JP4328383B2 - 有機elデバイス及び表示装置 - Google Patents
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Description
[1.有機ELデバイスの基本構成]
図4は、本発明の実施の形態1に係る有機ELデバイスの基本構成を示す断面図である。また、図5は、有機ELデバイスの基本構成を示す斜視図である。なお、図4は、有機ELデバイスを図5のA−A面で切り取ったときの断面図である。また、図4及び図5では、正孔輸送層、中間層(IL)、有機発光層(高分子有機EL材料層)及び陰極(カソード電極)は図示されていない。
画素領域300には、基板100側から、順に、正孔輸送層、中間層、高分子有機EL材料層が積層される。
陽極210上には、正孔輸送層が配置される。正孔輸送層は、正孔輸送材料からなる層である。本実施の形態では、正孔輸送材料には、PEDOTや、その誘導体(共重合体など)が含まれる。正孔輸送層の厚さは通常、10nm以上100nm以下であり、約30nmでありうる。
正孔輸送層250上には、中間層260が配置される(図6参照)。中間層260は、正孔輸送層250に電子が輸送されるのをブロックする役割や、高分子有機EL材料層に正孔を効率よく運ぶ役割などを有し、例えばポリアニリン系の材料からなる層である。中間層260の厚さは通常、10nm以上100nm以下であり、約40nmでありうる。
高分子有機EL材料層270は、中間層260上に配置される(図6参照)。さらに、高分子有機EL材料層270上には、カソード電極(図示せず)が配置される。
次に上記構成を有する有機ELデバイス10の製造方法について説明する。なお、基板100の製造方法については従来と特に変わるところがないので、その説明は省略される。
実施の形態2では、正孔輸送層の材料が、WOx(タングステンオキサイド)やMoOx(モリブデンオキサイド)、VOx(バナジウムオキサイド)などの酸化物や、これらの組み合わせである場合について説明する。
実施の形態2に係る有機ELデバイスの基本構成は、図4及び図5に示される実施の形態1の基本構成と同じである。すなわち、第1バンクの周りに、具体的には、画素領域を仕切る2つの第1バンクの対向する側面のそれぞれに沿って画素領域の端に、絶縁性無機膜が配置されている。また、第2バンクの周りに、具体的には、画素領域を仕切る2つの第2バンクの対向する側面のそれぞれに沿って画素領域の端に、絶縁性無機膜が配置されている。
図6の場合と同様に、画素領域300には、基板100側から、順に、正孔輸送層、中間層、高分子有機EL材料層が積層される(図8参照)。図8は、中間層の下に絶縁性無機膜を有する有機ELデバイスの断面図である。
正孔輸送層250の材料がWOx(タングステンオキサイド)やMoOx(モリブデンオキサイド)、VOx(バナジウムオキサイド)などの酸化物や、これらの組み合わせである場合、正孔輸送層250は、絶縁性無機膜220の上面(又は、上面全体のうち少なくともバンク近傍に位置する部分)を覆わない。すなわち、中間層が形成される前の段階では、絶縁性無機膜220の上面(又は、上面全体のうち少なくともバンク近傍に位置する部分)は、正孔輸送層250によって覆われることなく、露出した状態となっている。
中間層260は、正孔輸送層250上に配置される(図8参照)。ここで、中間層260が形成される段階では絶縁性無機膜220の上面が露出しているので、バンク近傍において中間層260の底面は、絶縁性無機膜220の上面と接する。こうしてバンクの周りに設けられた絶縁性無機膜220により、中間層260の材料を溶解した溶液は画素領域300全体に均一に塗布され、膜厚が均一な中間層260を得ることができる。
高分子有機EL材料層270は、中間層260上に配置される(図8参照)。さらに、高分子有機EL材料層270上には、カソード電極(図示せず)が配置される。
好ましい製造方法の一例は、1)基板面に陽極210を形成するステップ、2)陽極210上に、正孔注入層250を形成するステップ、3)基板面に絶縁性無機膜220を形成するステップ、4)絶縁性無機膜220上に、画素領域300を規定する第1バンク230及び第2バンク240を形成するステップ、5)画素領域300内に、中間層260を形成するステップ、6)画素領域300内に、高分子有機EL材料層270を形成するステップ、及び7)高分子有機EL材料層270に陰極を形成するステップを含む。
実施の形態3では、第2バンクに、隣接する画素領域を連通する溝が設けられる。これに伴い、第2バンクの底面周辺(特に、第2バンクに形成された溝の周辺)には、絶縁性無機膜は設けられない。
実施の形態4は、駆動方式がパッシブ方式の有機ELデバイスに関する。図11は、実施の形態4に係る有機ELデバイスの構成を示す斜視図である。
実施の形態5は、バンクの断面形状のバリエーションに関する。図12は、バンク断面形状のバリエーションの説明に供する図である。
Claims (7)
- ライン状に延在する2以上の第1バンクと、
隣り合う前記第1バンク間に形成された領域を分割して画素領域を形成し、前記第1バンクの高さより低い複数の第2バンクと、
前記画素領域ごとに独立して設けられた正孔輸送層と、
前記画素領域を仕切る2つの前記第1バンクの対向する側面に沿って、前記画素領域の端に設けられた絶縁性無機膜と、
を有する有機ELデバイスであって、
前記第2バンクは、隣接する前記画素領域を連通する溝を有する、有機ELデバイス。 - 前記絶縁性無機膜は、前記画素領域を仕切る2つの前記第2バンクの対向する側面に沿って、前記画素領域の端にさらに設けられる、
請求項1に記載の有機ELデバイス。 - 前記正孔輸送層の材質は、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)を含み、
前記絶縁性無機膜の上面は、前記正孔輸送層の底面と接する、
請求項1に記載の有機ELデバイス。 - 前記正孔輸送層の材質は、タングステンオキサイド(WOx)、モリブデンオキサイド(MoOx)、バナジウムオキサイド(VOx)、またはこれらの組み合わせを含み、
前記絶縁性無機膜の上面と接する電子ブロック層、および
前記電子ブロック層上に配置された有機EL材料層を有する、
請求項1に記載の有機ELデバイス。 - 前記第2バンクの高さは、前記第1バンクの高さの1/10〜9/10である、
請求項1に記載の有機ELデバイス。 - 前記第2バンクは、その基部の幅が先端部の幅よりも広く、基端に向かって漸次広くなっている、
請求項1に記載の有機ELデバイス。 - 請求項1に記載の有機ELデバイスを備える表示装置。
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