JP6731895B2 - 自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル - Google Patents

自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル Download PDF

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Description

本発明は、自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネルに関する。
近年、自発光型の表示装置として、基板上に複数の有機EL素子をマトリックス状に配列した有機EL表示パネルが実用化されている。この有機EL表示パネルは、各有機EL素子が自己発光を行うので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。
有機EL表示パネルにおいて、各有機EL素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する電流駆動型の発光素子である。
有機EL表示パネルにおいて、一般に各有機EL素子の発光層と、隣接する有機EL素子の発光層とは、絶縁材料からなるバンクで仕切られている。
また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層といった有機層が必要に応じて介挿され、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されている。
これらの発光層をはじめとするホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層、電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層は、機能層といわれる。
フルカラー表示の有機EL表示パネルにおいては、このような有機EL素子が、RGB各色のサブピクセルを形成し、隣り合うRGBのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。
このような有機EL表示パネルを製造する上で、基板上にバンクを形成しておいて、バンク間の間隙に発光層などの有機機能層を形成する工程がある。この有機機能層の形成には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子材料を含むインクを、インクジェット法等で間隙に塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても有機機能層を比較的容易に形成することができる。
特開2017−33813号公報
フルカラー表示の有機EL表示パネルの場合、隣接したバンク間の間隙には、互いに異なる発光色のインクが塗布される場合が多い。このような有機EL表示パネルの製造過程においてバンクに部分的な決壊が生じていたり、異物が付着したりして欠陥部が存在すると、発光層を形成する際に、間隙に塗布されたインクが欠陥部を通じて隣の間隙へと侵入し、異なる色のインク同士が混合されて混色が生じることがある。
このような混色が生じたパネルを用いて製造した有機EL表示装置においては、混色が生じた範囲での発光色が本来の発光色と異なっていたり、暗点と認識されたりして、表示不良となることがある。
そこで、欠陥が生じたバンクを補修することによって、表示パネルにおける表示不良の発生を抑える技術が求められる。
本開示は、上記課題に鑑み、有機EL表示パネルの製造過程において、バンクに決壊や異物による欠陥部が発生したときにも、表示不良の発生を抑えることのできる有機EL表示パネルの製造方法、及び有機EL表示パネルを提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る自発光表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成する工程と、バンクにおける欠陥部を検出する工程と、欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、一方のみを補修対象間隙と決定する工程と、補修対象間隙内の前記欠陥部から所定距離内の位置に、欠陥部を囲むように又は前記欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部を形成する工程と、複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する工程と、を有する。
上記態様に係る自発光表示パネルの製造方法によると、バンク間の間隙の各々に異なる発光色のインクを塗布して有機機能層を形成するときに、堰き止め部を設けた側の間隙では、インクの混ざり合う混色領域が堰き止め部を超えて広がるのを防ぐことができる。一方、堰き止め部を設けていない側の間隙では、混色領域の広がりを抑えることはできないが、堰き止め部を設けた側の間隙から流入してくるインクの量が堰き止め部によって制限され、さらに、流入してきたインクがバンクに沿って拡散されるため、混色領域における発光色の本来の発光色からの変化を無視することができるレベルまで抑えることができる。従って、有機EL表示パネルにおいて、バンクの欠陥部に起因する表示不良の領域を堰き止め部を設けた側の間隙の堰き止め部に囲まれた範囲内に抑えることができる。
実施形態に係る有機EL表示装置の構成例を示す模式ブロック図である。 実施形態に係る表示パネルを模式的に示す部分平面図である。 実施形態に係る表示パネルを図2のA−A'線で切断した一部拡大断面図である。 実施形態に係る表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。 実施形態に係る表示パネルの製造工程の一部を示す模式断面図である。 インクジェット法により間隙内にインクを塗布する方法を模式的に示す図である。 (a)は、バンクに生じる欠陥部の一例を示す模式斜視図であり、(b)は、堰部が欠陥部の周囲に形成された様子を示す模式斜視図である。 (a)異物によってバンクに生じた欠陥部の別の例を示す模式斜視図であり、(b)は、異物によってバンクに生じた欠陥部のさらに別の例を示す模式斜視図であり、(c)は決壊によってバンクに生じた欠陥部の一例を示す模式斜視図である。 欠陥部の検出とバンクの補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。 (a)は、欠陥部の周辺に設定された、ニードルディスペンサによる補修材料の塗布位置を示す模式平面図であり、(b)は、堰部が形成された状態を示す模式平面図である。 (a)〜(g)は、ニードルディスペンサで補修材料を塗布することにより、堰部が形成される様子を示す模式断面図である。(a)は、補修材料を塗布する前の状態のタンク及びニードルの状態を示す模式断面図である。(b)は、ニードルに付着した補修材を塗布点P1に塗布した状態を示す模式断面図である。(c)は、ニードルを上方に移動させている途中の状態を示す模式断面図である。(d)は、ニードルを上方に移動させた状態を示す模式断面図である。(e)は、ニードル及びタンクを移動させて塗布点P2に補修材を塗布した状態を示す模式断面図である。(f)は、塗布点P1に塗布された補修材と塗布点P2に塗布された補修材とがつながった状態を示す模式断面図である。(g)は、ニードルを上方に移動させた状態を示す模式断面図である。 (a)は、堰部が形成されている場合にインク層が形成された状態を示す模式平面図であり、(b)は、堰部が形成されていない比較例を示す模式平面図である。 補修対象間隙を決定する処理の一例を示すフローチャートである。 (a)は、バンクに生じる欠陥部の一例を示す模式斜視図であり、(b)は、変形例1に係る堰部が欠陥部の周囲に形成された様子を示す模式斜視図である。 (a)は、欠陥部の周辺に設定された、ニードルディスペンサによる補修材料の塗布位置を示す模式平面図であり、(b)は、堰部が形成された状態を示す模式平面図である。 (a)は、変形例2に係る堰部の形状を示す模式斜視図であり、(b)は、間隙に堰部が形成された後にインク層が形成された状態を示す模式平面図である。 (a)は、変形例3に係る堰部の形状を示す模式斜視図であり、(b)は、間隙に堰部が形成された後にインク層が形成された状態を示す模式平面図である。
<発明に到った経緯>
ラインバンク方式の有機EL表示パネルの製造方法では、基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成し、複数のバンク間の間隙に有機発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する。ラインバンク方式によれば、インクがバンクに沿って間隙内で流動可能であるので、インク塗布時点での膜厚のバラつきがインクの流動により均一化され、均一な膜厚の発光層を形成することができる。その結果、輝度ムラの少ない有機EL表示パネルを製造することができる。しかしながら、バンクに欠陥部が存在すると、間隙内に塗布されたインクが欠陥部を通して隣の間隙内に侵入し、発光色の異なるインクが混合する混色領域が発生してしまう可能性がある。特に、ラインバンク方式では、混色したインクがバンクに沿って流動するため、複数画素にわたって表示不良が発生する可能性がある。
ラインバンクの欠陥部に対する補修方法として、例えば、特許文献1には、欠陥部の両側の間隙内に、欠陥部を囲む堰を形成することにより表示不良を抑制する技術が開示されている。
欠陥部の両側の間隙内に欠陥部を取り囲む堰を形成すれば、互いに発光色が異なるインクが混合する混色領域が堰を超えて広がることを抑えることができ、発光色不良による表示不良を低減することができると考えられる。しかしながら、堰を設けると、堰が設けられた位置のサブピクセルが正常に発光しない表示不良が発生する可能性がある。つまり、欠陥部を挟んで隣接する2つのサブピクセル内に堰を形成することにより、堰が形成された2つのサブピクセルで表示不良が発生する可能性がある。
ここで、ディスプレイ装置の要求スペックとして、単独のサブピクセルの表示不良については、不良個所がごく少数であれば許容される場合がある。しかしながら、連続する2つのサブピクセルがともに表示不良になることは、許容されない場合がある。
このことから、欠陥部の両側の間隙内に堰を形成すると、ディスプレイの要求スペックを満たせなくなる可能性がある。
ここで、欠陥部を介して流入する発光色の異なるインクの量がごく少量であれば、例え混色が発生したとしても、混色領域における発光色の本来の発光色からの変化は無視できる場合がある。このことから、欠陥部を介して流入する発光色の異なるインクの量をごく少量に抑えることができれば、欠陥部を取り囲む堰を設ける必要はない場合がある。
逆に、バンク間の間隙に欠陥部を囲むように堰を設けると、堰の内側のインクが堰の外側に流出することを防ぐことができるともに、堰の外側のインクが堰の内側に流入することを防ぐことができる。これによって、欠陥部を介して隣接する間隙に流出するインクの量は多くとも堰の内側のインクの量に制限することができる。
以上より、欠陥部の両側の間隙のうち、一方のみに欠陥部を囲む堰を形成することで、堰を形成した方の間隙から堰を形成していない方の間隙へ流入するインクの量を抑えることができる。これによって、堰を形成していない方の間隙では、混色が発生したとしてもその影響はほとんど無視できるレベルであり、表示不良となるサブピクセルは発生しない。堰を形成した位置のサブピクセルで表示不良が発生する可能性があるが、欠陥部を挟んで隣り合うサブピクセルには表示不良が発生しないため、表示不良の発生を、堰を形成した間隙側の単独のサブピクセルに抑えることができる。
このような考察のもと、バンクの欠陥部に起因する表示不良の発生を、単独のサブピクセルに抑えることができる本開示を案出するに至った。
<実施形態>
[有機EL表示装置の全体構成]
図1は、実施形態に係る表示パネル100を有する有機EL表示装置1の構成を示す模式ブロック図である。
図1に示すように、有機EL表示装置1は、表示パネル100と、これに接続された駆動制御部101とを有している。表示パネル100は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、図2に示すように、複数の発光素子(有機EL素子)10が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部101は、4つの駆動回路102〜105と制御回路106とから構成されている。
なお、表示パネル100に対する駆動制御部101の配置などは、これに限られない。
[有機EL表示パネルの構成]
図2は、表示パネル100の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図3は、表示パネル100を図2のA−A'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル100は、いわゆるトップエミッション型であって、Z方向側が表示面となっている。
表示パネル100の構成について、図2,3を参照しながら説明する。
図3に示すように、表示パネル100は、その主な構成として、下地基板11、画素電極12、ホール注入層13、第1バンク14、有機発光層15、電子輸送層16、共通電極17、封止層18を備える。
ホール注入層13、電子輸送層16が、機能層に相当し、画素電極12と共通電極17によって、機能層が挟まれた構造となっている。
そして、赤(R),緑(G),青(B)の何れかの発光色に対応する有機発光層15を有する発光素子10R,10G,10Bをサブピクセルとし、図2に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。
なお、図2においては、電子輸送層16、共通電極17、封止層18を取り除いた状態を示している。
[下地基板]
下地基板11は、基板本体部11a、TFT(薄膜トランジスタ)層11b、層間絶縁層11cを有する。
基板本体部11aは、表示パネル100の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。また、基板本体部11aは、ポリイミド材料を用いて形成してもよい。
TFT層11bは、基板本体部11aの表面にサブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。
層間絶縁層11cは、TFT層11b上に形成されている。層間絶縁層11cは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、SiO(酸化シリコン)やSiN(窒化シリコン)等の無機絶縁材料からなり、TFT層11bと画素電極12との間の電気的絶縁性を確保すると共に、TFT層11bの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極12を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。
[画素電極]
画素電極12は、下地基板11上に、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、アルミニウム合金、Mo(モリブデン)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極12は、陽極である。
なお、画素電極12の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ(ITO)や酸化インジウム亜鉛(IZO)を用いることができる。透明導電膜は、画素電極12とホール注入層13の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。
[ホール注入層]
ホール注入層13は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層13は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層15に対しホールを注入および輸送する機能を有する。
[バンク]
ホール注入層13の表面には、Y方向(第1方向)に沿って伸長する平面視にて短冊状の第1バンク14が複数本並列に設けられている。この第1バンク14は、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなる。
各第1バンク14の断面は、図3に示されるように台形であって、第1バンク14同士の間には、第1バンク14によって区画された間隙20(20R,20G,20B)が形成され、各間隙20の底部には、複数の画素電極12がY方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層13、有機発光層15、電子輸送層16が形成されている。
第1バンク14は、X方向に隣接する発光素子10どうしを区画すると共に、有機発光層15をウェット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。
第2バンク24は、第1バンク14よりも高さが低く(図7参照)、各間隙20においてY方向に隣接する画素電極12と画素電極12との間に形成され、Y方向に隣接する発光素子10どうしを区画している。即ち、表示パネル100は、所謂ラインバンクを有する有機EL表示パネルである。
複数の各間隙20において、形成されている複数の第2バンク24のY方向の位置は同じである。各第2バンク24はX方向(第2方向)に伸長し、第1バンク14の下を通り隣の第2バンク24につながってX方向に伸長する短冊状となっている。従って、下地基板11上において、第1バンク14と第2バンク24の全体は格子状に形成されている(図2参照)。
[有機発光層]
有機発光層15は、キャリア(正孔と電子)が再結合して発光する部位であって、R,G,Bのいずれかの色に対応する有機材料を含む。
この有機発光層15は、上記の第1バンク14によって区画されたY方向に伸長する溝状の間隙(図7の間隙20R,20G,20B参照)に形成されている。
なお、図7に示す間隙20Rは赤色の発光層が形成されて赤色の発光素子10Rが形成される間隙であり、間隙20G、間隙20Bは、それぞれ緑色、青色の発光層が形成されて、緑色、青色の発光素子10G、10Bが形成される間隙である。
従って、互いに色の異なる有機発光層15が、第1バンク14を挟んで配置されていることになる。
有機発光層15の材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
[電子輸送層]
電子輸送層16は、共通電極17から注入された電子を有機発光層15へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などで形成されている。
[共通電極]
共通電極17は、例えば、ITO、IZO等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。
本実施形態において、共通電極17は陰極である。
[封止層18]
封止層18は、ホール注入層13、有機発光層15、電子輸送層16、共通電極17を水分及び酸素から保護するために設けられている。
なお、図示はしないが、封止層18の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
[表示パネルの製造方法]
図4は、表示パネル100の製造過程を示す模式工程図である。
図5は、表示パネル100の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
表示パネル100の製造方法について、図4の工程図に基づいて、図3、5を参照しながら説明する。
まず、基板本体部11a上にTFT層11bを形成する(ステップS1)。
続いて、TFT層11bの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で層間絶縁層11cを形成して下地基板11を作製する(ステップS2)。層間絶縁層11cの厚みは例えば約4μmである。なお、図3の断面図および図4の工程図には現れないが、層間絶縁層11cを形成するときに、コンタクトホール2(図2参照)を形成する。
次に、下地基板11上に、真空蒸着法またはスパッタ法によって、厚み400[nm]程度の金属材料からなる画素電極12を、サブピクセル毎に形成する(ステップS3)。
続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、下地基板11および画素電極12上に一様に成膜することによって、ホール注入層13を形成する(ステップS4)。
次に、第2バンク24と第1バンク14を以下のようにフォトリソグラフィー法で形成する(ステップS5)。
まず第2バンク24を形成するためのバンク材料(例えば、感光性を有するフォトレジスト材料)を、ホール注入層13上に一様に塗布する。
その後、塗布されたバンク材料層に、第2バンク24のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ねて、UV照射して露光する。そして未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することによって未焼成の第2バンク24aを形成する。その後、未焼成の第2バンク24を加熱焼成することにより、第2バンク24を形成する。
次に、第1バンク14を形成するためのバンク材料(例えば、ネガ型感光性樹脂組成物を)を、第2バンク24を形成した基板上に一様に塗布する。
そのバンク材料層上に、形成しようとする第1バンク14のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、第1バンクのパターンを形成する。
図5(a)に示すように第2バンク24と、未焼成の第1バンク14aとがパターン形成される。そして隣接する第1バンク14a同士の間に、間隙20が形成されている。
次に、このパターン形成された未焼成の第1バンク14aにおける欠陥部の発生を調べて(ステップS6)、欠陥部があればその補修を行う。
このバンク補修については、後で詳しく説明するが、検出した欠陥部の近傍において、第1バンク14aの同士の間の間隙20に補修材を塗布し乾燥して堰部を形成することによって行う(ステップS7)。図5(b)には、第1バンク14a間の間隙20に補修材が塗布され、未焼成の堰52aが形成された状態を示している。
その後、未焼成の第1バンク14a、未焼成の堰52aを、加熱焼成することによって、第1バンク14、第2バンク24、堰52が出来上がり、欠陥部3の補修が完了する(ステップS8)。この焼成は、例えば、未焼成の第1バンク14a、及び未焼成の堰52aを、150℃〜210℃の温度で60分間加熱することによって行う。
図5(c)は、この焼成によって、第1バンク14が形成されると共に堰52が形成された状態、すなわち、第1バンク14における欠陥部3が補修された状態を示している。
このように形成された第1バンク14において、さらに、次の工程で塗布するインクに対する第1バンク14の接触角を調節する処理を施してもよい。あるいは、第1バンク14の表面に撥液性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等による表面処理や、プラズマ処理等を施してもよい。なお、第1バンクに撥液性を付与するために、第1バンクのバンク材料として、撥液性を持たせた材料を使用してもよい。
なお、ここでは、第1バンクと堰部は同時焼成しているが、それぞれ別々に焼成してもよい。すなわち、ここでは、第1バンクの形成、欠陥部の検出、堰部の形成、第1バンク及び堰部の焼成の順番に処理を行っているが、第1バンクの形成、第1バンクの焼成、欠陥部の検出、堰部の形成、堰部の焼成の順番に処理を行ってもよい。
続いて、図5(d)に示すように、隣り合う第1バンク14同士間の間隙20に、有機発光層15を形成するためのインクを塗布する。このインクは、有機発光層15を構成する有機材料と溶媒を混合したものであって、各間隙20内にインクジェット法により塗布する。インクジェット法により間隙20内にインクを塗布する方法は詳細を後述する。
そして、塗布されたインク層15aに含まれる溶媒を蒸発させて乾燥し、必要に応じて加熱焼成することによって、図5(e)に示すように、各間隙20内に有機発光層15が形成される(ステップS9)。
次に、有機発光層15および第1バンク14の上に、電子輸送層16を構成する材料を真空蒸着法で成膜して、電子輸送層16を形成する(ステップS10)。
そして、ITO、IZO等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極17を形成する(ステップS11)。
そして、共通電極17の表面に、SiN、SiON等の光透過性材料をスパッタ法あるいはCVD法等で成膜して、封止層18を形成する(ステップS12)。
以上の工程を経て表示パネル100が完成する。
[インクジェット法により間隙20内にインクを塗布する方法]
インクジェット法を用いて、発光層15のインクを間隙20内に塗布する方法の詳細について説明する。
発光層15のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層15の形成するための溶液の塗布を行う。基板に対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に3色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、3色のインクを順次塗布する。これにより、基板上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が繰り返して並んで形成される。
図6は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、列バンク14間の間隙20に一様に塗布する場合の模式図である。
発光層15の形成時には、発光層15を形成するための溶液であるインク15aを用いて、赤色サブピクセル用の間隙20R内に発光層15R、緑色サブピクセル用の間隙20G内に発光層15G、及び青色サブピクセル用の間隙20B内に発光層15Bを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。なお、発光層15Rと、発光層15G又は発光層15Bとは厚みが異なっていてもよい。例えば、間隙20R内に塗布するインクの量を、間隙20B及び間隙20G内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、発光層15Rの厚みを、発光層15B及び発光層15Gの厚みよりも大きく形成することができる。
説明を簡略にするため、ここでは、ノズルから吐出するインクの量を第1の条件に設定して基板上の複数の第1色目の間隙20にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第2の条件に設定してその基板上の複数の第2色目の間隙20にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第3の条件に設定してその基板上の複数の第3色目の間隙20にインクを塗布する方法で、3色全部の間隙にインクを順次塗布する。基板に対して第1色目の間隙20へのインクの塗布が終わると、次に、その基板の第2色目の間隙20にインクを塗布し、さらに、その基板の第3色目の間隙20にインクを塗布する工程が繰り返し行われ、3色の間隙20用のインクを順次塗布する。なお、インクを吐出するノズルは、第1色目のインクを吐出するものと、第2色目のインクを吐出するものと、第3色目のインクを吐出するものと、それぞれ異なるノズルを使用してもよい。
(列バンク14間の間隙20に一様に塗布する方法)
次に、1色の間隙中にインク(例えば、赤色間隙用のインク)を塗布する方法について説明する。
発光層15は、発光領域(図2における列バンク14と行バンク24に囲まれた領域)だけでなく、隣接する非自己発光領域(図2における行バンク24上の領域)まで連続して延伸されている。このようにすると、発光層15の形成時に、発光領域に塗布されたインクが、非自己発光領域に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。
本塗布方法では、基板は、列バンク14がY方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Y方向に沿って複数の吐出口3031がライン状に配置されたインクジェットヘッド301をX方向に走査しながら、各吐出口3031から列バンク14同士の間隙20内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。
なお、同一の塗布量にて発光層15のインクを塗布する領域は、x方向に隣接して並ぶ3つの領域の中の1つである。
発光層15の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
[バンクの欠陥部を検出し補修する方法]
上記製造方法で説明したように、正確には、未焼成の第1バンク14a、未焼成の堰52aを形成した後、これら未焼成の第1バンク14a、堰52aを加熱焼成して硬化させることによって、最終的な第1バンク14、堰52が形成される。しかし、未焼成の第1バンク14a、未焼成の堰52aは、ある程度固体化して安定なバンク形状、堰形状となっているので、本明細書では、未焼成の第1バンク14aや未焼成の堰52aについても、単に第1バンク14a、堰52aと記載して説明する。
[欠陥部3]
まず、第1バンク14aに存在する欠陥部3について説明する。
この欠陥部3は、第1バンク14aに存在する異物、または第1バンク14aの一部が欠損した部分である。
異物は、例えば、製造装置に由来する金属片、空気中に存在する塵・埃の類である。そして、塵・埃は、繊維片であることが多い。
図7(a)に示す例では、1本の第1バンク14aの上に、異物が付着して欠陥部3となっている。図7(b)は、欠陥部3をY方向(第1方向)に挟むように一対の堰52からなる堰部50が形成された状態を示す模式斜視図である。このように本実施形態においては、堰部50は、欠陥部3をY方向(第1方向)に挟む一対の堰52からなる。堰52は、欠陥部3が存在する第1バンク14a上の欠陥部3を挟む2点から、それぞれ隣の第1バンク14aに亘ってX方向(第2方向)に沿って形成されており、欠陥部が存在する第1バンク14aの片側の間隙20に一対形成されている。
なお、堰52の幅(平面視における太さ)は、例えば、5〜50μmである。
第1バンク14a上に異物があると、図5(d)に示すように第1バンク14を挟んで隣接する間隙20にインクを塗布してドーム状に盛ったインク層15aが形成されると、インク層15aが異物に接触し、インクの一部が隣の間隙20に流れ込んで、発光色の異なるインク(例えば赤色インクと緑色インク)が混ざってしまうことがある。
本実施形態では、欠陥部3の存在するバンクの両側の間隙20のうち堰部50を形成した側の間隙20では、堰部50により混色インクをせき止めて、混色領域が広がるのを防ぐことができる。また、堰部50の外側にあるインクが異物に接触し、隣の間隙に流れ込むことを防ぐことができる。
なお、欠陥部3は、このように第1バンク14a上に異物が付着している場合に限られない。例えば、図8(a)に示す例のように、1本の第1バンク14aの中に異物が入り込み、その異物が第1バンク14の壁面を隣の間隙20まで貫通して欠陥部3となっている場合もある。また、図8(b)に示す例では、1本の第1バンク14aの下に異物が入り込んで、その異物が隣の間隙20まで貫通して欠陥部3となっている。このように、第1バンク14aの中や下に異物が存在する場合でも、異物とバンク材料との密着性が悪い場合には、隙間が生じてインクの流通路ができる。異物が繊維片の場合には、インクを吸収するので、異物自体がインクの流通路となる。従って、異物を挟んで隣り合う間隙に形成されたインク層15aの間で混色が生じる原因となる。
さらには、図8(c)に示す例では、第1バンク14aの一部が決壊して欠陥部3となっている。このような第1バンク14aにおける決壊は、例えば、バンク材料層に対する露光の工程で、露光が不十分で重合が十分になされなかった箇所が、次の現像工程で洗い流されることによって発生する。このように決壊が生じた場合も、その決壊を介して隣り合う間隙に形成されたインク層15aの間で混色が生じる。
以上説明したように、第1バンク14aにおいて異物や決壊が生じている箇所は、発光色が異なるインクの混色が生じて、発光色不良の原因となるので、この箇所を欠陥部3としている。
[欠陥部3の検出と堰部50の形成]
第1バンク14aにおける欠陥部3の検出は、例えば、下地基板11上に形成した第1バンク14aの表面画像を撮影し、その表面画像のパターン検査によって行う。
図9は、バンク欠陥部の検出と、その補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。
この補修装置200においては、ベース201上に、上記の下地基板11を載置するテーブル202と、撮像素子211,ニードルディスペンサ213が取り付けられたヘッド部210とを有している。そして、テーブル202は、コントローラ230のCPU231の指示に基づいてY方向に移動でき、ヘッド部210は、CPU231の指示によって、X方向及びZ方向に移動できるようになっている。
従って、ヘッド部210に取り付けられているニードルディスペンサ213は、CPU231の指示によって、テーブル202上に載置された下地基板11の上方で、下地基板11に対して、X方向、Y方向、Z方向に相対移動することができる。
なお、ここでは、下地基板11上に画素電極12,ホール注入層13,第1バンク14a,第2バンク24が形成されたものを、下地基板11として表す。
図10(a)は、本実施形態の堰部50の形成位置を示す模式平面図である。図10(b)は、堰52が形成された様子を示す模式平面図である。
堰52の形成は、間隙20内において、堰52を形成しようとするライン(堰形成ライン)に沿って設定された複数の位置に、ニードルディスペンサ213から補修材を塗布することによって行う。
図10(a)に示すように、第1バンク14a上に欠陥部3が存在する場合、欠陥部3(ここでは、異物)のY方向(第1方向)における両端部の座標位置を取得し、取得した座標位置にY方向両側に最も近接する第2バンク24上を堰形成ラインとして設定する。図10(a)に示す点P1〜P4は、堰形成ラインに沿って設定されたニードルディスペンサによる塗布位置を表す。
図11(a)〜(g)は、塗布点P1,P2…に、補修材を順次塗布することによって、堰52が形成される様子を模式的に示す図である。
補修装置200は、このように設定した塗布点P1,P2,P3,P4において、順次、ニードル213aで補修材を塗布することによって堰52を形成する。ニードルディスペンサ213は、その先端部分に補修材を収納するタンク213bが取り付けられ、タンク213bを貫通するようにニードル213aが上下に移動することによって、ニードル213aに付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布できるようになっている。
まず図11(a),(b)に示すように、ニードル213a、タンク213bを塗布点P1上方に位置させて、ニードル213aを下方に移動してニードル213aに補修材を付着させて、ニードル213aを塗布点P1に近づけることによって補修材を塗布点P1に塗布する。
補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図11(c)に示すように、塗布点P1に補修材の山が形成される。
続いて、図11(d)に示すように、ニードル213aをタンク213b内に引き上げて、ニードル213a,タンク213bを、塗布点P2に移動させる。そして、図11(e)に示すように、ニードル213aを下方に移動して、補修材を付着させたニードル213aを塗布点P2に近づけることによって補修材を塗布点P2に塗布する。
それによって図11(f)に示すように、塗布点P2に形成される補修材の山は、塗布点P1に形成されている補修材の山と繋がる。
続いて、図11(g)に示すように、ニードル213aを引き上げて、塗布点P3に移動させる。
同様にして、塗布点P3、P4に補修材の山を形成して、塗布点P2の補修材の山とつなげる。
このようにして、欠陥部3を有する第1バンク14a上の点A1から、隣の第1バンク14aに亘る形状で、補修材の山が連なることになる。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥させ、必要に応じて露光を行うことによって堰52が形成される。
また、その後の同時焼成工程において、塗布された補修材が硬化するので、より安定した物性を有する堰52が形成される。
上記の工程を、一対の堰52に対してそれぞれ行うことにより、堰部50が形成される。
以上の堰部形成工程によって、図7(b)に示すように、欠陥部3を有する第1バンク14の片側にある間隙20に、堰52が対で設けられ、この堰52によって間隙20は、欠陥部3に近接する空間部分からなる第1空間SAと、欠陥部3に近接しない空間部分からなる2つの第2空間SBとに仕切られている。
以上のように各第1バンク14の欠陥部3を補修した上で、次のステップS9(図4参照)の発光層形成工程を行うことによって、後述するように、インクの混色領域を制限するとともに、第1空間SA、第2空間SBに、インクが塗布され、有機発光層15が形成される。
なお、補修材としては、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いることができる。
樹脂としては、例えば、(メタ)アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する硬化性の樹脂が挙げられる。
また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。
また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される堰部50に撥液性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌液剤を添加してもよい。撥液剤の添加量は0.01〜10wt%とする。撥液剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰部50の撥液性も良好となる。
なお、補修材として、第1バンク14aを形成するバンク材料と同じものを用いてもよい。
上記補修材を構成する樹脂の組成物に、必要に応じて、溶剤、光重合開始剤を適宜添加してもよい。
溶剤は、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が150〜250℃程度の溶剤を1種類以上用いても良い。
光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。
補修材の塗布時において、補修材の固形分は、例えば20〜90wt%に調整し、粘度は例えば10〜50cP(センチポイズ)に調整する。
光重合開始剤の添加量は、焼成時における露光量に応じて調整するが、例えば全固形分に対して0.1〜50重量%、好ましくは5重量%〜30重量%である。
[堰部50を形成することの効果]
ここで、堰部50を形成した場合と堰部50を形成しない場合とを比較してインクの混色領域のひろがりについて説明する。
図12(a)は、本実施形態に係る表示パネルにおいて、欠陥部3を有する第1バンク14の周囲に一対の堰52が形成された後、その第1バンク14に隣接する一方の間隙20に、赤の発光色のインクが塗布されてインク層15a(R)が、他方の間隙20に緑の発光色のインクが塗布されてインク層15a(G)が形成された状態を示す平面図である。図12(b)は、堰52を形成しない比較例において、同様に第1バンク14を挟んで隣接する間隙20にインク層15a(R)とインク層15a(G)が形成された状態を示す平面図である。
図12(b)に示すように、欠陥部3の周囲に堰部50が形成されていないと、赤色インクと緑色インクが、欠陥部3を介して混ざり合ってできる混色領域は、各インク層15a内でY方向に広がる。この混色領域は、Y方向に長く伸びて、その長さが数cm程度になることもある。
表示パネル100が製造されたときに、この混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。なお、カラーフィルターを設置する場合には、余計な色がカットされるため、本来の発光色が観察されるが、カラーフィルター透過後の輝度が低下してしまう場合がある。また、混色領域は、製造後、発光層の膜厚が所望のものとは異なるものになり、発光効率や電圧が所望のものから変化する場合がある。
これに対して、図12(a)では、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、緑色インクを塗布された間隙20内に一対の堰52からなる堰部50が形成されている。図12(a)に示すように、堰部50の内部に混色領域ができることがあっても、その混色領域は堰52を超えて広がることはない。また、堰部50が形成された間隙20において、欠陥部3を介して隣接する赤色インクが塗布された間隙20に流出する緑色インクは、多くとも堰部50内部に塗布されたものに制限される。すなわち、堰部50の内部に塗布された緑色インクが欠陥部3を介して隣接する間隙20に流出することがあっても、堰部50の外側に塗布された緑色インクが欠陥部3を介して隣接する間隙20に流出することはない。
図12(a)に示すように、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、赤色インクを塗布された間隙20内では、欠陥部3の周囲に堰部50を形成しない比較例と同様に、Y方向に長く伸びる混色領域ができる。しかしながら、上述したように、欠陥部3を介して流入する緑色インクの量が少量であるため、混色領域における発光色の本来の発光色からの変化は無視することができる程度に抑えられる。
従って、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、片側のみに堰部50を形成することにより、欠陥部3に起因する表示不良は、堰部50が形成された間隙20内の堰部50の内部のみに制限される。本実施形態では、堰部50(堰52)は、第2バンク24上に形成されるため、堰部50内部の混色領域は、単独のサブピクセル領域と一致する。すなわち、欠陥部3に起因する表示不良は、堰部50を形成した側の間隙の単独のサブピクセルに抑えることができる。
[補正対象間隙の決定]
ここでは、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、凹空堰部50を形成する側の間隙20(以下、補正対象間隙と称す。)を決定する方法について説明する。
欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、片側のみに堰部50を形成する場合には、図12(a)に示すように、堰部50を形成しない側に混色領域が第1バンク14に沿ってY方向に長くひろがる一方、堰部50を形成した側の混色領域は堰部50の内部に制限される。従って、堰部50を形成しない間隙20の混色領域の本来の発光色からの変化と、堰部50を形成した間隙20の混色領域の本来の発光色からの変化とを考慮したときに、混色領域の面積が大きい側、すなわち、堰部50を形成しない間隙20の混色領域の本来の発光色からの変化の方が小さくなるように、補正対象間隙を決定することが望ましい。
発光層に混色領域が生じたパネルを用いて表示パネル100を製造すると、混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。一般に、異なる発光色の発光材料が混合された場合、波長の長い発光材料の発光色が優勢になる。その理由は、長波長の発光色の発光材料の方が短波長の発光色の発光材料よりも発光に関与するエネルギー準位の差(エネルギーギャップ)が小さく、長波長の発光色の発光材料の方が短波長の発光色の発光材料よりも発光しやすいからであると考えられている。
従って、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20のうち、片側のみに堰部50を形成する場合には、短波長の発光色のインクを塗布する側の間隙を補正対象間隙と決定することが望ましい。
図13は、補修装置200が補正対象間隙を決定する処理を示すフローチャートである。なお、補修装置200の記憶部232には、予め各第1バンク14のX方向における座標位置及び各間隙20に塗布されるインクの色の情報が格納されている。
処理を開始すると、まず、欠陥部3のX方向における座標位置を取得する(ステップS21)。
次に、補修装置200の記憶部232に記憶されている各第1バンク14のX方向における座標位置及び各間隙20に塗布されるインクの色の情報を参照して、欠陥部3を有する第1バンク14の両側の間隙20を特定し、特定した間隙20に塗布されるインクの色を更に特定する(ステップS22)。
第1バンク14の両側の間隙に塗布されるインクの色が赤色と緑色の場合(ステップS23Y)、より波長の短い緑色のインクを塗布する側を補修対象間隙と決定する(ステップS24)。
第1バンク14の両側の間隙に塗布されるインクの色が緑色と青色の場合(ステップS25Y)、より波長の短い青色のインクを塗布する側を補修対象間隙と決定する(ステップS26)。
第1バンク14の両側の間隙に塗布されるインクの色が青色と赤色の場合(ステップS27Y)、より波長の短い青色のインクを塗布する側を補修対象間隙と決定する(ステップS28)。
本実施の形態ではこのように補修対象間隙を決定する。
[変形例]
実施の形態に係る表示パネル100を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル10の変形例を説明する。
<変形例1>
上述の実施の形態において、堰52を形成する位置は第2バンク24の上であるとしたが、堰52を形成する位置はこの限りではない。
図14は、変形例1に係る堰52の形成位置を示す模式斜視図である。
図14(a)は、1本の第1バンク14aの上に、異物が付着して欠陥部3となっている様子を示している。図14(b)は、欠陥部3をY方向(第1方向)に挟むように一対の堰52からなる堰部50が形成された状態を示している。
図15(a)は、変形例1における堰部50の形成位置を示す模式平面図である。図15(b)は、変形例1における堰部50が形成された様子を示す模式平面図である。
図15(a)に示すように、第1バンク14a上に欠陥部3が存在する場合、欠陥部3のY方向(第1方向)における両端部の座標位置に、それぞれマージンaを加えた値A1,A2を、堰部50の仮形成位置として設定する。そして、同図に示すように、欠陥部3を有するバンク14aの片側に隣接する間隙20の中に、欠陥部3の両端からY方向にマージンa離れた点A1及びA2を通ってそれぞれX方向に伸長する堰形成ラインに沿って、それぞれ塗布点P1,P2,P3,P4を設定する。
このように、第2バンク24の内側の画素の発光領域に堰部50を設けることにより、堰部50の外側では、正常発光が望めるため、表示不良の面積を削減することができる。
<変形例2>
上述の実施の形態において、補修対象間隙の欠陥部3から所定距離内の位置に、欠陥部3からY方向両側に形成した堰52を堰部50としていたが堰部50の形状はこの限りではない。
図16(a)は、変形例2に係る堰部50の形状を模式的に示す斜視図であり、(b)は、間隙20に堰部50を形成した後、インク層を形成した状態を模式的に示す平面図である。
本変形例に係る堰部50は、図16(b)に示すように、X-Y面を平面視するとき、欠陥部3をY方向に挟む2点(点A1及び点A2)の一方(点A1)から欠陥部3を迂回して他方(点A2)に亘る形状に形成されている。また、点A1から点A2に到る途中の点A3で、欠陥部3が存在する第1バンク14の隣の第1バンク14に接している。
変形例2に係る堰部50の形成方法は、実施形態において図11(a)〜(g)を参照しながら説明した方法と同様であって、点A1から点A3を経由して点A2に到る堰形成ラインに沿って設定した複数の塗布点に、ニードルディスペンサで補修材を順次塗布することによって、形成することができる。
<変形例3>
上述の実施の形態において、補修対象間隙の欠陥部3から所定距離内の位置に、欠陥部3からY方向両側に形成した堰52を堰部50としていたが堰部50の形状はこの限りではない。
図17(a)は、変形例3に係る堰部50の形状を模式的に示す斜視図であり、(b)は、間隙20に堰部50を形成した後、インク層を形成した状態を模式的に示す平面図である。
変形例3にかかる堰部50も、変形例2と同様に、図17(b)に示すように、X-Y面を平面視するとき、欠陥部3をY方向に挟む2点A1,A2の一方から欠陥部3を
迂回して他方に亘って形成されているが、欠陥部3が存在する第1バンク14の隣の第1バンク14とは非接触である点が変形例2と異なっている。すなわち、変形例2において、各堰部50が欠陥部3の中央からX方向に離間する最大距離bが、間隙20の幅(X方向幅)よりも小さく設定されている。
この堰部50の形成方法も、実施形態において図11(a)〜(g)を参照しながら説明した方法と同様であって、点A1から点A2に到る堰形成ラインに沿って設定した複数の塗布点に、ニードルディスペンサで補修材を順次塗布することによって、堰部50を形成することができる。
<変形例4>
上記実施形態及び各変形例においては、トップエミッション型有機ELパネルを例にバンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ボトムエミッション型有機ELパネルにおいてもこれらは適用可能である。
<変形例5>
上記実施形態及び各変形例においては、有機EL表示パネルを例に、バンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ラインバンク構造にウェット方式で自発光層を形成する表示パネルであれば有機EL表示パネルに限られるものではない。例えば、electroluminescence quantum dotを分散させた溶媒をラインバンク構造にウェット方式で形成する場合にも適用でき、同様の効果を奏する。
[補足]
以下、更に、本開示の構成について説明する。
(1)本開示の第1態様に係る自発光表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成する工程と、バンクにおける欠陥部を検出する工程と、欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、一方のみを補修対象間隙と決定する工程と、補修対象間隙内の前記欠陥部から所定距離内の位置に、前記欠陥部を囲むように又は前記欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部を形成する工程と、複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する工程と、を有する。
(2)本開示の第2態様に係る自発光表示パネルの製造方法は、第1態様に係る自発光表示パネルの製造方法において、欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、より短い波長で発光する発光層が形成される間隙を、補修対象間隙と決定するとしてもよい。
(3)本開示の第3態様に係る自発光表示パネルの製造方法は、第1態様に係る自発光表示パネルの製造方法において、発光層を形成する工程において、補修対象間隙内に塗布されたインクが、欠陥部を通して、行方向に隣接する間隙内へと流出するとしてもよい。
(4)本開示の第4態様に係る自発光表示パネルの製造方法は、第1態様に係る有機EL表示パネルの製造方法において、発光層を形成する工程において、欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、補修対象間隙内ではない側の間隙内に塗布されたインクが、補修対象間隙内へと流出するとしてもよい。
(5)本開示の第5態様に係る自発光表示パネルは、基板と、基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクと、複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより形成された発光層と、を備える。複数のバンクの内少なくとも一つは、欠陥部を有する。欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち一方のみに、当該間隙内の欠陥部から所定距離内の位置に、欠陥部を囲むように又は欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部が設けられていることを特徴とする。
(6)本開示の第6態様に係る自発光表示パネルは、第5態様に係る自発光表示パネルにおいて、欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、より短い波長で発光する発光層が形成される間隙に、堰き止め部が設けられていてもよい。
(7)本開示の第7態様に係る自発光表示パネルは、第5態様に係る自発光表示パネルにおいて、欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、堰き止め部が設けられていない側の間隙内には、堰き止め部が設けられている間隙内に塗布されたインクに含まれる自発光材料が存在するとしてもよい。
を特徴とする。
(8)本開示の第8態様に係る自発光表示パネルは、第5態様に係る自発光表示パネルにおいて、欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、堰き止め部が設けられている側の間隙内には、堰き止め部が設けられていない間隙内に塗布されたインクに含まれる自発光材料が存在するとしてもよい。
本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる自発光表示装置に利用可能である。
1 有機EL表示装置
3 欠陥部
10 有機EL素子
11 下地基板
14,14a 第1バンク
15 有機発光層
20 間隙
24,24a 第2バンク
50 堰部
52 堰
100 表示パネル
200 補修装置
213 ニードルディスペンサ

Claims (8)

  1. 基板を準備する工程と、
    前記基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成する工程と、
    前記バンクにおける欠陥部を検出する工程と、
    前記欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、一方のみを補修対象間隙と決定する工程と、
    前記補修対象間隙内の前記欠陥部から所定距離内の位置に、前記欠陥部を囲むように又は前記欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部を形成する工程と、
    前記複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する工程と
    を有する自発光表示パネルの製造方法。
  2. 前記欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、より短い波長で発光する発光層が形成される間隙を、前記補修対象間隙と決定する
    請求項1記載の自発光表示パネルの製造方法。
  3. 前記発光層を形成する工程において、前記補修対象間隙内に塗布されたインクが、前記欠陥部を通して、行方向に隣接する間隙内へと流出する
    請求項1記載の自発光表示パネルの製造方法。
  4. 前記発光層を形成する工程において、前記欠陥部の検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、前記補修対象間隙内ではない側の間隙内に塗布されたインクが、前記補修対象間隙内へと流出する
    請求項1記載の自発光表示パネルの製造方法。
  5. 基板と、前記基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクと、前記複数のバンク間の間隙に自発光材料を含むインクを塗布することにより形成された発光層と、を備える自発光表示パネルであって、
    前記複数のバンクの内少なくとも一つは、欠陥部を有し、
    前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち一方のみに、当該間隙内の前記欠陥部から所定距離内の位置に、前記欠陥部を囲むように又は前記欠陥部に対し列方向の両側にそれぞれ、堰き止め部が設けられている
    自発光表示パネル。
  6. 前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、より短い波長で発光する発光層が形成される間隙に、前記堰き止め部が設けられている
    請求項5記載の自発光表示パネル。
  7. 前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、前記堰き止め部が設けられていない側の間隙内には、前記堰き止め部が設けられている間隙内に塗布されたインクに含まれる自発光材料が存在する
    請求項5記載の自発光表示パネル。
  8. 前記欠陥部を有するバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の間隙のうち、前記堰き止め部が設けられている側の間隙内には、前記堰き止め部が設けられていない間隙内に塗布されたインクに含まれる自発光材料が存在する
    請求項5記載の自発光表示パネル。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10916704B2 (en) * 2018-04-03 2021-02-09 Universal Display Corporation Vapor jet printing
CN108919605B (zh) * 2018-07-27 2021-12-21 京东方科技集团股份有限公司 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用
JP2022076273A (ja) * 2020-11-09 2022-05-19 株式会社Joled 自発光型表示パネル、及び自発光型表示パネルの製造方法
CN113299593B (zh) * 2021-05-21 2023-01-10 錼创显示科技股份有限公司 接着层结构以及半导体结构
TWI808422B (zh) 2021-05-21 2023-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 接著層結構以及半導體結構

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007234232A (ja) 2006-02-27 2007-09-13 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
KR100927296B1 (ko) * 2007-05-28 2009-11-18 파나소닉 주식회사 유기 el 디바이스 및 표시장치
JP4664446B2 (ja) * 2009-02-10 2011-04-06 パナソニック株式会社 有機elディスプレイの製造方法
WO2012176231A1 (ja) 2011-06-21 2012-12-27 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機el表示素子、および有機el表示装置
CN103503124B (zh) 2011-06-21 2016-06-01 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置
JPWO2013073087A1 (ja) 2011-11-14 2015-04-02 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機el表示素子、および有機el表示装置
JP6205664B2 (ja) * 2014-02-10 2017-10-04 株式会社Joled バンクの補修方法、有機el表示装置及びその製造方法、
US9755193B2 (en) * 2014-02-10 2017-09-05 Joled Inc. Bank repair method, organic EL display device, and production method for same
WO2015133090A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 株式会社Joled バンクの補修方法、有機el表示装置およびその製造方法
WO2015155971A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 株式会社Joled 有機発光デバイスおよびその製造方法
JP6311794B2 (ja) * 2014-09-24 2018-04-18 株式会社Joled 有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置
JP2016071992A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Joled 有機el表示装置の製造方法
JP6905339B2 (ja) * 2014-10-24 2021-07-21 Agc株式会社 隔壁の製造方法および隔壁の修復方法
JP6649714B2 (ja) * 2015-08-04 2020-02-19 株式会社Joled バンク補修方法、有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置

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