JP4479128B2 - 半導体レーザー駆動回路 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクにおける情報記録再生のために光ディスクにレーザー光を照射する半導体レーザーを駆動する回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザーはきわめて小型で、かつ応答速度が速いため、光ディスク装置、光通信装置、レーザープリンタなどの光源として広く使用されている。
光ディスク装置では半導体レーザーは光ディスクからの情報再生に用いられ、さらに相変化型光ディスクや光磁気ディスクなどの書き換え可能な光ディスクの場合には光ディスクに対する情報の記録にも用いられる。レーザー光の出力レベルは、情報を記録するか、あるいは再生するか、さらには消去するかによって切り換えられ、たとえば再生時には記録時より弱いレーザー光を光ディスクに照射することで、記録ピットを破壊することなく情報の読み出しが行われる。
【０００３】
ところで、光ディスクから情報を再生すべく光ディスクに照射したレーザー光は、光ディスクから反射して光電変換素子に導かれるが、反射光は同時に光源である半導体レーザー側にも一部が入射する。その結果、この戻り光と照射光とが干渉してスクープノイズ、モードホッピングノイズが発生し、再生信号のＣ／Ｎ劣化の原因となっている。そこで従来より、半導体レーザーの駆動電流に２００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの高周波電流を重畳させる高周波重畳法が用いられ、上記ノイズの低減が図られている。
【０００４】
一方、光ディスクに情報を記録する際には、情報の記録密度を高め、かつ情報の転送速度を高めるため、半導体レーザーの出力に対してパルス幅変調を行い、さらに強度変調を行う方式が採られるようになっている。この方式では、レーザー光の強度は複数のレベルに切り換える必要があり、また最短パルス幅も数ｎｓ程度にまで短くなってきている。
このような情報の記録密度および転送速度の向上を図った光ディスク装置では、記録再生時のエラーレートを充分に低い水準に抑えるために、半導体レーザー駆動回路の高速化と低ノイズ化がきわめて重要である。
【０００５】
一般に半導体レーザーとして用いられているレーザーダイオードの寿命は、レーザーダイオード動作時の温度が高くなるほど短くなる。したがって、レーザーダイオードのカソードをレーザーダイオードのパッケージに接続し、パッケージを回路基板などのグランドに接続して放熱効果を高め、動作時の温度を抑えることが長寿命化に有利となる。
そして、高記録密度化を図る場合、高出力のレーザーダイオードを用いる必要があり、したがって、レーザーダイオードの発熱量も必然的に大きくなるので、レーザーダイオードとしては上述のようなカソード側を接地するカソードコモン型のレーザーダイオードを採用することになる。
【０００６】
しかし、このカソードコモン型のレーザーダイオードを駆動する場合、従来の駆動回路では低ノイズ化と高速化とを両立させることが困難であった。以下、この点について詳しく説明する。
図３は従来の半導体レーザー駆動回路の一例を示す回路図、図４は図３の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。なお、図４において（Ｅ）は記録動作により光ディスク上に形成される記録マークを模式的に示している。
【０００７】
図３に示した半導体レーザー駆動回路１０２は、トランジスターＰ１、Ｐ２によるカレントミラー回路１０４によりレーザーダイオード１０６に駆動電流を供給する構成となっており、そして再生制御回路１０８および記録制御回路１１０により再生および記録のための駆動電流が切り替えてレーザーダイオード１０６に供給される。再生制御回路１０８および記録制御回路１１０にはモード選択信号１１２が入力されており、図４に示したように、モード選択信号１１２がハイレベルのときは再生制御回路１０８が動作し、一方、モード選択信号１１２がローレベルのときは記録制御回路１１０が動作する。
【０００８】
詳しく説明すると、図４に示したように、モード選択信号１１２（図４の（Ａ））がハイレベルの期間では、再生制御回路１０８は、一定レベルのバイアス電流に高周波電流を重畳させた電流Ｉｒ（図４の（Ｂ））を、カレントミラー回路１０４の入力端子１１４を通じて流す。これにより、カレントミラー回路１０４は電流Ｉｒに対応する電流ＩＬＤ１（図４の（Ｄ））を出力端子１１６を通じてレーザーダイオード１０６に供給し、その結果、レーザーダイオード１０６から、電流ＩＬＤ１に対応する強度のレーザー光が不図示の光ディスクに照射される。この間、記録制御回路１１０は動作を停止しており、記録制御回路１１０に入力端子１１４から流入する電流Ｉｗはゼロである。
【０００９】
一方、モード選択信号１１２がローレベルの期間では、記録制御回路１１０は、一定レベルのバイアス電流を交流電流で変調した電流Ｉｗ（図４の（Ｃ））を、カレントミラー回路１０４の入力端子１１４を通じて流す。これにより、カレントミラー回路１０４は電流Ｉｗに対応する電流ＩＬＤ１を出力端子１１６を通じてレーザーダイオード１０６に供給し、その結果、レーザーダイオード１０６から、電流ＩＬＤ１に対応する強度のレーザー光が光ディスクに照射され、光ディスクに記録マーク（図４の（Ｅ））が形成される。この間、再生制御回路１０８は動作を停止しており、再生制御回路１０８に入力端子１１４から流入する電流Ｉｒはゼロである。
なお、電流ＩＤＬ１の最小値１１８は、再生時および記録時とも、レーザーダイオード１０６の駆動に必要な最低電流（しきい値電流）以上の値となっている。
【００１０】
ところで、レーザーダイオード１０６は図５の回路図に示したように、抵抗ＲとコンデンサーＣとの並列回路にコイルＬを直列に接続した回路により等価的に表すことができる。ここで、コイルＬはレーザーダイオード１０６のパッケージのリードや半導体チップとリードを接続する金ワイヤーのインダクタンスであり、コンデンサーＣはサブマウントやリード引き出し絶縁部の寄生容量、抵抗Ｒはレーザーダイオード１０６のしきい値電流以上の領域におけるレーザーダイオード１０６の電流−電圧特性曲線の傾斜により決まる微分抵抗である。
【００１１】
上記カレントミラー回路１０４を構成するトランジスターＰ２は、記録時にはピークで２００ｍＡ程度の大きな電流を流す必要があるため、トランジスターのサイズが大きく、その結果、コレクターに係わる寄生容量Ｃｊｓ１も数ｐＦの大きさになる。よって、レーザーダイオード１０６の抵抗Ｒ、トランジスターＰ２の寄生容量Ｃｊｓ１、ならびにレーザーダイオード１０６のコンデンサーＣにより、半導体レーザー駆動回路１０２の周波数特性が制限されてしまい、この点で従来の半導体レーザー駆動回路１０２は高速化に不利であった。
【００１２】
図６は従来の半導体レーザー駆動回路の他の例を示す回路図、図７は図６の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。なお、図７において（Ｅ）は記録動作により光ディスク上に形成される記録マークを模式的に示している。
【００１３】
図６に示した半導体レーザー駆動回路１２０は、トランジスターＱ１によるエミッターフォロワー回路１２２によりレーザーダイオード１０６に駆動電流を供給する構成となっており、そして再生記録制御回路１２４により再生および記録のための駆動電圧が切り替えてレーザーダイオード１０６に供給される。再生記録制御回路１２４にはモード選択信号１１２が入力されており、図７に示したように、モード選択信号１１２がハイレベルのときは再生動作、モード選択信号１１２がローレベルのときは記録動作が行われる。
【００１４】
なお、再生記録制御回路１２４とエミッターフォロワー回路１２２との間には、トランジスターＱ３による反転増幅回路１２６と、トランジスターＱ２によるエミッターフォロワー回路１２８とが介在し、再生記録制御回路１２４の出力電圧は、これらの回路を通じてエミッターフォロワー回路１２２に供給される。
【００１５】
このような構成において、図７に示したように、モード選択信号１１２（図７の（Ａ））がハイレベルの期間では、再生記録制御回路１２４は、一定レベルのバイアス電圧に高周波電圧を重畳させた電圧Ｖｒｗ１（図７の（Ｂ））を、トランジスターＱ３のベースに供給する。これにより、Ｑ３による反転増幅回路１２６は電圧Ｖｒｗ１を増幅し、また極性を反転させ、出力電圧Ｖｒｗ２（図７の（Ｃ））としてトランジスターＱ２のベースに出力する。その結果、電圧Ｖｒｗ２はトランジスターＱ２によるエミッターフォロワー回路１２８およびエミッターフォロワー回路１２２を通じて低出力インピーダンスでレーザーダイオード１０６のアノードに印加される。
これによりレーザーダイオード１０６には電圧Ｖｒｗ２に対応した大きさの電流ＩＬＤ２（図７の（Ｄ））が流れ、レーザーダイオード１０６は同電流ＩＬＤ１に応じた強度のレーザー光を不図示の光ディスクに照射する。
【００１６】
一方、モード選択信号１１２がローレベルの期間では、再生記録制御回路１２４は、一定レベルのバイアス電圧を交流電圧で変調した電圧Ｖｒｗ１を出力し、この電圧は再生の場合と同様に反転増幅されて電圧Ｖｒｗ２となり、トランジスターＱ２によるエミッターフォロワー回路１２２およびエミッターフォロワー回路１２２を通じて低出力インピーダンスでレーザーダイオード１０６のアノードに印加される。
これによりレーザーダイオード１０６には電圧Ｖｒｗ２に対応した大きさの電流ＩＬＤ２が流れ、レーザーダイオード１０６は同電流ＩＬＤ２に応じた強度のレーザー光を光ディスクに照射する結果、光ディスクに記録マーク（図７の（Ｅ））が形成される。
なお、この場合にも、電流ＩＤＬ２の最小値１３０は、再生時および記録時とも、レーザーダイオード１０６の駆動に必要な最低電流（しきい値電流）以上の値となっている。
【００１７】
この半導体レーザー駆動回路１２０は、エミッターフォロワー回路１２２によりレーザーダイオード１０６を低出力インピーダンスで駆動できるため、寄生容量などによる周波数特性の劣化がなく、レーザーダイオード１０６の高速駆動に適している。しかし、半導体レーザー駆動回路１２０では、反転回路が必要であり、抵抗Ｒ１、Ｒ２を用いることから、それらの熱雑音の影響によりノイズが増大し再生時には問題となる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、その目的は、光ディスク装置における情報記録時の高速化と情報再生時の低ノイズ化を同時に実現した半導体レーザー駆動回路を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、光ディスクにレーザー光を照射して前記光ディスクに対する情報の記録、および前記光ディスクからの情報の再生を行う光ディスク装置に組み込まれて、前記レーザー光を発生する半導体レーザーを駆動する回路であって、ベースがコレクターに接続され、エミッターが第１の基準電位に接続され、前記ベースに第１の入力信号が入力される第１のトランジスターと、エミッターが前記第１の基準電位に接続され、ベースが前記第１のトランジスターのベースとコレクターに接続され、コレクターが前記半導体レーザーの入力端子に接続される第２のトランジスターとを有するカレントミラー回路を有し、前記第２のトランジスターのコレクターから信号電流を供給して前記半導体レーザーを発光させる電流駆動回路と、第２の入力信号を増幅する増幅回路と、該増幅回路の出力端子がベースに接続され、コレクターが前記第１の基準電位に接続され、エミッターが前記半導体レーザーの入力端子と前記第２のトランジスターのコレクターに接続されるエミッターフォロア回路を有し、前記第２の入力信号を前記増幅回路で増幅し、該増幅した信号を前記エミッターフォロア回路を介して前記半導体レーザーを電圧駆動して発光させる電圧駆動回路と、情報の再生時には前記電流駆動回路に前記半導体レーザーを駆動させ、情報の記録時には前記電圧駆動回路に前記半導体レーザーを駆動させる制御回路とを備えたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の半導体レーザー駆動回路では、制御回路による制御のもとで、情報再生時には電流駆動回路により半導体レーザーが電流駆動され、一方、情報記録時は電圧駆動回路により半導体レーザーが電圧駆動される。したがって、電流駆動回路をたとえばカレントミラー回路により構成すれば、抵抗は不要であるから熱雑音の問題がなく、低ノイズで情報再生を行うことができる。そして、情報記録時には、電圧駆動回路により低出力インピーダンスで半導体レーザーを駆動するので充分な電流を供給することができ、寄生容量の影響を受け難い。しかも、情報再生時には半導体レーザーに流すべき電流は小さくてよいため、カレントミラー回路を構成するトランジスターとして小型のものを使用でき、同トランジスターに係わる寄生容量が小さくなる。したがって、半導体レーザーを高速駆動することが可能となる。よって、本発明の半導体レーザー駆動回路では、光ディスク装置における情報記録時の高速化と再生時の低ノイズ化の両方を実現することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図１は本発明による半導体レーザー駆動回路の一例を示す回路図、図２は図１の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。なお、図２において（Ｆ）は記録動作により光ディスク上に形成される記録マークを模式的に示している。
【００２２】
本実施の形態例の半導体レーザー駆動回路２は、光ディスク装置に組み込まれ、レーザーダイオードを駆動して光ディスクにレーザー光を照射し、光ディスクに対する情報の記録、および光ディスクからの情報の再生を行うためのものである。そして、図１に示したように、電流駆動回路４、電圧駆動回路６、ならびに制御回路８を含み、電流駆動回路４は、レーザーダイオード１０を発光させるべくレーザーダイオード１０を電流駆動し、電圧駆動回路６は、レーザーダイオード１０を発光させるべくレーザーダイオード１０を電圧駆動する。制御回路８は、情報の再生時には電流駆動回路４にレーザーダイオード１０を駆動させ、情報の記録時には電圧駆動回路６にレーザーダイオード１０を駆動させる。
【００２３】
レーザーダイオード１０は、本実施の形態例では、コモンカソード型のレーザーダイオードであり、そのカソードはグランドに接続されている。
電流駆動回路４は、具体的にはカレントミラー回路１２により構成され、カレントミラー回路１２はＰＮＰ型のトランジスターＰ３、Ｐ４から成り、その出力端子１４、すなわちトランジスターＰ４のコレクターはレーザーダイオード１０のアノードに接続されている。トランジスターＰ３、Ｐ４のベースは共通に接続されるとともにトランジスターＰ３のコレクターに接続され、トランジスターＰ３、Ｐ４のエミッターは正の電源に接続されている。
【００２４】
電圧駆動回路６は、ＮＰＮ型のトランジスターＱ４によるエミッターフォロワー回路１６を含み、その出力端子であるトランジスターＱ４のエミッターはレーザーダイオード１０のアノードに接続され、トランジスターＱ４のコレクターは正の電源に接続されている。
電圧駆動回路６はさらに、エミッターフォロワー回路１８および反転増幅回路２０を含んでいる。エミッターフォロワー回路１８はＮＰＮ型のトランジスターＱ５と抵抗Ｒ６とから成り、トランジスターＱ５のコレクターは正の電源に、エミッターはトランジスターＱ４のベースに接続され、また抵抗Ｒ６を通じてグランドに接続されている。
【００２５】
反転増幅回路２０はＮＰＮ型のトランジスターＱ６と抵抗Ｒ４、Ｒ５とから成り、トランジスターＱ６のコレクターはトランジスターＱ５のベースに接続され、また抵抗Ｒ５を通じて正の電源に接続されている。一方、トランジスターＱ６のエミッターは抵抗Ｒ４を通じてグランドに接続されている。
【００２６】
制御回路８は、モード選択信号２２にもとづいて動作する再生制御回路２４と記録制御回路２６により構成されている。
再生制御回路２４は、カレントミラー回路１２の入力端子２８、すなわちトランジスターＰ３のコレクターを通じ電流を流してカレントミラー回路１２にレーザーダイオード１０を駆動させる。その際、再生制御回路２４は、入力端子２８を通じて流す電流Ｉｒ２に２００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの高周波電流を重畳させる。
【００２７】
一方、記録制御回路２６は、エミッターフォロワー回路１６に供給する電圧Ｖｗ１を出力してエミッターフォロワー回路１６にレーザーダイオード１０を駆動させる。その際、記録制御回路２６は電圧Ｖｗ１に交流電圧を重畳させる。
【００２８】
次に、このように構成された半導体レーザー駆動回路２の動作について図２をも参照しつつ説明する。
図２に示したように、モード選択信号２２（図２の（Ａ））がハイレベルの期間では、再生制御回路２４が動作して、一定レベルのバイアス電流に高周波電流を重畳させた電流Ｉｒ２（図２の（Ｂ））を、カレントミラー回路１２の入力端子２８を通じて流す。これにより、カレントミラー回路１２は電流Ｉｒ２に対応する電流ＩＬＤ３（図２の（Ｅ））を出力端子１４を通じてレーザーダイオード１０に供給する。その結果、レーザーダイオード１０は電流駆動されレーザーダイオード１０から電流ＩＬＤ３に対応する強度のレーザー光が不図示の光ディスクに照射され、その反射光により情報が再生される。
【００２９】
この間、記録制御回路２６は、モード選択信号２２がハイレベルであることから、動作を停止しており、充分に高レベルの一定の電圧を出力している。したがって、トランジスターＱ４はオフ状態となり、レーザーダイオード１０はカレントミラー回路１２からの電流のみにより駆動される。
【００３０】
一方、モード選択信号２２がローレベルの期間では、記録制御回路２６は、一定レベルのバイアス電圧に交流電圧を重畳した電圧、より具体的にはパルス変調を行った電圧Ｖｗ１（図２の（Ｃ））を出力し、この電圧は反転増幅回路２０により反転増幅されて電圧Ｖｗ２（図２の（Ｄ））となり、エミッターフォロワー回路１８およびエミッターフォロワー回路１６を通じて低出力インピーダンスでレーザーダイオード１０のアノードに印加される。
【００３１】
これによりレーザーダイオード１０は電圧駆動され、レーザーダイオード１０には電圧Ｖｗ２に対応した大きさの電流ＩＬＤ３が流れ、レーザーダイオード１０は同電流ＩＬＤ３に応じた強度のレーザー光を光ディスクに照射し、光ディスクに記録マーク（図２の（Ｆ））が形成される。
【００３２】
この間、再生制御回路２４は、モード選択信号２２がローレベルであることから、動作を停止しており、カレントミラー回路１２の入力端子２８から再生制御回路２４には電流は流入しない。したがって、カレントミラー回路１２からはレーザーダイオード１０に電流は供給されず、レーザーダイオード１０はエミッターフォロワー回路１６からの電圧のみにより駆動される。
なお、電流ＩＤＬ３の最小値３０は、再生時および記録時とも、レーザーダイオード１０の駆動に必要な最低電流（しきい値電流）以上の値となっている。
【００３３】
このように、本実施の形態例の半導体レーザー駆動回路２では、情報再生時には、レーザーダイオード１０はカレントミラー回路１２によって電流駆動され、カレントミラー回路１２には抵抗が含まれていないので熱雑音の問題がなく、したがって、低ノイズで情報再生を行うことができる。
【００３４】
一方、情報記録時には、エミッターフォロワー回路１６により低出力インピーダンスでレーザーダイオード１０を駆動するので、トランジスターＰ４のコレクターおよびレーザーダイオード１０の寄生容量を急速に充電して電圧を素早く立ち上げるだけの電流を供給でき、したがって、レーザーダイオード１０の駆動電流パルスは立ち上がり時に速やかに上昇する。
【００３５】
また、パルスの立ち下りの速度は、レーザーダイオード１０の微分抵抗Ｒ（図５参照）とトランジスターＱ２のコレクターの寄生容量Ｃｊｓ２およびレーザーダイオード１０の寄生容量Ｃとによる時定数τ＝Ｒ（Ｃｊｓ２＋Ｃ）により決まる。ここで、情報再生時にはレーザーダイオード１０に流すべき電流は小さくてよく、カレントミラー回路１２を構成するトランジスターＰ４としては小型のものを使用できる。よって、寄生容量Ｃｊｓ２は小さく、時定数τが小さくなるので、パルスの立ち下り速度も従来より向上する。
したがって、情報記録時の駆動電流パルスは、立ち上がり、立ち下りがともに急峻であり、したがってレーザーダイオード１０の高速駆動が可能である。
【００３６】
よって、本実施の形態例の半導体レーザー駆動回路２では、光ディスク装置における情報記録時の高速化と情報再生時の低ノイズ化とを同時に実現することができる。
これにより、記録再生時のエラーレートを充分に低い水準に抑えることが可能となり、情報記録密度および転送速度のさらなる向上を実現できる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体レーザー駆動回路では、制御回路による制御のもとで、情報再生時には電流駆動回路により半導体レーザーが電流駆動され、一方、情報記録時は電圧駆動回路により半導体レーザーが電圧駆動される。したがって、電流駆動回路をたとえばカレントミラー回路により構成すれば、抵抗は不要であるから熱雑音の問題がなく、低ノイズで情報再生を行うことができる。そして、情報記録時には、電圧駆動回路により低出力インピーダンスで半導体レーザーを駆動するので充分な電流を供給することができ、寄生容量の影響を受け難い。しかも、情報再生時には半導体レーザーに流すべき電流は小さくてよいため、カレントミラー回路を構成するトランジスターとして小型のものを使用でき、同トランジスターに係わる寄生容量が小さくなる。したがって、半導体レーザーを高速駆動することが可能となる。よって、本発明の半導体レーザー駆動回路では、光ディスク装置における情報記録時の高速化と再生時の低ノイズ化の両方を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体レーザー駆動回路の一例を示す回路図である。
【図２】図１の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】従来の半導体レーザー駆動回路の一例を示す回路図である。
【図４】図３の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】レーザーダイオードの等価回路を示す回路図である。
【図６】従来の半導体レーザー駆動回路の他の例を示す回路図である。
【図７】図６の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
２……半導体レーザー駆動回路、４……電流駆動回路、６……電圧駆動回路、８……制御回路、１０……レーザーダイオード、１２……カレントミラー回路、１４……出力端子、１６……エミッターフォロワー回路、１８……エミッターフォロワー回路、２０……反転増幅回路、２２……モード選択信号、２４……再生制御回路、２６……記録制御回路、２８……入力端子。

Claims (10)

1. 光ディスクにレーザー光を照射して前記光ディスクに対する情報の記録、および前記光ディスクからの情報の再生を行う光ディスク装置に組み込まれて、前記レーザー光を発生する半導体レーザーを駆動する回路であって、
   ベースがコレクターに接続され、エミッターが第１の基準電位に接続され、前記ベースに第１の入力信号が入力される第１のトランジスターと、エミッターが前記第１の基準電位に接続され、ベースが前記第１のトランジスターのベースとコレクターに接続され、コレクターが前記半導体レーザーの入力端子に接続される第２のトランジスターとを有するカレントミラー回路を有し、前記第２のトランジスターのコレクターから信号電流を供給して前記半導体レーザーを発光させる電流駆動回路と、
   第２の入力信号を増幅する増幅回路と、該増幅回路の出力端子がベースに接続され、コレクターが前記第１の基準電位に接続され、エミッターが前記半導体レーザーの入力端子と前記第２のトランジスターのコレクターに接続される第３のトランジスターを有するエミッターフォロア回路を有し、前記第２の入力信号を前記増幅回路で増幅し、該増幅した信号を前記エミッターフォロア回路を介して前記半導体レーザーを電圧駆動して発光させる電圧駆動回路と、
   情報の再生時には前記電流駆動回路に前記半導体レーザーを駆動させ、情報の記録時には前記電圧駆動回路に前記半導体レーザーを駆動させる制御回路とを備えたことを特徴とする半導体レーザー駆動回路。
2. 前記半導体レーザーはレーザーダイオードであり、前記レーザーダイオードのカソードは第２の基準電位に接続され、前記カレントミラー回路の前記第２のトランジスターのコレクターからの出力電流は前記レーザーダイオードの前記入力端子であるアノードへ供給されることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー駆動回路。
3. 前記制御回路は、前記カレントミラー回路の前記第１のトランジスターのコレクターの入力端子を通じ電流を流して前記カレントミラー回路に前記半導体レーザーを駆動させる再生制御回路を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー駆動回路。
4. 前記再生制御回路は、前記カレントミラー回路の入力端子を通じて流す前記電流に高周波電流を重畳させることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザー駆動回路。
5. 前記半導体レーザーはレーザーダイオードであり、前記レーザーダイオードのカソードはグランドに接続され、前記エミッターフォロワー回路の前記第３のトランジスタのエミッターからの出力電圧は前記レーザーダイオードの前記入力端子であるアノードに印加されることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー駆動回路。
6. 前記制御回路は、前記エミッターフォロワー回路に供給する電圧を出力して前記エミッターフォロワー回路に前記半導体レーザーを駆動させる記録制御回路を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー駆動回路。
7. 前記記録制御回路は、前記エミッターフォロワー回路に供給する前記電圧に交流電圧を重畳させることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザー駆動回路。
8. 前記再生制御回路は、モード選択信号の信号レベルにもとづき、情報再生時にのみ動作することを特徴とする請求項４記載の半導体レーザー駆動回路。
9. 前記記録制御回路は、モード選択信号の信号レベルにもとづき、情報記録時にのみ動作することを特徴とする請求項７記載の半導体レーザー駆動回路。
10. 前記レーザーダイオードはコモンカソード型であることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザー駆動回路。

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