステップが、前記第1のセンサを使用して測定した前記高さと前記第2のセンサを使用して測定した前記高さの差と、前記第1のセンサのオフセット誤差と、の関係を示すグラフを用いて、前記差に対応した前記第1のセンサのオフセット誤差を得るステップを含む、
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