JP4743440B2 - リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、nXeは平均キセノン原子密度(通常2×1024m-3)であり、Vfocusは、レーザ・ビームの集束の容量(0.025mm-3)であり、frepは、発生源の繰返し速度であり(6kHz)、dはプラズマとミラーの間の距離である。
ここで、pethは、エタノールの分圧であり、kBはボルツマン定数であり、Tは絶対温度であり、Methはエタノールの質量である。ミラー表面に当たる各キセノン・イオンまたは原子ごとに対して、単一エタノール分子がキャップ層から放出され、エタノール分子の0.01%だけがミラー表面に吸着されるが、エタノール層がスパッタ除去されるのを防止するためには、10-4Γethがキセノン流量よりも大きくなければならない。したがって、例えば、プラズマとミラーの間の距離dが少なくとも10cmであるとき、エタノールの分圧は少なくとも10-2mbarでなければならない。
Claims (10)
- 放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
該投影ビームを所望のパターンに従ってパターニングするパターニング手段を支持するための支持構造体と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
ミラーを収容している空間に炭素および水素を含むガス状化合物を供給するためのガス供給手段と、
前記ミラーの反射率を監視するための反射率センサ手段および前記空間内のバックグラウンド圧力を監視するための圧力センサ手段のうちの少なくとも一方と、
前記反射率センサ手段および/または圧力センサ手段によってそれぞれ測定された反射率および/またはバックグラウンド圧力に応答して前記ガス供給手段を制御するための制御手段と
を有することを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記放射線システムが、ミラーを収容している前記空間を含むことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記放射線システムが、前記投影ビームとして極紫外(EUV)放射線のビームを供給するレーザ発生プラズマ源または放電源を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記極紫外放射線ビームが約50nm未満の波長を有している請求項3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記極紫外放射線ビームが8〜20nmの範囲、特に9〜16nmの範囲の波長を有している請求項4に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記ミラーがコレクタ・ミラーである請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 放射線感受性材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、
前記投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターニング手段を用いるステップと、
前記パターン付けされた放射線ビームを放射線感受性材料の層のターゲット部分に投影するステップと、
ミラーを収容している空間に炭素および水素を含むガス状化合物を供給するステップと、
前記ミラーの反射率を監視するステップおよび前記空間内のバックグラウンド圧力を監視するステップのうちの少なくとも一方と、
前記ミラーの反射率および/または前記空間のバックグラウンド圧力に応答して前記空間に供給する前記ガス状化合物の量を制御するステップと
を含むことを特徴とする、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法。 - 前記ミラーが少なくとも40層の多層を有し、前記デバイス製造方法が、前記ミラーの最上にある1以上の層をスパッタリングによって除去するように、前記空間に供給される前記ガス状化合物の量を適合させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のデバイス製造方法。
- 放射線感受性材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、
前記投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターニング手段を用いるステップと、
前記パターン付けされた放射線ビームを放射線感受性材料の層のターゲット部分に投影するステップと、
前記放射線システム内の、ミラーを収容している空間に炭素および水素を含むガス状化合物を提供するステップと
を含むことを特徴とする、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法。 - 前記化合物が前記ミラー上にキャップ層を形成し、また該化合物は、前記キャップ層の厚さを時間の経過と共に実質的に増大させないような圧力で前記空間に供給される請求項9に記載のデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00307608.0 | 2000-09-04 | ||
EP00307608 | 2000-09-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001262809A Division JP4067078B2 (ja) | 2000-09-04 | 2001-08-31 | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008098651A JP2008098651A (ja) | 2008-04-24 |
JP2008098651A5 JP2008098651A5 (ja) | 2008-10-16 |
JP4743440B2 true JP4743440B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=8173241
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001262809A Expired - Fee Related JP4067078B2 (ja) | 2000-09-04 | 2001-08-31 | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 |
JP2007280355A Expired - Fee Related JP4743440B2 (ja) | 2000-09-04 | 2007-10-29 | リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001262809A Expired - Fee Related JP4067078B2 (ja) | 2000-09-04 | 2001-08-31 | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7671965B2 (ja) |
EP (1) | EP1186957B1 (ja) |
JP (2) | JP4067078B2 (ja) |
KR (1) | KR100656582B1 (ja) |
DE (1) | DE60127050T2 (ja) |
TW (1) | TW548524B (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1344110B1 (en) * | 2000-12-21 | 2010-03-10 | EUV Limited Liability Corporation | Mitigation of radiation induced surface contamination |
US6664554B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-12-16 | Euv Llc | Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography |
US7050149B2 (en) | 2002-06-11 | 2006-05-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
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CN100437355C (zh) * | 2002-09-30 | 2008-11-26 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置及器件制造方法 |
EP1403715A3 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10309084A1 (de) | 2003-03-03 | 2004-09-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät |
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-
2001
- 2001-08-24 TW TW090120880A patent/TW548524B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-31 DE DE60127050T patent/DE60127050T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-31 JP JP2001262809A patent/JP4067078B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-31 KR KR1020010053082A patent/KR100656582B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-08-31 EP EP01307428A patent/EP1186957B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-04 US US09/943,758 patent/US7671965B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-29 JP JP2007280355A patent/JP4743440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020051124A1 (en) | 2002-05-02 |
DE60127050T2 (de) | 2007-12-13 |
EP1186957A2 (en) | 2002-03-13 |
EP1186957A3 (en) | 2005-02-16 |
US7671965B2 (en) | 2010-03-02 |
JP2008098651A (ja) | 2008-04-24 |
EP1186957B1 (en) | 2007-03-07 |
JP4067078B2 (ja) | 2008-03-26 |
KR20020018957A (ko) | 2002-03-09 |
KR100656582B1 (ko) | 2006-12-12 |
TW548524B (en) | 2003-08-21 |
DE60127050D1 (de) | 2007-04-19 |
JP2002110539A (ja) | 2002-04-12 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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