JP4473840B2 - リソグラフィ装置及び装置製造方法 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
BD ビーム配給システム
IL 照明システム(照明装置)
AD 調節器
IN インテグレータ
CO コンデンサ
MT マスク支持構造、マスク・テーブル
MA パターン形成デバイス、マスク
PM 第1の位置決め装置
W 基板、ウェハ
WT 基板テーブル、ウェハ・テーブル
PW 第2の位置決め装置
IF 位置センサ
M1、M2 マスク位置合わせマーク
P1、P2 基板位置合わせ
C、Ci 目標部分
X0、X1 可動ブレード
Y0、Y1 可動ブレード
2 レベル・センサ、光源
6 制御装置
8 中央処理装置、CPU
9 メモリ
10 露光スリット
11 スポット
12 アクチュエータ
14 区域
15 レベル・センサ
16 放射ビーム
23 アクチュエータ
25 センサ
50、52、54、56 内側縁部
60、62、64、66 駆動ビーム
70、72、74、76 位置決め装置
82 ブレード位置エンコーダ
92 計数
102 摩擦車
112 モータ
122 電源
132 モータ・エンコーダ
142 計数
150、152、154、156 ローラ
Claims (15)
- リソグラフィ装置であって、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
露光スリット領域を通して放射ビームを前記基板の目標部分上に投影するように構成された投影システムと、
前記放射ビームにその断面においてパターンを付与してパターン形成された放射ビームを形成することが可能なパターン形成デバイスであって、前記パターン形成された放射ビームが、前記基板の前記目標部分において、焦点深度(DOF)にわたって合焦する、パターン形成デバイスと、
前記目標部分の少なくとも一部分の表面トポグラフィを測定するように構成された測定システムとを含み、
前記露光スリット領域の寸法を調節し、表面トポグラフィ変動がその上で前記焦点深度に等しい又はそれより小さい調節された露光スリット領域を形成するように、前記投影システムが構成され、
前記投影システムは前記露光スリット領域を形成する複数の可動ブレードを備え、前記複数の可動ブレードは互いに対して移動可能に配置されており、さらに前記複数の可動ブレードは、それぞれのローラ部分の位置において互いに対して部分的に回転可能に配置されている、リソグラフィ装置。 - 前記表面トポグラフィの変動が、前記露光スリット領域の上で、前記焦点深度を超えた場合、前記投影システムが、前記露光スリット領域の寸法を減少することによって、前記調節された露光スリット領域の前記寸法を最大にするように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記表面トポグラフィ変動が、前記露光スリット領域の上で、前記焦点深度より小さい場合、前記投影システムが、前記露光スリット領域の前記寸法を増加することによって、前記調節された露光スリット領域の前記寸法を最大にするように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記露光スリット領域が、幅及び長さの寸法を有する実質的に長方形である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記露光スリット領域の前記寸法の調節が、前記露光スリット領域の前記幅及び長さの寸法の少なくとも1つを減少することを含む、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記露光スリット領域の前記幅及び長さの寸法の少なくとも1つを、前記表面トポグラフィ変動が前記焦点深度(DOF)に等しくなる距離より小さいサイズに減少するように、前記投影システムが構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射ビームを前記基板上に投影する前に、実質的に前記基板全体の前記表面トポグラフィを測定するように、前記測定システムが構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記投影システムが前記放射ビームを第2の基板上に投影する間に、第1の基板の表面トポグラフィを測定するように、前記測定システムが構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射ビームの前記基板上への前記投影中に、前記測定システムが、前記表面トポグラフィを測定するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板テーブルの高さを調節するために、少なくとも1つのアクチュエータをさらに含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板テーブルの傾きを調節するために、少なくとも1つのアクチュエータを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 露光中毎に、前記基板テーブルの位置決めをその露光に最適化するように構成された、少なくとも1つのアクチュエータを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記露光スリットの前記寸法が、走査方向に垂直な方向で減少される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 装置製造方法であって、
投影システムを使用して、露光スリット領域を通してパターン形成された放射ビームを基板の目標部分上に投影するステップであって、前記基板を保持するように構築された基板テーブル上に当該基板が配置され前記パターン形成された放射ビームが焦点深度(DOF)にわたって合焦する、ステップと、
測定システムを使用して、前記基板の少なくとも一部分の表面トポグラフィを測定するステップと、
前記露光スリット領域の幅及び長さの寸法のうちの少なくとも1つを調節し、表面トポグラフィ変動がその上で前記焦点深度に等しい又はそれより小さい調節された露光スリット領域を形成するステップと
を含み、
前記投影システムは前記露光スリット領域を形成する複数の可動ブレードを備え、前記複数の可動ブレードは互いに対して移動可能に配置されており、さらに前記複数の可動ブレードは、それぞれのローラ部分の位置において互いに対して部分的に回転可能に配置されている、装置製造方法。 - 前記表面トポグラフィ変動が前記焦点深度(DOF)に等しい距離より小さいサイズに、前記露光スリット領域の前記幅及び長さの寸法のうちの前記少なくとも1つが減少される、請求項14に記載の方法。
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