JP4405462B2 - 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法 - Google Patents
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Description
BD ビーム導入系
BS 底面
C ターゲット箇所
CB,CT 被膜
CP 中心点
CO コンデンサー
CW 較正用基板
DIA 直径
IF 位置センサー
IL 照射装置
IN 積分装置
MA マスクすなわちパターン形成装置
MT マスク・テーブル
M1,M2 マスク整合マーク
N ノッチ
PM 第一の位置決め手段
PW 第二の位置決め装置
P1,P2 基板整合マーク
SO 放射光源
TS 頂面
US 上面
W 基板
WT 基板テーブルすなわち基板ステージ
Claims (33)
- 浸漬式リソグラフィ装置の較正時に使用される較正用基板であって、
実質的に平坦な第一の面と、
第一の面に実質的に平行な実質的に平坦な第二の面と、
第一の面を第二の面に連結するエッジとを含み、
浸漬式リソグラフィ装置内に位置し、液体に接触する間の基板の冷却による縮小を減少するために、少なくとも約1.0×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる較正用基板。 - 少なくとも約0.1×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる請求項1に記載された較正用基板。
- 少なくとも約0.05×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる請求項2に記載された較正用基板。
- 材料がZERODUR(登録商標)ガラス・セラミック材料である請求項1に記載された較正用基板。
- 材料がCLEARCERAM(登録商標)ガラス・セラミック材料である請求項1に記載された較正用基板。
- 材料がULE(登録商標)ガラス材料である請求項1に記載された較正用基板。
- 第一の面および第二の面がそれぞれ約200mmの直径を有する請求項1に記載された較正用基板。
- 第一の面の中心点での基板の厚さが約705μm〜約745μmである請求項7に記載された較正用基板。
- 第一の面および第二の面がそれぞれ約300mmの直径を有する請求項1に記載された較正用基板。
- 第一の面の中心点での基板の厚さが約755μm〜約795μmである請求項9に記載された較正用基板。
- エッジがノッチを含む請求項1に記載された較正用基板。
- 被膜がTiNを含む請求項1に記載された較正用基板。
- 被膜が約200nmの厚さを有する請求項12に記載された較正用基板。
- 被膜がTiNを含む請求項13に記載された較正用基板。
- 被膜が約100nmの厚さを有する請求項14に記載された較正用基板。
- 浸漬式リソグラフィ装置を較正する方法であって、
パターン形成装置に備えられているマーカーを放射ビームによって較正用基板の放射光感応物質の層に像形成すること、
較正用基板上のマーカー像の属性を測定すること、
測定した属性とマーカーおよび装置の作動パラメータに基づいて予測された属性との間の誤差を決定すること、および
装置の少なくとも一つの作動パラメータを調整して誤差を修正することを含んでおり、
較正用基板は実質的に平坦な第一の面と、この第一の面に実質的に平行な実質的に平坦な第二の面と、第一の面を第二の面に連結するエッジとを含み、また、
較正用基板は、リソグラフィ装置内に位置し、液体に接触する間の基板の冷却による収縮を減少するために、少なくとも約1.0×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる較正方法。 - 較正用基板は、少なくとも約0.1×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる請求項16に記載された方法。
- 較正用基板は、少なくとも約0.05×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる請求項17に記載された方法。
- 材料がZERODUR(登録商標)ガラス・セラミック材料である請求項16に記載された方法。
- 較正用基板が約300mmの直径を有する請求項16に記載された方法。
- 較正用基板が約200mmの直径を有する請求項16に記載された方法。
- マーカーが複数のマークを含む請求項16に記載された方法。
- 前記属性の測定がマーカー像の位置の測定を含む請求項16に記載された方法。
- 前記位置がX位置およびY位置を含む請求項23に記載された方法。
- 前記作動パラメータが基板テーブルの直交度を含む請求項24に記載された方法。
- 前記属性の測定が現像されたマーク像の位置の測定を含む請求項16に記載された方法。
- 前記少なくとも一つの作動パラメータの調整が装置の焦点および放射線量のパラメータの調整を含む請求項26に記載された方法。
- 浸漬式リソグラフィ装置を使用してデバイスを製造する方法であって、
実質的に平坦な第一の面と、この第一の面に実質的に平行な実質的に平坦な第二の面と、第一の面を第二の面に連結するエッジとを含み、リソグラフィ装置内に位置し、液体に接触する間の冷却による収縮を減少するために、少なくとも約1.0×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる較正用基板によってリソグラフィ装置を較正すること、
放射ビームをパターン化すること、
パターン化した放射ビームを製造用基板の放射光感応物質で形成されたターゲット箇所に投影することを含む製造方法。 - 浸漬式リソグラフィ装置の較正時に使用される較正用基板を組合わされた浸漬式リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調節する照射系と、
放射ビームの横断面にパターンを与える作用をするパターン形成装置を支持する支持構造と、
較正用基板を保持する基板テーブルと、
パターン化した放射ビームを較正用基板のターゲット箇所に投影する投影系とを含み、
較正用基板は、実質的に平坦な第一の面と、
この第一の面に実質的に平行な実質的に平坦な第二の面と、
第一の面を第二の面に連結するエッジとを含み、
少なくとも約1.0×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる、浸漬式リソグラフィ装置。 - 較正用基板は、少なくとも約0.1×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する、ガラス・セラミック材料、ガラス材料又はコージーライトからなる、請求項29に記載された浸漬式リソグラフィ装置。
- 材料がZERODUR(登録商標)ガラス・セラミック材料である請求項29に記載された浸漬式リソグラフィ装置。
- 較正用基板が約300mmの直径を有する請求項29に記載された浸漬式リソグラフィ装置。
- 較正用基板が約200mmの直径を有する請求項29に記載された浸漬式リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/006,819 US7453063B2 (en) | 2004-12-08 | 2004-12-08 | Calibration substrate and method for calibrating a lithographic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006165576A JP2006165576A (ja) | 2006-06-22 |
JP4405462B2 true JP4405462B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=36573781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005353307A Expired - Fee Related JP4405462B2 (ja) | 2004-12-08 | 2005-12-07 | 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7453063B2 (ja) |
JP (1) | JP4405462B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006026265B4 (de) * | 2006-06-02 | 2016-03-10 | Benteler Automobiltechnik Gmbh | Vorrichtung zur optischen Vermessung und/oder Überprüfung von Schweißbaugruppen |
US8669023B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-03-11 | D2S, Inc. | Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography |
US8039176B2 (en) | 2009-08-26 | 2011-10-18 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography |
US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
TWI496182B (zh) * | 2009-08-26 | 2015-08-11 | D2S Inc | 以可變束模糊技術使用帶電粒子束微影術製造表面之方法及系統 |
US20110089345A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | D2S, Inc. | Method and system for manufacturing a surface using charged particle beam lithography |
JP5861642B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2016-02-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、デバイス製造方法、及びダミー基板 |
KR101970685B1 (ko) * | 2012-08-09 | 2019-04-19 | 삼성전자 주식회사 | 패터닝 방법, 그 패터닝 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법, 및 반도체 소자 제조장치 |
US10996572B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Model based dynamic positional correction for digital lithography tools |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0721608B1 (en) * | 1994-08-02 | 2003-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
DE69717975T2 (de) * | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
US6262796B1 (en) * | 1997-03-10 | 2001-07-17 | Asm Lithography B.V. | Positioning device having two object holders |
TW497013B (en) * | 2000-09-07 | 2002-08-01 | Asm Lithography Bv | Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method |
US7426011B2 (en) * | 2005-09-12 | 2008-09-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-12-08 US US11/006,819 patent/US7453063B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005353307A patent/JP4405462B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006165576A (ja) | 2006-06-22 |
US20060119830A1 (en) | 2006-06-08 |
US7453063B2 (en) | 2008-11-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090218 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090514 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090722 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091104 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131113 Year of fee payment: 4 |
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