JP6731895B2 - 自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル - Google Patents
自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP6731895B2 JP6731895B2 JP2017163516A JP2017163516A JP6731895B2 JP 6731895 B2 JP6731895 B2 JP 6731895B2 JP 2017163516 A JP2017163516 A JP 2017163516A JP 2017163516 A JP2017163516 A JP 2017163516A JP 6731895 B2 JP6731895 B2 JP 6731895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bank
- gap
- defective portion
- display panel
- ink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 77
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 123
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazin-2-one Chemical class C1=CC=C2OC(=O)N=CC2=C1 BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-thiopyran-1-ylidene)propanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=S1CC=CC=C1 TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102220283780 rs1555750712 Human genes 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
有機EL表示パネルにおいて、各有機EL素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する電流駆動型の発光素子である。
また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層といった有機層が必要に応じて介挿され、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されている。
フルカラー表示の有機EL表示パネルにおいては、このような有機EL素子が、RGB各色のサブピクセルを形成し、隣り合うRGBのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。
そこで、欠陥が生じたバンクを補修することによって、表示パネルにおける表示不良の発生を抑える技術が求められる。
ラインバンク方式の有機EL表示パネルの製造方法では、基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成し、複数のバンク間の間隙に有機発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する。ラインバンク方式によれば、インクがバンクに沿って間隙内で流動可能であるので、インク塗布時点での膜厚のバラつきがインクの流動により均一化され、均一な膜厚の発光層を形成することができる。その結果、輝度ムラの少ない有機EL表示パネルを製造することができる。しかしながら、バンクに欠陥部が存在すると、間隙内に塗布されたインクが欠陥部を通して隣の間隙内に侵入し、発光色の異なるインクが混合する混色領域が発生してしまう可能性がある。特に、ラインバンク方式では、混色したインクがバンクに沿って流動するため、複数画素にわたって表示不良が発生する可能性がある。
欠陥部の両側の間隙内に欠陥部を取り囲む堰を形成すれば、互いに発光色が異なるインクが混合する混色領域が堰を超えて広がることを抑えることができ、発光色不良による表示不良を低減することができると考えられる。しかしながら、堰を設けると、堰が設けられた位置のサブピクセルが正常に発光しない表示不良が発生する可能性がある。つまり、欠陥部を挟んで隣接する2つのサブピクセル内に堰を形成することにより、堰が形成された2つのサブピクセルで表示不良が発生する可能性がある。
このことから、欠陥部の両側の間隙内に堰を形成すると、ディスプレイの要求スペックを満たせなくなる可能性がある。
逆に、バンク間の間隙に欠陥部を囲むように堰を設けると、堰の内側のインクが堰の外側に流出することを防ぐことができるともに、堰の外側のインクが堰の内側に流入することを防ぐことができる。これによって、欠陥部を介して隣接する間隙に流出するインクの量は多くとも堰の内側のインクの量に制限することができる。
<実施形態>
[有機EL表示装置の全体構成]
図1は、実施形態に係る表示パネル100を有する有機EL表示装置1の構成を示す模式ブロック図である。
[有機EL表示パネルの構成]
図2は、表示パネル100の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図3は、表示パネル100を図2のA−A'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル100は、いわゆるトップエミッション型であって、Z方向側が表示面となっている。
図3に示すように、表示パネル100は、その主な構成として、下地基板11、画素電極12、ホール注入層13、第1バンク14、有機発光層15、電子輸送層16、共通電極17、封止層18を備える。
ホール注入層13、電子輸送層16が、機能層に相当し、画素電極12と共通電極17によって、機能層が挟まれた構造となっている。
なお、図2においては、電子輸送層16、共通電極17、封止層18を取り除いた状態を示している。
下地基板11は、基板本体部11a、TFT(薄膜トランジスタ)層11b、層間絶縁層11cを有する。
基板本体部11aは、表示パネル100の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。また、基板本体部11aは、ポリイミド材料を用いて形成してもよい。
層間絶縁層11cは、TFT層11b上に形成されている。層間絶縁層11cは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、SiO(酸化シリコン)やSiN(窒化シリコン)等の無機絶縁材料からなり、TFT層11bと画素電極12との間の電気的絶縁性を確保すると共に、TFT層11bの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極12を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。
画素電極12は、下地基板11上に、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、アルミニウム合金、Mo(モリブデン)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極12は、陽極である。
[ホール注入層]
ホール注入層13は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層13は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層15に対しホールを注入および輸送する機能を有する。
ホール注入層13の表面には、Y方向(第1方向)に沿って伸長する平面視にて短冊状の第1バンク14が複数本並列に設けられている。この第1バンク14は、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなる。
第1バンク14は、X方向に隣接する発光素子10どうしを区画すると共に、有機発光層15をウェット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。
複数の各間隙20において、形成されている複数の第2バンク24のY方向の位置は同じである。各第2バンク24はX方向(第2方向)に伸長し、第1バンク14の下を通り隣の第2バンク24につながってX方向に伸長する短冊状となっている。従って、下地基板11上において、第1バンク14と第2バンク24の全体は格子状に形成されている(図2参照)。
有機発光層15は、キャリア(正孔と電子)が再結合して発光する部位であって、R,G,Bのいずれかの色に対応する有機材料を含む。
この有機発光層15は、上記の第1バンク14によって区画されたY方向に伸長する溝状の間隙(図7の間隙20R,20G,20B参照)に形成されている。
従って、互いに色の異なる有機発光層15が、第1バンク14を挟んで配置されていることになる。
電子輸送層16は、共通電極17から注入された電子を有機発光層15へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などで形成されている。
[共通電極]
共通電極17は、例えば、ITO、IZO等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。
[封止層18]
封止層18は、ホール注入層13、有機発光層15、電子輸送層16、共通電極17を水分及び酸素から保護するために設けられている。
なお、図示はしないが、封止層18の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
図4は、表示パネル100の製造過程を示す模式工程図である。
図5は、表示パネル100の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
表示パネル100の製造方法について、図4の工程図に基づいて、図3、5を参照しながら説明する。
続いて、TFT層11bの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で層間絶縁層11cを形成して下地基板11を作製する(ステップS2)。層間絶縁層11cの厚みは例えば約4μmである。なお、図3の断面図および図4の工程図には現れないが、層間絶縁層11cを形成するときに、コンタクトホール2(図2参照)を形成する。
続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、下地基板11および画素電極12上に一様に成膜することによって、ホール注入層13を形成する(ステップS4)。
次に、第2バンク24と第1バンク14を以下のようにフォトリソグラフィー法で形成する(ステップS5)。
その後、塗布されたバンク材料層に、第2バンク24のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ねて、UV照射して露光する。そして未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することによって未焼成の第2バンク24aを形成する。その後、未焼成の第2バンク24を加熱焼成することにより、第2バンク24を形成する。
そのバンク材料層上に、形成しようとする第1バンク14のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、第1バンクのパターンを形成する。
次に、このパターン形成された未焼成の第1バンク14aにおける欠陥部の発生を調べて(ステップS6)、欠陥部があればその補修を行う。
このバンク補修については、後で詳しく説明するが、検出した欠陥部の近傍において、第1バンク14aの同士の間の間隙20に補修材を塗布し乾燥して堰部を形成することによって行う(ステップS7)。図5(b)には、第1バンク14a間の間隙20に補修材が塗布され、未焼成の堰52aが形成された状態を示している。
図5(c)は、この焼成によって、第1バンク14が形成されると共に堰52が形成された状態、すなわち、第1バンク14における欠陥部3が補修された状態を示している。
続いて、図5(d)に示すように、隣り合う第1バンク14同士間の間隙20に、有機発光層15を形成するためのインクを塗布する。このインクは、有機発光層15を構成する有機材料と溶媒を混合したものであって、各間隙20内にインクジェット法により塗布する。インクジェット法により間隙20内にインクを塗布する方法は詳細を後述する。
次に、有機発光層15および第1バンク14の上に、電子輸送層16を構成する材料を真空蒸着法で成膜して、電子輸送層16を形成する(ステップS10)。
そして、共通電極17の表面に、SiN、SiON等の光透過性材料をスパッタ法あるいはCVD法等で成膜して、封止層18を形成する(ステップS12)。
以上の工程を経て表示パネル100が完成する。
インクジェット法を用いて、発光層15のインクを間隙20内に塗布する方法の詳細について説明する。
発光層15のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層15の形成するための溶液の塗布を行う。基板に対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に3色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、3色のインクを順次塗布する。これにより、基板上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が繰り返して並んで形成される。
発光層15の形成時には、発光層15を形成するための溶液であるインク15aを用いて、赤色サブピクセル用の間隙20R内に発光層15R、緑色サブピクセル用の間隙20G内に発光層15G、及び青色サブピクセル用の間隙20B内に発光層15Bを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。なお、発光層15Rと、発光層15G又は発光層15Bとは厚みが異なっていてもよい。例えば、間隙20R内に塗布するインクの量を、間隙20B及び間隙20G内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、発光層15Rの厚みを、発光層15B及び発光層15Gの厚みよりも大きく形成することができる。
次に、1色の間隙中にインク(例えば、赤色間隙用のインク)を塗布する方法について説明する。
発光層15は、発光領域(図2における列バンク14と行バンク24に囲まれた領域)だけでなく、隣接する非自己発光領域(図2における行バンク24上の領域)まで連続して延伸されている。このようにすると、発光層15の形成時に、発光領域に塗布されたインクが、非自己発光領域に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。
なお、同一の塗布量にて発光層15のインクを塗布する領域は、x方向に隣接して並ぶ3つの領域の中の1つである。
[バンクの欠陥部を検出し補修する方法]
上記製造方法で説明したように、正確には、未焼成の第1バンク14a、未焼成の堰52aを形成した後、これら未焼成の第1バンク14a、堰52aを加熱焼成して硬化させることによって、最終的な第1バンク14、堰52が形成される。しかし、未焼成の第1バンク14a、未焼成の堰52aは、ある程度固体化して安定なバンク形状、堰形状となっているので、本明細書では、未焼成の第1バンク14aや未焼成の堰52aについても、単に第1バンク14a、堰52aと記載して説明する。
まず、第1バンク14aに存在する欠陥部3について説明する。
この欠陥部3は、第1バンク14aに存在する異物、または第1バンク14aの一部が欠損した部分である。
異物は、例えば、製造装置に由来する金属片、空気中に存在する塵・埃の類である。そして、塵・埃は、繊維片であることが多い。
第1バンク14a上に異物があると、図5(d)に示すように第1バンク14を挟んで隣接する間隙20にインクを塗布してドーム状に盛ったインク層15aが形成されると、インク層15aが異物に接触し、インクの一部が隣の間隙20に流れ込んで、発光色の異なるインク(例えば赤色インクと緑色インク)が混ざってしまうことがある。
なお、欠陥部3は、このように第1バンク14a上に異物が付着している場合に限られない。例えば、図8(a)に示す例のように、1本の第1バンク14aの中に異物が入り込み、その異物が第1バンク14の壁面を隣の間隙20まで貫通して欠陥部3となっている場合もある。また、図8(b)に示す例では、1本の第1バンク14aの下に異物が入り込んで、その異物が隣の間隙20まで貫通して欠陥部3となっている。このように、第1バンク14aの中や下に異物が存在する場合でも、異物とバンク材料との密着性が悪い場合には、隙間が生じてインクの流通路ができる。異物が繊維片の場合には、インクを吸収するので、異物自体がインクの流通路となる。従って、異物を挟んで隣り合う間隙に形成されたインク層15aの間で混色が生じる原因となる。
[欠陥部3の検出と堰部50の形成]
第1バンク14aにおける欠陥部3の検出は、例えば、下地基板11上に形成した第1バンク14aの表面画像を撮影し、その表面画像のパターン検査によって行う。
この補修装置200においては、ベース201上に、上記の下地基板11を載置するテーブル202と、撮像素子211,ニードルディスペンサ213が取り付けられたヘッド部210とを有している。そして、テーブル202は、コントローラ230のCPU231の指示に基づいてY方向に移動でき、ヘッド部210は、CPU231の指示によって、X方向及びZ方向に移動できるようになっている。
なお、ここでは、下地基板11上に画素電極12,ホール注入層13,第1バンク14a,第2バンク24が形成されたものを、下地基板11として表す。
堰52の形成は、間隙20内において、堰52を形成しようとするライン(堰形成ライン)に沿って設定された複数の位置に、ニードルディスペンサ213から補修材を塗布することによって行う。
補修装置200は、このように設定した塗布点P1,P2,P3,P4において、順次、ニードル213aで補修材を塗布することによって堰52を形成する。ニードルディスペンサ213は、その先端部分に補修材を収納するタンク213bが取り付けられ、タンク213bを貫通するようにニードル213aが上下に移動することによって、ニードル213aに付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布できるようになっている。
補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図11(c)に示すように、塗布点P1に補修材の山が形成される。
それによって図11(f)に示すように、塗布点P2に形成される補修材の山は、塗布点P1に形成されている補修材の山と繋がる。
同様にして、塗布点P3、P4に補修材の山を形成して、塗布点P2の補修材の山とつなげる。
このようにして、欠陥部3を有する第1バンク14a上の点A1から、隣の第1バンク14aに亘る形状で、補修材の山が連なることになる。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥させ、必要に応じて露光を行うことによって堰52が形成される。
上記の工程を、一対の堰52に対してそれぞれ行うことにより、堰部50が形成される。
以上の堰部形成工程によって、図7(b)に示すように、欠陥部3を有する第1バンク14の片側にある間隙20に、堰52が対で設けられ、この堰52によって間隙20は、欠陥部3に近接する空間部分からなる第1空間SAと、欠陥部3に近接しない空間部分からなる2つの第2空間SBとに仕切られている。
なお、補修材としては、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いることができる。
また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。
また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される堰部50に撥液性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌液剤を添加してもよい。撥液剤の添加量は0.01〜10wt%とする。撥液剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰部50の撥液性も良好となる。
上記補修材を構成する樹脂の組成物に、必要に応じて、溶剤、光重合開始剤を適宜添加してもよい。
溶剤は、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が150〜250℃程度の溶剤を1種類以上用いても良い。
補修材の塗布時において、補修材の固形分は、例えば20〜90wt%に調整し、粘度は例えば10〜50cP(センチポイズ)に調整する。
光重合開始剤の添加量は、焼成時における露光量に応じて調整するが、例えば全固形分に対して0.1〜50重量%、好ましくは5重量%〜30重量%である。
ここで、堰部50を形成した場合と堰部50を形成しない場合とを比較してインクの混色領域のひろがりについて説明する。
図12(a)は、本実施形態に係る表示パネルにおいて、欠陥部3を有する第1バンク14の周囲に一対の堰52が形成された後、その第1バンク14に隣接する一方の間隙20に、赤の発光色のインクが塗布されてインク層15a(R)が、他方の間隙20に緑の発光色のインクが塗布されてインク層15a(G)が形成された状態を示す平面図である。図12(b)は、堰52を形成しない比較例において、同様に第1バンク14を挟んで隣接する間隙20にインク層15a(R)とインク層15a(G)が形成された状態を示す平面図である。
表示パネル100が製造されたときに、この混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。なお、カラーフィルターを設置する場合には、余計な色がカットされるため、本来の発光色が観察されるが、カラーフィルター透過後の輝度が低下してしまう場合がある。また、混色領域は、製造後、発光層の膜厚が所望のものとは異なるものになり、発光効率や電圧が所望のものから変化する場合がある。
ここでは、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、凹空堰部50を形成する側の間隙20(以下、補正対象間隙と称す。)を決定する方法について説明する。
欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、片側のみに堰部50を形成する場合には、図12(a)に示すように、堰部50を形成しない側に混色領域が第1バンク14に沿ってY方向に長くひろがる一方、堰部50を形成した側の混色領域は堰部50の内部に制限される。従って、堰部50を形成しない間隙20の混色領域の本来の発光色からの変化と、堰部50を形成した間隙20の混色領域の本来の発光色からの変化とを考慮したときに、混色領域の面積が大きい側、すなわち、堰部50を形成しない間隙20の混色領域の本来の発光色からの変化の方が小さくなるように、補正対象間隙を決定することが望ましい。
図13は、補修装置200が補正対象間隙を決定する処理を示すフローチャートである。なお、補修装置200の記憶部232には、予め各第1バンク14のX方向における座標位置及び各間隙20に塗布されるインクの色の情報が格納されている。
次に、補修装置200の記憶部232に記憶されている各第1バンク14のX方向における座標位置及び各間隙20に塗布されるインクの色の情報を参照して、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20を特定し、特定した間隙20に塗布されるインクの色を更に特定する(ステップS22)。
第1バンク14の両側の間隙に塗布されるインクの色が緑色と青色の場合(ステップS25Y)、より波長の短い青色のインクを塗布する側を補修対象間隙と決定する(ステップS26)。
本実施の形態ではこのように補修対象間隙を決定する。
[変形例]
実施の形態に係る表示パネル100を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル10の変形例を説明する。
上述の実施の形態において、堰52を形成する位置は第2バンク24の上であるとしたが、堰52を形成する位置はこの限りではない。
図14は、変形例1に係る堰52の形成位置を示す模式斜視図である。
図14(a)は、1本の第1バンク14aの上に、異物が付着して欠陥部3となっている様子を示している。図14(b)は、欠陥部3をY方向(第1方向)に挟むように一対の堰52からなる堰部50が形成された状態を示している。
図15(a)に示すように、第1バンク14a上に欠陥部3が存在する場合、欠陥部3のY方向(第1方向)における両端部の座標位置に、それぞれマージンaを加えた値A1,A2を、堰部50の仮形成位置として設定する。そして、同図に示すように、欠陥部3を有するバンク14aの片側に隣接する間隙20の中に、欠陥部3の両端からY方向にマージンa離れた点A1及びA2を通ってそれぞれX方向に伸長する堰形成ラインに沿って、それぞれ塗布点P1,P2,P3,P4を設定する。
<変形例2>
上述の実施の形態において、補修対象間隙の欠陥部3から所定距離内の位置に、欠陥部3からY方向両側に形成した堰52を堰部50としていたが堰部50の形状はこの限りではない。
本変形例に係る堰部50は、図16(b)に示すように、X-Y面を平面視するとき、欠陥部3をY方向に挟む2点(点A1及び点A2)の一方(点A1)から欠陥部3を迂回して他方(点A2)に亘る形状に形成されている。また、点A1から点A2に到る途中の点A3で、欠陥部3が存在する第1バンク14の隣の第1バンク14に接している。
<変形例3>
上述の実施の形態において、補修対象間隙の欠陥部3から所定距離内の位置に、欠陥部3からY方向両側に形成した堰52を堰部50としていたが堰部50の形状はこの限りではない。
変形例3にかかる堰部50も、変形例2と同様に、図17(b)に示すように、X-Y面を平面視するとき、欠陥部3をY方向に挟む2点A1,A2の一方から欠陥部3を
迂回して他方に亘って形成されているが、欠陥部3が存在する第1バンク14の隣の第1バンク14とは非接触である点が変形例2と異なっている。すなわち、変形例2において、各堰部50が欠陥部3の中央からX方向に離間する最大距離bが、間隙20の幅(X方向幅)よりも小さく設定されている。
<変形例4>
上記実施形態及び各変形例においては、トップエミッション型有機ELパネルを例にバンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ボトムエミッション型有機ELパネルにおいてもこれらは適用可能である。
上記実施形態及び各変形例においては、有機EL表示パネルを例に、バンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ラインバンク構造にウェット方式で自発光層を形成する表示パネルであれば有機EL表示パネルに限られるものではない。例えば、electroluminescence quantum dotを分散させた溶媒をラインバンク構造にウェット方式で形成する場合にも適用でき、同様の効果を奏する。
[補足]
以下、更に、本開示の構成について説明する。
(3)本開示の第3態様に係る自発光表示パネルの製造方法は、第1態様に係る自発光表示パネルの製造方法において、発光層を形成する工程において、補修対象間隙内に塗布されたインクが、欠陥部を通して、行方向に隣接する間隙内へと流出するとしてもよい。
(5)本開示の第5態様に係る自発光表示パネルは、基板と、基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクと、複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより形成された発光層と、を備える。複数のバンクの内少なくとも一つは、欠陥部を有する。欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち一方のみに、当該間隙内の欠陥部から所定距離内の位置に、欠陥部を囲むように又は欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部が設けられていることを特徴とする。
(7)本開示の第7態様に係る自発光表示パネルは、第5態様に係る自発光表示パネルにおいて、欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、堰き止め部が設けられていない側の間隙内には、堰き止め部が設けられている間隙内に塗布されたインクに含まれる自発光材料が存在するとしてもよい。
を特徴とする。
3 欠陥部
10 有機EL素子
11 下地基板
14,14a 第1バンク
15 有機発光層
20 間隙
24,24a 第2バンク
50 堰部
52 堰
100 表示パネル
200 補修装置
213 ニードルディスペンサ
Claims (8)
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成する工程と、
前記バンクにおける欠陥部を検出する工程と、
前記欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、一方のみを補修対象間隙と決定する工程と、
前記補修対象間隙内の前記欠陥部から所定距離内の位置に、前記欠陥部を囲むように又は前記欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部を形成する工程と、
前記複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する工程と
を有する自発光表示パネルの製造方法。 - 前記欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、より短い波長で発光する発光層が形成される間隙を、前記補修対象間隙と決定する
請求項1記載の自発光表示パネルの製造方法。 - 前記発光層を形成する工程において、前記補修対象間隙内に塗布されたインクが、前記欠陥部を通して、行方向に隣接する間隙内へと流出する
請求項1記載の自発光表示パネルの製造方法。 - 前記発光層を形成する工程において、前記欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、前記補修対象間隙内ではない側の間隙内に塗布されたインクが、前記補修対象間隙内へと流出する
請求項1記載の自発光表示パネルの製造方法。 - 基板と、前記基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクと、前記複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより形成された発光層と、を備える自発光表示パネルであって、
前記複数のバンクの内少なくとも一つは、欠陥部を有し、
前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち一方のみに、当該間隙内の前記欠陥部から所定距離内の位置に、前記欠陥部を囲むように又は前記欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部が設けられている
自発光表示パネル。 - 前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、より短い波長で発光する発光層が形成される間隙に、前記堰き止め部が設けられている
請求項5記載の自発光表示パネル。 - 前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、前記堰き止め部が設けられていない側の間隙内には、前記堰き止め部が設けられている間隙内に塗布されたインクに含まれる自発光材料が存在する
請求項5記載の自発光表示パネル。 - 前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、前記堰き止め部が設けられている側の間隙内には、前記堰き止め部が設けられていない間隙内に塗布されたインクに含まれる自発光材料が存在する
請求項5記載の自発光表示パネル。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017163516A JP6731895B2 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | 自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル |
CN201810986246.9A CN109585495A (zh) | 2017-08-28 | 2018-08-28 | 自发光显示面板的制造方法和自发光显示面板 |
US16/114,228 US10644085B2 (en) | 2017-08-28 | 2018-08-28 | Self-luminous display panel manufacturing method and self-luminous display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017163516A JP6731895B2 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | 自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019040803A JP2019040803A (ja) | 2019-03-14 |
JP6731895B2 true JP6731895B2 (ja) | 2020-07-29 |
Family
ID=65437758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017163516A Active JP6731895B2 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | 自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10644085B2 (ja) |
JP (1) | JP6731895B2 (ja) |
CN (1) | CN109585495A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10916704B2 (en) * | 2018-04-03 | 2021-02-09 | Universal Display Corporation | Vapor jet printing |
CN108919605B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用 |
JP2022076273A (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-19 | 株式会社Joled | 自発光型表示パネル、及び自発光型表示パネルの製造方法 |
CN113299593B (zh) * | 2021-05-21 | 2023-01-10 | 錼创显示科技股份有限公司 | 接着层结构以及半导体结构 |
TWI808422B (zh) | 2021-05-21 | 2023-07-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 接著層結構以及半導體結構 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007234232A (ja) | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
KR100927296B1 (ko) * | 2007-05-28 | 2009-11-18 | 파나소닉 주식회사 | 유기 el 디바이스 및 표시장치 |
JP4664446B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2011-04-06 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
WO2012176231A1 (ja) | 2011-06-21 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機el表示素子、および有機el表示装置 |
CN103503124B (zh) | 2011-06-21 | 2016-06-01 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置 |
JPWO2013073087A1 (ja) | 2011-11-14 | 2015-04-02 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機el表示素子、および有機el表示装置 |
JP6205664B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-10-04 | 株式会社Joled | バンクの補修方法、有機el表示装置及びその製造方法、 |
US9755193B2 (en) * | 2014-02-10 | 2017-09-05 | Joled Inc. | Bank repair method, organic EL display device, and production method for same |
WO2015133090A1 (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | 株式会社Joled | バンクの補修方法、有機el表示装置およびその製造方法 |
WO2015155971A1 (ja) * | 2014-04-08 | 2015-10-15 | 株式会社Joled | 有機発光デバイスおよびその製造方法 |
JP6311794B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2018-04-18 | 株式会社Joled | 有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置 |
JP2016071992A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Joled | 有機el表示装置の製造方法 |
JP6905339B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2021-07-21 | Agc株式会社 | 隔壁の製造方法および隔壁の修復方法 |
JP6649714B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2020-02-19 | 株式会社Joled | バンク補修方法、有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置 |
-
2017
- 2017-08-28 JP JP2017163516A patent/JP6731895B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-28 CN CN201810986246.9A patent/CN109585495A/zh active Pending
- 2018-08-28 US US16/114,228 patent/US10644085B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10644085B2 (en) | 2020-05-05 |
JP2019040803A (ja) | 2019-03-14 |
CN109585495A (zh) | 2019-04-05 |
US20190067395A1 (en) | 2019-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9876060B2 (en) | Method of fabricating a bank repair for organic display device | |
JP6311794B2 (ja) | 有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置 | |
JP6731895B2 (ja) | 自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル | |
JP6205665B2 (ja) | バンクの補修方法、有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP6205664B2 (ja) | バンクの補修方法、有機el表示装置及びその製造方法、 | |
JP6214019B2 (ja) | バンクの補修方法、有機el表示装置およびその製造方法 | |
US8624275B2 (en) | Organic light-emitting panel for controlling an organic light emitting layer thickness and organic display device | |
US8907358B2 (en) | Organic light-emitting panel, manufacturing method thereof, and organic display device | |
US10714549B2 (en) | Organic EL display panel manufacturing method and organic EL display panel | |
JP2019125501A (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
WO2020162571A1 (ja) | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2017212082A (ja) | 有機el表示素子及び製造方法 | |
JP2016071992A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
JP2020030933A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2020035713A (ja) | 有機el表示パネル | |
JP2020017466A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2019079619A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2018181523A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2018101558A (ja) | バンクリペアに伴う連続滅点の発生を減少させる有機el表示パネル及びその製造方法 | |
JP2018101532A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200616 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200707 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6731895 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |