TWI259335B - Lithographic apparatus, method of exposing a substrate, method of measurement, device manufacturing method, and device manufactured thereby - Google Patents

Description

1259335 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微影投影裝置及方法。 【先前技術】 如本文所使用之術語’’圖案化結構，，應廣泛理解為關於可 用於賦予入射輻射光束圖案化橫截面之任何結構或場，該 圖案化橫界面對應於將在基板之目標部分中產生之圖案； 術語"光閥”亦可用於此文章中。應瞭解”顯示"於圖案化結構 上之圖案大體上不同於最終轉移至（例如）其基板或層2圖 案（例如，其中使用了預偏壓特徵、光學臨近修正特^、相 位及/或偏振變化技術及/或多次曝光技術）。通常，此圖案 將對應於在目標部分中產生之器件中之特定功能層，例如 積體電路或其它器件（見下文案化結構可為反射及/或 透射的。圖案化結構之實例包括： 光罩°光罩之概念在撒影φ P盔五2 d ,

K例為具有黏彈性控 。此裝置之後之基本原

制層及反射表面之矩陣可定址表面。 98611.doc 1259335 理為（例如）反射表面之定址區域將入射光反射為繞射光，而 未定址區域將入射光反射為非繞射光。使用適當濾光器可 將非繞射光過濾出經反射之光束，僅留下繞射光；以此方 式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案變為圖案化。亦 可以相應方式使用一陣列之光栅光閥（GLV)，其中每一 可包括彼此相對可變形之複數個反射帶（例如，藉由施加電 位）以形成將人射光反射為繞射光之光柵。可程式化鏡面陣 列之另-替代實施例使用矩陣排列之很小（可為微觀的）鏡 面’藉由施加適當局部電場或藉由使用塵電致動構件使每 -鏡面可個別地關於一軸線傾斜。舉例而言，鏡面為矩陣 可定址的，使得定址鏡面將在不同方向上反射入射幸畐射光 束至未定址鏡面；以此方式’根據矩陣可定址鏡面之定址 圖案可使經反射光束圖案化。使用適當電子構件可執行所 需矩陣定址。在上文所述之兩種情財，㈣化結構可包 含-或多個可程式化鏡面陣列。如本文所指鏡面陣列方面 之更多f訊可自（例如）美國專利第5,296,891號與第 ⑽，193號及PCT專利中請案_ 98/38597與彻助雇 收=到，該等文獻以引用的方式倂入本文。在可程式化鏡 之狀況下，可將支撐結構實施為框架或台，例如其 根據而要可為固定或可移動的。 -私式化LCD面板。在美國專 四寻利弟5,229,872號中給定了 此構k之一實例，此案以引用 1用的方式倂入本文。同上所述， 可將此狀況下之支撐結構實施 ^ ^ i木或台，例如其根攄需 要可為固定或可移動的。 撅而 98611.doc 1259335 為了簡單起見，此本文之餘下部分在固定位置特定將其 2身指向包括光罩（或”主光罩”）及光罩台（或，，主光罩台”）之 :例，然而，在如上文所述之圖案化結構之廣泛情形中應 可見此等實例中所討論之普通原理。 祕衫I置可用於將所要圖案應用至表面上（例如，基板之 2標部分）。微影投影裝置可用於（例如）積體電路（IC)之製 =中。此狀況下，圖案化結構可產生對應於IC之個別層之 電路圖案，且可將此圖案成像於已塗佈有一層輻射敏感材 料（例如，抗蝕劑）之基板（例如，矽晶圓或其它半導體材料 曰曰圓）之目標部分（例如，包含一或多個晶粒及/或其部分） 上。大體而言，單一晶圓含有經由投影系統被相繼照射（例 如’一次一個）之鄰近目標部分之整個矩陣或整個網路。 在藉由光罩台上之光罩使用圖案化之當前裝置中，在兩 種不同類型之機器間可加以區別。在一類型之微影投影裝 置中，每一目標部分係藉由將整個光罩圖案一次性曝光於 目標部分上來經受照射；通常將此裝置稱為晶圓步進器。 在一替代裝置中（通常稱為步進掃描裝置）每一目標部分係 藉由在給定參考方向（’’掃描”方向）上漸進掃描在投影光束 下之光罩圖案同時同步掃描平行或反平行於此方向之基板 台來照射的；因此，投影系統通常將具有放大係數Μ(通常 < 1)’掃描基板台之速度V將為掃描光罩台之速度的係數μ 倍。在掃描類型之裝置中之投影光束可具有狹縫之形式， 该狹縫在掃描方向上具有狹縫寬度。如本文所述關於微影 器件之更多資訊可自（例如）美國專利第6,046,792號收集 98611.doc 1259335 到，此案以引用的方式倂入本文。 在使用微影投影裝置之製造過程中，圖案（例如，光罩中 之圖案）成像於基板上，該基板至少部分由一層輻射敏感材 料（例如，抗蝕劑）覆蓋。在此成像程序之前，基板可經受諸 如上底漆、抗蝕劑塗佈及/或軟烘焙之多種其它程序。在曝 光之後，基板可經受諸如後曝光烘焙（PEB)、顯影、硬烘焙 及/或對成像特欲之測量/檢測之其它程序。此組程序可用作 使器件（例如，iC)之個別層圖案化之基礎。舉例而言，此等 轉私程序可導致在基板上產生圖案化抗钱劑層。可跟隨一 或夕個圖案化步驟，例如沉積、蝕刻、離子植入（摻雜）、金 屬化、氧化、化學機械研磨等，所有步驟可意欲產生、修 改或完成一個別層。若需要若干層，則可將整個程序或其 變體重複用於每一新層。最終，一陣列之器件將出現在基 板（晶圓）上。然後藉由諸如分割或鋸切之技術使此等器件彼 此分離，藉此可將個別器件安裝於載體上、連接至插腳等。 關於此等步驟之進一步資訊可自（例如）書，fMicr〇chip

Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing^ ，第三版，Peter van Zant著，McGraw mil publishing c〇， 1997’ ISBN 0-07-067250-4 中獲得。 如本文所指之基板可在曝光之前或之後處理··例如，在 軌道中（通常將一層抗蝕劑塗佈至基板並使經曝光之抗蝕 劑顯影之工具）或在計量工具或檢測工具中。當可應用時， 可將本文之揭不内容應用至此等及其它基板處理工具。此 外，基板可經處理一次以上（例如，為了產生多層Ic)，使得 98611.doc 1259335 關於已含有多個經處理層 如本文中所使用之術語基板亦可 之基板。 術語’，投影系統”應廣泛理解為包含多種類型之投影系 統’其包括（例如）折射光學系統、反射光學系統及反射折射 混合系統。基於下列因素可選擇特定投影系統：（例如）所用 之曝光㈣t類型、曝光路徑中之任何浸沒流體或氣體填充 區域、真空是否用於所有或部分曝光路徑中等。為了簡單 起見’在下文中可將投影系統稱為，，透鏡，，。輻射系統亦可 包括導向、成形、減少、放大、圖案化及/或另外 控制輕射之投影光束之任何設計_進行操作之組件，且 在下文亦可將此等組件全體或單獨稱為，，透鏡，，。 此外，微影裝置可為具有兩個或兩個以上基板台⑷或兩 個或兩個以上光罩台)之類型。在此等”多平臺"器件中，可 並行使用額外台，或可於—❹個臺上進行預備步驟而一 或多個其它台用於曝光。（例如）在美國專利第5,969 441號 及請案第W0 9晴91號中描述之雙平臺微Η 置’该等文獻以引用的方式倂入本文。 以增加投影系統之有效數值孔徑在此項技術中已為五人所 熟知。 微影裝置亦可為-種類型’其中基板浸沒於具有相對高 折射率之液體（例如’水）中使得填充投影系統之最後元件I 基板間的空間。浸沒液體亦可應用至微影裝置之其它空 間’例如光罩與投影系統之第一元件之間。使用浸沒：： 以包含所有類型之電 本文獻中，使用術語，，輻射”與”光束 98611 .doc -10- 1259335 磁輪射，其包括紫外線輕射（例如，具有365、248、193、 157或126 nm之波長）及Euv(遠紫外線輻射，例如具有在 WO nm範圍之波長），以及粒子束（例如，離子束或電子束）。 雖然此本文中特定參考了 1C之製造中微影裝置之使用， 應明確瞭解此裝置具有多種其它可能應用。舉例而言，其 :用於整合光學系、統、用於磁鳴記憶體之導引模式及债測 柄式、液晶顯示器面板、薄膜磁頭、DNA分析器件等之製 造中。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之内容中， 應將此本文中術語”晶圓"或”晶粒”之任何使用分別認為由 更通用之術語”基板”及，，目標部分，，來取代。 母人曝光基板可萬要取得基板高度映射。若基板已經受 一或多個製程步驟，則表面層將不再為純拋光矽且亦可存 在表示已在基板上產生之特徵之結構或拓撲。不同表面層 及結構可影響水平感應器讀數且詳言之可改變其偏移。若 水平感應器為光學的，則此等效應可（例如）歸因於由表面結 構或由表面反射率中之波長相依性所導致之繞射效應，且 不可總是被預知。若水平感應器為電容感應器，則由基板 之電學特性可導致製程相關誤差（pr〇cess dependent err〇r)。 【發明内容】 根據本發明之一實施例之測量方法包括使用第一感應器 以测量基板之第一部分之至少一高度並使用第二感應器以 測量基板之第一部分之至少一高度。該方法亦包括：基於 使用第一感應器測量之至少一高度及使用第二感應器測量 之至少一高度來產生第一感應器之偏移誤差之表徵，及使 9861 l.doc -11- 1259335 用第一感應器以測量基板之第二部分之複數個高度。基於 基板之第二部分之複數個高度及第一感應器之偏移誤差之 表徵來產生基板之第二部分之表徵。 根據本發明之另一實施例之測量方法包括使用第一感應 器以測量基板之第一部分之至少一高度並使用抗蝕劑中聚 焦判定（in resist focus determination)以測量基板之第一部 分之至少一咼度。該方法亦包括：基於使用第一感應器測 里之至少一南度及使用抗蝕劑中聚焦判定測量之至少一高 度來產生第一感應裔之偏移誤差之表徵，及使用第一减鹿 器以測量基板之第二部分之複數個高度。基於基板之第二 部分之複數個高度及第一感應器之偏移誤差之表徵來產Z 基板之第二部分之表徵。 本文中亦揭示了此等方法、器件製造方法之多種變化以 及可用於執行此等方法之微影裝置及資料儲存媒體。 【實施方式】 本發明之實施例包括（例如）曝光基板之方法，其可 以精碹且成本有效之方式修正水 &卞以應态之製程相關偏彩 誤呈。 圖1示意地描繪了根據本發 影裝置。該裳置包含： 特疋只施例之微影投 組態為供應(例如’具有能夠供應之結構 束（例如，uv或贿㈣）之㈣系統。在此特定實^ 輕射糸細包含輕射源so;光束傳遞系統BD;及 設定照明節點之調整結構AM、積光㈣及聚光器⑺之照 98611.doc -12- 1259335 明糸統； 組態為支樓能夠®案化投*光束之圖案化結構 構。在此實例中，楚 ^ ^ ^ ? ^ 牙、、、° 、幻中苐一物件台（光罩台）MT具有用於固掊 罩MA(例如，主止I1职 、九 +罩)之光罩固持器，且連接至第一定位結 冓用於相對於物體PL精確定位光罩； 組f為固持基板之第二物件台(基板台)。在此實例中， 基板台WT具有用於㈣基板w(例如，經抗_塗佈 體晶圓）之基板固牿哭、，日、查士 Μ _ ' 連接至弟一定位結構用於相對於 物纽精確定位基板，且連接至（例如，干涉）測量結構IF、， 其組悲為精確指示基板及/或基板台相對於透鏡 置；及 〜為奴衫圖案化光束之投影系統C，透鏡。。在此實例 中’投影系統PL(例如，折射透鏡組、反射折射混合系統或 、系先及/或鏡面系統）組態為將光罩退之經照射部分成 像於基板W之目標部分C上（例如，包含一或多個晶粒及/或 八4刀）4者’投影系、統可投影次要源之影像使得可程式 圖案化結構之元件可充當換門 死田决門之作用。投影系統亦可包括 微透鏡陣列（MLA)(例如）以形成次 乂风人要源並將微黑子投影至 基板。 如此處所描繪，該裝置為透 0 ^ ^ 6 、 心町顯^ (例如，具有透射光 罩）。然而’大體而言，其亦可為 為反射類型（例如，具有反射 光罩）。或者，該裝置可使用另— 々里頭之圖案化結構，例如 上文所指的一類型之可程式化鏡面陣列。 源so(例如，汞燈、準分子雷 m 電子搶、產生雷射之電 98611.doc -13- 1259335 漿源或放電電裂源、或在儲存環或同步加速器中之電子束 路心固圍提供之波動器丨產生輻射光東。此光東直接或在 已橫貫調節結構或調節場之後送至照明系統（照明器灿。舉 例而言，光束傳遞系統仙可包括適當之導向鏡面及/或光束 放大器。照明器α可包含用於設定光束中強度分佈之外部 與/或内部徑向範圍（通常分別稱為〇_外部及σ_内部）之調整 結構或調整場ΑΜ，其可影響由投影光束傳遞之韓射能量在 (例如）基板處之角度分佈。另外，該裝置將通常包含多種其 它組件，例如積光器ΙΝ及聚光器⑶。以此方式，碰撞於光 罩ΜΑ上之光㈣在其橫截面上具有所要均句性及強度分 佈。 關於圖1應注意’源S0可在微影投影裝置之外殼内部（例 如，此常出現於當源S0為汞燈之狀況下），但其亦可遠離微 影投影裝置，其產生之_ g、、， 八座生之輻射先束达至該裝置（例如，藉助適 當之導向鏡面)’·此後者情況常出現於在當源s〇為準分子雷 射之狀況下。本發明及中請專利範圍包含此等兩種情況。 光束PB隨後截取固持於光罩台奶上之光罩财。已橫貫 光罩MA(或者，已選擇性經由光罩^反扪之後，光㈣ f過透鏡PL，其將光束PB聚焦於基板W之目標部分c上。 措助於第二定位結構（及干涉測量結構叩可精確移動基板 台WT(例如)以便在光束PB之路徑中定位不同目標部分c。 類似地’第-定位結構可用於相對於光束PB之路徑精確定 位光罩MA ’例如在自光罩庫機械方式取得光罩MA之後， 或在掃描期間。大體而言’藉助於長衝程模組(粗定位)及短 98611.doc 1259335 衝程模組（精細定位）將實現物件台MIT、WT之移動：，其未在 圖1中明確描繪3然而，在晶圓步進器（與步進-掃描裝置相 對）之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可 為固定的。光罩MA與基板W可使用光罩對準標記M1 ' M2 及基板對準標記p 1、P2來對準。 所描緣之裝置可以若干不同模式使用： 1.在步進模式中，將光罩台“丁保持大體上固定，且一次 性（意即，單一”快閃”）將整個光罩影像投影至目標部分C 上。基板台WT然後在认心方向上平移使得不同之目標 部分C可經由光束PB照射。在步進模式中，曝光場之最大 尺寸可限制在單-靜態曝光中所曝光之目標部分之尺寸；

成， X / U J ^ 。基板台…丁相對於光罩sMT之速率

3·在另一模式中，將光14 將光罩台MT保持大體上 與…

PL 標 寸 非； 部： 986n.d〇c 1259335 程式圖案化結構，且當賦予至投影光束之圖 標部分c上時移動或掃描基板譜。在此模式中，通^ 用脈衝輪射源且在基板台WT之每一移動之 : 間之連續輻射脈衝之間根據需要更新可程式圖宰化社^ 此操作模式可易於應用至利用可程式圖案化結構之:置 破影’例如上文所指的一類型之可程式化鏡面陣列。 亦可使用上述有用模式 有用模式。 ^之及^或完全不同之 吾人應瞭解基板相對於圖案化結構及/或投影***之 確定位可為重要的，其中該投影系統將為已知的及/或受= 確控制。舉例而言’不僅對於在無橫向位移之狀況下精確 投影至指定目標部分上之影像是重要的，而且對於將盡可 能精確聚焦至基板之表面上的光罩之影像亦是重要的。 為了達成投影光束相對於基板之上表面（例如，基板上之 -層抗蝕劑)之最佳聚焦，可需要或必須對基板與光軍及/ 或光學系統之間的高度進行判定。舉例而言，可需要或必 須將高度調整為對應於理想聚焦距離之高度。由於基板之 厚度可改變’可需要或必須判定用於每一曝光操作之基板 之理想或最佳定位（例如，相對於光罩及/或光學系統）。而 且’由於基板可為非完全平坦之物件，基板之理想或最佳 聚焦位置可在基板之表面上方變化。最後，基板可為不同 的且具有不同之形態。因此，可需要對可能用於每一曝光 操作之每一基板測量基板之部分或全部之高度映射。 可用方、貝施冑決方法之微影投影裝置包括鄰近光學系 9861 l.doc -16- 1259335 疋位或為H统之部分的水平感應器，該光學系統將 圖：化光束鑛基板上。根據此解決方法，在曝光期間 ^里土板之同度映射。基於測量值可調整基板相對於光學 系^之距離（例如’馬度），例如藉由調整支撐基板之基板台 之高度。 或者’可在曝光之前測量基板之高度映射。存在至少兩 獨立可私動基板台之機器現在可為市售的；參看，例如 ，際專利中Μ案wo 98/28665及wo 98/4G791中所述之多平 :裝置”匕多平臺裝置之後之一操作原理為，當第一基板 台在投影系統下方之曝光位置用於曝綠於該臺上之第一 基板時，第二基板台可（例如）運行至裝載位置，卸下先前經 曝光之基板，承載新基板，在新基板上執行某些測量（例 如’上述之高度映射），且然後一完成第-基板之曝光就準 備將新基板轉移至投影系統下方之曝光位置；，然後可重複 匕循。在如本文所揭示之本發明之某些實施例之應用 中，基板台之數目係不相關的，此係由於此等實施例可與 僅—基板台一起使用，該基板台可或不可在曝光位置與測 里位置之間移動，或者此等實施例可與兩個以上基板台一 起使用。 在位於測量位置之基板上所執行之測量可（例如）包括基 板上之（亦稱為”晶粒，，）多個預期曝光區域、基板上之參考標 記與位於基板之區域之外的基板臺上之至少一參考標記 (例如，基準）之間的空間關係（例如，在X方向及γ方向上） 之判定。隨後可於曝光位置使用此等資訊以執行曝光區域 9861 l.doc -17- !259335 相對於投影光束之快速且精確 別θ κ * 隹<入疋位與υ定位：；關於此等 謂s及其使用之更多資訊可於 、Ν 1專利公開幸W0 99/32940中發現。此文獻亦 ^ < j隹回度映射之測量位置 之：備’該高度映射使在多個點處之基板表面之z位置愈基 :固持器之參考平面相關聯，其中2指示垂直於基板表面之 方向。 =使用與基板之上表面相互作用之感應器來完成基板 之尚度映射之測量。通常將此感應器稱為水平感應器。基 板之而度映射之測量可經受

又力如&人，州專利公開案EP 〇3 711 7A2中所述之處理製程誤差（pDE)。 兩種類型之製程相關誤差得 、， ㈣决差係、已知的··偏移誤差及線性誤 μ錯縮放（mis-sealing)(意即，增扑由水平感應器測量 之间度ZLS可作為實際高紅eai之函數表示為合理精確性： ，如’ ZLS—+ ’其中&為增益且b為偏移。理論上，增 益（a)等於單位（1)且偏移（b)等於〇。 每次曝光基板可需要取得基板高度映射。若基板已經受 -或多個製程操作’則表面層不再為純抛光石夕，且亦可存 在表不已在基板上產生之特徵之結構或拓撲。不同之表面 :及結構可影響水平感應器讀數且詳言之可改變其偏移。 :水平感應器為光學的’則此等影響可（例如）歸因於由表面 結構或由表面反射率巾之波長相依性所導致之繞射效應， 且不可總是被預知。若水平感應器為電容感應器，則由基 板之電學特性可導致製程相關誤差。 為了克服此等製程相關誤差，需要判定製程相關修正。 98611 doc • 18 - 1259335 在歐洲專利公開案E P丨Ο 3 7 i丨7 A 2中提出了用於抵消及/或修 正此等製程相關誤差之若干方法。 舉例而3，為了判疋所需製程相關增益修正，可藉由水 平感應器測量曝光區域或目標部分，其中基板台設定於若 干不同之垂直位置（例如，跨越水平感應器之線性或線性化 範圍）。基板南度之特點可為基板表面與（例如）由基板台所 界定之參考平面之間的物理距離。參考平面在Z方向之位置 可由（例如）干涉儀來測量。此基板高度Zwafer不應隨基板台 之垂直位置變化且可藉由減去水平感應器與z干涉儀之測 里而U得· ZWAFER—ZLS—ZIF。此處，zLS表示由水平感應器 對基板之表面之測量且ZIF表示由干涉儀對參考平面之測 量。然而，應瞭解只要基板台之位置為已知的就可使用另 一感應器來替代干涉儀。 zWAFER表示基板相對於參考平面之高度。因此，若Zwafer 之判定值的確隨基板台之垂直位置變化，則此結果可表示 水平感應器或Z干涉儀（或所用之其它感應器）中任一或兩 為非線J·生的或未相同縮放。由於z干涉儀對於比用於基板 高度映射之所需精確性更大之範圍可為線性的，可將z干涉 計認為是線性的。@此，可將基板高度值巾之任何差異假 定為由水平感應器之線性誤差或錯縮放所產生，例如由增 益誤差所產生。此等差異及關於相應水平感應器讀數（在I 觀測到此等差異)之可能知識可用於修正水平感應器之輸 出。在包括水平感應器或其使用之本發明之一實施例中提 出了簡單增益修正。然而，可與其它已知感應器―起使用 9861 l.doc -19- !259335 更複雜之修正。 * '处里且其上具有曝光區域之基板已經受不同之穿j 程，，則可判定製程相關修正以用於基板上曝光區域之各不、 同類型。相反地，若將要使一批具有已經受相同或類似製 程之曝光區域之基板曝光，則可僅必須測量製程相關修正 以_人/生用於每批之每一類型之曝光區域。然後在該批基 板:，每當曝光區域之類型為高度映射的時可應用此修正。 吾人已知感應器為不經受製程相關誤差的。此製程盔關 感應器可為氣壓計或掃描針測繪器。如熟f此項技術者已 1的礼壓β十可藉由自氣體出口供應氣流至基板之表面來判 定基板：高度映射。其中基板之表面為高#，意即，基板 =表面罪近氣體出σ ’氣流將相對經歷高抵抗力。藉由測 里"瓜之抵抗力作為氣壓計在基板上方之空間位置之函 數’可獲得基板之高度映射，該高度映射可與基板之至少 某些特性（例如’基板之上層之電學特性及/或光學特性）無 關(或至少相對如此)且因此可提供製程無關高度映射〆 掃描針測緣器可用於使用針來掃描基板之高度映射，其 亦可提供與諸如抗姓劑層之電學特性及/或光學特性之特 性無關，高度映射。其它製程無關感應器亦為已知的。然 而’此等製程無關感應器通常具有與製程相關水平感應哭' 相比較慢之掃描速率(或頻寬)(例如，低於高達1〇〇二 數)。此外，此等製程無關感應器之掃描速率與所要求相比 可為緩慢的。 由於已知製程無關感應器相對較慢，用於判定製程相關 9861 l.doc -20- 1259335 誤差之已知方法係诵赍 古、去#用制$ , 極’、耗時的。根據如上文所討論之 〜去使用製裎相關感瘫哭 ,, S心' 判疋製程相關增益誤差可包括 自相對於基板之不同吝庚今、， 左』已括 位其拓夕又之測量。此配置可意味在其上定 位基板之基板台必須在古 声 、在回度上移動及/或感應器必須在高 饮⑷ 為耗時的。另夕h可能此方法可僅有助於 1W正製程相關增益誤差 、 兰^ 、，、， （）而不可用於修正製程相關偏移誤 差（b)。增盈修正鱼偏 /、 >正間之一可能區別為··增益修正 σ相對測量（例如’其中基板在高度上移動已知量，且 水平感應器之回應係與該已知移動相比較的），而偏移修正 可基於絕對測量(例如，相對於零高度值)。 」咸V製耘相關偏移誤差之其它技術係可用的。舉例而 吕’如上文所參考之歐洲專利公開案第卿1()37117八2號描 述了可用於提供調整至所用感應器之不同解決方法。此專 利公開案提議利用使用一個以上波長之感應器來測量高 獻亦提議改變入射之角度，水平感應器以此角度 來測量高度。自此等測量值獲得之測量（例如，使用若干波 長及/或改變角度）可用於抵消製程相關偏移。然而，此等解 决方法可為相對麻煩的（例如，耗時）且因此相對昂貴。另 外’其可不能夠判定製程相關偏移誤差。 美國公開專利申請案第2002/01 58185號為製程相關偏移 吳差提供了解決方法，其使用第一水平感應器與無製程相 關。吳差之氣壓計。此等感應器在曝光之前判定基板之高度 或基板之部分高度。此等測量間之差異經判定、儲存且用 作對第一水平感應器之製程相關誤差（意即，偏移）之測量。 9861! .doc 1259335 在曝光期間(在運作中)使用大體上與第一水平感應器相同 之第二水平感應器。假定此製程相闕誤差同樣應用至第二 水平感應器，可使用儲存之第一水平感應器之製程相闕誤 差來修正此第二水平感應器之測量。然而，此解決方法需 要兩個大體上相同之水平感應器（意即，該等感應器必須: 有匹配之效能），此使其稱為相對因難且昂貴之解決方法。 #在根據本發明之-實施之方法中，使用第—感應器_ 弟二感應器11來判定製程相關偏移誤差，高度感應器用於 絕對測量中(意即，相對於零高度值)以測量基板…自身之高 度。因此，與在測量期間將判定增益誤差且基板w之高度 相對於測量設備移動（以獲得高度移動之相對測幻之測量 相反，此方法中基板评之高度不相對於測量設備移動。然 後將所獲得測量間之差異用於判定製程相關偏移誤差 (0E)卩下將進—步討論本發明之不同實施例。 *展丁 了基板W第一感應器1〇及第二感應器11，第一 ^應器1G及第二感應器11定位於基板W上方（例如）以判定 ，之高度映射。圖2亦展示了經配置以與第-感應器10 感應益U通訊之處理器12。感應器1〇、⑽配置為 將其測量轉移至處理器12。 憶體單元U通訊。處理哭” 係進一步配置為與記 °。12可將資料儲存至記憶體單元13 :自：憶體單元13操取資料。如以下將討論，處…係 進一步配置為使用自篦_ ^ 1 感應器10、第二感應器11及/或記 取之諸來執行計算。處理心及/或記憶體13 為㈣投影裝置1之部分，但亦可將其置放於微影投影裝 98611.do, -22- 1259335 置1之外部。 在根據本發明之一實施例之裝置中，第一感應器10為諸 如氣壓計或掃描針測繪器之製程無關感應器，其中高度測 里不取決於所測量表面之電學特性及/或光學特性。第二感 應為11為製程相關感應器，意即，其具有可取決於在基板 上所執行製私之偏移誤差（pD〇E)。假定已提前修正增益 誤差。然後由製程相關偏移誤差大體上形成第一感應器與 第二感應器之測量間之差異。在此狀況下，可假定PDOE係 完全由第二感應器11導致且自第一感應器10之讀數可知基 板W之”真實”高度。 使用第一感應器10與第二感應器u可對基板上之複數個 位置進行測量，例如，藉由在感應器1〇、丨丨下方掃描基板。 由第感應益10與第二感應器11所獲得之測量可用於建構 映射在该映射中儲存第二感應器11之PDOE以用於所測量 基板W上之每一位置。此映射可為簡單圖表，其中，每一 製耘步驟，對於指示基板w上之位置之X座標與Y座標之組 合，PDOE破儲存。因此，換言之，第二感應器丨丨之測量可 、、、校正為X Y位置及使用此第二感應器11之製程之函數， 且各自校正資料可儲存於記憶體單元13中。 由處理态12所計算之第二感應器u 2PD〇E映射可儲存 於記憶體單元13中。當進行基板W之進一步處理時，可自 此記憶體單元13擷取PD〇E映射。然而，亦可#pD〇E映射 轉私至另5己憶體單元（未圖示），其中在曝光期間可由微影 投影裝置1更容易且更快速地自該記憶體單元擷取pD〇E映 98611.doc -23- 1259335 射。 由於PDOE取決於基板w之特性（例如，所用抗姓劑之種類 及該層抗蝕劑下方結構之組合物），可假定用於基板w之具 有相同特性種類之每一部分之此PD〇E相同，例如，已經受 類似曝光或使用類似圖案之曝光以及類似處理之相應目標 部分C(或目標部分之局部）。此等特性可包括基板之光學特 性及/或電學4寸性。貫務上，此相關性可意味用於基板w上 之每一相應目標部分C及/或用於相應製程步驟中之其它基 板W上之母一相應目標部分c之PDOE映射可為相同的。 PDOE映射之判定（例如）由於使用製程無關感應器（氣壓 計與掃描針測繪器測量為緩慢的）可為耗時製程。然而，因 為用於類似目標部分C之PDOE映射可為類似的，所以一次 足以判定用於各類似目標部分C之特定PDOE映射。一旦已 知用於特疋類型之目標部分C之PDOE映射，則可使用快速 製程相關感應器正常處理具有類似目標部分C之所有基板 W。使用先前建構之PDOE映射可修正可以正常處理速率操 作之此等製程相關感應器之測量。因此，對於所有類似目 標部分C可需要建構僅一 PDOE映射。 對於微影曝光，可建構基板W之高度映射。可在微影裝 置之曝光位置或在微影裝置之遠端位置完成此構造，例如 在所謂多平臺機器中之測量位置，如在歐洲專利公開案第 E~a〇37117A2號中更詳細地討論。 在基板W之曝光之前，可使用經受與用於判定pdoe映射 之第二感應器11相同PDOE之水平感應器來判定基板w之 98611.doc -24- 1259335 高度映射。當然，第二咸 —戍尤益11與水平感應器亦可為同一 =。現可使用PD0E映射來修正水平感應器之測 =由將用於目標部分c上相應位置之職映 ❹加至水平感應器之測量。舉例而此計算可由處理 心使用先前儲存於記憶體單元13t之資料來完成。由於 使用相對快速之水平感應器來獲得高度映射同時補償了彭 程相關誤差’此方法使其可能以相對高之處理速率來處理 基板W。 在根據本發明之另—實_之方法巾，在曝光之前判定 製程相關偏移誤差映射與高度映射。在曝光期間，藉由基 於由影像感應輯獲得之測量定位晶圓臺WT來相對於圖 案化光束PB定位基板|，該影像感應器（例如）固定至晶圓 臺，例如將在下文中描述用於多平臺機器之所謂感應 器。 在如圖2中所描繪之多平臺機器中，可使用於測量位置之 水平感應器映射基板|之表面。可相對於參考平面⑽如， 如由TIS所界定）測量該映射，此資訊可儲存於記憶體中。 然後將基板W傳送至圖2中所描繪之曝光位置。在曝光之 前，基板台wt之位置與定位可由TIS測量並與參考平面相 關。TIS測量自光罩MA成像至基板台（包括光罩之高度）上之 複數個標έ己之位置。慣例使用複數個TIS感應器（圖2中僅展 示了其中之一）。 由於可自記憶體擷取先前由在第一位置之水平感應器之 測量所獲得之資料，且在曝光期間基於此資訊可調整基板 98611.doc -25- 1259335 w相對於（例如）使用™所界定之參考平面之高度與傾斜， 可不必要測量於曝光位置之基板…之表面。 此機器中，使用PD〇E映射可修正於測量位置之水平感應 益之測量以用於之製程相關偏移誤差。然而，在曝光期間， 其亦可替代地應祕正。當然，4目同方法可用於單平臺機 器，其中(例如)測量位置與曝光位置為相同位置，且在曝光 之前建構高度映射。 在以上“述中，第—感應器1G與第二感應器“在相同位 置。而使用在第-位置之第一（製程無關）感應器且使 用在第-位置之第二感應器丨丨來測量基板w之表面係可能 的。該第一位置甚至可在微影投影裝置i之外冑。舉例而 言，製程無關感應器1〇可為所謂的外部測繪器（例如，掃描 =測繪器或掃描穿關微鏡）。此狀況下，兩個感應器之測 Ϊ可相互比較可為重要的。由於定位基板|之基板台貨丁可 影響基板w之形狀，可需要在由第一感應器1〇與第二感應 器11之測量期間將基板w定位於相同基板台貿丁上之相同 位置。 如上所述，製程無關感應器10可為氣壓計或掃描針測繪 器’但是亦可使用其它製程無關感應器10。此等製程無關 感應窃為熟習此項技術者已知的。舉例而言，在諸如"The principles and applications of pneumatic gaugingf,(V R Burrows’FWP Journal，1976 年 10 月）與美國專利第 4,953,388 號之此等文獻中討論了氣壓計。 熟習此項技術者將瞭解（例如）只要判定了製程相關偏移 98611.doc -26- I259335 r ⑵發明之其它實施例。用於判定製程相關偏 ::、、射之另一技術為：將圖案成像於基板w上，處理 土反W’並债測所獲得圖案之品質(例如，判定抗蝕劑中之 =ί3放'’、、）基於所偵測不同影像之品質，局部最佳聚声高 二呈相關感應器u之測量相比較以判定製程相關偏 I二二。可使用將在下文中簡單描述之多種技術來完 成抗蝕劑中局部散焦之判定。 二：據本發明之另一實施例之方法中，第-測量包含抗 = 判定方法且感應器11為製程相關感應器。此方 法中’感應1 1之制招土關 製程相… 可藉由在(例如)已完成 I私相關感應器1 i讀取之相 判定。 取之相冋位置上之所得散焦之測量來 為了判疋將應用至經處理基板w上之聚焦偏移，所用之 通用抗韻劑中聚焦判定方 疋方法為聚焦曝光矩陣（FEM)。此方法 係基於曝光抗蝕劑中關 丄叹 甲之關鍵結構’同時在隨後曝光中改變 聚焦周圍之聚焦偏移。此等曝光可置放於基板 W之相同目標部分f 劑顯影之後，可執行成5像關键不同目標部分cjl。在抗蝕 成像關鍵結構之檢測或測量（光學的/ 電子的)以獲得用於處理層之最佳聚焦偏移判定。 =技術通常用於判定用於整個基板^最佳聚焦設定/ 母'經處理基板w或目標部分C之聚焦偏移之 判定A搞料 3 ““列之方法包括使用此技術以 板上目標部分⑺之聚焦變化。可需要提供更密集 98611.doc -27- 1259335 之曝光圖案，該曝光圖案與測量基板w之高度之製程相關 感應益在X方向與γ方向上之測量位置相匹配。此配置可允 許藉由感應器之某感應區域内之聚焦來曝光成像關鍵結 構，並獨立判定用於目標部分C之每一感應區域之最佳聚焦 設定/聚焦偏移（例如，以判定PDOE映射）。 判定待應用至基板W上之聚焦偏移之另一已知技術為使 用抗1虫h彳中I焦敏感標έ己之曝光並使用掃描器中之另一感 應益以測量所曝光標記。該等標記可為對準標記，但可使 用能夠用掃描器中之另-感應器測量之任何其它結構。 此等對準標記以密集組態之形式在光罩Μ Α上形成圖 案，且因此在已曝光目標部分C上產生標記之密集圖案。在 根據本發明之另-實施例之方法中，藉由將非遠距集中性 引入光學投影系統使該等標記變得聚焦敏感。置放於光罩 MA上之對準標記之子集藉由附著至光罩ma之石英模接合 以將非遠距集中性引入投影系統(在下文中稱為測量； 記）。此等測量標記將展示與用以曝光標記之散焦成比例之 水平位移或水平移動。具有楔狀物之對準標記（測量標記） 之位置可因此為聚焦敏感的’而其它標記（稱為參考標記） f位置可為聚焦不敏感的。然後’測量標記相對於參考標 5己之相對移動在測試曝光期間可充當對散焦之測量。 用於經處理基板上之特定位置之聚焦偏移可藉由測量已 , 動；判疋。母一感應區域可曝光至少 至少一參考標記。此方法可允許判定經處理 ^母—感應區域之聚焦偏移。可得到此等聚焦偏移 98611.doc -28- 1259335 乂用於特定目標部分c之内的每一感應區域且然後將此等 '、、、偏私儲存為用於具有相同基板組合物之每一目標部分 C之製轾相關偏移誤差映射。藉由曝光基板w上之一特定目 軚。卩刀C，或藉由平均基板w上之所有目標部分c上之聚焦 偏私Μ判定表示目標部分平均製程相關偏移誤差映射 可完成用以判定用於目標部分c之製程相關偏移誤差映射 之此方法。 用以判疋待應用至基板w之聚焦偏移之類似技術為使用 抗蝕劑中聚焦敏感標記之曝光並使用外部計量工具以測量 已曝光標記。該等標記可為更特殊之對準標記，例如如美 國專利第5,300,786號中所述之所謂盒中盒(b〇x_in_b〇x”吉 構。猎由將非遠距集中性引入光學投影系統使該等標記自 身為聚焦敏感的。藉由與光罩MA上之線鄰接之蝕刻相位步 驟（etching phase step)可達成此狀況，言亥等姓刻相位步驟形 成，中盒結構且隨其取消影像結構之繞射階數。在美國專 利第5,3 0〇,786號中更詳細描述了此方法。 —在每-感應區域，可曝光至少—標記。此方法可允許判 uWJl每—感應區域之聚焦偏移。可得到此等 聚焦偏移以用於特定目標部分。之内的每一感應區域且缺 後將此等聚焦偏移儲存為用於具有相同基板組合物之每一 目標部分C之製程相關偏移誤差映射。藉由曝光基板育上之 -特定目標部分C，或藉由平均基板…上之所有目標部分c 上之聚焦偏移以判定表示目標部分C之平均誤差映射可办 成用以判定用於目標部分C之製程相關偏移誤差映射^ 98611.doc -29- 1259335 方法。 現在藉由使用pD〇E映射可修正感應器丨丨之測量，例如藉 由僅僅將用於目標部分C上相應位置之叩〇£映射之内容添 加至感應器11之測量。舉例而言，藉由處理器12使用先前 儲存於記憶體單元13中之資料可完成此計算。或者可將 PDOE映射之内容在基板w之曝光期間用作修正。 若待處理之基板W在其上具有已經受不同製程之曝光區 域，則可判定製程相關偏移誤差映射以用於基板上每一不 同類型之曝光區域。相反地，若將要使一批具有已經受相 Π或類似製程之曝光區域之基板曝光，則可僅必須測量製 私相關偏移誤差映射以一次性用於每批之每一類型之曝光 區域。然後在該批基板中，每當曝光區域之類型為高度映 射的時可應用此修正。 在根據本發明之另一實施例之方法中，如圖2中所描繪， 為了判定製程相關偏移誤差（PDOE)映射，使用第一感應器 10與第二感應器U來測量基板W。此實施例中，第一感應 叩1 0與苐一感應器11為製程相關感應器，但各自對製程來 數具有不同之敏感度。以多種不同方式可達成此結果。舉 "Π而σ ’弟一感應器10與弟二感應器11相比可為另一類型 之製程相關感應器。然而，第一感應器丨0與第二感應器工i 亦可為相同之類型，但其使用諸如（例如）不同波長頻譜及/ 或不同偏振之不同配置。最後，第一感應器1〇與第二感應 =11亦可為使用不同配置之同一感應器。測量值間之差異 可用以判定PDOE映射。在此狀況下，PDOE可不等於兩個 9861 l.doc -30- 1259335 測f值間之差異’但可替代為藉由使用（例如）先前已由實驗 獲得之模型或台來擷取PD〇E，如以下將解釋。 、圖3a^ ~ 了第—感應器10與第二感應器11(兩個感應器 為衣私相關的）之製程相關性之圖表。水平軸線展示了製程 相關參數（例如’抗㈣彳層之厚度或錢劑之折射率）。曲線 M1〇、Mil分別展示由感應器1〇、u所測量之測量高度。圖 3a之圖表可為實驗之結果，該實驗在此情況下執行··其中 將由製程無關感應器所測量之”真實"高度保持怪定且其中 可改，基板之製程相關參數’高度由第一感應器⑺與第二 感應益U測1。然而，此圖表亦可基於理論模型以預測第 -感應器10及/或第二感應器u之製程相關性。 明/忍，圖3a展示將在作為製程相關參數的函數之固定 真貫’’南度測量值Μ 1 〇、Μ 1 1 --, 、 o M11。然而，由於可存在對應於由 感應裔1 0測量之相、'目I旦 相同測里值的另-，，真實”高度與製程相關 參數之其它值之其它組合，使用（例如）感應器1〇來測量值並 不自動導致吾人知道”真實"高度（製程無關高度）及製程相 關參數之值。 在圖3a中所不之貫例中，基板歡”真實，，高度由直的水平 =線來二曰不、。所以’此虛線表示已由理想、製程無關感應 1獲得之測量。如圖3a中可見，分別由感應器ϋ所 測量之作為製程相關參數之函數的高度Μ·,分別相對 於此真實高度變化。 可而要獲付如圖3a中用於特定製程相關參數之圖表。高 度副、M11間之差異由參考數字△來指示。在此實施例中， 98611.doc -31 - 1259335 可假定此差異僅為特定製程相關參數之函數。 在根據另一實施例之方法中，（例如）感應器1 〇之測量值 及與感應為11之測量值之差異△之每一組合與一真實高度 具有唯一關係。因此，可自感應器10測量值與差異Δ之每一 組合得到PDOE之值。基於圖3a之圖表，可獲得圖3b中所描 繪之圖表，其將第一感應器1〇2PD〇e展示為在第一感應器 1〇與第二感應器11之間差異A之函數。第一感應器1〇之 PDOE可簡單藉由（例如）計算第一感應器1〇之讀數與真實高 度之差異來獲得。對於作為△之函數值的pD〇E之圖表為單 調函數（其可為遞增或遞減的）可為需要或重要的，例如由於 以下將解釋之原因。當然，對於第二感應器11亦可獲得相 應之圖表。 來自圖3b中所示圖表之資訊可用以獲得基板臂之特定目 標部分C之PD0E映射。因此，可使用如圖2中所描繪之第一 感應Is 10與第二感應器丨丨來測量目標部分c。對於目標部分

中所示之圖表獲得PD〇E。

感應裔10處理並測量基板W。 PDOE映射來修正由此感應器1〇所測量之值。

Ub映射，則可使用製程相關 類似於第一實施例，可使用 作為製程相關參 與苐二感應器1 1之讀數間 在根據另一實施例之方法 在根據本發明之另一實施例之方法中 數之函數的第一感應器10之讀數與第二 之差異為單調上升或下降函數。 98611.doc -32- 1259335 中並非此狀況’且其難以或不可能明確判 知製程相關參數（例如，抗蝕 除非已

Mm, /、乳化物尽度範圍、布A 所用材料）之更多知識。 局、 可限制料該差異之可能值以獲得單調函數 =分解為若干單調部分。舉例而言，若圖3b之圖：為: 定二内右已知領外貝_如’若已知待判定之高度在特 :乾圍内’且圖表在該範圍中為單調的)則仍可使用如在此 二=中所述之方法。藉由使用兩個以上感應器亦可減少 此問喊，如下文中將討論。 其亦可為此狀況··在此實施例中之解決方法需要第一感 應器H)之讀數與第二感應器„之讀數間之差異不僅為^ 特定製程相關參數之唯-值，而且㈣於所有製程相關參 數之唯-值。若差異△不可僅為—pD參數之不同值而產 生，而且為不同之PD參數而產生，則可需要如上文所述製 程之額外知識以找到能夠判定PDOE映射之唯一解決方法。 在根據本發明之一實施例之方法中，可假定高度差△為為 僅取決於製程相關參數。然而，可想到PD〇E亦取決於真實 南度。在此狀況下，（例如）只要將作為PDOE函數之兩個感 應為讀數之差異保持單調關係，則仍可應用此方法。若高 度差△亦取決於真實高度，則可需要測量如圖3a中所示之圖 表以用於母一高度，或需要藉由使用一組於若干高度完成 之測量來建構此圖表以用於每一高度。然後藉由内插法（諸 如’（例如）線性内插法）可建構此圖表以用於其它高度。 根據此貫施例之方法之一潛在優點為：一旦判定了根據 98611.doc -33- 1259335 圖3樓儿之必需圖表5僅使用製程相關感應器可完成基扳 遠處理’其可為相對快速的或可滿足諸如空間要 求、污染要求等之特定機械要求。 、皆“根據如上文所討論實施例之方法，應瞭解對於所有 相應目標部分c僅需判定PDOE映射—次。可構思所有種類 之可4 Λ。舉例而言’單—基板w可包含必須被映射之 不同目標部分C。若所有目標部分c相互相對不同，則需要 產生PDQE映射以用於整個基板w。此pDQE映射可僅對於 、土板有用，但若其它基板具有在類似製程步驟中之 類似目標部分C，則可再次使用此映射。 當然，儘管目標部分㈣似亦可產生pD〇E映射以用於每 目払部分C。而且，儘管已知用於類似基板W2Pd〇e映 射，可產生用於每一基板w之新PD〇E映射。舉例而言，為 了確保最佳精確性可完成此額外映射。 在多平臺機器中，所獲得PD0E映射可儲存於記憶體單元 13中且在基板评之處理期間使用（例如，在第—位置判定高 度映射時或在第二位置之曝光期間，如上文已描述)。為； 判定基板W之每-目標部κ之高度映射，？咖映射可用 於修正水平感應器在第一位置之測量。然而，在第二位置 之曝光期間亦可使用PD〇E映射以調整基板％之高度與^ 位。 又，、疋 此外，熟習此項技術者應瞭解，可應用使用兩個以上感 應器之類似方法。舉例而言，可能基於由具有不同製程相 關性之若干製程相關感應器完成之測量之間的差異來判定 986 ϊ I.doc -34- 1259335 PDOE。而且，在圖3a中圖表間之差異在特定範圍内僅為製 長^關茶數之單調函數之狀況下，可使用更多感應器。 可將以上所述之實施例應用至所有種類之微影投影裝 置。此等方法可用於使用即時調平（在運作中）之機器令，或 可用於在曝光之前產生高度映射之機器中。後者可包括(例 如）如在國際專利申請案W098/28665與W098M〇791中所描 述之多平臺裝置，在上文之介紹中亦討論了此等申請案。 ”本發明之實施例包括··在微影裝置中曝光基板之方法、 器：製造方法及包含用於提供輻射之投影光束之照明系統 2微影裝置；用於支撐圖案化結構之支撐結構，該圖案化 構用以賦予投影光束之橫截面—圖案；用於固持基板之 板口’及用於將圖案化光束投影至基板之目標部分上之 投影系統。 根據本發明之一實施例之曝光基板之方法，在包括支撐 :以支撐基板之微影裝置中，其包括：使用第-感應器執 ^基板之部分之第一高度測量，第一感應器為製程 相，感應器；使用第二感應器執行至少-基板之相同部分 第=度測里，基於第一高度測量與第二高度測量之差 異產生弟-感應器之偏移誤差映射，並將此偏移誤差映射 儲存於記憶體單元中；產生基板或其它基板之部分之高度 映射«由偏移誤差映射來修正此高度映射，該其它基板 已ι文與使用弟一感應器執行之高度測量之部分類似之處 理；將此高度映射儲存於記憶體單元中；且當基板或其它 基板由基板台支撐於曝光位置時曝光該基板或其它基板， 98611.doc -35- 1259335 °亥曝光位置藉由使用晶圓臺感應器與高度映射來控制。 根據本發明之另一實施例之曝光基板之方法，在包括支 撐台以支撐基板之微影裝置中，其包括使用第一感應器執 仃至V —基板之部分之第一高度測量，第一感應器為製程 相關感應器"吏用第二感應器執行至少一基板之相同部分 之第一局度測量；基於在第一高度測量與第二高度測量間 之差異產生第一感應器之偏移誤差映射，並將此偏移誤差 映射儲存於記憶體單元中；產生基板或其它基板之部分之 高度映射，該其它基板已經受與使用第—感應器執行之高 二測量之部分類似之處理；將此高度映射儲存於該記憶體 :几中；I當基板或其它基板由基板台支擇於時曝光位置 時曝光該基板或其它基板，該曝光位置藉由使用高度映射 來控制同時藉由偏移誤差映射來修正。 為基板之特定部分建構之製程相關誤差映射可有利用於 修正在相同或另一基板之類似部分上所執行之測量。然後 使用先前儲存之製程相關誤差可易於修正所測量之高度。 基板上之不同目標部分或晶粒通常曝光於類似圖案且铖受 曝光中之類似處理。所以，用於特定目標部分之感應器之 製程相關誤差可類似於用於其它目標部分之感應 相關誤差。 根據-實施例’本發明係關於—種方法，其中該部件由 複數個子部件在該至少―基板上形成或其巾該部件由複數 個子部件在複數個基板上形成。 第二感應器為（例 在根據本發明之另一實施例之方法中 9861 l.doc -36- 1259335 如)軋壓計、外部測繪器及掃描針測繪器中之 嶋器。在根據此實施例之方法中，第二感應器= ^關誤差可僅藉由第—感應器與第二感應器間之差異^ 在根據本發明之另—實施例之方法中，第—感應1 =弟:製程相關性之製程相關感應器且第二感應器為且有 弟：製程相關性之製程相關感應器，該第二製程相關性係 不=於5亥第—製程相關性。在根據此實施例之方法中，可 不需要昂貴且耗時之製程無關感應器，例如，僅使用相對 成本有效且I·夬速之製程相關感應器。此方法可為相對時間 有效的。 根據本發明之另-實施例之曝光基板之方法，在包括支 撐台=支撐基板之微影裝置中，其包括使用第一感應器執 J 基板之°卩分之第一測量（為高度測量），第一感應 器為製程相關感應器；執行至少一基板之相同部分之第： 測量:其包含抗_中聚焦射方法；基於第_測量與^ -測里間之差異產生第—感應器之偏移誤差映射，並將此 偏，誤差映射儲存於記憶體單元巾；產生基板或其它基板 之部分之高度映射並藉由偏移誤差映射來修正此高度映 射，該其它基板已經受與使用第一感應器執行之高度測量 之=分類似之處理；將此高度映射儲存於記憶體單元中； 且當基板或其它基板由基板台支撐於曝光位置時曝光該基 板或其它基板，該曝光位置係由高度映射控制。 根據本發明之另一實施例之曝光基板之方法，在包括支 98611 .doc -37- 1259335 指1 σ以支撐基板之微旦彡姑 — 〜破置中’其包括使用第一感應器執 I板之部分之第-測量(為高度測量)，第一感應 :為製晴感應器；執行至少一基板之相同部分之第二 回度測量’其包含抗㈣中聚焦判定方法；基於第-測量 ”第_測里間之差異產生第—感應器之偏移誤差映射，並 將此偏移誤差映射儲存於記憶體單元中；產生基板或其它 土，之#刀之W度映射’該其它基板已經受與使用第-感 …口執行之同度測！之部分類似之處理；將此高度映射儲 存於記憶體單元中；且當基板或其它基板由基板台支樓於 =光位置時曝光該基板或其它基板，該曝光位置藉由使用 问度映射來控制，同時藉由偏移誤差映射來修正。 在此方法中，感應态之製程相關誤差可藉由在已完成製 程相關感應器讀取之相同位置處之散焦之測量來判定（意 即，藉由在大體上相同之位置上執行測量與讀取）。不同之 感應器與不同之方法可(例如)測量不在理想點但在特定感 應區域或位置内基板之高度或散焦。此等感應構件可具有 用於不同感應器與方法之不同形狀與不同尺寸。因此，術 語’’相同位置，，應理解為表示，，大體上相同位置,，。 在根據本發明之另一實施例曝光基板之方法中，抗蝕劑 中聚焦判定方法使用聚焦曝光矩陣（FEM)與聚焦敏感標記 中至少之一。使用聚焦敏感標記可基於（例如）將非遠距集中 性引入光學投影系統。在此更詳細解釋了可為有利的執行 抗韻劑中聚焦判定方法之方法。 根據本發明之一實施例之器件製造方法可進一步包括 98611.doc -38- 1259335 提i、基板，使用照明系統提供輻射之投影光束；使用圖案 化結構以賦予投影光束橫截面一圖案；及將圖案化輻射光 束投影至基板之目標部分上。 根據本發明之—實施例之微影裝置可包括1於提供輕 射之技衫光束之照明系統；用於支撑圖案化結構之支擇結 構’該圖案化結構用以賦予投影光束之橫截面一圖案；用° 於固持基板之基板台；及用於將圖案化光束投影至基板之 目標部分上之投影系統。 此微影投影裝置可進—步包括：經配置以執行至少—基 板之部分之第一高度測量之第-感應器，第-感應器為； =關感器’·經配置以執行至少一基板之相同部分之第 门度測里之第_感應器；處理器與記憶體單元，該處理 為用於基於第-高度測量與第二高度測量間之差 射儲感應器之偏移誤差映射’並將此偏移誤差映 生美:Γ己億體單元中；且其中第一感應器係經配置為產 生基板或另一基板之部分之高度映 一 與使用第一残瘅以一土板已經受 声… 面度測量之部分類似之處理，且 找置為藉由偏移誤差映射來修正此高度映射， 體係進一步經配置為用於將此高度映射儲存於記憶 :支〜襄置係經配置為當基板或其它基板由基板 i由使牙用^時曝光該基板或其它基板，該曝光位置 θ吏用曰曰圓堂感應器與高度映射來控制。 根據本發明之Jg 每 射之投up 微影裝置包括：用於提供輕 “先束之照明系統；用於切圖案化結構之支撐結 9861 l.doc -39- 1259335 構，該圖案化結構用以賦予投影光束之橫截面一圖案；用 於固持基板之基板台；及用於將圖案化光束投影至基板之 目標部分上之投影系統。此微影投影裝置可進一步包括： 配置為用於執行至少一基板之部分之第一高度測量之第一 感應器，該第一感應器為製程相關感應器；配置為用於執 行至少一基板之相同部分之第二高度測量之第二感應器； 處理器，其經配置為與第一感應器、第二感應器及記憶體 單元通訊，該處理器係經配置為用於基於第一高度測量與 第一南度測量間之差異產生第一感應器之偏移誤差映射， 並將此偏移誤差映射儲存於記憶體單元中；且其中第一感 應器係經配置為產生基板或另一基板之部分之高度映射， 該另一基板已經受與使用第一感應器執行之高度測量之部 分類似之處理，且該處理器係經配置為將此高度映射儲存 於記憶體單元中，該微影裝置係經配置為當基板或其它美 板由基板台支撐於曝光位置時曝光該基板或其它基板，該 曝光位置藉由使用晶圓臺感應器與高度映射來控制同時由 藉由偏移誤差映射修正之處理器來修正。

已如上文已描述，PDOE映射之判定可為耗時製程，例如 由於使用製程無關感應器（氣壓計與掃描針測繪器測量為 緩慢的）。然而，因為PDOE映射對於類似目標部分c可為類 似的，所以足以判定特定PD0E映射一次以用於每一類似目 標部分C。對於所有類似目標部分c，需要建構僅_ pD〇E 映射。可進一步發展使用用於類似目標部分CipD〇E映射 之此技術，如下文中將解釋。 9861 l.doc -40- 1259335 添加至基板w之層通常為非完全平坦的。當（例如）使用化 學機械研磨技術（CMP)塗覆並平面化Si〇層時，該Si〇層可 為在基板W之中心區域較厚且在基板|之邊緣附近較薄。因 此吾人將瞭解，中心區域之製程相關誤差不同於基板狀 邊緣附近之製程相關誤差。 由於此等變化，PDOE映射（基於在基板貨之中心所執行之 測置）在基板W之邊緣附近可為並非很精確的。為了處理此 問題，可將基板W之表面分成不同區域。基板1之表面可（例 如）分成第-部分J與第二部分„，其中第一部分為在基板w 之中心之圓形區域且第二部分為基板w未由第—部分Z覆蓋 之剩餘部分，意即’沿基板w之邊緣之圈/環狀區域。此在 圖4中描繪。 現在根據如上文所述之方法，可判定第一？则映射以用 於第-部分I且可判定第二!>则映射以用於第二部分π。當 使用製程相關感應器(例如，如上文所解釋之感應器⑴判定 基板w之高度映射時，使用第—pD〇E映射與第二 射之資訊。當使用感應器η完成測量以判定基板w之第一 /刀中之间度映射時’第一 PD〇_射係用於視測量所執 订之位置而定修正高度測量。當使用感應器“完成測量以 判定基板W之第二部分„中之高度映射時，第：映射 係用於修正高度測量。 吾人將瞭解可將基板w分成兩個以上部分以進一步增加 精雀) 生„亥等4^又有必要必須如圖4中所示實例中所描繪 之旋轉對稱，但可具有任何形狀。 98611 .doc -41 - 1259335 之方法，精由使用内插算法使得根據本發明 正。=‘確。此提供基板w上之製程變化之連續修 圖5展不了具有球形形狀之基板w之橫截面圖，其中基

:邊比邊緣附近更厚。該圖展示PD〇E映射在基板W 、、之：附近之第一位置A(例如，目標部分)與在基板W之中

:第弟(例如，另一目標部分)處判定。第-位置A 位置…咖映射在料用咖指示。現在考慮到 土板之球形形狀，對於位 心 術來判定PD〇E映射。 之間㈣域可使用内插技 若關於基板W之球形形狀之額外資訊沒有 如圖5中使用虛線i所指"關於球形形 之 孔了肖貝此貝訊可用於使用更適用於此情況 内插技術。舉例而言，資訊可用於指示第一位置纽第二 位置B間基板之形狀為凹面或凸面。在圖5所示之實例中， 2中基板W在中心相對較厚’可使用二階多項式内插技 付，如圖5中用虛線丨丨指示之給定内插曲線。 產生並使用P麵映射之後的f通想法為：製幻目關誤差 對於已經受類似製程之目標部分“相同的。然而，律管如 此，不同基板W之間可出現差異。源自不同批(例如，25個 基板之組）之基板W可展示差異。同樣，如上文所討論之cMp 處理通常在五個基板w之組中完成，其可導致不同组間基 板W之製程相關性中之差異。因此，將有需要列定用於每 一批及/或每一組之PD0E映射，此為相當耗時之製程。 根據本發明之另一替代方法，祖哮 ^ ^ #代万忐k礒一種更時間有效之方 98611.doc -42- 1259335 法。更新為（例如）第一組基板W判定之PDOE映射以用於第 二組基板W。基於在第二組之一或多個基板貿上所執行之相 對小數目之測量來完成此更新。此等測量提供關於在第二 組之基板W上特定位置之PD0E之資訊。第二组之此等 PDOE資訊可與第一組之相應PD〇e資訊相比較。基於第一 組之PDOE資訊與第二組之PD0E資訊間之差異，可修正第 一組之整個PDOE映射以判定可用於第二組之pdqe映射。 此修正可為添加至先前所判定PD0E映射之偏移，但亦可包 含增益係數。因此，如上文所述，使用第一感應器丨丨與第 一感應益12可於第二組之一或多個基板w上完成僅相對小 數目之測量。 根據上文描述了 一方法，其使用第一感應器與第二感應 器以測量基板W之高度。第一感應器可在曝光工具之操作 期間使用’且第二且較慢感應器係用於校正此第一感靡 器。該第一感應器可為相對快速感應器，但由於測量原理 (例如’光學、電學）其在取決於基板W之類型及應用至美板 W之處理之測量中傾於製程相關性。第二感應器可為相對 緩慢的，但對於待測量基板表面之所有處理誘發效應可為 不敏感的。第二感應器之測量係用於判定用於第一感麻哭 之偏移。請注意，第一感應器之測量在曝光時用於前饋中。 吾人將瞭解此相同原理可不僅用於測量高度，而且用於 測量基板W之其它特點。出於覆蓋之目的可（例如）使用相同 原理。 出於覆蓋之目的，在XY平面中測量提供於基板w上標記 98611.doc -43- 1259335 之位置，其中X軸線與y軸線大體上在待曝光基板w之表面 之平面中，且2軸線大體上垂直於基板W之表面。 此等標記在基板W之處理期間變形，此導致在測量標記 之位置中出現誤差。當前藉由使用光學感應器測量此等標 記來抵消此問題，該光學感應器使用包含兩個波長之測: 2束/則IS束掃描基板〜之S面上方且當其碰撞到標記 蚪，由"^己產生繞射圖案。繞射階數之強度在掃描期間由

光予感應裔測量。藉由將繞射階數之最大值判定為基板W 之她立置之函數，可判定標記之位置 '然而，此為相對 耗時且昂貴之解決方法。 、根據本發明，出於覆蓋之目的可使用第—感應器與第二 感！器中第二感應器係用於校正第-感應器。第二感 應器可為相對精確之測量 " 需測量其實際位置。此第： 夏標_廟而不 哭。、 苐一感應器可為相對緩慢之感應 、，—感應為之貫例為穿_顯微鏡、纟自輪廊測量哭 件或任何其它適當感應器。 ^ 目已判疋之標記之輪廓，可計 ^由此軚記所產生之繞射圖案。 舉例而言’若標記左側受損，則將在移動至相對未受損 私記右邊之位置發現繞射 、 自数之取大強度。基於此知識， 可计异可用於修正標記之測 、 置之偏移。因此，在使用 弟感應态之標記之測量盥 〜使用弟二感應器之測量之間可 偏移’所計算之偏移可用於校正第-感應器。 所以，對第一感應器額外 σ 弟一感應态之原理對於覆蓋 感應為與聚焦感應器為 用的在兩種狀況下，第一感應 98611.doc -44- 1259335 σσ :為相對快速的且可測量所有基板之所有標記。第二感 應為可為相對緩慢的’但能夠測量典型用於以相同方式二 理之整批基板w之偏移。第二感應器僅測量該批之_或； w之-或幾個標記，因此判定用於第_感應器之額 基本原理在於第二感應器使用另一物理方法用於測量第 一感應器敏感之相同或額外物理參數之事實。 —^ ^ ^~敏應器 不而要測量所有標記，且因此可為相對緩慢之感應器。此 打開了用於尋找此等感應器之更多可能性。 隹上文已彳田述本發明之特定實施例，應瞭解如申請專 利犯圍所主張之本發明之實施方法可不同於如所描述之本 發明之實施方法。舉例而言，該方法之實施例亦可包括： 、、且心為控制一裝置以執行如本文所述之方法之一或多個電 腦、處理器及/或處理單元（例如，邏輯元件之陣列）；或組 態為包括描述此方法之指令（例如，可由邏輯元件之陣列執 行）之資料儲存媒體（例如，磁碟或光碟或半導體記憶體，例 如ROM、RAM或快閃RAM)。請明確注意，此等實施例之描 述並不意欲限制如申請專利範圍所主張之本發明。 【圖式簡單說明】 圖1描繪了根據本發明之一實施例之微影裝置； 圖2示意地描緣了根據本發明之一實施例之配置； 圖3a及3b描繪了圖表，自該等圖表以根據本發明之一實 施例之方法可推斷出製程相關誤差； 圖4描繪了如根據本發明之一替代實施例所使用之基 98611.doc -45- 1259335 板；及 圖5描繪了根據本發明之另一替代實施例之基板之例示 圖。 該等圖式中，相應參考符號指示相應部件。 【主要元件符號說明】 10 第一感應器 11 第二感應器 12 處理器 13 記憶體單元 AM 調整結構 BD 光束傳遞系統 CO 聚光器 IF 測量結構 IL 照明系統 IN 積光器 Ml、M2 光罩對準標記 MA 光罩 MT 光罩台 PI、P2 基板對準標記 PB 光束 PL 投影系統 SO 輻射源 TIS 感應器 W 基板 WT 基板台 98611.doc -46-

Claims (1)

1259335 十、申請專利範圍： 1 · 一種測量方法，該方法包含： 使用一第一感應器以測量一基板之一第一部分之至少 一南度， 使用一第二感應器以測量該基板之該第一部分之至少 一高度； 基於使用該第一感應器所測量之該至少一高度與使用 該第二感應器所測量之該至少一高度，產生該第一感應 器之一偏移誤差之一第一表徵； 使用4第一感應器以測量一基板之一第二部分之 個高度；及 古基於該第—表徵與—基板之該第二部分之該等複數個 尚度，產生一基板之該第二部分之一第二表徵。 2·如請求項】之測量方法，其中該第_部分與該第二部分為 相同基板之部分。 3.如請求们之測量方法，其中該第一部分與該第二部分為 不同基板之部分。 该方法進一步包含基於該第二表 該方法進一步包含在該曝光之前 其中該產生一第二表徵發生於該 4·如請求項1之測量方法 徵曝光一基板。 5·如請求項4之測量方法 儲存該第二表徵。 6.如請求項4之測量方法 曝光期間。 I月求項4之測量方法，其中該冑光一基板包括基於該第 9861 l.doc χ259335 表彳攻控制該基板之一位置。 如請求項4之測量方法，其中該曝光 1案化光束投影至待曝光之該基 二將輻射之 甘山 双心目標部分上， /、該目標部分為由一層輻射敏 蓋。 级材科至少部分覆 9 如請求項1之測量方法，其中該第 射。 衣斂包括一高度映 10.如請求項!之測量方法，該方法進—步包含·· 使用該第-感應器以測量不同基 數個高度；A 分之-第一複 使用-第二感應器以測量不同基板之 一禝數個高度； 寸丨刀之弟 八中Π亥產生一第一表徵係基於該第_滿> 第二複數個高度。 4 *數個咖該 11·如請求们0之測量方法，其巾該第 複數個子部分。 刀匕括一基板之 12-如味求項丨之測量方法，1 一 一美拓 /、 W使用一弟一感應器以測量 土板之一弟一部分 /卜 ^ # ^ 夕一尚度包括基於該第一部分 之先學特性與該第一邻八夕 + m α十 4刀之一電學特性中之至少一牯 性來測量一高度。 至^特 13 ·如印求項i之測量方法，1 一基柘 /、中忒使用一弟二感應器以測量 之除,, 之至^一尚度包括基於該第一部分 之除—光學特性之外且 量一古 丨牙、電學特性之外的一特性來測 98611.doc 1259335 如請求们之測量方法，其中該第—感應器為 感應器。 _ 15.如請求項】之測量方法，其中該第—感應器為一且有—第 -製程相關性之製程相關感應器’且該第二感應器為具 有不同於該第一製程相關性之第二製程相關性之製 相關感應器。 王 感應i員1之測里方法’其中該第二感應器為一製程無關 17· 士：长項1之測$方法，其中該使用一第二感應器以測量 弟部分之至少-高度包括使用一氣壓計、一外部測 繪器及-掃描針測綠器中之至少一者來測量該第 之一高度。 18.:請求項1之測量方法’其中該使用-第-感應器以測量 土板之帛冑分之至少一高度包括基於該第一部分 =旦切特性與該第—部分之—電學特性中之—特性來 測ΐ 一向度，及 之2 ^亥使用-第二感應器以測量一基板之一第一部分 间度包括基於該第-部分之-光學特性與該第 一b之—電學特性中之另-特性來測量-高度。 19·如請求項1之測量々 基於在該基板之表面之：二一表徵與該第二表徵係 20·如請求項19之測 疋B之内所執行之測量。 里方法，其中基於在該基板之該表面之 頁-另-部分之内所執行之 與另-第二表徵。 ^ 98611.doc 1259335 :!項1之測量方法’其中該第-表徵係基於在一基板 弟—部分上所執行之—測量而判定，且—第二表徵 2基於在該基板之-第二部分上所執行之—測量而判 疋’且其它表徵係基於該第一表徵與該第二表徵之—内 插值而判定。 2.如請求項匕測量方法，其中基於用於一第—組基板之_ 偏移誤差之-第-表徵及由該第—感應器與該第二感應 =執行以測量該第二組基板之一&板之至少一高度之 貝j里判疋§亥偏移誤差之該第一表徵以用於該第一組基 板及判定另一第一表徵以用於該第二組基板。 23. —種根據請求項1之方法製造之器件。 24. —種測量方法，該方法包含·· 使用一第一感應器以測量一基板之一第一部分之至少 一高度； 使用一抗鍅劑中聚焦判定以測量該基板之該第一部分 之至少一高度； 基於使用該第一感應器所測量之該至少一高度與使用 該抗钱劑中聚焦判定所測量之該至少一高度，產生該第 一感應器之一偏移誤差之一第一表徵； 使用該第一感應器以測量一基板之一第二部分之複數 個南度，及 基於該第一表徵與一基板之該第二部分之該等複數個 高度，產生一基板之該第二部分之一第二表徵。 25.如請求項24之測量方法，使用該抗蝕劑中聚焦判定所測 98611.doc 1259335 量之該高度係基於使用一聚焦曝光矩陣與一聚焦敏感標 記中之至少一者之一結果。 26.如請求項24之測量方法，其中該第一部分與該第二部分 為相同基板之部分。 27·如請求項24之測量方法，其中該第一部分與該第二部分 為不同基板之部分。 28·如請求項24之測量方法，該方法進一步包含基於該第二 表徵來曝光一基板。 29·如請求項28之測量方法，該方法進一步包含在該曝光之 前儲存該第二表徵。 30·如請求項28之測量方法，其中該產生一第二表徵發生於 該曝光期間。 31·如請求項28之測量方法，其中該曝光一基板包括基於該 第二表徵來控制該基板之一位置。 32. 如請求項24之測量方法，其中該第二表徵包括一高度映 射。 33. 如請求項24之測量方法，該方法進一步包含： 使用該第一感應器以測量不同基板之部分之第一複數 個高度；及 使用該抗蝕劑中聚焦判定以測量不同基板之該等部分 之第二複數個高度； ▲其中該產生-第-表徵係基於該等第一複數個高度與 該等第二複數個高度。 认如請求項33之測量方法，其中該第_部分包括一基板之 98611.doc 1259335 複數個子部分。 35. 如請求項24之測量方法，其中該使用一第一感應器以測 量一基板之一第一部分之至少一高度包括基於該第一部 分之一光學特性與該第一部分之一電學特性中之至少一 特性來測量一高度。 36. 如請求項24之測量方法，其中該第一感應器為一製程相 關感應器。 3 7 · —種微影裝置，其包含： 第一感應為，其組態為測量一基板之一第一部分之 至少一高度並測量一基板之一第二部分之複數個高度； 一第二感應器，其組態為測量該基板之該第一部分之 至少一高度；及 处理器’其組態為（1)基於使用該第 ， ^ ^ rr\ ^ j該至少一高度及使用該第二感應器所測量之該至少 尚度’產生該第一感應器之一偏移誤差之一第一表徵； 及⑺基於該第—表徵及—基板之該第二部分之該等複數 個高度，產生-基板之該第二部分之一第二表徵。 38.如請求項37之微影裝置，該裳置進一步包含—圖案化結 構，该圖案化結構組態為根據—所要圖案將一輕射光束 圖案化； 一基板台，其組態為固持一基板；及 才又影系統，其組態為將該 k二h亥圖案化光束投影至由該J 板口口持之一基板之一目標部分上， /、中π亥&置係組態為基於兮 一 、™弟二表徵定位該基板台。 98611.doc 1259335 39. 40. 41. 42. 43. 44. 45. 46. 月求項3 8之微影裝置， 供該轉射光束之輕射系統。置進一步包含一組態為提 如請求項37之微影裝置，复 感材料至少部分覆蓋。’、^目標部分由一層輻射敏 月求項3 7之微影裝置，其— 於該第~邱a > μ —感應裔係組態為基 口p刀之一光學特 中之至少+ 一该弟一部分之一電學特性 /一特性來測量該第-部分之一高度。 如凊求項37之微影裝置，其 —、二 於嗲筮 八 w弟二感應器係組態為基 弟一部分之除一光 的之外且除-電學特性之外 主特性來測量該第一部分之一高度。 .如明求項3 7之微影裝置，i中兮 σ mu 第—錢以-製程相 項m影裝置’其中該第二感應器為 關感應器。 μ 士明求項37之微影裝置，該裝置進一步包含一組態為儲 存該第—表徵與該第二表徵中之至少一表徵之記憶體單 元0 種資料儲存媒體，其包括描述一測量方法之指令，該 方法包含： 使用一第一感應器以測量一基板之一第一部分之至少 一高度； 使用一第二感應器以測量該基板之該第一部分之至少 一高度； 基於使用該第一感應器所測量之該至少一高度與使用 98611.doc 1259335 該第二感應态所測置之該至少一咼度，產生該第一感靡 器之一偏移誤差之一第一表徵； 使用該第一感應器以測量一基板之一第二部分之複數 個高度；及 基於该弟一表被與一基板之該弟一部分之該等複數個 高度，產生一基板之該第二部分之一第二表徵。 47· —種使用一第一感應器與一第二感應器之測量方法，該 方法包含： 使用該第二感應器以測量定位於一基板上之至少一根 記之一輪廓； 基於使用該第二感應器對該至少一標記之該測量，產 生該第一感應器之一偏移誤差之一表徵；及 基於由該第一感應器進行之一測量與該表徵來判定一 標記之一位置。 48.如請求項47之測量方法，其中該第二感應器為穿隧顯微 鏡與一表面輪廓測量器件中之一。 49· 一種根據請求項47之方法製造之器件。 50· —種微影裝置，其包含： 一第一感應器，其經配置為用於測量定位於_基板上 之標記之位置； 一第二感應器，其經配置為用於測量定位於—基板上 之至少一標s己之一輪廓；及 一處理裔’其經配置為用於基於該第二感應器之至少 一測量，產生該第一感應器之一偏移誤差之一表徵；且 98611.doc 1259335 基於由該第一感應器之一測量與該表徵，判定一標記之 一位置。 5 1. —種資料儲存媒體，其包括描述使用一第一感應器與一 第二感應器之一測量方法之指令，該方法包含： 使用該第二感應器用於測量定位於一基板上之至少一 標5己之一輪磨， 基於使用該第二感應器對該至少一標記之該測量，產 生該第一感應器之一偏移誤差之一表徵；及 基於由該第一感應器之一測量與該表徵來判定一標記 之一位置。 98611.doc