JPH0737265A - 光情報記録装置 - Google Patents
光情報記録装置Info
- Publication number
- JPH0737265A JPH0737265A JP5182616A JP18261693A JPH0737265A JP H0737265 A JPH0737265 A JP H0737265A JP 5182616 A JP5182616 A JP 5182616A JP 18261693 A JP18261693 A JP 18261693A JP H0737265 A JPH0737265 A JP H0737265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- recording
- current
- light emission
- optical information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成により、半導体レーザにより記録
ピットを正確に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが
改善でき、記録時の半導体レーザの駆動電流のオーバシ
ュートによる半導体レーザＬＤの損傷を防止する。 【構成】 記録ＡＰＣ回路の記録信号発生回路１は発光
パルスａの信号に従って半導体レーザＬＤへ供給する電
流をスイッチングする。スイッチングにより半導体レー
ザＬＤへ電流が供袷されると半導体レーザＬＤは発光す
る。半導体レーザＬＤの発光パワーはモニタ用フォトダ
イオードＰＤによって検出される。高速電流制御部２は
検出した発光パワーがあらかじめ設定された値となるよ
うに電流Ｉ2を制御する。低速電流制御部３は検出した
発光パワーに関係なく、温度によって制御された電流Ｉ
1を与える。
ピットを正確に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが
改善でき、記録時の半導体レーザの駆動電流のオーバシ
ュートによる半導体レーザＬＤの損傷を防止する。 【構成】 記録ＡＰＣ回路の記録信号発生回路１は発光
パルスａの信号に従って半導体レーザＬＤへ供給する電
流をスイッチングする。スイッチングにより半導体レー
ザＬＤへ電流が供袷されると半導体レーザＬＤは発光す
る。半導体レーザＬＤの発光パワーはモニタ用フォトダ
イオードＰＤによって検出される。高速電流制御部２は
検出した発光パワーがあらかじめ設定された値となるよ
うに電流Ｉ2を制御する。低速電流制御部３は検出した
発光パワーに関係なく、温度によって制御された電流Ｉ
1を与える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを用いて
記録媒体に記録を行う光情報記録装置に関する。
記録媒体に記録を行う光情報記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光カードはクレジットカード大の形状を
しており、そこに２．８ＭＢ程度のデータが記録できる
ようになっている。そして記録されたデータは消去でき
ないようになっており、このカードは例えば病院におい
てカルテとして、あるいは健康診断システムにおいて検
診データ記録用として使用されている。また、画像デー
タの記録用などにも使用されている。
しており、そこに２．８ＭＢ程度のデータが記録できる
ようになっている。そして記録されたデータは消去でき
ないようになっており、このカードは例えば病院におい
てカルテとして、あるいは健康診断システムにおいて検
診データ記録用として使用されている。また、画像デー
タの記録用などにも使用されている。
【０００３】以下、従来例を図面を参照して説明する。
【０００４】従来の光学的記録再生装置の光ヘッドにお
いて、再生時では、図７に示すように、半導体レーザ１
００の光ビームは、コリメータレンズ１０２で平行光と
なり、対物レンズ１０３で記録媒体１０４上に集光され
る。記録媒体１０４からの戻り光は対物レンズ１０３及
びコリメータレンズ１０２を介して、モニタ用検出器１
０１で検出され、ＡＰＣ回路１０６に送られる。ＡＰＣ
回路１０６では、再生用光パワーが常に一定になる様
に、レーザ駆動電流が制御される。
いて、再生時では、図７に示すように、半導体レーザ１
００の光ビームは、コリメータレンズ１０２で平行光と
なり、対物レンズ１０３で記録媒体１０４上に集光され
る。記録媒体１０４からの戻り光は対物レンズ１０３及
びコリメータレンズ１０２を介して、モニタ用検出器１
０１で検出され、ＡＰＣ回路１０６に送られる。ＡＰＣ
回路１０６では、再生用光パワーが常に一定になる様
に、レーザ駆動電流が制御される。
【０００５】記録時には、パルス電流駆動回路１０７か
ら、ある一定値のパルス状の電流がレーザ駆動電流に重
畳されることにより、半導体レーザ１００の光パワーが
パルス状に変化する。これにより記録媒体１０４上に記
録ピット１０５が形成され情報が記録される。
ら、ある一定値のパルス状の電流がレーザ駆動電流に重
畳されることにより、半導体レーザ１００の光パワーが
パルス状に変化する。これにより記録媒体１０４上に記
録ピット１０５が形成され情報が記録される。
【０００６】記録媒体上に情報を記録する場合、ピット
と呼ばれる反射率が低下したくぼみを形成される。この
ピットは半導体レーザを用いて形成されるので、ピット
を形成する過程で反射率が低下していくと、戻り光量が
低下する。このため、パルス状の駆動電流を与えていた
のでは、半導体レーザの発光強度は一定にならない。従
って、図８に示すように、この発光強度はピット形成の
後半で減少してしまい、ピットの形状が不安定になる。
と呼ばれる反射率が低下したくぼみを形成される。この
ピットは半導体レーザを用いて形成されるので、ピット
を形成する過程で反射率が低下していくと、戻り光量が
低下する。このため、パルス状の駆動電流を与えていた
のでは、半導体レーザの発光強度は一定にならない。従
って、図８に示すように、この発光強度はピット形成の
後半で減少してしまい、ピットの形状が不安定になる。
【０００７】一方、図７の構成の光ヘッドを用いた場
合、記録時に加える電流Ｉは一定となる。従って、図９
に示すように、戻り光量が減少すると、微分効率はＡか
らＢに変化する。そのため記録パルスパワーはＰ2から
Ｐ1に減少する。その結果、戻り光の変動等により記録
パルスパワーが変動し、記録ピットが歪むことにより再
生信号のＳ／Ｎが低下するといった問題があった。
合、記録時に加える電流Ｉは一定となる。従って、図９
に示すように、戻り光量が減少すると、微分効率はＡか
らＢに変化する。そのため記録パルスパワーはＰ2から
Ｐ1に減少する。その結果、戻り光の変動等により記録
パルスパワーが変動し、記録ピットが歪むことにより再
生信号のＳ／Ｎが低下するといった問題があった。
【０００８】そこで、上記問題を解決するために、記録
専用の記録ＡＰＣ回路１０６を備えた光ヘッドが提案さ
れている。この光ヘッドでは図１０に示すように、半導
体レーザ１００で得られた光は、コリメータレンズ１０
２、対物レンズ１０３を通して記録媒体１０４に照射さ
れる。
専用の記録ＡＰＣ回路１０６を備えた光ヘッドが提案さ
れている。この光ヘッドでは図１０に示すように、半導
体レーザ１００で得られた光は、コリメータレンズ１０
２、対物レンズ１０３を通して記録媒体１０４に照射さ
れる。
【０００９】半導体レーザ１００の出力はモニタ用光検
出器１０１で検出され、再生ＡＰＣ回路１０６と記録Ａ
ＰＣ回路１０８に送られる。再生時には、再生用ＡＰＣ
回路１０６が働き、半導体レーザ１００の出力を一定に
保つ。また、記録時には、パルス電流駆動回路１０７か
ら電流が加えられ、半導体レーザ１００の出力が増加す
る。これにより、記録媒体１０４上に記録ピット１０５
が形成される。尚、この時は、記録ＡＰＣ回路１０８に
より、半導体レーザ１００の記録パワーのレベルは常に
一定に保たれている。
出器１０１で検出され、再生ＡＰＣ回路１０６と記録Ａ
ＰＣ回路１０８に送られる。再生時には、再生用ＡＰＣ
回路１０６が働き、半導体レーザ１００の出力を一定に
保つ。また、記録時には、パルス電流駆動回路１０７か
ら電流が加えられ、半導体レーザ１００の出力が増加す
る。これにより、記録媒体１０４上に記録ピット１０５
が形成される。尚、この時は、記録ＡＰＣ回路１０８に
より、半導体レーザ１００の記録パワーのレベルは常に
一定に保たれている。
【００１０】つまり、半導体レーザ１００の再生出力Ｐ
Lは再生ＡＰＣ回路１０６で制御され、また、記録出力
Ｐnは記録ＡＰＣ回路１０８で制御されるので、図１０
に示すように、常に一定である。従って、半導体レーザ
１００の微分効率がＡからＢに変化しても電流値が変化
することによって、記録発光強度Ｐoは常に一定に保た
れる。図１１に示すように、上述した記録ＡＰＣ回路１
０８においては、発光パルスａがＬからＨになると、Ｔ
r1がＯＦＦになり、Ｔr2がＯＮになる。これにより半導
体レーザ１０１に電流が流れ、半導体レーザ１０１は発
光を始める。
Lは再生ＡＰＣ回路１０６で制御され、また、記録出力
Ｐnは記録ＡＰＣ回路１０８で制御されるので、図１０
に示すように、常に一定である。従って、半導体レーザ
１００の微分効率がＡからＢに変化しても電流値が変化
することによって、記録発光強度Ｐoは常に一定に保た
れる。図１１に示すように、上述した記録ＡＰＣ回路１
０８においては、発光パルスａがＬからＨになると、Ｔ
r1がＯＦＦになり、Ｔr2がＯＮになる。これにより半導
体レーザ１０１に電流が流れ、半導体レーザ１０１は発
光を始める。
【００１１】半導体レーザ１０１の発光量は、モニタ用
検出器１０１により電流Ｉｍとして検出される。ここで
生じた電流は、ｂにおいてＩｍ‐Ｒ1の電位を生じる。
検出器１０１により電流Ｉｍとして検出される。ここで
生じた電流は、ｂにおいてＩｍ‐Ｒ1の電位を生じる。
【００１２】ツェナーダイオードＤ1のツェナー電圧ＶZ
d1とＴr1のベース・エミッタ間電圧ＶBEの和とｂの電位
（Ｉｍ‐Ｒ1）とを比較してＩｍ−Ｒ1の方が小さい時に
はＴr4は動作しないが、Ｉｍ−Ｒ1がＶZD1＋ＶBEよりも
大きくなるとＴr4が動作し、Ｔr3のベース電位が下がる
ので、半導体レーザ１００を流れる電流が減少する。
d1とＴr1のベース・エミッタ間電圧ＶBEの和とｂの電位
（Ｉｍ‐Ｒ1）とを比較してＩｍ−Ｒ1の方が小さい時に
はＴr4は動作しないが、Ｉｍ−Ｒ1がＶZD1＋ＶBEよりも
大きくなるとＴr4が動作し、Ｔr3のベース電位が下がる
ので、半導体レーザ１００を流れる電流が減少する。
【００１３】この負掃還により、半導体レーザ１００の
発光量は、ＶZD1とＲ1で設定された発光量Ｐ0にコント
ロールされる。
発光量は、ＶZD1とＲ1で設定された発光量Ｐ0にコント
ロールされる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発光パ
ルスａがＨになり半導体レーザ１００が発光した時、負
帰還の応答速度が半導体レーザ１００の発光の立ち上が
りスピートに比べて、十分に速くないと発光量が制御で
きていない期間が発生し、発光パルスにオーバーシュー
トが発生する。
ルスａがＨになり半導体レーザ１００が発光した時、負
帰還の応答速度が半導体レーザ１００の発光の立ち上が
りスピートに比べて、十分に速くないと発光量が制御で
きていない期間が発生し、発光パルスにオーバーシュー
トが発生する。
【００１５】このオーバーシュート時の最大発光パワー
Ｐmaxは、基準電位Ｖ0とＴr3のＶBE及びＲ2によって決
まる電流値Ｉmax＝（Ｖ0−ＶBEE）／Ｒ2から計算でき
る。つまり、半導体レーザ１００の利用効率をηとする
と、Ｐmax＝Ｉmax・ηとなる。
Ｐmaxは、基準電位Ｖ0とＴr3のＶBE及びＲ2によって決
まる電流値Ｉmax＝（Ｖ0−ＶBEE）／Ｒ2から計算でき
る。つまり、半導体レーザ１００の利用効率をηとする
と、Ｐmax＝Ｉmax・ηとなる。
【００１６】従って、戻り光や温度変化による半導体レ
ーザ１００の発光量変化に全て対応する為には、Ｉmax
を大きくしなければならない。しかし、その場合Ｉmax
が半導体レーザ１００の最大定格を越えてＬＤを破壊し
てしまう恐れがある。
ーザ１００の発光量変化に全て対応する為には、Ｉmax
を大きくしなければならない。しかし、その場合Ｉmax
が半導体レーザ１００の最大定格を越えてＬＤを破壊し
てしまう恐れがある。
【００１７】また、図１２に示すように、半導体レーザ
１００の利用効率ηは、負の温度係数を持つ。このため
一定電流で半導体レーザ１００を発光させながら温度を
上げていくと、半導体レーザ１００の発光量は減少して
いく。Ｉmaxに温度変化がなく一定電流であれぱ、半導
体レーザ１００の発光量の制御範囲は温度の上昇に伴っ
て狭くなっていく。そこで全ての温度で、ある制御範囲
を確保するためには、低温では必要以上に広い制御範囲
を用意する必要がある。
１００の利用効率ηは、負の温度係数を持つ。このため
一定電流で半導体レーザ１００を発光させながら温度を
上げていくと、半導体レーザ１００の発光量は減少して
いく。Ｉmaxに温度変化がなく一定電流であれぱ、半導
体レーザ１００の発光量の制御範囲は温度の上昇に伴っ
て狭くなっていく。そこで全ての温度で、ある制御範囲
を確保するためには、低温では必要以上に広い制御範囲
を用意する必要がある。
【００１８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、簡単な構成により、半導体レーザにより記録ピ
ットを正確に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改
善できると共に、記録時の半導体レーザの駆動電流のオ
ーバシュートによる半導体レーザの損傷を防止できる光
情報記録装置を提供することを目的としている。
であり、簡単な構成により、半導体レーザにより記録ピ
ットを正確に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改
善できると共に、記録時の半導体レーザの駆動電流のオ
ーバシュートによる半導体レーザの損傷を防止できる光
情報記録装置を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の光情報記録装置
は、半導体レーザＬＤを用いて記録媒体に記録を行う光
情報記録装置において、記録媒体に対する情報記録時
に、半導体レーザＬＤに所定のタイミングで電流をスイ
ッチングする記録信号発生回路１と、半導体レーザＬＤ
から出射される記録発光パワーを検出する検出回路とし
てのモニタ用フォトダイオードＰＤと、検出した記録発
光パワーとあらかじめ設定された設定パワーとを比較
し、記録発光パワーが設定パワーに等しくなるように半
導体レーザＬＤに流れる電流を制御する第１の電流制御
部としての高速電流制御部２とを備えている。
は、半導体レーザＬＤを用いて記録媒体に記録を行う光
情報記録装置において、記録媒体に対する情報記録時
に、半導体レーザＬＤに所定のタイミングで電流をスイ
ッチングする記録信号発生回路１と、半導体レーザＬＤ
から出射される記録発光パワーを検出する検出回路とし
てのモニタ用フォトダイオードＰＤと、検出した記録発
光パワーとあらかじめ設定された設定パワーとを比較
し、記録発光パワーが設定パワーに等しくなるように半
導体レーザＬＤに流れる電流を制御する第１の電流制御
部としての高速電流制御部２とを備えている。
【００２０】本発明の光情報記録装置は、温度変化によ
って半導体レーザＬＤに供袷す電流を制御する第２の電
流制御部としての低速電流制御部３を備えて構成するこ
とができる。
って半導体レーザＬＤに供袷す電流を制御する第２の電
流制御部としての低速電流制御部３を備えて構成するこ
とができる。
【００２１】
【作 用】本発明の光情報記録装置においては、高速電
流制御部２によりモニタ用フォトダイオードＰＤで検出
した記録発光パワーとあらかじめ設定された設定パワー
とを比較し、記録発光パワーが設定パワーに等しくなる
ように前記半導体レーザに流れる電流を制御すること
で、簡単な構成により、半導体レーザＬＤにより記録ピ
ットを正確に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改
善し、記録時の半導体レーザＬＤの駆動電流のオーバシ
ュートによる半導体レーザＬＤの損傷の防止を可能とし
ている。
流制御部２によりモニタ用フォトダイオードＰＤで検出
した記録発光パワーとあらかじめ設定された設定パワー
とを比較し、記録発光パワーが設定パワーに等しくなる
ように前記半導体レーザに流れる電流を制御すること
で、簡単な構成により、半導体レーザＬＤにより記録ピ
ットを正確に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改
善し、記録時の半導体レーザＬＤの駆動電流のオーバシ
ュートによる半導体レーザＬＤの損傷の防止を可能とし
ている。
【００２２】また、本発明の光情報記録装置において
は、低速電流制御部３で温度変化によって半導体レーザ
ＬＤに供袷す電流を制御することで、簡単な構成によ
り、半導体レーザＬＤにより記録ピットを正確に形成す
ることにより再生信号のＳ／Ｎが改善し、記録時の半導
体レーザＬＤの駆動電流のオーバシュートによる半導体
レーザＬＤの損傷の防止を可能としている。
は、低速電流制御部３で温度変化によって半導体レーザ
ＬＤに供袷す電流を制御することで、簡単な構成によ
り、半導体レーザＬＤにより記録ピットを正確に形成す
ることにより再生信号のＳ／Ｎが改善し、記録時の半導
体レーザＬＤの駆動電流のオーバシュートによる半導体
レーザＬＤの損傷の防止を可能としている。
【００２３】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の第１実施
例について述べる。
例について述べる。
【００２４】図１は本発明の光情報記録再生装置の第１
実施例の記録ＡＰＣ回路の構成を示す回路図であり、光
情報記録再生装置の構成を含め従来例と殆ど同じ構成で
あるので同一部分は同符号を付け説明は省略する。
実施例の記録ＡＰＣ回路の構成を示す回路図であり、光
情報記録再生装置の構成を含め従来例と殆ど同じ構成で
あるので同一部分は同符号を付け説明は省略する。
【００２５】図１に示すように、記録ＡＰＣ回路の記録
信号発生回路１は発光パルスａの信号に従って半導体レ
ーザＬＤへ供給する電流をスイッチングする。スイッチ
ングにより半導体レーザＬＤへ電流が供袷されると半導
体レーザＬＤは発光する。半導体レーザＬＤの発光パワ
ーはモニタ用フォトダイオードＰＤによって検出され
る。高速電流制御部２は検出した発光パワーがあらかじ
め設定された値となるように電流Ｉ2を制御する。低速
電流制御部３は検出した発光パワーに関係なく、温度に
よって制御された電流Ｉ1を与える。
信号発生回路１は発光パルスａの信号に従って半導体レ
ーザＬＤへ供給する電流をスイッチングする。スイッチ
ングにより半導体レーザＬＤへ電流が供袷されると半導
体レーザＬＤは発光する。半導体レーザＬＤの発光パワ
ーはモニタ用フォトダイオードＰＤによって検出され
る。高速電流制御部２は検出した発光パワーがあらかじ
め設定された値となるように電流Ｉ2を制御する。低速
電流制御部３は検出した発光パワーに関係なく、温度に
よって制御された電流Ｉ1を与える。
【００２６】戻り光変動などによる速い発光量変動に対
しては、高速電流制御部２が変動を抑え、温度変化等に
よるゆっくりとした発光量変動に対しては低速電流制御
部３が変動を抑える。
しては、高速電流制御部２が変動を抑え、温度変化等に
よるゆっくりとした発光量変動に対しては低速電流制御
部３が変動を抑える。
【００２７】以下に回路の詳細な動作について述べる。
【００２８】発光パルスａが、ＬからＨになると、Ｔr1
がＯＦＦになり、Ｔr2がＯＮになる。これにより半導体
レーザＬＤに電流が流れ、半導体レーザＬＤは発光を始
める。半導体レーザＬＤの発光量は、モニタ用フォトダ
イオードＰＤにより電流Ｉｍとして検出される。ここで
生じた電流は、ｂにおいてＩｍ・Ｒ1の電位を生じる。
がＯＦＦになり、Ｔr2がＯＮになる。これにより半導体
レーザＬＤに電流が流れ、半導体レーザＬＤは発光を始
める。半導体レーザＬＤの発光量は、モニタ用フォトダ
イオードＰＤにより電流Ｉｍとして検出される。ここで
生じた電流は、ｂにおいてＩｍ・Ｒ1の電位を生じる。
【００２９】ツェナーダイオードＤ1のツェナー電圧ＶZ
D1とＴr4のベースエミッタ間電圧ＶBEとの和と、ｂの電
位Ｉｍ・Ｒ1とを比較して、Ｉｍ・Ｒ1の方が小さい時に
はＴr4は動作しないが、Ｉｍ・Ｒ1がＶZD1＋ＶBEよりも
大きくなるとＴr4が動作し、Ｔr3のベース電位が下がる
ので、半導体レーザＬＤを流れる電流が減少する。
D1とＴr4のベースエミッタ間電圧ＶBEとの和と、ｂの電
位Ｉｍ・Ｒ1とを比較して、Ｉｍ・Ｒ1の方が小さい時に
はＴr4は動作しないが、Ｉｍ・Ｒ1がＶZD1＋ＶBEよりも
大きくなるとＴr4が動作し、Ｔr3のベース電位が下がる
ので、半導体レーザＬＤを流れる電流が減少する。
【００３０】この負掃還により、半導体レーザＬＤの発
光量がＶZD1とＲ1で設定された発光量Ｐ0になる様、Ｉ2
はコントロールされる。
光量がＶZD1とＲ1で設定された発光量Ｐ0になる様、Ｉ2
はコントロールされる。
【００３１】Ｉ1はＴr5のエッミタ電位とＲ3によって決
まる。Ｔr5のエッミタ電位はＲ４、Ｒ５、ＴＳＲ及びＴ
r5のＶBEによって決まる。ＴＳＲは感温抵抗であり温度
の上昇に比例して抵抗値が増加するので、Ｔr5のエッミ
タ電位は温度に比例して上昇することになる。このた
め、Ｉ1は温度に比例して増加する。この比例係数を半
導体レーザＬＤの利用効率の温度特性に一致させておけ
ば温度による発光量の変動は起こらない。
まる。Ｔr5のエッミタ電位はＲ４、Ｒ５、ＴＳＲ及びＴ
r5のＶBEによって決まる。ＴＳＲは感温抵抗であり温度
の上昇に比例して抵抗値が増加するので、Ｔr5のエッミ
タ電位は温度に比例して上昇することになる。このた
め、Ｉ1は温度に比例して増加する。この比例係数を半
導体レーザＬＤの利用効率の温度特性に一致させておけ
ば温度による発光量の変動は起こらない。
【００３２】図２に示すように、発光バルスａがＨにな
ると、電流Ｉ1＋Ｉ2が半導体レーザＬＤを流れ、半導体
レーザＬＤは発光する。
ると、電流Ｉ1＋Ｉ2が半導体レーザＬＤを流れ、半導体
レーザＬＤは発光する。
【００３３】Ｉ1は温度変化によって電値を変化させ、
その時定数は長い（低速電流制御）。また、半導体レー
ザＬＤの発光量によってＩ1を制御していないので、発
光パルスがＨのあいだＩ1の電流値は変化せず、Ｉ1は方
形波となる。
その時定数は長い（低速電流制御）。また、半導体レー
ザＬＤの発光量によってＩ1を制御していないので、発
光パルスがＨのあいだＩ1の電流値は変化せず、Ｉ1は方
形波となる。
【００３４】図３に示すように、Ｉ1の温度特性に関し
ては、半導体レーザＬＤの利用効率ηは、負の温度係数
を持つ。このため一定電流でＬＤを発光させながら温度
を上げていくと、半導体レーザＬＤの発光量は減少して
いく。回路上でＩ1に正の温度特性をもたせ、その温度
係数をηの温度係数と一致させる事により、Ｉ1による
半導体レーザＬＤの発光量の温度変化を打ち消す事がで
きる。
ては、半導体レーザＬＤの利用効率ηは、負の温度係数
を持つ。このため一定電流でＬＤを発光させながら温度
を上げていくと、半導体レーザＬＤの発光量は減少して
いく。回路上でＩ1に正の温度特性をもたせ、その温度
係数をηの温度係数と一致させる事により、Ｉ1による
半導体レーザＬＤの発光量の温度変化を打ち消す事がで
きる。
【００３５】Ｉ2は発光量の負帰還によって制御される
ので、発光量の検出に遅れが生じると、電流値を制御で
きない期間が発生する。Ｉ2は最大値（Ｉ2max）となり
オーバーシュートを発生する。
ので、発光量の検出に遅れが生じると、電流値を制御で
きない期間が発生する。Ｉ2は最大値（Ｉ2max）となり
オーバーシュートを発生する。
【００３６】図４に示すように、Ｉ2の温度特性に関し
ては、半導体レーザＬＤの利用効率ηは負の温度係数を
持つ。このため一定電流で半導体レーザＬＤを発光させ
ながら温度を上げていくと、半導体レーザＬＤの発光量
は減少していく。
ては、半導体レーザＬＤの利用効率ηは負の温度係数を
持つ。このため一定電流で半導体レーザＬＤを発光させ
ながら温度を上げていくと、半導体レーザＬＤの発光量
は減少していく。
【００３７】回路上でＩ2maxに正の温度特性をもたせ、
その温度係数をηの温度係数と一致させる事により、Ｉ
2maxによる半導体レーザＬＤの発光量の温度変化を打ち
消す事ができる。これにより、半導体レーザＬＤ発光量
の制御範囲は全ての温度範囲に対して一定となる。
その温度係数をηの温度係数と一致させる事により、Ｉ
2maxによる半導体レーザＬＤの発光量の温度変化を打ち
消す事ができる。これにより、半導体レーザＬＤ発光量
の制御範囲は全ての温度範囲に対して一定となる。
【００３８】Ｉ2maxに正の温度特性をもたせるには、図
１の記録ＡＰＣ回路のツェナーダイオードＤ2のツェナ
ー電位ＶZD2に正の温度係数をもたせれば良い。
１の記録ＡＰＣ回路のツェナーダイオードＤ2のツェナ
ー電位ＶZD2に正の温度係数をもたせれば良い。
【００３９】上述したように、戻り光や温度変化による
半導体レーザＬＤの発光量変化に対応する為には、Ｉ2m
axは大きく（ダイナミックレンジを広く）しなければな
らない。その場合Ｉ2maxが半導体レーザＬＤの最大定格
を越えて半導体レーザＬＤを破壊してしまう恐れがあっ
た。
半導体レーザＬＤの発光量変化に対応する為には、Ｉ2m
axは大きく（ダイナミックレンジを広く）しなければな
らない。その場合Ｉ2maxが半導体レーザＬＤの最大定格
を越えて半導体レーザＬＤを破壊してしまう恐れがあっ
た。
【００４０】しかし、本実施例においては、温度変化に
よる半導体レーザＬＤの発光量変化はＩ1が制御を行
い、高速な電流値制御を必要とするＩ2は、戻り光によ
る半導体レーザＬＤ発光量変化に対してのみ制御を行え
ば良いので、Ｉ2maxは小さく（ダイナミックレンジを狭
く）する事ができる。このため、たとえ発光量の検出に
遅れが生じても半導体レーザＬＤの発光量のオーバーシ
ュート量は小さく、半導体レーザＬＤを破壊することは
ない。
よる半導体レーザＬＤの発光量変化はＩ1が制御を行
い、高速な電流値制御を必要とするＩ2は、戻り光によ
る半導体レーザＬＤ発光量変化に対してのみ制御を行え
ば良いので、Ｉ2maxは小さく（ダイナミックレンジを狭
く）する事ができる。このため、たとえ発光量の検出に
遅れが生じても半導体レーザＬＤの発光量のオーバーシ
ュート量は小さく、半導体レーザＬＤを破壊することは
ない。
【００４１】次に第２実施例について説明する。
【００４２】第２実施例の記録ＡＰＣ回路は、図５に示
すように、第１実施例に対して、Ｃ1及びＴr6を追加し
ているのみであるので、追加した機能に付いて説明す
る。
すように、第１実施例に対して、Ｃ1及びＴr6を追加し
ているのみであるので、追加した機能に付いて説明す
る。
【００４３】図５において、発光パルスａに同期して発
光パルスの反転信号ｃがＴr6ヘ入力される。Ｔr6は発光
パルスがＨのときはＯＦＦで、発光パルスがＬのときに
はＯＮとなる。Ｔr6がＯＮのときにはＲ6を通る電流が
全てＴr6を通るので、ｄ点の電位はＧＮＤとなる。
光パルスの反転信号ｃがＴr6ヘ入力される。Ｔr6は発光
パルスがＨのときはＯＦＦで、発光パルスがＬのときに
はＯＮとなる。Ｔr6がＯＮのときにはＲ6を通る電流が
全てＴr6を通るので、ｄ点の電位はＧＮＤとなる。
【００４４】発光パルスａがＨになり半導体レーザＬＤ
へ電流が供給されると同時にＴr6はＯＦＦとなる。半導
体レーザＬＤにはＩ1＋Ｉ2の電流が供給されるが、ｄ点
の電位はＧＮＤなので実際にはＩ2＝０である。
へ電流が供給されると同時にＴr6はＯＦＦとなる。半導
体レーザＬＤにはＩ1＋Ｉ2の電流が供給されるが、ｄ点
の電位はＧＮＤなので実際にはＩ2＝０である。
【００４５】Ｔr6がＯＦＦになると、Ｔ1＝Ｒ6×Ｃ1の
時定数でｄ点の電位は上昇し、ツェナーダイオードＤに
よって定められた電位となる。それにともなってＴr3の
ベース電位も上昇するのでＩ2も時定数Ｔ1にしたがって
増加していく。
時定数でｄ点の電位は上昇し、ツェナーダイオードＤに
よって定められた電位となる。それにともなってＴr3の
ベース電位も上昇するのでＩ2も時定数Ｔ1にしたがって
増加していく。
【００４６】半導体レーザＬＤの発光量はモニタ用フォ
トダイオードＰＤによって検出され、ｂ点の電位とな
る。モニタ用フォトダイオードＰＤの検出速度はモニタ
用フォトダイオードＰＤの接合容量等によって制限さ
れ、ある時定数Ｔ2の遅れを生じる。Ｔ2＜Ｔ1となるよ
うにＴ1を定めておけば、図６に示すように全くオーバ
一シュートのない半導体レーザＬＤ発光パターンが得ら
れる。その他の作用、効果は第１実施例と同じである。
トダイオードＰＤによって検出され、ｂ点の電位とな
る。モニタ用フォトダイオードＰＤの検出速度はモニタ
用フォトダイオードＰＤの接合容量等によって制限さ
れ、ある時定数Ｔ2の遅れを生じる。Ｔ2＜Ｔ1となるよ
うにＴ1を定めておけば、図６に示すように全くオーバ
一シュートのない半導体レーザＬＤ発光パターンが得ら
れる。その他の作用、効果は第１実施例と同じである。
【００４７】尚、以上の実施例の記録媒体は、光カー
ド、光ディスクあるいは光磁気ディスク等で良い。ま
た、これらは、パーソナルコンピュータ、ワークステー
ションなどのデータを記録するのに用いることができ
る。
ド、光ディスクあるいは光磁気ディスク等で良い。ま
た、これらは、パーソナルコンピュータ、ワークステー
ションなどのデータを記録するのに用いることができ
る。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光情報記録
装置によれば、第１の電流制御部により検出回路で検出
した記録発光パワーとあらかじめ設定された設定パワー
とを比較し、記録発光パワーが設定パワーに等しくなる
ように半導体レーザに流れる電流を制御することで、簡
単な構成により、半導体レーザにより記録ピットを正確
に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改善できると
共に、記録時の半導体レーザの駆動電流のオーバシュー
トによる半導体レーザの損傷を防止できるという効果が
ある。
装置によれば、第１の電流制御部により検出回路で検出
した記録発光パワーとあらかじめ設定された設定パワー
とを比較し、記録発光パワーが設定パワーに等しくなる
ように半導体レーザに流れる電流を制御することで、簡
単な構成により、半導体レーザにより記録ピットを正確
に形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改善できると
共に、記録時の半導体レーザの駆動電流のオーバシュー
トによる半導体レーザの損傷を防止できるという効果が
ある。
【００４９】また、第２も電流制御部で温度変化によっ
て半導体レーザに供袷する電流を制御することで、簡単
な構成により、半導体レーザにより記録ピットを正確に
形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改善でき、記録
時の半導体レーザの駆動電流のオーバシュートによる半
導体レーザＬＤの損傷を防止できるという効果もある。
て半導体レーザに供袷する電流を制御することで、簡単
な構成により、半導体レーザにより記録ピットを正確に
形成することにより再生信号のＳ／Ｎが改善でき、記録
時の半導体レーザの駆動電流のオーバシュートによる半
導体レーザＬＤの損傷を防止できるという効果もある。
【図１】本発明の記録ＡＰＣ回路の第１実施例の構成を
示す回路図。
示す回路図。
【図２】図１の記録ＡＰＣ回路の作用を説明する波形
図。
図。
【図３】図１の各信号の第１の温度特性を示す特性図。
【図４】図１の各信号の第２の温度特性を示す特性図。
【図５】本発明の記録ＡＰＣ回路の第２実施例の構成を
示す回路図。
示す回路図。
【図６】図５の記録ＡＰＣ回路の作用を説明する波形
図。
図。
【図７】光学ヘッドの第１の従来例の構成を示す構成
図。
図。
【図８】図７の光ヘッドの光ビームの出力特性を示す特
性図。
性図。
【図９】図７の光ヘッドの光ビームの出力波形を示す波
形図。
形図。
【図１０】光学ヘッドの第２の従来例の構成を示す構成
図。
図。
【図１１】図１０の光ヘッドの光ビームの出力特性を示
す特性図。
す特性図。
【図１２】図１０の従来の記録ＡＰＣ回路の構成を示す
回路図。
回路図。
【図１３】図１２の記録ＡＰＣ回路の作用を説明する波
形図。
形図。
【図１４】図１２の各信号の温度特性を示す特性図。
１ 記録信号発生回路 ２ 高速電流制御部 ３ 低速電流制御部 ＬＤ 半導体レーザ ＰＤ モニタ用フォトダイオード
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体レーザを用いて記録媒体に記録を
行う光情報記録装置において、 前記記録媒体に対する情報記録時に、前記半導体レーザ
に所定のタイミングで電流をスイッチングする記録信号
発生回路と、 前記半導体レーザから出射される記録発光パワーを検出
する検出回路と、 検出した記録発光パワーとあらかじめ設定された設定パ
ワーとを比較し、記録発光パワーが設定パワーに等しく
なるように前記半導体レーザに流れる電流を制御する第
１の電流制御部とを備えたことを特徴とする光情報記録
装置。 - 【請求項２】 温度変化によって前記半導体レーザに供
袷する電流を制御する第２の電流制御部を備えて構成さ
れることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録装
置。 - 【請求項３】 前記第１の電流制御部の制御帯域が信号
の記録周波数よりも十分に高く、前記第２の電流制御部
の制御帯域が信号の記録周波数よりも十分に低いことを
特徴とする請求項２に記載の光情報記録装置。 - 【請求項４】 前記第１の電流制御部が制御する電流の
最大値が外部温度に従って変化することを特徴とする請
求項１または２に記載の光情報記録装置。 - 【請求項５】 前記第１の電流制御部の動作を通常は停
止しておき、発光指令とともに動作を開始することを特
徴とする請求項１、２または３のいずれか１つに記載の
光情報記録装置。 - 【請求項６】 前記第１の電流制御部の動作開始時の時
定数Ｔ1を、前記検出回路の時定数Ｔ2よりも長くしたこ
とを特徴とする請求項５に記載の光情報記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5182616A JPH0737265A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 光情報記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5182616A JPH0737265A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 光情報記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737265A true JPH0737265A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16121408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5182616A Withdrawn JPH0737265A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 光情報記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737265A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101006705B1 (ko) * | 2003-01-21 | 2011-01-10 | 톰슨 라이센싱 | 레이저 다이오드의 공급 전압을 제어하는 방법 및 전자회로 |
| US9425532B2 (en) | 2014-12-12 | 2016-08-23 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Connector terminal |
| US9502804B2 (en) | 2014-12-12 | 2016-11-22 | Dai-Ichi Seiko Co. Ltd. | Electrical connecting module |
| US9614315B2 (en) | 2014-12-12 | 2017-04-04 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Electrical connector and connector terminal |
| US9685745B2 (en) | 2014-12-12 | 2017-06-20 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Connector terminal |
| US9762006B2 (en) | 2014-11-12 | 2017-09-12 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Electric connector with a structure to prevent insert-molding from hindering contact and method of fabricating the same |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP5182616A patent/JPH0737265A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101006705B1 (ko) * | 2003-01-21 | 2011-01-10 | 톰슨 라이센싱 | 레이저 다이오드의 공급 전압을 제어하는 방법 및 전자회로 |
| US9762006B2 (en) | 2014-11-12 | 2017-09-12 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Electric connector with a structure to prevent insert-molding from hindering contact and method of fabricating the same |
| US9425532B2 (en) | 2014-12-12 | 2016-08-23 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Connector terminal |
| US9502804B2 (en) | 2014-12-12 | 2016-11-22 | Dai-Ichi Seiko Co. Ltd. | Electrical connecting module |
| US9614315B2 (en) | 2014-12-12 | 2017-04-04 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Electrical connector and connector terminal |
| US9685745B2 (en) | 2014-12-12 | 2017-06-20 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Connector terminal |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4819242A (en) | Semiconductor laser driver circuit | |
| US4787078A (en) | Optical data recording and reproducing system with control of high frequency superposed signal applied to semiconductor laser | |
| JP3724377B2 (ja) | レーザ駆動方法及び装置、並びに記録再生装置及び方法 | |
| JPH0737265A (ja) | 光情報記録装置 | |
| JPH0963093A (ja) | レーザ光出力制御回路 | |
| JPS60239925A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JP2887276B2 (ja) | レーザダイオードパワーコントロール装置 | |
| JPH0575192A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JP4478539B2 (ja) | レーザダイオードの駆動装置 | |
| JP2731237B2 (ja) | 光学式情報記録再生装置 | |
| JP3440497B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPH0636501Y2 (ja) | 記録可能な光ディスクの記録再生装置 | |
| JPS61192043A (ja) | 半導体レ−ザ駆動装置 | |
| JPH0689453A (ja) | 光ディスク記録装置 | |
| JP2000244054A (ja) | 半導体レーザ制御装置及び制御方法 | |
| JP2002232072A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPH09115167A (ja) | レーザ光出力制御回路 | |
| JP3210754B2 (ja) | 光ディスク装置 | |
| KR0119889B1 (ko) | 광픽업의 자동 레이저파워 제어장치 | |
| JPH08186310A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JP3016259B2 (ja) | 光記録再生装置 | |
| JPH05120685A (ja) | 光学式情報記録方法及びその装置 | |
| JPH0514536Y2 (ja) | ||
| JPH0589503A (ja) | 半導体レーザの駆動方式 | |
| JPS63276720A (ja) | 光デイスク装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |