JP4546547B2 - フィルタ・ウィンドウの製造方法 - Google Patents
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Description
ペリクルと、
前記ペリクルを支持するためのワイヤ構造とを含むEUVリソグラフ用フィルタ・ウィンドウに関する。
放射の投影ビームを供給するための放射システム(例えばEUV放射)と、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成する働きをするパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板(例えばレジストを被覆したシリコン・ウェーハ)を保持するための基板ホルダーを備える基板テーブルと、
基板の目標部(例えば1個又は複数のダイを含む)上にマスクの照射部の像を形成するための投影システムとを含む、リソグラフ投影装置におけるそのフィルタ・ウィンドウの用途に関する。
マスク。マスクの概念はリソグラフで良く知られており、二元、交互相移動、及び減衰相移動などのマスクの種類、同様に様々な混成マスクの種類を含む。それらのマスクを放射ビームの中に置くことによって、マスク上のパターンに応じて、マスクに入射する放射の選択的な透過(透過式マスクの場合)又は反射(反射式マスクの場合)が起きる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、テーブルは入射する放射ビームの所望の位置にマスクを保持することができ、必要であればマスクをビームに対して動かすことができる。
プログラム可能なミラー・アレイ。それらのデバイスの例は、粘弾性制御層と反射表面を有する、マトリックスでアドレス呼び出し可能な表面である。それらの装置の背景となる基本的な原理は、(例えば)反射表面の呼び出された領域が入射光を回折光として反射し、一方呼び出されない領域は入射光を非回折光として反射する。適切なフィルタを使用することによって、前記非回折光は反射されたビームから濾波して除かれ、回折光だけが後に残る。このようにして、ビームはマトリックス呼び出し可能な表面の呼び出されたパターンに応じてパターン形成される。必要なマトリックス呼び出しは適切な電子的手段を用いて実施することができる。それらのミラー・アレイに関するさらに多くの情報は、例えば、米国特許第5,296,891号、及び第5,523,193号から収集することができ、これらの特許は参照して本明細書に組み込まれている。プログラム可能なミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えば必要に応じて固定し、又は動かすことのできるフレーム又はテーブルとして具体化することができる。
放射に感受性のある材料の層で少なくとも一部を被覆した基板を基板テーブルに提供すること、
放射システムを用いて放射の投影ビームを提供すること、
パターン形成手段を用いてその断面にパターンを有する投影ビームを与えること、
パターン形成された放射ビームを放射に感受性のある材料層の目標部に投影すること、
上記のフィルタ・ウィンドウを用いることとを含むフィルタ・ウィンドウの製造方法に関する。
放射の投影ビームPB(例えばEUV放射)を供給するための放射システムIL(この特定の場合放射源LAも含む)と、
マスクMA(例えばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダーを備え、マスクを部品PLに対して正確に位置決めするための第1位置決め手段PMに接続されたマスク・テーブルMTと、
基板W(例えばレジストを被覆したシリコン・ウェーハ)を保持するための基板ホルダーを備え、基板を部品PLに対して正確に位置決めするための第2位置決め手段PWに接続された基板テーブルWTと、
マスクMAの照射された部分を基板Wの目標部C(例えば1個又は複数のダイを含む)に像形成するための投影システム(「レンズ」)PL(例えばミラー・システム)とを含む。
1 ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは本質的に静止状態に保たれ、マスク像全体は一工程(すなわち単一「閃光」)で目標部Cに投影される。次いで基板テーブルWTは、異なる目標部CをビームPBで照射するために、x及び/又はy方向に移動する。
2 走査モードでは、所定の目標部Cが単一「閃光」で露光されないことを除き、本質的に同じシナリオが適用される。替わりに、マスク・テーブルMTは速度Vで所定の方向(いわゆる「走査方向」、例えばy−方向)に移動可能であり、投影ビームPBによるマスク像の走査がもたらされる。平行して、基板テーブルWTは速度V=Mvで同方向又は反対方向に同時に動き、Mは投影システムPLの拡大率である(一般にM=1/4又は1/5)。このようにして、解像度に妥協することなく比較的大きな目標部Cを露光することができる。
EUVに透明な材料を含む第2層を作製すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第3層を堆積することを含む。このサンドイッチ構造はEUV吸収の向上、すなわちより少ない吸収をもたらすであろう。
IL 放射システム
LA 放射源
MA マスク
PL 部品
PM 第1位置決め手段
W 基板
PW 第2位置決め手段
WT 基板テーブル
C 目標部
PL 投影システム
IL 照明機
AM 調節手段
IN 集積機
CO コンデンサー
IF 干渉測定手段
MT マスク・テーブル
1 ペリクル
4 ワイヤ
5 基板
22 第1層
23 第3層
30 中間層
43 第2層
49 縞
42 第3層
45 光線
46 光線
54 ワイヤ構造
54 支持ワイヤ格子
58 バナナ形状ウィンドウ
Claims (4)
- 基板を提供すること、
前記基板上にワイヤの構造を作製すること、
ラッカーを堆積すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第1層を堆積すること、
前記ラッカーを焼却すること、
前記基板を取り去ること、
前記第1層を焼成することとを含むフィルタ・ウィンドウの製造方法。 - 特定の流体に溶解可能な基板を提供すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第1層を堆積すること、
前記基板を前記特定の流体に溶解することによって前記基板を取り除くこと、
前記第1層をワイヤ構造に付着させることによって、前記第1層を前記特定の流体から取り除くこと、
前記第1層を焼成することとを含むフィルタ・ウィンドウの製造方法。 - Si、Be、B4C、Mo、Zr、Nb、C、Alの少なくとも1種を含む第2層を作製すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第3層を堆積することを含む請求項1又は2に記載のフィルタ・ウィンドウの製造方法。 - 前記第2層を作製することが、ベース層及び前記ベース層上の***した縞を作製することを含む請求項3に記載のフィルタ・ウィンドウの製造方法。
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