JP3546521B2 - レーザ光出力制御回路 - Google Patents

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、レーザ光出力制御回路、特に光磁気ディスクの記録再生に用いる光ピックアップ装置に組み込まれた半導体レーザの光出力を制御するのに好適なレーザ光出力制御回路及び該レーザ光出力制御回路を用いた光ディスク記録再生回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
光磁気ディスクは、書き換え可能型の光ディスクとして知られており、この書き換え、再生のために半導体レーザを組み込んだ光ピックアップ装置が利用される。
光磁気ディスクの書き込みは、光磁気ディスクは初めに全体を、例えば下向きに磁化し、消去状態にする。レーザ光によって情報を書き込みたい部分の温度を瞬時に120℃程度の温度に上昇させる。
このとき、数百エルステッド程度の弱い磁場を上向きにかけておくと、冷却される過程でその温度上昇した部分だけ磁化が上向きに反転し、二値情報として書き込まれる。
【0003】
一方、読み出しは、光磁気ディスクの記録ピットに照射したレーザ光の反射光を偏光ビームスプリッターで分解して、偏光方向を検出するための光ピックアップ装置に導かれて行われる。
さらに、書き込みを消去するには、外部から前記記録ピットにかける磁場の向きを下向きにして、レーザ光を連続照射すると、ディスクの磁化は全て下向きになって消去状態になる。
【0004】
前記光磁気ディスクへの書き込み(記録)、読み出し(再生)、消去する際に照射されるレーザ光の出力が異なり、記録時より弱いレーザビームを照射することによって、記録ピットを破壊することなく、情報が読み出されるようになされている。
【0005】
そのため、このような光ディスクに照射するレーザビームは、記録、消去、又は再生モードにおいて、十分にそのレーザ光出力が制御されることが必要であり、通常、半導体レーザの光出力を、各モード毎に切り換えると同時に、各モードにおいて最適な光出力となるような3種類の基準信号を入力するようにした半導体レーザ駆動回路であるAPC回路(Automatic Power Control 回路)を備えている。
【0006】
図8には、レーザ光出力を制御する前記APC回路の一例を示している。
図8において、APC回路は、半導体レーザダイオード1(以下、LD1という。)、LD1の光出力モニター用フォトダイオード2(以下、PD2という。)、連動するモード切換スイッチ3a及び3b(再生R,記録W,消去E)、高周波発振回路4、電流電圧変換回路5、誤差増幅器6、各モードでの光出力を決定する基準電圧7、電流ブースタ9を備えている。
そして、前記電流ブースタ9の入力側には、記録信号発生回路8が接続されている。
【0007】
以下、前記APC回路の動作を説明する。
前記PD2は、LD1と同一パッケージ内にあるものと光路内に別個に設ける場合があり、特に記録可能な光ディスクの記録に用いる高出力半導体レーザ(30mW以上)の場合は、後者が一般的である。このPD2で得られた光出力に比例した電流は、前記電流電圧変換回路5にて電圧に変換されて、誤差増幅回路6に入力される。
【0008】
前記誤差増幅器6には、モード切換スイッチ3bにて切り換えられた基準電圧が入力されており、前記電流電圧変換回路5の出力電圧と比較され、その誤差電圧出力に基づいて制御される各モードの電流が電流ブースター9からLD1に供給され、各モードでの光出力が一定に保たれる。
【0009】
また、一般に光ディスク用光学系として半導体レーザを用いた場合、光ディスクに集束光を照射し、光ディスクから情報信号及びサーボ信号を得るため、LD1側にもある程度光ディスクからの反射光が戻る。
このLD1への戻り光量及び光路長等により、戻り光と照射光の干渉によるスクープ(Scoop)ノイズ、モードホッピングノイズが発生して再生信号のC/N劣化を引き起こす要因となっている。これらのノイズの発生は、高出力半導体レーザにおいて顕著である。
【0010】
前記戻り光によるモードホッピングノイズ等を低減させるために、高周波重畳法が知られている。LD1の直流バイアス電流に高周波電流を重畳させるために、高周波電流を発生する高周波発振回路4をモード切換スイッチ3a、コンデンサC1を経由してLD1に接続している。そして、該高周波発振回路4から高周波電流をLD1に供給して前記ノイズの低減を図っている。
【0011】
図7は、前記高周波重畳法による改善特性を示している。
図7に示すIーP曲線(供給電流対光出力)で光出力がP (mW)になるように、前記APC回路が動作しているものとする。
【0012】
そのときのLD1の供給電流はI(mA)で、この供給電流I に2×(I −Ith)以上の電流振幅(a)が得られるように高周波で変調をかけると、光出力(c)が得られ、LD1への戻り光による雑音を低減している。ここでIthはLD1の閾値電流である。
【0013】
前記高周波発振回路4の発振周波数としては、半導体レーザの種類、光学系としても光路設計によって変化するが、200〜500MHzが一般的である。
【0014】
ところで、前記高周波を重畳する際、発振周波数とともに、発振波形(歪み高調波成分)、振幅もレーザノイズに影響を与え、また、発振器負荷が図6に示すように、接合抵抗、接合容量、ワイヤ及びパッケージの浮遊インダクタンス及びパッケージ容量等からなる等価回路で示される半導体レーザであるため、前記高周波発振器4の最適化は困難である。
【0015】
さらに、LD1をオンさせる時、APC回路にて供給電流をI にした後に前記高周波電圧を印加しないと、LD1に逆電圧が加わりLD1の劣化に繋がる。また、LD1をオフ、モード切り換え時にも、高周波電圧印加のタイミングを考慮する必要がある。
このように、高周波発振回路4をLD1に直結すると、高周波重畳の印加タイミングを取りにくくしている。
【0016】
次に、前記APC回路による記録時の動作を説明する。
前記記録信号発生回路8からは、1−7変調方式(最短ドメイン長2T,最長ドメイン長8T)等のデータ変調方式に基づいた信号(b)が供給されて、電流ブースタ9を経由してレーザ電流I の振幅変調を行い、記録に必要なピーク光出力P (d)を得ている(図7)。
【0017】
この時、図5の(A)に示すように、記録信号のスルーレートが有限であり、また、レーザの発光閾値電流Ith以上でないと発光しないため、図5の(B)に示すように、記録信号に対してレーザの光出力が遅延し、その分、レーザの光出力時間が短くなる。
【0018】
そこで、応答速度を速くし、前記光出力時間が短くなるのを改善する方法として、レーザに閾値電流以下の一定のバイアス電流を流しておく方法もあるが、レーザ電流は高温で増加するという温度特性を有しているので、一定バイアス電流の供給では、各温度での最適化が困難である。
【0019】
次に、前記光磁気ディスクへの記録方式として、光磁気ディスクへの高密度・高転送レート化が進められており、記録方式もピット(記録磁区)の中心位置に記録データを対応させるピットポジション方式からデータ位置をピットの前縁と後縁に対応させるピットエッジ記録方式へと高密度化に推移し、光変調方式で高転送レートを図る方向に推移している。
【0020】
この光変調方式で問題になるのは、図4の(A)に示すような単純なパルスの記録電流をLD1に供給して光変調すると、長いピット(5T)を記録した場合、図4の(B)に示すように、熱の蓄積効果によりピットの終端部分が太くなり、いわゆる涙滴状のピットが形成されてしまう。
【0021】
特に、ピットエッジ記録方式では、ジッター特性を十分に考慮する必要があるので、終端部分が太くなった涙滴状ピットが形成されると、エッジシフトを引き起こしエラーの原因となる。
この問題を解決するために、従来前記単純なパルスに代えて、図5の(C)のようにマルチパルス光変調方式を用いて涙滴状の形状を補正したピット(D)を形成してエッジシフトを低減する方法が提案されている。
しかし、このマルチパルス光変調方式を採用しても、生産者の異なる種々の記録媒体に対して同様のピット形状の補正が困難であり、互換性を取ることができないのが現状である。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記問題点に鑑み、高周波重畳回路の最適化及び高周波の印加タイミング、記録時の発光パルスの立ち上がり特性、発光時間を改善し、合わせて光変調によるピットエッジ記録方式においてメディアの互換性可能な記録補償を行ったレーザ光出力制御回路及び該レーザ光出力制御回路を用いた光ディスク記録再生回路を提供する点にある。
【0023】
【課題を解決するための手段】
本発明は、レーザからのレーザ光出力を検出するレーザ光出力検出手段を備え、該レーザ光出力検出手段からの出力に応じて前記レーザの光出力を制御することによりレーザ光出力を一定に制御するレーザ光出力制御回路において、
2値データ制御信号を発生する第1記録信号発生手段と、2値バイアス制御信号を発生する第2記録信号発生手段と、
前記第1記録信号発生手段の2値データ制御信号に基づいてその出力が制御される第1レーザ駆動回路と、
前記レーザ光出力検出手段の出力に基づいて記録再生時のレーザ光出力を一定に制御する第1APC回路と、
高周波発振回路と、該高周波発振回路及び前記第1APC回路の出力に基づいて前記第1レーザ駆動回路を制御する第1レーザ電流制御回路と、
前記第2記録信号発生手段の2値バイアス制御信号にてその出力が制御される第2レーザ駆動回路と、
前記レーザ光出力検出手段の出力に基づいて記録時のバイアス電流を一定に制御する第2APC回路と、
レーザ電流検出回路と、該レーザ電流検出回路の出力に基づいてレーザバイアス電流を閾値電流以下電流に設定する閾値電流以下電流設定回路と、
前記第2APC回路の出力又は前記閾値電流以下電流設定回路の出力が切換手段にて選択供給されて前記第2レーザ駆動回路を制御する第2レーザ電流制御回路と、
前記第1記録信号発生手段、前記第2記録信号発生手段、前記高周波発振回路及び前記第1APC回路におけるモード設定並びに前記切換手段の切換の制御を行うシステムコントロール回路と
を備えることを特徴とし、レーザ光出力を制御するとともに、該レーザ光出力制御回路を備えた光ディスク記録再生回路にて光ディスクの記録再生を行う。
【0024】
【実施例】
以下、本発明レーザ光出力制御回路を図1乃至図3に基づいて説明する。
図1は本発明のブッロク構成図、図2は本発明の回路図の一例を、図3は本発明の動作タイミングチャートをそれぞれ示している。
【0025】
図1のブロック構成図において、本発明レーザ光出力制御回路は、第1電流制御回路ブロック30、第2電流制御回路ブロック40、システムコントロール回路10にて電流制御ブロックを構成している。またLD1、該LD1の光出力を検出するPD2、電流電圧変換回路5、LD1に流れるレーザ電流を検出するLD電流検出回路11、LD1に直列接続された抵抗R1を備え、前記第1及び第2の電流制御回路ブロック30及び40にて、LD1の光出力を制御するようになされている。
【0026】
前記ブロック構成図の第1電流制御回路ブロック30は、各モード(再生、記録、消去)での前記LD1の光出力を一定にし、且つ再生時には、レーザの戻り光によるスクープノイズ、モードホッピングノイズ等を低減するための高周波重畳を行うブロックである。
【0027】
第2電流制御回路ブロック40は、閾値電流以下の制御及びピット形状補償用のバイアス光出力を制御し、光出力の立ち上がり、パルス幅の改善、記録補償を行うブロックである。
【0028】
以下、前記第1電流制御回路ブロック30及び第2電流制御回路ブロック40について詳述する。
まず、第1電流制御回路ブロック30は、1ー7変調方式等の変調方式に基づいた記録データ信号、再生モード信号等を発生する第1記録信号発生回路12と、前記電流電圧変換回路5で得られた光出力に比例した電圧をもとに、各モード(再生、記録、消去)での光出力を一定にするように第1LD電流制御回路13を制御する第1APC回路14と、前記第1LD電流制御回路13にて制御された電流を各モードで必要な光出力を得る電流に増幅する第1LD電流ブースタ15とを備えている。
【0029】
さらに、第1電流制御回路ブロック30は、高周波信号を発生する高周波発振回路4を備え、該高周波発振回路4の出力はコンデンサC1を経由して、前記第1LD電流制御回路13に供給するようになされている。
【0030】
また、第2電流制御回路ブロック40は、1ー7変調方式等の変調方式に基づいたバイアス制御信号を発生する第2記録信号発生回路16と、前記電流電圧変換回路5で得られた光出力に比例した電圧をもとに、記録時の補償用バイアス光出力を一定にするように第2LD電流制御回路17を制御する第2APC回路18と、前記第2LD電流制御回路17にて制御された電流を記録時の補償用バイアス光出力を得る電流に増幅する第2LD電流ブースタ19とを備えている。
【0031】
さらに、該第2電流制御回路ブロック40は、閾値電流以下の電流値を設定する閾値電流以下電流設定回路20を備え、前記LD電流検出回路11の検出電流に基づいてLD1に閾値電流以下のバイアス電流を常に供給できるように前記第2LD電流制御回路17を制御する。
【0032】
また、システムコントロール回路10を備え、該システムコントロール回路10にて各モードでの前記第1APC回路14及び第2APC回路18における光出力設定、前記閾値電流以下電流設定回路20の電流設定、第1記録信号発生回路12、第2記録信号発生回路16及び高周波発振回路4の各出力のタイミングの制御を行う。
【0033】
以下、前記図1のブロック構成図及び図2の回路に基づいて本発明動作を詳述する。
図2において、トランジスタQ1、Q2、Q3、Q4及びQ5にて差動スイッチング型レーザ駆動回路が構成されている。この差動スイッチング型レーザ駆動回路において、トランジスタQ3及びQ4にて電流ミラー回路を構成し、トランジスタQ4のコレクタから前記LD1に駆動電流が供給される。
【0034】
前記トランジスタのうち、トランジスタQ1、Q2、Q3及びQ4にて、前記第1LD電流ブースタ15を、トランジスタQ5にて前記第1LD電流制御回路13をそれぞれ構成している。
【0035】
前記第1記録信号発生回路12からのD出力は、トランジスタQ2のベースに、また反転D(Dバー)出力は、トランジスタQ1のベースにそれぞれ供給される。
前記D出力及び反転D出力によってトランジスタQ2又はQ1がそれぞれオンし、後述する各モードが設定される。そして、D出力によりトランジスタQ2がオンした時、トランジスタQ4のコレクタ電流がLD1に供給され、前記第1APC回路14から後述する電圧DDRVがトランジスタQ5のベースに印加されて、トランジスタQ4のコレクタ電流、つまりLD1に供給される電流が制御できるようになされている。
【0036】
トランジスタQ10は、前記高周波発振回路4を構成するトランジスタであって、該トランジスタQ10の出力側には、バッファを構成するトランジスタQ9が接続されている。再生時にのみ、高周波発振回路4の発振出力は前記トランジスタQ9及びコンデンサC1を経由してトランジスタQ5のベースに供給され、これによってトランジスタQ5のコレクタ電流が振幅変調され、その結果、トランジスタQ4のコレクタ電流に高周波電流が重畳される。
以上の回路でもって、図1に示すブロック構成図の第1電流制御回路ブロック30を構成している。
【0037】
同様に、トランジスタQ3、Q4、Q6、Q7及びQ8にて差動スイッチング型レーザ駆動回路が構成されている。
前記トランジスタのうち、トランジスタQ3、Q4、Q6及びQ7にて前記第2LD電流ブースタ19を、トランジスタQ8にて前記第2LD電流制御回路17をそれぞれ構成している。
【0038】
また、バイアス制御用の信号を発生する第2記録信号発生回路16からの出力Bは、トランジスタQ7のベースに、反転B(Bバー)出力は、トランジスタQ6のベースにそれぞれ供給される。
【0039】
前記B出力によってトランジスタQ7が、反転B出力によってトランジスタQ6がオンし、後述する各モードが設定される。そして、B出力によりトランジスタQ7がオンした時、トランジスタQ4にコレクタ電流が流れてLD1に電流が供給され、第2APC回路18又は閾値電流以下電流設定回路20から供給される電圧BDRVがトランジスタQ8のベースに印加されてレーザバイアス電流が制御できるようになされている。
以上の構成でもって、図1に示すブロック構成図の第2電流制御回路ブロック40を構成している。
【0040】
次に、前記高周波発振回路4を構成するトランジスタQ10のベースに接続されているスイッチSW1は、システムコントロール回路10からの出力信号MODON=Hにより、再生時にスイッチオンして高周波発振回路4を発振させる。そして、再生時以外はMODON=Lとなり、前記スイッチSW1はオフして高周波発振器4は発振しないようになっている。
【0041】
前記スイッチSW1がオンして前記高周波発振器4が発振すると、発振出力はバッファトランジスタQ9、コンデンサC1を経由して第1LD電流制御回路13を構成するトランジスタQ5のベースに供給され、トランジスタQ4のコレクタ電流に高周波電流が重畳される。
【0042】
前記LD電流検出回路11を構成する増幅回路IC1は、トランジスタQ4のエミッタ抵抗R1の端子間電圧を検出し、LD1に流れるレーザ電流を電圧に変換している。該LD電流検出回路11を構成する増幅回路IC1の出力電圧は、前記閾値電流以下設定回路20に入力され、設定すべき電流を決定する基準電圧VR1になるような電圧THがスイッチSW2を経由して、第2LD電流制御回路17を構成するトランジスタQ8のベースにBDRVとして入力され、LD1の閾値電流以下を制御する。
ここで、前記閾値電流以下設定回路20による閾値以下電流の設定について図2を参照しながら説明する。
前記閾値電流以下設定回路20の出力電圧V TH の設定は、記録モードに移行する前に設定する。該設定は、前記第1記録信号発生回路12のD=L、反転D=Hの状態で且つ前記第2記録信号発生回路16のB=H、反転B=Lの状態で行われる。この時、スイッチSW2を前記閾値電流以下設定回路20に接続し、その出力電圧V TH によってLD1に電流を流し、設定電流(電圧変換したVR1)になるV TH を設定する。
【0043】
また、PD2から得られた光出力に比例した光電流を電圧に変換する電流電圧変換回路5を構成する増幅回路IC2は、その出力電圧を第1APC回路14及び第2APC回路18に供給する。
【0044】
前記第1APC回路14において、スイッチSW3で選択された各モード(再生R,記録W,消去E)での光出力と対応する基準電圧と比較され、その出力電圧が前記第1LD電流制御回路13を構成するトランジスタQ5のベースにDDRVとして入力され、トランジスタQ4のコレクタ電流を制御して、LD1の各モードでの光出力を一定にする。
【0045】
また、前記第2APC回路18において、補償用バイアス光出力に対応する基準電圧VR2と比較され、その出力がスイッチSW2を経由してトランジスタQ8のベースにBDRVとして入力され、トランジスタQ4のコレクタ電流を制御して、バイアス光出力を一定にする。
【0046】
前記システムコントローラ10は、前記各スイッチSW1、SW2及びSW3の切換制御、第1記録信号発生回路12のモード(D、反転D)、第2記録信号発生回路16のモード(B、反転B)の設定、前記第1APC回路のモード(記録、再生、消去)の設定を行う。
【0047】
以上のような構成を備えるレーザ光出力制御回路の各モードでの動作を図3のタイミングチャートを参照しながら詳述する。以下の説明にあたり、
TH:閾値電流以下の電流を設定する電圧(閾値電流以下電流設定回路20の
出力電圧)、
:再生光出力P を設定する制御電圧(第1APC回路14又は第2AP
C回路18からの出力電圧)、
:記録に必要なピーク光出力P を設定する制御電圧(第1APC回路1
4からの出力電圧)、
:再生光出力
:記録ピーク光出力
とする。
【0048】
そして、前記再生光出力P 、記録ピーク光出力P は、前記電流電圧変換回路5を構成する増幅回路IC2の出力に基づいて第1APC回路14及び第2APC回路18によって一定に保たれているものとする。また、閾値電流以下電流設定回路20の出力電圧VTHは、LD1の閾値電流以下の電流を制御するものとする。以下の各モードの設定は、前記システムコントロール回路10からの出力信号によって設定される。
【0049】
〈LD1 オフ〉
LD1がオフして発光しない場合は、前記第1記録信号発生回路12のD=L、反転D=H、前記第2記録信号発生回路16のB=L、反転B=H、DDRV=0、BDRV=0の状態となっており、したがって、トランジスタQ4のコレクタ電流が流れず、LD光出力は0である。図3のタイミングタイムチャートでは、モードLDoffの期間に相当する。
【0050】
〈再生モード〉
再生モードの場合は、前記第1記録信号発生回路12のD=H、反転D=L、前記第2記録信号発生回路16のB=L、反転B=、DDRV=V 、BDRV=0、MODON=Hの状態となっており、前記高周波発振回路4が発振し、LD1には、高周波電流が重畳されたトランジスタQ4のコレクタ電流が流れてパルス光出力が得られ、その平均光出力がP に保たれる。図3のタイミングチャートでは、再生モード期間に対応している。この再生モードでは第2電流制御回路ブロック40は動作しない。
【0051】
この場合、高周波発振回路4の負荷は、前記図6に等価回路として示すレーザが負荷となっていないので、高周波発振回路4の負荷の最適化が容易になる。
また、高周波発振回路4の出力は、トランジスタQ5のベースに入力されているので、逆電圧になっても前記トランジスタQ5がカットオフして、LD1に逆電圧がかかることはなくなり、高周波重畳の印加タイミングをとる必要がなくなる。
【0052】
次に、記録モードについて説明する。この記録モードは、3つの状態が可能であり、該3つの状態を選択することにより、種々の光磁気ディスクの記録に対応させ、記録モードに互換性を持たせることができる。
【0053】
〈記録モード1〉
記録モード1は、前記第1記録信号発生回路12のD=(H→L→H)、反転D=(L→H→L)、前記第2記録信号発生回路16のB=H、反転B=L、MODON=L、DDRV=V 、BDRV=VTH(スイッチSW2は、閾値電流以下電流設定回路20側へオン)の状態となっており、LD1の光出力は、D、反転Dの変調信号に同期したピーク光出力P のパルス発光となる。図3のタイミングチャートでは、記録モード1の期間に相当する。
【0054】
この時、前記BDRV=VTHによって、常にLD1には閾値電流以下の電流がバイアス電流として流れており、これにより光出力の立ち上り特性、光出力時間が改善される。
【0055】
〈記録モード2〉
記録モード2は、前記第1記録信号発生回路12のD=(H→L→H)、反転D=(L→H→L)、前記第2記録信号発生回路16のB=H、反転B=L、MODON=L、DDRV=V 、BDRV=V (スイッチSW2を第2APC回路18側へオン)の状態となっており、LD1の光出力は、再生光出力P が常にバイアスされた出力となり、ピーク光出力は(P +P )となる。図3のタイミングチャートでは記録モード2の期間に相当する。
【0056】
この再生光出力P のバイアス光出力を変更することにより光磁気ディスクの態様に応じて記録補償を行い、互換性を持たせることができる。バイアス光出力P は、前記第2APC回路18の基準電圧VR2を変更することにより変更することができる。
【0057】
〈記録モード3〉
記録モード3は、前記第1記録信号発生回路12のD=(H→L→H)、反転D=(L→H→L)、前記第2記録信号発生回路16のB=(L→H→L)、反転B=(H→L→H)、MODON=L、DDRV=V 、BDRV=V (スイッチSW2を第2APC回路18側にオン)の状態となっており、LD1の光出力は、D、反転D及びDDRVによるピーク発光出力P と、B、反転B及びBDRVによる再生光出力P が交互に出力している。図3のタイミングチャートでは、記録モード3の期間に相当する。
このモードでも、第2APC回路18の基準電圧VR2を変更することによりバイアス光出力を変更し光磁気ディスクの態様に応じて記録補償を行い、互換性を持たせることができる。
【0058】
以上のように、本発明によるレーザ電流制御回路によれば、3つの態様の記録モードが可能となる。そして、前記記録モード1〜3を適宜選択することにより、記録媒体の態様が異なっても、記録に際し記録媒体の互換性をとることが可能となる。
【0059】
前記タイミングチャートによる光出力は一例にすぎず、システムコントロール回路10で、D、反転D、B、反転Bのタイミングを制御することにより、パルス幅及び周期を変更することができるので、これに応じてLD1の光出力期間及び光出力のピーク値を変更でき、前記マルチパルス方式の光変調による記録制御を容易に実現することができる。したがって記録媒体に応じた記録ドメインを一定幅に制御することが容易になり、マルチパルス記録によるエッジシフト低減効果の向上を図ることができる。
【0060】
ところで、前記タイミングチャートから明らかなように、記録モード2、記録モード3の前後において、バイアス再生光出力P により、記録中に記録媒体にプレヒート又はアフターヒート期間を持たせることができる。
前記第1記録信号発生回路12のD=L、反転D=Hの状態で、第2記録信号発生回路16のB=H、反転B=L、BDRV=V に設定すると、記録開始前又は記録終了後の所定期間に、バイアス再生光出力P を記録媒体に照射することにより、プレヒート又はアフターヒート効果を持たせることができる。
図3のタイミングチャートの記録モード2及び記録モード3において、プレヒート又はアフターヒート期間に相当するP バイアス期間が設けられている。
【0061】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、閾値電流以下を制御できるようにしたから、レーザのパルス発光の立ち上がり特性、発光時間を改善でき、温度特性についても良好な記録特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明レーザ光出力制御回路のブロック構成図である。
【図2】本発明レーザ光出力制御回路の具体的な回路図の一例である。
【図3】本発明レーザ光出力制御回路の動作タイミングチャートの一例である。
【図4】ピットエッジ記録及びマルチパルス記録の説明図である。
【図5】レーザ閾値電流とレーザ光出力の波形図の一例である。
【図6】高周波発振回路の負荷となる半導体レーザの等価回路図である。
【図7】半導体レーザの電流ー光出力特性を示す図である。
【図8】従来のレーザ光出力制御回路の一例である。
【符号の説明】
1 半導体レーザダイオード
2 フォトダイオード
4 高周波発振回路
5 電流電圧変換回路
10 システムコントロール回路
11 LD(レーザダイオード)電流検出回路
12 第1記録信号発生回路
13 第1LD電流制御回路
14 第1APC回路
15 第1LD電流ブースタ
16 第2記録信号発生回路
17 第2LD電流制御回路
18 第2APC回路
19 第2LD電流ブースタ
20 閾値電流以下電流設定回路

Claims (5)

  1. レーザからのレーザ光出力を検出するレーザ光出力検出手段を備え、該レーザ光出力検出手段からの出力に応じて前記レーザの光出力を制御することによりレーザ光出力を一定に制御するレーザ光出力制御回路において、前記レーザ光出力検出手段からの出力に基づいてレーザ電流を制御する第1レーザ電流制御手段と、
    前記レーザのレーザ電流を検出するレーザ電流検出手段と、
    前記レーザ電流検出手段からの出力に基づいてレーザの閾値電流以下の電流を設定する閾値電流以下電流設定手段と、
    前記閾値電流以下電流設定手段の出力に基づいて、前記レーザの閾値電流以下の電流を制御する第2レーザ電流制御手段と
    を備えることを特徴とするレーザ光出力制御回路。
  2. 請求項1記載のレーザ光出力制御回路において、第1レーザ電流制御手段に高周波信号を供給する高周波信号発生手段を備え、レーザ電流に高周波信号を重畳することを特徴とするレーザ光出力制御回路。
  3. 請求項1記載のレーザ光出力制御回路において、レーザ光出力検出手段からの出力に基づいて閾値電流以上のレーザバイアス電流を供給制御するレーザバイアス電流制御手段と、
    前記レーザバイアス電流制御手段の出力と閾値電流以下電流設定手段の出力のいずれか一方を第2レーザ電流制御手段に供給する切換手段と
    を備えることを特徴とするレーザ光出力制御回路。
  4. 請求項2記載のレーザ光出力制御回路において、レーザ光出力検出手段からの出力に基づいて閾値電流以上のレーザバイアス電流を供給制御するレーザバイアス電流制御手段と、
    前記レーザバイアス電流制御手段の出力と閾値電流以下電流設定手段の出力のいずれか一方を第2レーザ電流制御手段に供給する切換手段と
    を備えることを特徴とするレーザ光出力制御回路。
  5. レーザからのレーザ光出力を検出するレーザ光出力検出手段を備え、該レーザ光出力検出手段からの出力に応じて前記レーザの光出力を制御することによりレーザ光出力を一定に制御するレーザ光出力制御回路を備えた光ディスクの記録再生回路において、
    2値データ制御信号を発生する第1記録信号発生手段と、2値バイアス制御信号を発生する第2記録信号発生手段と、
    前記第1記録信号発生手段の2値データ制御信号に基づいてその出力が制御される第1レーザ駆動回路と、
    前記レーザ光出力検出手段の出力に基づいて記録再生時のレーザ光出力を一定に制御する第1APC回路と、
    高周波発振回路と、該高周波発振回路及び前記第1APC回路の出力に基づいて前記第1レーザ駆動回路を制御する第1レーザ電流制御回路と、
    前記第2記録信号発生手段の2値バイアス制御信号にてその出力が制御される第2レーザ駆動回路と、
    前記レーザ光出力検出手段の出力に基づいて記録時のバイアス電流を一定に制御する第2APC回路と、
    レーザ電流検出回路と、該レーザ電流検出回路の出力に基づいてレーザバイアス電流を閾値電流以下電流に設定する閾値電流以下電流設定回路と、
    前記第2APC回路の出力又は前記閾値電流以下電流設定回路の出力が切換手段にて選択供給されて前記第2レーザ駆動回路を制御する第2レーザ電流制御回路と、
    前記第1記録信号発生手段、前記第2記録信号発生手段、前記高周波発振回路及び前記第1APC回路におけるモード設定並びに前記切換手段の切換の制御を行うシステムコントロール回路と
    を備え、
    レーザ光を光ディスクに照射して記録再生を行う光ディスク記録再生回路。
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