JP4533854B2 - 磁気記録再生装置、磁気記録方法、及び磁気記録再生方法 - Google Patents

Description

この発明は、磁気記録装置及び磁気記録再生装置に係り、特に、磁性体の配置により情報が記録され、この磁性体配置が記録再生ヘッドによっても変更不可能なパターン領域が磁気記録媒体に記録され、この書き換え不可能なパターン領域の磁性体にも磁気的に追記可能とすることができる磁気記録装置及び磁気記録再生装置に関する。

最近、磁気記録装置（磁気ディスク装置或いはハードディスクドライブ装置とも称せられる。）では、記憶容量の増大の要求に応えるために、磁気記録媒体における記録密度の向上が要求されている。しかし、記録密度の増加に伴い、記録媒体上を相対的に移動する記録再生ヘッドによって記録された磁気情報が隣接するトラックの記録に影響を与えるという問題が生じつつある。このような問題は、隣接するトラック中の磁性体を物理的に分離することにより回避することができる。

また、磁気記録媒体上の磁性体をパターニングして磁性体の有無によってサーボ情報或いはＲＯＭ情報が書き換え不能に記録されている磁気記録媒体が例えば、特許文献１で提案されている。

また、磁気記録媒体上の磁性体がパターニングされ、磁性体の有無によってサーボ情報或いはＲＯＭ情報を記録することができる方式が、例えば、特許文献１に開示されている。
特開平１０−２５５４０７号公報

一般に、磁性体のパターニングにより記録されたＲＯＭ情報が記録された記録部は、ＲＯＭ情報が記録された領域に新たに情報を記録する場合、磁気情報が記録可能な磁性セグメントと磁気情報が記録不可能な非磁性セグメントが不連続で配列しているため、本発明を用いない場合には、記録再生装置が具備している記録ヘッドによりＲＯＭ情報を記録した記録部に対して情報を上書きすると、記録部中に存在する非磁性セグメントへの記録が行われず、上書きした情報を再生することが不可能である。従って、ＲＯＭ情報を具備した磁気記録媒体においては、追記録可能な容量が媒体全体の記録容量からＲＯＭ情報が記録された記録部を差し引いたものとなり、記録媒体全体の記録容量を減少させている。しかしながら、ＲＯＭ情報記録部が記録されている磁気記録媒体においても、できる限り追記記録可能な容量が十分に確保され、追記記録可能な容量の減少を最小限に留めることが要請されている。

この発明は、上記問題点を解決するためになされてものであり、その目的は、ＲＯＭ領域に相当するパターン領域を有する磁気記録媒体を備えた磁気記録装置においても、記録ヘッドによりパターン領域に情報を追記録することが可能な方法を提供することにあり、また、この追記録を可能とする記録装置を提供することにある。

この発明によれば、
ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域からなり、ＲＯＭ領域が、磁性セグメント及び非磁性セグメントの配列順により規定される第１タイプのセグメント配列から構成され、第１タイプの変調情報が当該第１タイプのセグメント配列に従って記録されているパターン領域を有する磁気記録媒体と、
前記第１タイプのセグメント配列内の所定の前記磁性セグメントをそのセグメント領域内で全て同一方向に磁化し、磁化セグメント及び非磁化セグメントの第２タイプのセグメント配列で前記パターン領域に前記第１タイプの変調情報とは異なる第２タイプの変調情報を磁気的に記録する記録部と、
を具備することを特徴とする磁気記録装置が提供される。

また、この発明によれば、
ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域からなり、ＲＯＭ領域が、磁性セグメント及び非磁性セグメントの配列順により規定される第１タイプのセグメント配列から構成され、第１タイプの変調情報が当該第１タイプのセグメント配列として記録されているパターン領域を有する磁気記録媒体であって、前記第１タイプのセグメント配列内の所定の前記磁性セグメントがそのセグメント領域内で全て同一方向に磁化され、磁化セグメント及び非磁化セグメントの第２タイプのセグメント配列で前記パターン領域に前記第１タイプの変調情報とは異なる第２タイプの変調情報が磁気的に記録されることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。

更に、この発明によれば、
ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域からなり、ＲＯＭ領域が、磁性セグメント及び非磁性セグメントの配列順によって規定される第１タイプのセグメント配列から構成され、第１タイプの変調情報が当該第１タイプのセグメント配列として記録されているパターン領域を有する磁性記録媒体に磁気的に第２のタイプの変調情報を記録する方法であって、
前記第１タイプのセグメント配列内の所定の前記磁性セグメントをそのセグメント領域内ですべて同一方向に磁化した後、磁化セグメント及び非磁化セグメントの第２タイプのセグメント配列で前記パターン領域に前記第１タイプの変調情報とは異なる第２タイプの変調情報を磁気的に記録することを特徴とする磁気記録方法が提供される。

この発明の記録方法及び記録装置によれば、パターン領域に磁性体パターンとして形成されている第１タイプの変調情報が記録された磁気記録媒体を具備する記録装置において、パターン領域に第２タイプの変調情報を追記することができ、磁性体パターンによる追記可能容量の減少を最小限にとどめることができる。

以下、必要に応じて図面を参照しながら、この発明の一実施の形態に係る磁気記録装置及び追記記録方法を説明する。

（実施例１）
図１及び図２を参照してこの発明の一実施の形態に係る追記記録方法について説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は、夫々、この発明の一実施の形態に係る磁気記録方式で利用される異なる第１タイプ及び第２タイプの変調方式Ａ及びＢで記録されている記録媒体上のデータの記録状態を示している。

記録媒体は、記録領域として消去不能なＲＯＭ領域並びに繰り返した消去書き込みが可能なＲＡＭ領域を備え、消去不能なＲＯＭ領域には、下記に詳述されるように第１タイプの変調方式Ａで消去不能なＲＯＭデータが記録されると共にこの消去不能なＲＯＭ領域中の磁性セグメントを利用して消去可能なデータが第２タイプの変調方式で記録することができる。

図１（ａ）に示されるように、第１タイプの変調方式Ａでは、第１タイプの元データビット、即ち、第１タイプの変調方式によるビット“０”が第１タイプの記録ビット（１，０）に変調されて磁性及び非磁性セグメントのパターン（１,０）として記録される。また、第１タイプの元データビット“１”が第１タイプの記録ビット（０，１）に変調されて非磁性及び磁性セグメントの配列（０，１）で記録される。ここで、図１（ａ）においては、黒パターン（黒の矩形）が磁性セグメントの記録ビット（１）を示し、空白が非磁性セグメントの記録ビット（０）を示している。この第１タイプの変調方式Ａでは、元データビット“０”或いは“１”のセグメント配列内の磁性セグメントが同一パターン領域内で同一方向に磁化され、必ず記録ビット（１）及び（０）を含んでいる。例えば、図１中において、空白で示される記録ビット（０）が磁気ヘッドで磁気的に磁気を検出ができない非磁性セグメント及び黒パターンで示される記録ビット（１）が磁気ヘッドで磁気的に磁気を検出することができる磁性セグメントとして記録される場合、元データビットが“０”であっても、或いは、元データビットが“１”であっても、必ず１記録ビットに相当する磁性セグメント（１）がパターン領域内に設けられることになる。また、非磁性セグメントが記録ビット（１）で表され、磁性セグメントが記録ビット（０）で表されても、同様に１データビットに相当するセグメント配列（２セグメントに相当する１データビットの領域）内には、磁性セグメント（１）が設けられることになる。

ここで、パターン領域は、消去が不可能なセグメント配列（物理的に書き換え不可能な配列）で構成され、後に説明されるように磁気ヘッドにより磁性及び非磁性を検出することができる領域を意味し、その内に形成されている磁性層を検出できる磁性セグメント及びに磁性層が形成されているが、その磁性層を検出できない非磁性セグメントが配列されて所定のパターン（記録ビットパターン）が形成されても良い。また、磁性層が設けられた磁性セグメント及び磁性層が設けられない非磁性セグメントが配列されて所定のパターン（データパターン）が形成されても良い。従って、磁性セグメント及び非磁性セグメントと称する場合には、磁性層の有無は問わず、検出ヘッドがそのセグメントの磁性を検出できるかできないかを基準として磁性セグメント及び非磁性セグメントと称するものとする。

次に、第２タイプの変調方式Ｂでは、図１（ｂ）に示されるように、第２タイプの元データビット“０”が第２タイプの記録ビット［０，０］に変調されて磁化されない非磁化セグメント［０，０］の配列として記録される。また、元データビット“１”が記録ビット［１，０］或いは［０，１］に変調されて磁化された磁化セグメント及び非磁化セグメントの配列［１，０］或いは［０，１］として記録される。ここで、第１タイプの元データビット“０”或いは“１”に相当するセグメント配列内には、必ず磁性セグメントを含むことから、この磁性セグメントが消磁或いは磁化されてセグメント配列が第２タイプの元データビットに相当する第２タイプの記録ビットに書き換えることができる。ここで、磁性セグメントであって磁化されたセグメントを磁化セグメントと称し、磁性セグメントであって消磁されたセグメントを非磁化セグメントと称する。

第２タイプの変調方式Ｂの復調においては、“０”は「２記録ビット内に０が連続して存在する」とし、“１”は“２記録ビット内に必ず１が存在する」とする。即ち、第２タイプの１元データビットを表す連続する２セグメントで連続して物理的に磁気記録が検出されなければ（磁気的な消去状態にあれば）、元データビットは、“０”であり、１元データビットを表す連続する２セグメントで物理的に磁気記録が検出されれば、第２タイプの元データビットは、“１”であるとすることができる。この定義とは反対に、１元データビットを表す連続する２セグメントで連続して物理的に磁気記録が検出されなければ、元データビットは、“１”であり、１元データビットを表す連続する２セグメントで物理的に磁気記録が検出されれば、元データビットは、“０”であっても良い。

具体的には、図1(ａ)に示す第１タイプの変調方式に消去不能の第１タイプの元データビット“０”が磁性及び非磁性セグメントの配列（１，０）であれば、図１（ｂ）に示されるように、第２タイプの変調方式で書き換え可能な第２タイプの元データビット“０”は、変調されて２つの非磁化セグメント（磁気的に消去された消去セグメントを含む。）［０，０］として記録される。これに対して、図１（ｂ）に示されるように、第２タイプの変調方式で書き換え可能な第２タイプの元データビット“１”は、第１タイプのビットに変調されて磁化及び非磁化セグメント［１，０］として記録される。同様に、図1(ａ)に示す第１タイプの変調方式に消去不能の元データビット“０”が非磁性及び磁性セグメントの配列（０，１）であれば、第２タイプの変調方式では、書き換え可能な第２タイプの元データビット“０”は、第２タイプのビットに変調されて２つの非磁化セグメント［０，０］として記録される。これに対して、図１（ｂ）に示されるように、第２タイプの変調方式で書き換え可能な元データビット“１”は、第２タイプのビットに変調されて２つの非磁化及び磁化セグメント［０，１］として記録される。

上述したように、第１タイプ及び第２タイプの変調方式、即ち、記録方式でデータビットが記録されるパターン領域は、多数のセグメントで構成され、１データビットの最小記録単位が２セグメントに定められている。この２セグメントは、磁気記録可能な磁性セグメント及び磁気的に記録不能な非磁性セグメントの組み合わせから成り、第１タイプの変調方式Ａでは、２セグメント内の磁性及び非磁性セグメントの組み合わせの配列で第１タイプの変調データ（情報）が消去不能に記録され、第２タイプの変調方式では、２セグメント内の磁性セグメントへの磁化（磁気的記録）或いは非磁化（磁気的消去）で第２タイプの変調データ（情報）が書き換え可能に記録されている。

通常の磁気記録では、磁化が磁気的記録に対応し、非磁化が消去に対応するが、垂直磁気記録では、磁気的記録がＮ極の着磁とし、磁気的消去がＳ極の着磁或いはその逆に対応されても良いことは明らかである。従って、磁化（磁気的記録）は、特定極の記録或いは磁化を含み、また、磁気的消去（非磁化）は、特定極の消去或いは反対極の着磁を含むものとする。尚、非磁性セグメントは磁化されないことから常に非磁化である。

尚、図１（ａ）及び（ｂ）においては、セグメントは、破線間の領域に相当し、説明の便宜上セグメントは、分離して示されていることに注意されたい。実際の記録では、セグメントが連続して形成されることとなることに注意されたい。

記録媒体、即ち、磁気ディスクが作成される際に記録される読み出し専用のＲＯＭデータ（第１タイプの元データ）は、第１タイプの変調方式Ａで記録媒体（磁気ディスク）に記録された状態にあり、消去可能な追記データ（第２タイプの元データ）は、変調方式Ｂで記録媒体（磁気ディスク）に追加的に記録される。ここで、読み出し専用の第１タイプの元データが変調方式Ａで記録されたパターン領域に、変調方式Ｂで第２タイプの元データを第１タイプの元データとは区別可能に記録することができ、また、この追記データ（第２タイプの元データ）が読み出専用のＲＯＭデータから分離して変調方式Ｂで読み出すことができる。

図２（ａ）〜（ｃ）は、変調方式Ａで記録された記録領域に変調方式Ｂで追記記録することができることを示している。

図２（ａ）に示されるように、記録媒体（磁気ディスク）の作成時に図１（ａ）に示される第１タイプの変調方式Ａで情報ＩＡ“００１０１１０１”が記録媒体に記録された状態で作成される。記録媒体作成時には、情報ＩＡ“００１０１１０１”は、磁性セグメント及び非磁性磁化セグメントのパターンで構成される。即ち、情報ＩＡ“００１０１１０１”は、“００”に相当する磁性及び非磁性セグメントの２セグメント配列（１０）及び（１０）、“１”に相当する非磁性及び磁性セグメントの１セグメント配列（０,１）、“０”に相当する磁性及び非磁性セグメントの１セグメント配列（１０）、“１１”に相当する非磁性及び磁性セグメントの２セグメント配列（０,１）及び（０,１）、“０”に相当する磁性及び非磁性セグメントの１セグメント配列（１，０）、“１” に相当する非磁性及び磁性セグメントの１セグメント配列（０,１）が連続して記録されている。

次に、消去不能のＲＯＭデータが記録された磁気ディスクにおいて、図２（ｂ）に示されるようにこのパターン領域内のＲＡＭ記録部に記録ヘッドもしくは消磁装置により全て磁気磁化セグメントが消去或いは記録状態の書き込みがなされる。図２（ｂ）においては、このパターン領域内の全ての磁性セグメントに記録ヘッド若しくは消磁装置により全てに第２タイプの記録ビット“１”が記録される場合を示している。このように磁性セグメントに第２タイプの記録ビット“１”が書き込まれても、パターン領域に記録された情報ＩＡは、再生ヘッドを用いて第１タイプの記録ビットを変調方式Ａで復調することで取得することができる。このイニシャライズ処理では、磁気的に記録され、或いは消去されるのみで、非磁性及び磁性セグメントの配列は、図２（ｂ）に示すように変更が無いことから、即ち、記録ヘッドもしくは消磁装置によっても変更が不可能なことから、再生ヘッドを用いてパターン領域に記録された情報（データ）ＩＡは、変調方式Ａで復調して取得をすることが可能となる。

図２（ｃ）に示すように、記録ヘッドを用いてパターン領域に情報ＩＢ、例えば、情報“１０００１０１０”が変調方式Ｂで記録される。即ち、磁性及び非磁性セグメントから成る第１タイプ及び第２タイプの２セグメント配列（１０）及び（１０）は、“１０”に相当する磁化及び非磁化セグメント［０，１］並びに非磁化及び非磁化セグメント［０，０］と記録される。次の、非磁性及び磁性セグメントから成る第３の１セグメント配列（０,１）並びに磁性及び非磁性セグメントの第４の１セグメント配列（１０）は、“００”に相当する非磁化及び非磁化セグメント［０，０］と記録され、非磁性及び磁性セグメントから成る第５及び第６の２セグメント配列（０,１）及び（０,１）は、“１０”に相当する磁化及び非磁化セグメント［０，１］並びに非磁化及び非磁化セグメント［０，０］と記録される。また、“０”に相当する磁性及び非磁性セグメントから成る第７の１セグメント配列（１，０）は、“１”に相当する磁化及び非磁化セグメント［１，０］と記録され、最後の非磁性及び磁性セグメントから成る第８の１セグメント配列（０,１）は、“０”に相当する非磁化及び非磁化セグメント［０，０］と記録されている。

ここで、変調方式Ａの最大反転間隔は２に定められ、変調方式Ｂの最小反転間隔は２に定められている。変調方式Ａと変調方式Ｂとの組み合わせにより、情報ＩＡがパターンとして記録されたパターン領域に情報ＩＢを記録し、変調方式Ｂを用いて、追記された情報ＩＢを取得することが出来る。

（実施例２）
図３及び図４を参照してこの発明の第２の実施の形態に係る追記記録方法について説明する。図３及び図４は、夫々、この発明の第２の実施の形態に係る磁気記録方式を利用して異なる第１タイプ及び第２タイプの変調方式Ａ及びＢで記録されている記録媒体上のデータの記録状態を示している。

図３（ａ）に示される第１タイプの変調方式Ａ及び図３（ｂ）に示される変調方式Ｂとは、夫々ブロック長が同一でなく、図３（ａ）に示されるように、変調方式Ａでは、３ビットの元データが４セグメントを利用して表され、３ビットの元データが４ビット（第１タイプの記録ビット）のパターンに変調されて４セグメントに記録されている。この変調方式Ａでは、例えば、記録ビット（０）が非磁性セグメント及び記録ビット（１）が磁性セグメントで表される場合、３ビットの元データを表す４セグメントの第１タイプ及び第２タイプのセグメントには、必ず１つの記録ビット（１）に相当する磁気記録可能な磁性セグメントを含み、また、４セグメントの第３及び第４のセグメントにも必ず１つの記録ビット（１）に相当する磁気記録可能な磁性セグメントを含むこととなる。従って、２のセグメントを第２タイプの変調方式Ｂにおける記録単位とすることによって第２タイプの変調方式で変調された第２タイプの変調データを記録することができる。

具体的には、図３（ａ）に示されるように３ビットの元データ”０００“は、非磁性、磁性、非磁性及び磁性セグメントのセグメント配列（０，１，０，１）で表され、連続するセグメント配列（０，１）は、必ず磁性セグメント（１）を含むこととなる。３ビットの元データ”００１“は、非磁性、磁性、磁性及び非磁性セグメントから成るセグメント配列（０，１，１，０）で表され、連続するセグメント配列（０，１）或いは（１，０）は、必ず磁性セグメント（１）を含むこととなる。また、３ビットの元データ”０１０“は、非磁性、磁性、磁性及び磁性セグメントから成るセグメント配列（０，１，１，１）で表され、連続するセグメント配列（０，１）或いは（１，１）は、必ず磁性セグメント（１）を必ず含むこととなる。同様に、元データ”０１１“は、セグメント配列（１，０，０，１）、元データ”１００“は、セグメント配列（１，０，１，０）、元データ”１０１“は、セグメント配列（１，０，１，１）、元データ”１１０“は、セグメント配列（１，１，0,１）、元データ”１１１“は、セグメント配列（１，１，１,０）で表され、いずれも連続するセグメント配列（０，１）或いは（１，０）は、必ず磁性セグメント（１）を含むこととなる。

変調方式Ｂでは、元データ“０”が図３（ｂ）に示されるように非磁化及び非磁化セグメント［０，０］で表され、元データ“１”が磁化及び非磁化セグメント［１，０］、非磁化及び磁化セグメント［０，１］或いは記録及び磁化セグメント［１，１］で表される。変調方式Ｂによる記録位置は、必ず変調方式Ａによる記録位置の前半２記録ビット相当のセグメント若しくは後半２記録ビット相当のセグメントにアライメントされる。変調方式Ｂの復調においては、“０”は「２ビット内に連続して０が存在し」、“１”は「２ビット内に必ず１が存在する」とする。

図４（ａ）に示されるように、媒体作成時に図３（ａ）の変調方式Ａを用いて情報ＩＡ“００１１０１０１１１００”が記録される場合には、媒体作成時には、情報ＩＡは、磁性及び非磁性セグメントの組み合わせに係るセグメント配列（０，１,１，０）、（１，０，１，１）、（１，０,０，１）、（１，０，１，０）、のパターンで構成される。図４（ｂ）に示されるように、このパターン領域内の磁性セグメントに記録ヘッドもしくは消磁装置により全て記録ビット“１”が記録されるとすると、この記録によってもセグメント配列（０，１,１，０）、（１，０，１，１）、（１，０,０，１）、（１，０，１，０）のパターンは、変わらず、再生ヘッドを用いてこのパターン領域に記録された情報ＩＡを変調方式Ａで復調することができる。

次に、図４（ｃ）に示されるように、記録ヘッドを用いてパターン領域に情報ＩＢ“１０００１０１０”が変調方式Ｂで記録される場合には、磁化及び非磁化セグメントの組み合わせで情報ＩＢ“１０００１０１０”は、２セグメント毎に［０，１］、［０，０］、［０，０］、［０，０］、［１，０］、［０，０］、［１，０］、［０，０］の組み合わせとして記録される。

図４に示される例では、変調方式Ａの最大反転間隔は２，変調方式Ｂの最小反転間隔は２に定められている。従って、変調方式Ａと変調方式Ｂとの組み合わせにより、情報ＩＡがパターンとして記録されたパターン領域に情報ＩＢを記録し、変調方式Ｂを用いて、追記された情報ＩＢを取得することが出来る。

（実施例３）
図５及び図６を参照してこの発明の第２の実施の形態に係る追記記録方法について説明する。図５及び図６は、夫々、この発明の第２の実施の形態に係る磁気記録方式で利用される異なる第１タイプ及び第２タイプの変調方式Ａ及びＢで記録されている記録媒体上のデータの記録状態を示している。

図５は、第１タイプの元データビットを所定数のセグメントで表すブロックの概念を有しない変調方式Ａの１例を示している。変調方式Ａにおいては、記録媒体に第１タイプの元データビットの遷移状態に応じた第１タイプの記録ビットが記録されている。即ち、第１タイプの元データビット列が２ビットの検出窓で走査されて２つのビットが不変（同一）であれば、第１タイプの記録ビット（１）が記録され、２つのビットが変化された場合には第１タイプの記録ビット（１,０）が記録される。より具体的には、図５（ａ）に示すように元データビット列の先頭に先立つデータビットが“０”或いは、“１”と仮定される。元データビット列の先頭に先立つデータビットが“０”と仮定され、これに続く先頭のデータビットが“０”であれば、２つのビットが不変（同一）であるとして、当該遷移が記録ビット（１）に変調されて記録ビット（１）が記録される。図５（ａ）に示すように元データビット列の先頭に先立つデータビットが“１”と仮定され、これに続く先頭のデータビットが“１”であれば、同様に２つのビットが不変（同一）であるとして、当該遷移が第１タイプの記録ビット（１）に変調されて第１タイプの記録ビット（１）が記録される。また、図５（ｂ）に示すように元データビット列中の変調される２ビットが“０”から“１”に遷移される場合には、２つのビットが変化されたとして当該遷移が第１タイプの記録ビット（１，０）に変調されて記録ビット（１，０）が記録される。この変調方式Ａでは、例えば、第１タイプの記録ビット（０）が非磁化セグメントに割り当てられ、第１タイプの記録ビット（１）が磁化セグメントに割り当てられる。これとは逆に、第１タイプの記録ビット（１）が非磁化セグメントに割り当てられ、第１タイプの記録ビット（０）が磁化セグメントに割り当てられて記録パターンが形成されても良い。このようにビットの遷移で変調出力が決定される変調方式Ａでは、パターンが形成された領域には、２記録ビット以上に亘って非磁化セグメントが連続して配列されることはない。

次に変調方式Ｂでは、図２（ｃ）或いは図３（ｃ）と同様に第２タイプの元データビット“０”が第２タイプの記録ビット［０,０］、第２タイプの元データビット“１”が第２タイプの記録ビット［１,１」で記録される。変調方式Ｂの復調においては、第２タイプの元データビット“０”には、「２記録ビット内に０が存在し」、第２タイプの元データビット“１”は「２記録ビット内に１が存在する」こととなる。

図６（ａ）に示されるように、媒体作成時に図５（ａ）及び（ｂ）に示される変調方式Ａを用いて第１タイプの元データとしての情報ＩＡ“０１１０１０１１１０”が第１タイプの記録ビットに変調されて記録媒体に記録される。媒体作成時には、第１タイプの記録ビットは、磁性セグメント及び非磁性セグメントのパターンとして記録される。

変調方式Ａに従って第１タイプの元データとしての情報ＩＡを変調する場合には、始めに、第１タイプの元データとしての情報ＩＡ“０１１０１０１１１０”の先頭の前に変調の為のビット“０”が附加される。第１タイプの元データ（情報ＩＡ）“０１１０１０１１１０”に加えられるデータビットが“０”であるから、連続するデータビット列は、“０”から“０”に遷移されることとなり、第１タイプの記録ビット（１）が生成され、この記録ビット（１）が先頭磁性セグメント（１）として記録される。第１タイプの元データ（情報ＩＡ）“０１１０１０１１１０”内の先頭元データビットは、“０”で、これに続くビットが“１”であるから、“０”から“１”の遷移として第１タイプの記録ビット（１，０）が生成され、この記録ビット（１，０）が磁性及び非磁性セグメント列（１，０）として記録される。その後、ビット“１”に続くビットが“１”であるから、“１”から“１”の遷移として第１タイプの記録ビット（１）が生成され、この記録ビット（１）が磁性セグメント列（１）として記録される。同様のことが繰り返されて、図６（ａ）に示すように、第１タイプの記録ビット列（１）、（１，０）、（１）、（１，０）、（１，０）、（１，０）、（１，０）、（１）、（１）、（１，０）が磁性セグメント及び非磁性セグメントの組み合わせで記録媒体に形成される。

図６（ｂ）に示されるように、図６（ａ）に示されるパターン領域内の磁性セグメントに記録ヘッド若しくは消磁装置により全て（１）が記録される。この消磁処理が施されても、磁性セグメントは着磁されているか否かの物理的特性変化に留まり、磁性特性を有する状態が維持されていることから、再生ヘッドを用いてパターン領域に記録された第１タイプの記録ビットを変調方式Ａで情報ＩＡ“０１１０１０１１１０”に復調することができる。

次に図６（ｃ）に示されるように、記録ヘッドを用いてパターン領域に情報ＩＢ“１０００１０１０”を第２タイプの変調方式Ｂで記録される。この記録においては、第１タイプの変調方式Ａの最大反転間隔は１であり、図２（ｃ）及び図４（ｃ）と同様に、第２タイプの変調方式Ｂの最小反転間隔は２となる。第１タイプの変調方式Ａ及び第２タイプの変調方式Ｂとの組み合わせにより、情報ＩＡがパターンとして記録されたパターン領域に情報ＩＢが記録され、第２タイプの変調方式Ｂを用いて、追記された情報ＩＢも復調することが出来る。

（実施例４）
図７、図８及び図９を参照して、消磁によって情報ＩＢを破壊することなく、情報ＩＡを復調可能な方法を説明する。

図７（ａ）に示される第１タイプの変調方式Ａでは、２ビットの第１タイプの元データは、４記録ビットのパターンに変調される。この変調方式Ａにおいて、第１タイプの記録ビット（０）が非磁性セグメント、第１タイプの記録ビット（１）が磁性セグメントに定められる場合には、第１タイプの４記録ビットの全てのパターンは、３ビットの磁性セグメント及び１ビットの非磁性セグメントで構成される。図７（ａ）に示されるように、第１タイプの元データビット“００”は、第１タイプの記録ビット（０，１，１，１）を表す非磁性、磁性、磁性及び磁性セグメントの配列（０，１，１，１）で記録される。また、第１タイプの元データビット“０１”は、第１タイプの記録ビット（１，１，０，１）を表す磁性、磁性、非磁性及び磁性セグメントの配列（１，１，０，１）で記録され、第１タイプの元データビット“１０”は、第１タイプの記録ビット（１，０，１，１）を表す磁性、非磁性、磁性及び磁性セグメントの配列（１，０，１，１）で記録され、更に、第１タイプの元データビット“１１”は、第１タイプの記録ビット（１，１，１，０）を表す磁性、磁性、磁性及び非磁性セグメントの配列（１，１，１，０）で記録される。

図７（ｂ）に示すように、第２タイプの変調方式Ｂでは、第２タイプの元データビット“０”は、第２タイプの記録ビット[０、０]に変換されて非磁化セグメント[０，０]として記録され、第２タイプの元データビット“１”は、第２タイプの記録ビット[１，０]、[０，１]或いは[１，１]に変換されて非磁化セグメント[１，０]、[０，１]或いは[１，１]として記録される。変調方式Ｂにおける第２タイプの４セグメントは、変調方式Ａにおける第１タイプの４セグメントの前半２セグメント或いは後半２セグメントに分配される。変調方式Ｂの復調においては、第２タイプの元データビット“０”は、“２ビット内に０が連続して存在”、即ち、第２タイプの２セグメントが非磁化、また、第２タイプの元データビット“１”は“２ビット内に１が存在”、即ち、第２タイプの２セグメントが磁化及び非磁化される。

図８には、図７に示される第１タイプの変調方式Ａで情報ＩＡ“０００１１１１０”を記録する例が示されている。媒体作成時には、図８（ａ）に示すように情報ＩＡ“０００１１１１０”は、磁性セグメント及び非磁化セグメントのパターンで形成される。即ち、情報ＩＡ“０００１１１１０”の最初の２ビット“００”は、第１の記録ビット（０，１，１，１）として非磁性、磁性、磁性及び磁性セグメントのパターン（０，１，１，１）で形成される。次の２ビット“０１”は、第１の記録ビット（１，１，０，１）として磁性、磁性、非磁性及び磁性セグメントのパターン（１，１，０，１）で形成される。同様に、更に次の２ビット“１１”は、第１の記録ビット（１，１，１，０）として磁性、磁性、磁性及び非磁性セグメントのパターン（１，１，１，０）で形成され、最後の２ビット“１０”は、第１の記録ビット（１，０，１，１）として磁性、非磁性、磁性及び磁性セグメントのパターン（１，０，１，１）で形成される。

次に、図８（ｂ）に示すように記録ヘッドを用いてパターン領域に第２の情報ＩＢ“１０００１０１１”が第２タイプの変調方式Ｂで記録される。即ち、データビット“１０００１０１１”が第２の記録ビットの配列［０，１］（非磁化及び磁化）、［０，０］（非磁化及び非磁化）、［０，０］（非磁化及び非磁化）、［０，０］（非磁化及び非磁化）、［１，１］（磁化及び磁化）、［０，０］（非磁化及び非磁化）、［１，０］、（磁化及び非磁化）［１，１］（磁化及び磁化）として磁化セグメント及び非磁化セグメントの組み合わせで記録される。

この記録においては、変調方式Ａの最大反転間隔が２となり、変調方式Ｂの最小反転間隔が２となる。変調方式Ａと変調方式Ｂとの組み合わせにより、情報ＩＡがパターンとして記録されたパターン領域に情報ＩＢが記録され、変調方式Ｂを用いて追記された情報ＩＢを取得することができる。

次に、図８（ｃ）に示されるように、情報ＩＡ“０００１１１１０”を復調するために、パターン領域の各セグメントにおける再生信号の強度ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４が取得される。また、パターン領域内の各セグメントから検出された信号Ｓ（ｂ１，ｂ２），Ｓ（ｂ３，ｂ４）から第２タイプのデータビットが取得される。その後、図９に示すフローチャートに従って、情報ＩＡが復調される。

尚、図８（ｃ）に示される数値（0.5,0.8…等：相対値）は再生信号の強度ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４を示している。ここで述べる再生信号強度は、磁性セグメントの磁化状態（１）に対して大きく、非磁化状態（０）に対して小さく再生される数値である。非磁性セグメントに対する再生信号強度は、磁化状態に依らずセグメント領域内が着磁されないことから、磁化状態・非磁化状態の再生信号強度の中間値をとることとなる。

図９に示すフローチャートにおいては、再生信号強度の大小関係及び第２タイプの変調方式Ｂによって記録された情報ＩＢより類推される磁化状態を基に、第１タイプの変調方式Ａで記録された情報ＩＡを復調する手順が示されている。この手順により、磁化信号の差異を利用して、消磁による情報ＩＢの破壊を伴わずに情報ＩＡを復調することができる。即ち、ステップＳ１０で処理が開始されると、再生信号Ｓの強度ｂ１，ｂ２の差の絶対値｜ｂ１−ｂ２｜と再生信号Ｓの強度ｂ３，ｂ４の差の絶対値｜ｂ３−ｂ４｜とが比較される。以下、差の絶対値は単純に差と称する。（Ｓ１２）即ち、図８（ｂ）に示される第２タイプの４セグメントパターン内において、第２タイプの１データビットを表す２セグメントからの信号強度（ｂ１，ｂ２）と第２タイプの他の１データビットを表す２セグメントからの信号強度の差（ｂ３，ｂ４）が比較される。｜ｂ１−ｂ２｜＞｜ｂ３−ｂ４｜であれば、即ち、４セグメントパターン内において、前半の２セグメントからの信号強度の差（｜ｂ１−ｂ２｜）が後半の２セグメントからの信号強度の差（｜ｂ３−ｂ４｜）よりも大きければ、第１タイプのセグメント配列は、図７（ａ）（ｂ）及び図８（ｃ）を参照すれば明らかなように］（０，１，１，１）或いは］（１，０，１，１）であることとなる。

次に、前半の２セグメントが第２タイプのデータビット“１”を表す（Ｓ（ｂ１，ｂ２）＝１）ように着磁されているかが確認される。（Ｓ１４）前半の２セグメントが第２タイプのデータビット“１”を表す（Ｓ（ｂ１，ｂ２）＝１）ように着磁されている場合は、セグメント［１，０］或いは［０，１]である。ステップ１６において、前半の２セグメントからの信号強度ｂ１,ｂ２が比較される。信号強度ｂ１が信号強度ｂ２よりも大きい場合には、２セグメントは、磁化及び非磁化セグメント［１，０］で形成されることから、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータ“１０”が出力される。（Ｓ１８）
ステップ１６において、信号強度ｂ１が信号強度ｂ２よりも大きくない場合には、２セグメントは、セグメント［１，０］で形成されることから、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータとして“００”が出力される。（Ｓ１８）この出力によって一連の処理が終了される。（Ｓ２０）
また、ステップＳ１４において、前半の２セグメントが第２タイプのデータビット“１”を表していない（Ｓ（ｂ１，ｂ２）≠１）ように着磁されている場合は、セグメント［０，０］である。ステップ１６において、前半の２セグメントからの信号強度ｂ１,ｂ２が比較される。信号強度ｂ１が信号強度ｂ２よりも大きい場合（一方が非磁性セグメントで再生強度が中間値をとる）には、２セグメントは、磁性及び非磁性セグメント（１，０）で形成されることから、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータ“１０”が出力される。（Ｓ１８）この出力によって一連の処理が終了される。（Ｓ２０）
ステップ１６において、信号強度ｂ１が信号強度ｂ２よりも大きくない場合には、２セグメントは、非磁性及び磁性セグメント（０，１）で形成されることから、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータとして“００”が出力される。（Ｓ１８）この出力によって一連の処理が終了される。（Ｓ２０）
ステップＳ１２において、４セグメントパターン内において、前半の２セグメントからの信号強度の差（｜ｂ１−ｂ２｜）が後半の２セグメントからの信号強度の差（｜ｂ３−ｂ４｜）よりも大きくなければ、第１タイプのセグメント配列は図７（ａ）（ｂ）及び図８（ｃ）を参照すれば明らかなようにセグメント］（１，１，０，１）或いは］（１，１，１，０）であることとなる。

次に、後半の２セグメントが第２タイプのデータビット“１”を表す（Ｓ（ｂ１，ｂ２）＝１）ように着磁されているかが確認される。（Ｓ２６）後半の２セグメントが第２タイプのデータビット“１”を表す（Ｓ（ｂ３，ｂ４）＝１）ように着磁されている場合は、セグメント［１，０］或いは［０，１]である。ステップ２８において、前半の２セグメントからの信号強度ｂ３,ｂ４が比較される。信号強度ｂ３が信号強度ｂ４よりも大きい場合には、２セグメントは、磁化及び非磁化セグメント［１，０］で形成されることから、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータ“１１”が出力される。（Ｓ３０）この出力によって一連の処理が終了される。（Ｓ２４）
ステップ１６において、信号強度ｂ３が信号強度ｂ４よりも大きくない場合には、２セグメントは、セグメント［０，１］で形成される。従って、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータとして“０１”が出力される。（Ｓ１８）この出力によって一連の処理が終了される。（Ｓ２０）
また、ステップＳ２６において、後半の２セグメントが第２タイプのデータビット“１”を表していない（Ｓ（ｂ３，ｂ４）≠１）ように着磁されている場合は、セグメント［０，０］である。ステップ３２において、後半の２セグメントからの信号強度ｂ１,ｂ２が比較される。信号強度ｂ３が信号強度ｂ４よりも大きい場合（一方が非磁性セグメントで再生強度が中間値をとる。）には、２セグメントは、磁性及び非磁性セグメント（１，０）で形成されることから、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータ“１１”が出力される。（Ｓ３０）この出力によって一連の処理が終了される。（Ｓ２０）
ステップ３２において、信号強度ｂ３が信号強度ｂ４よりも大きくない場合には、２セグメントは、非磁性及び磁性セグメント（０，１）で形成されることから、図７（ａ）及び図８（ａ）を参照すれば明らかなように復調された第１タイプのデータとして“０１”が出力される。（Ｓ１８）この出力によって一連の処理が終了される。（Ｓ２０）
図９に示される処理によれば、セグメントパターンにＤＣ磁場が与えられて磁性セグメントが消磁されなくとも、予め形成された第１タイプのデータを読み出すことが可能となる。

上述したように、第１タイプの変調方式Ａの最大反転間隔は１、また、第２タイプの変調方式Ｂの最小反転間隔は２である。変調方式Ａと変調方式Ｂとの組み合わせにより、情報ＩＡがパターンとして記録されたパターン領域に情報ＩＢを記録し、変調方式Ｂを用いて、追記された情報ＩＢを取得することができる。即ち、磁気記録媒体のＲＯＭ領域には、第１タイプの変調方式Ａで消去不能の情報ＩＡがパターンとして記録され、また、磁性セグメントを利用して第２タイプの変調方式Ｂで消去可能な情報ＩＢを追記記録することができる。

以上のように、磁化セグメントと非磁化セグメントとのパターンによって記録された第１タイプの情報ＩＡは、記録ヘッドによりパターンを変更できないため、例えば磁気記録媒体のＩＤ情報或いはセキュリティに関する情報を記録することが出来る。また、磁気記録媒体上に磁性パターンとして記録される第１タイプの情報ＩＡは、媒体製造時に記録することが可能であり、磁気記録装置完成後に記録ヘッドで情報を記録するよりも短時間で情報記録された媒体を作成することが出来る。従って、例えば、予め第１タイプの情報が記録されている磁気記録装置を提供する際にも、低コストで装置を提供できる。

一方、第１タイプの情報ＩＡの記録されたパターン領域は、磁性セグメントと非磁性セグメントとのパターンで構成されており、磁気記録装置内において記録ヘッドにより記録部の磁化情報を書き換えることが可能である。即ち、記録ヘッド若しくは消磁装置により一定磁化パターンで再生可能となっているパターン領域の第１タイプの情報ＩＡを、パターン領域中の磁性セグメントに後から記録ヘッドにより書き換えることで、第１タイプの情報ＩＡとは異なる第２タイプの情報ＩＢを磁気記録媒体に記録し、磁気記録媒体から再生することができる。このようにパターン領域に追記容量を加えることができ、磁気記録媒体の追記容量を増加させることができる。

パターン領域に磁性パターンとして記録された第１タイプの情報ＩＡは、ある第１タイプの変調方式Ａを用いて変換された形態で記録され、更に、このパターン領域に、磁気記録装置作成後に記録ヘッドで第２タイプの情報ＩＢを書き込む際には、第１タイプの変調方式Ａとは異なる第２タイプの変調方式Ｂを用いて第２タイプの情報ＩＢを書き込むことにより、追記した情報ＩＢを正しく記録、再生することが可能になる。

ここで、変調方式とは、元データを何らかのデータ列に変換することを意味する。変調方式には様々な方法があるが、例えば、１−７ＲＬＬ（Run Length Limited）変調方式を用いることで、最大磁化反転間隔を７に制限することができる。即ち、例えば、元データがゼロの連続である場合でも、変調後は少なくとも記録単位７個ごとに“０→１”若しくは“１→０”の記録反転が存在することになり、磁性パターンにおいては記録部と非磁化セグメントとの境界が記録単位７個以内に必ず存在することになる。

従って、情報ＩＡが１−７ＲＬＬ変調方式で記録されている場合には、第２タイプの情報ＩＢは少なくとも１つの記録単位を情報ＩＡの７倍以上の周期で記録する変調方式を用いることにより、情報ＩＢを構成する記録単位が、第１タイプの情報ＩＡの磁性パターン中に存在する非磁性セグメントの影響で欠損することを防ぐことが出来る。

第１タイプの変調方式Ａの最大磁化反転間隔は、第２タイプの変調方式Ｂの最小磁化反転間隔以下であれば、第２タイプの変調方式Ｂの全ての磁化反転区間内に、第１タイプの変調方式Ａの磁性／非磁化セグメントの反転区間が存在することになり、第１タイプの情報ＩＡの内容に関係なく、第２タイプの変調方式Ｂで記録された情報ＩＢを情報の欠損無く再生することが可能になる。

また、第１タイプの変調方式Ａで作成される磁性及び非磁性セグメントのパターン中、非磁性セグメントの最大間隔が第２タイプの変調方式Ｂにおける最小磁化反転間隔よりも小さければ、同様に第２タイプの情報ＩＢを欠損無くパターン領域に追記、再生することが可能になる。

媒体の作成方法
図１０及び図１１を参照してこの発明の１実施の形態に係る記録媒体の製造方法について説明する。尚、記録媒体は以下の２つの工程のどちらかで作製することが望ましいが特にこれに制限されないことは明らかである。また、下記の説明においては、記録媒体のＲＯＭ領域について特に説明し、ＲＡＭ領域は、このＲＯＭ領域の製造過程で磁性層が基板上に形成されるものとして特に詳細には説明しないものとする。

第１の作成方法（磁性体加工型）
始めにインプリントスタンパが作製される。即ち、図３（ａ）に示すように、基板１２上にレジスト１４が塗布される。基板１２は、Ｓｉ基板若しくはガラス基板が好ましい。レジスト１４は、電子線描画用のレジストが利用される。図３（ｂ）に示すように磁性体パターン１６が電子線で描画され、現像処理を行うことで、パターンがレジストの凹凸として基板１２上に形成される。この電子線描画時には、情報ＩＡが第１タイプの変調方式Ａで変調されて第１タイプの記録ビットとして用意され、第１タイプの記録ビットがパターン領域として形成される。

次に、図３（ｃ）に示されるように図３（ｂ）でパターン領域１６が形成されたレジスト層１４上に電鋳によってスタンパ１８が形成される。スタンパ１８の材料は、Ｎｉが好ましいが、これに限定されるものではない。スタンパ１８の表面には、レジスト１４の凹凸が逆転されて転写される。また、図示しないが、図３（ｂ）に示されるレジスト層１４をエッチングしてレジスト層１４の凹凸を基板１２の凹凸として転写することでスタンパを得ても良い。

以上の工程によりインプリントスタンパ１８が得られる。

図３（ｄ）に示されるように、媒体基板２０上に磁気記録用の磁性層２２が製膜される。磁性層２２は、垂直記録に適した材料が好ましく、記録用の強磁性膜を具備する。記録用の強磁性膜の下に軟磁性材料から成る下地層を具備することが好ましい。更に、得られた磁性層２２の上にインプリント用のレジスト層２４が塗布される。

次に、図３（ｅ）に示されるように図３（ｄ）で得られたレジスト層２４上にインプリントスタンパ１８が対面され、インプリント法に基づきインプリントスタンパ１８とレジスト層２４とに圧力が印加されて両者が押し合わされ、インプリントスタンパ１８の表面の凹凸パターンがレジスト層２４の表面に転写される。その後、インプリントスタンパ１８が剥離される。

図３（ｆ）に示されるように、凹凸パターンが設けられたレジスト層２４がエッチングされて下の磁性層２２が加工される。磁性層２２は、レジスト層２４の表面の凹凸パターンに応じてパターン化されて第１タイプの記録ビットに対応したパターン領域２６が形成される。即ち、磁性層２２は、セグメントとして残された磁性セグメント及び磁性層が除去された非磁性セグメントでパターン領域２６が形成される。

図３（ｇ）に示されるように得られた磁性体パターン領域２６を有する磁性層２２上にカーボン保護膜２８が設けられ、更に潤滑剤が塗布される。

上記方法によりパターン領域２６における情報ＩＡが磁性セグメントと非磁性セグメントで記録パターンが形成されている記録媒体が作製される。この記録媒体は、従来の手法と同様の方法で記録装置に装着される。

第２の作成方法（基板加工型）
図１０に示された第１の作成方法（磁性体加工型）に代えて図１１に示される第２の作成方法（基板加工型）が採用されても良い。図１１（ａ）〜（ｃ）に示されるインプリントスタンパを作成するまでの工程は、図１０（ａ）〜（ｃ）に示される第１の方法と同様であるので、図１１（ａ）〜（ｃ）を参照する説明については省略する。

図１１（ａ）〜（ｃ）に示される工程を経てインプリントスタンパ１８が作成された後、図１１（ｄ）に示されるように媒体基板２０上にインプリント用のレジスト層３０が塗布される。図１１（ｅ）に示すように図１１（ｄ）で得られたレジスト層３０上にインプリントスタンパ１８が対面され、インプリント法に基づきインプリントスタンパ１８とレジスト層３０に圧力が印加されて押し合わされ、インプリントスタンパ１８の表面の凹凸パターンがレジスト層３０の表面に転写される。その後、インプリントスタンパ１８がレジスト層３０から分離される。

次に、図１１（ｆ）に示されるように凹凸パターンのついたレジスト層３０がエッチングされる。従って、レジスト層３０がエッチングに伴い基板２０の表面がレジスト層３０の凹凸パターンに従って凹凸に加工される。レジスト層３０が除去された基板２０の表面は、レジスト層表面の凹凸パターンに応じてパターン化され、第１タイプの記録ビットに対応したパターン領域２６が形成される。

図１１（ｇ）に示されるように、得られた凹凸基板２０上に磁気記録用の磁性層３２が製膜される。即ち、パターン領域２６の全域に亘って磁性層３２が形成され、図１１（ｇ）に示すように凸部に限らず、凹部内にも磁性３２が形成される。磁性層３２は、垂直記録に適した材料が好ましく、記録用の強磁性膜を具備する。記録用の強磁性膜の下に軟磁性材料から成る下地層を具備することが好ましい。更に、得られた磁性層３２が形成された凹凸パターン領域２６を備えた基板２０上にカーボン保護膜が設けられ、さらに潤滑剤が塗布される。

上記方法により、パターン領域における第１タイプの情報ＩＡが磁性体凹凸パターン２６として形成される記録媒体が作製される。この記録媒体は従来の手法と同様の方法で記録装置に装填され、この記録装置において、第２タイプの情報ＩＢを記録媒体に書き換え可能に記録することができる。

ドライブの構成
次に、図１２を参照してこの発明の記録媒体に第２タイプの情報を書き込むことができる磁気ディスク装置（記録再生装置）のドライブ部について説明する。

図１２は、磁気ディスク装置（記録再生装置）のドライブ部の基本的構造を示す概念図である。図１２においては、説明の便宜の為に１つの記録媒体（磁気ディスク）のみが描かれているが、よく知られるように複数の磁気ディスクを備え、複数の磁気ディスクに対応した構成が取られても良いことは明らかである。

図１２に示す磁気ディスク装置は、上述したパターン領域を備える１枚の記録媒体（磁気ディスク）１４０を備えている。この記録媒体１４０は、ユーザのデータ記録の為に解放されている通常のＲＡＭ領域とともに既に説明したＲＯＭ領域が所定の所定領域に形成されている。

よく知られるように、この磁気ディスク１４０の両面に夫々２本の磁気ヘッド１１０（ダウンヘッド及びアップヘッド）が配置され、この磁気ヘッド１１０が回転され、磁気ヘッド１１０が回転される磁気ディスク１４０の半径方向に移動される。従って、磁気ディスク１４０の両面が磁気ヘッド１１０によって走査され、磁気ヘッド１１０によって情報が磁気ディスク１４０に記録され、また、磁気ディスク１４０から情報が再生される。

ディスク装置は、図１２に示されるように、磁気ディスク１４０が格納されるヘッド・ディスクアセンブリ（ＨＤＡ）とも称せられるディスクドライブ部１００及びＰＣＢ（Printed Circuit Board）とも称せられるプリント回路基板２００とから構成される。

ヘッド・ディスクアセンブリ（ＨＤＡ）
ディスクドライブ部１００（ＨＤＡ）は、上述した記録媒体１４０を回転させるスピンドルモータ（ＳＰＭ）１５０を備え、ヘッド１１０がヘッド移動機構１３０によって記録媒体１４０上を移動される。

ヘッド１１０は、ヘッド本体であるスライダ（ＡＢＳ）に、リード素子（ＧＭＲ素子）及びライト素子を有する磁気ヘッド素子が実装されたもので、ヘッド移動機構１３０に搭載されている。ヘッド移動機構１３０は、ヘッドを支持するサスペンション・アーム１２０、当該アーム１２０を回転自在に支持するピボット軸１３９及びＶＣＭ（Voice Coil Motor）１３１を有している。ＶＣＭ１３１は、当該アーム１２０にピボット軸１３９を回転中心とする回転トルクを発生させて、ヘッド１１０をディスク１４０の半径方向に移動させる。ヘッド１１０からの入出力信号は、アーム上に固定されたヘッドアンプ（ＨＩＣ）１６０によって増幅され、フレキシブルケーブル（ＦＰＣ）を介してプリント回路基板（ＰＣＢ）２００側に電気的に伝達される。

尚、本実施例では、ヘッド信号のＳＮ低減のために、ＨＩＣがヘッド移動機構上に設置されていると説明されているが、本体部に固定された構成であっても良いことは明らかである。

記録媒体１４０は、前述したように両面（表裏面）が記録再生可能あり、ドライブのヘッド移動軌跡とディスク１４０のサーボ領域パターンの円弧形状とが略一致するように表裏面にパターンが形成され、ディスクドライブ部１００に組み込まれている。ディスク仕様は、従来と同様に、ディスクドライブ部１００に適応した外径並びに内径、記再特性等を満足するものであるのは当然であるが、サーボ領域円弧形状として、ディスク回転中心からピボッド中心までの距離を半径位置として有する円周上に、円弧中心を持ち、円弧半径がピボッドから磁気ヘッド素子までの距離として、形成されたもので与えられている。

（ＰＣＢ）
ＰＣＢ２００は、主として４つのシステムＬＳＩを搭載している。即ち、プリント回路基板（ＰＣＢ）２００は、ディスクコントローラ（ＨＤＣ）２１０、リード／ライトチャネルＩＣ２２０、ＭＰＵ２３０、及びモータドライバＩＣ２４０を備えている。

ＭＰＵ２３０は、ドライブ駆動システムの制御部であり、ヘッド位置決め制御システムを実現するＲＯＭ，ＲＡＭ，ＣＰＵ及びロジック処理部を含む構成である。ロジック処理部は、ハードウェア回路で構成された演算処理部で、高速演算処理に用いられる。また、この動作ソフト（ＦＷ）は、ＲＯＭに保存されており、このＦＷに従ってＭＰＵがディスクドライブ部１００を制御する。

ＨＤＣ２１０は、ハードディスク内のインターフェース部であり、ディスクドライブ部１００とホストシステム（例えばパーソナルコンピュータ）とのインターフェース、或いは、ＭＰＵ２３０，リード／ライトチャネルＩＣ２２０，モータドライバＩＣ２４０との間で情報交換し、ドライブ全体を管理する。

リード／ライトチャネルＩＣ２４０は、リード／ライトに関連するヘッド信号処理部であり、ヘッドアンプ（ＨＩＣ）１６０のチャネル切替えや、リード／ライト等の記録再生信号を処理する回路で構成される。

パターン領域に記録された情報ＩＡを読み出すための変調方式Ａの復元、及びパターン領域において変調方式Ｂを用いた情報ＩＢの追記、及び追記された情報ＩＢの変調方式Ｂに基づいた復元は、このリード／ライトチャネルＩＣ２４０内で行われる。

モータドライバＩＣ２４０は、ＶＣＭ１３１及びスピンドルモータ１５０を駆動させる為のドライバ部で、スピンドルモータ１５０を一定回転に駆動制御したり、ＭＰＵ２３０からのＶＣＭ１３１の操作量を電流値としてＶＣＭ１３１に与えて、ヘッド移動機構１３０を駆動したりしている。

図１２に示された記録再生装置によれば、パターン領域に磁性体パターンとして形成されている第１タイプの変調情報が記録された磁気記録媒体のパターン領域に第２タイプの変調情報を追記することができ、磁性体パターンによる追記可能容量の減少を最小限にとどめることができる。

尚、パターン領域において記録部を磁性体、非磁化セグメントを非磁性体のパターンで構成すると、磁性体の体積は、非磁性体のパターン領域ではゼロとなり、例えば消磁装置でパターン領域全面を消磁した場合、磁性体部と非磁性体部で再生ヘッドの受ける磁化信号が異なる。非磁化セグメントの磁性体の体積は必ずしもゼロである必要はなく、記録部の磁性体体積よりも少なければ、再生ヘッドの信号が異なるため、磁性パターンとして使用可能である。

この磁性体体積をパターンとして作成する手法は、例えば媒体作成時の磁性体エッチング方法により可能となる。

また、磁気記録装置中の磁気記録媒体上のパターン領域において、記録ヘッドにより磁化が記録される磁性体の頭頂部の媒体表面における高さの違いにより、情報が記録されていることを特徴とする磁気記録再生装置が提供される。

即ち、パターン領域において記録部の磁性体高さが、非磁化セグメントの磁性体高さよりも高ければ、記録ヘッドが書き込みをする際に、記録部の磁性体のみに記録を行うことが可能となる。

この磁性体の凹凸をパターンとして作成する手法は、例えばあらかじめ凹凸パターンを具備する基板上に、磁性膜を製膜することにより可能となる。

（ａ）及び（ｂ）は、夫々、この発明の一実施の形態に係る磁気記録方式で利用される異なる第１タイプ及び第２タイプの変調方式Ａ及びＢで記録されている記録媒体上のデータの記録状態を概略的に示す平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図１（ａ）に示された第１タイプの変調方式Ａで記録された記録セグメントを消磁して図１（ｂ）に示された第２タイプの変調方式Ｂで記録セグメントに追記記録することを概略的に示す平面図である。 この発明の第２の実施の形態に係る磁気記録方式を利用して異なる第１タイプ及び第２タイプの変調方式Ａ及びＢで記録されている記録媒体上のデータの記録状態を概略的に示す平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図３（ａ）に示された第１タイプの変調方式Ａで記録された記録セグメントを消磁して図３（ｂ）に示された第２タイプの変調方式Ｂで記録セグメントに追記記録することを概略的に示す平面図である。 この発明の第３の実施の形態に係る磁気記録方式を利用して異なる第１タイプ及び第２タイプの変調方式Ａ及びＢで記録されている記録媒体上のデータの記録状態を概略的に示す平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図５（ａ）に示された第１タイプの変調方式Ａで記録された記録セグメントを消磁して図５（ｂ）に示された第２タイプの変調方式Ｂで記録セグメントに追記記録することを概略的に示す平面図である。 この発明の第４の実施の形態に係る磁気記録方式を利用して異なる第１タイプ及び第２タイプの変調方式Ａ及びＢで記録されている記録媒体上のデータの記録状態を概略的に示す平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図７（ａ）に示された第１タイプの変調方式Ａで記録された記録セグメントに図７（ｂ）に示された第２タイプの変調方式Ｂで記録セグメントに追記記録し、消磁せずに図７（ｂ）に示された第２タイプの変調方式Ｂの記録セグメントを再生することを概略的に示す平面図である。 消磁せずに図７（ｂ）に示された第２タイプの変調方式Ｂの記録セグメントを再生するこの発明の実施の形態に係る再生方法の手順を示すフローチャートである。 この発明の１実施の形態に係る記録媒体の製造方法工程を概略的に示す断面図である。 この発明の他の実施の形態に係る記録媒体の製造方法工程を概略的に示す断面図である。 この発明の１実施の形態に係る記録再生装置を概略的に示すブロック図である。

符号の説明

“０”、“１”．．．データビット、（１）、（０）．．．第１タイプの記録ビット、［０］，［１］．．．第２タイプの記録ビット、ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４．．．再生信号の強度、１２．．．基板、１４．．．レジスト、１８．．．インプリントスタンパ、２０．．．媒体基板、２２．．．磁性層、２４．．．レジスト層、３０．．．レジスト層、３２．．．磁性層、１００．．．ディスクドライブ部、１１０．．．磁気ヘッド、１２０．．．サスペンション・アーム、１３０．．．ヘッド移動機構、１３１．．．ＶＣＭ、１３９．．．ピボット軸、１４０．．．記録媒体（磁気ディスク）、１５０．．．スピンドルモータ、１６０．．．ヘッドアンプ（ＨＩＣ）、２００．．．プリント回路基板、２１０．．．ディスクコントローラ（ＨＤＣ）、２２０．．．リード／ライトチャネルＩＣ、２３０．．．ＭＰＵ、２４０．．．モータドライバＩＣ

Claims (7)

1. ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域からなり、ＲＯＭ領域が、磁性セグメント及び非磁性セグメントの配列順により規定される第１タイプのセグメント配列から構成され、第１タイプの変調方式によって変調された情報が当該第１タイプのセグメント配列として記録されているパターン領域を有する磁気記録媒体と、
   前記第１タイプのセグメント配列内の所定の前記磁性セグメントをそのセグメント領域内で全て同一方向に磁化し、磁化セグメント及び非磁化セグメントの第２タイプのセグメント配列で前記パターン領域に前記第１タイプの変調方式によって変調された情報とは異なる第２タイプの変調方式によって変調された情報を磁気的に記録する記録部と、
   前記第１タイプの変調方式によって変調された情報を第１タイプの記録情報に復調する第１タイプの復調部と、
   前記第２タイプの変調方式によって変調された情報を第２タイプの記録情報に復調する第２タイプの復調部と、
   を具備する磁気記録再生装置において、
   前記第１タイプの変調方式によって変調された情報の磁性及び非磁性の最大反転間隔は、前記第２タイプの変調方式によって変調された情報の磁化セグメント変調方式の最小磁化反転間隔以下であることを特徴とする磁気記録再生装置。
2. 前記磁気記録媒体は、磁性層を備え、この磁性層の下部に存在する基板に形成された凹凸として前記非磁性セグメント及び前記磁性セグメントが形成されることを特徴とする請求項１の磁気記録再生装置。
3. 前記磁気記録媒体は、磁性層を備え、この磁性層の一部が除去されたセグメントとして前記非磁性セグメントが形成され、前記磁性層が残されたセグメントとして前記磁性セグメントが形成されることを特徴とする請求項１の磁気記録再生装置。
4. ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域からなり、ＲＯＭ領域が、磁性セグメント及び非磁性セグメントの配列順によって規定される第１タイプのセグメント配列から構成され、第１タイプの変調方式によって変調された情報が当該第１タイプのセグメント配列として記録されているパターン領域を有する磁性記録媒体に磁気的に第２のタイプの変調情報を記録する方法であって、
   前記第１タイプのセグメント配列内の所定の前記磁性セグメントをそのセグメント領域内ですべて同一方向に磁化した後、磁化セグメント及び非磁化セグメントの第２タイプのセグメント配列で前記パターン領域に前記第１タイプの変調方式によって変調された情報とは異なる第２タイプの変調方式によって変調された情報を磁気的に記録する磁気記録方法において、
   前記第１タイプの変調方式によって変調された情報の磁性及び非磁性の最大反転間隔は、前記第２タイプの変調方式によって変調された情報の磁化セグメント変調方式の最小磁化反転間隔以下であることを特徴とする磁気記録方法。
5. 前記第１タイプの変調方式によって変調された情報は、第１タイプの変調方式に従い第１タイプの記録情報を変調して前記磁性記録媒体に形成して前記パターン領域を記録することを特徴とする請求項４の磁気記録方法。
6. 第２タイプの記録情報を第２タイプの変調方式に従って前記第２タイプの変調方式によって変調された情報に変調して前記パターン領域に記録することを特徴とする請求項４の磁気記録方法。
7. ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域からなり、ＲＯＭ領域が、磁性セグメント及び非磁性セグメントの配列順によって規定される第１タイプのセグメント配列から構成され、第１タイプの変調方式によって変調された情報が当該第１タイプのセグメント配列として記録されているパターン領域を有する磁性記録媒体に磁気的に第２のタイプの変調情報を記録し、再生する方法であって、
   前記第１タイプのセグメント配列内の所定の前記磁性セグメントをそのセグメント領域内ですべて同一方向に磁化した後、磁化セグメント及び非磁化セグメントの第２タイプのセグメント配列で前記パターン領域に前記第１タイプの変調方式によって変調された情報とは異なる第２タイプの変調方式によって変調された情報を磁気的に記録し、
   前記第１タイプの変調方式によって変調された情報を第１タイプの記録情報に復調し、前記第２タイプの変調方式によって変調された情報を第２タイプの記録情報に復調する磁気記録再生方法において、
   前記第１タイプの変調方式によって変調された情報の磁性及び非磁性の最大反転間隔は、前記第２タイプの変調方式によって変調された情報の磁化セグメント変調方式の最小磁化反転間隔以下である磁気記録再生方法。

Images