JP6914509B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、複数の有機発光素子を配列した有機エレクトロルミネセンス(EL)表示装置に関する。
有機EL表示装置は、複数の有機発光素子の配列により構成されている。各有機発光素子は、バンクと称する隔壁に囲まれた画素領域を有し、各画素の陽極と陰極の間には、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)からなる有機発光材料が設けられている(例えば特許文献1、特許文献2)。
有機発光材料は、インクジェット法により塗布される。有機発光材料を含むインクを塗布する際、バンクに異物や欠けなどの欠陥が生じている場合、欠陥箇所で、隣接するインク同士が接触する。隣接するインクが互いに異なる色の場合、混色となり表示不良となる。このため、バンクの欠陥箇所が発見された場合、欠陥箇所を、例えばリペア材(補修材)を用いて補修することで、混色による表示不良を防止、あるいは、不良の程度を低減している(例えば特許文献3、特許文献4参照)。
特開2009−200049号公報 特許第55224954公報 特開2016−71992号公報 国際公開2010/013654A1パンフレット
しかし、画素の高精細化に伴いバンク自体が微細化されているため、撥液性を有するリペア材を配置する領域が狭くなっている。このため、リペア材がバンク以外の画素内に流れ込んだ場合、その領域の近傍では有機発光材料を含むインクがはじかれることにより、発光層が形成されず、陽極と陰極とがショートして画素の発光不良(滅点)が生じる。
尚、リペア材による補修を行わない場合、50画素以上にも亘って混色が広がり、重大な表示不良が引き起こされることがある。
本実施形態は、バンクに欠陥が生じている場合においても混色の拡大を防止でき、且つ画素の発光不良を防止することが可能な表示装置を提供する。
本発明の実施形態の表示装置は、基板と、前記基板上に設けられた複数の第1バンクと、前記第1バンクと交差して配置され、前記第1バンクと共に複数の画素を仕切る複数の第2バンクと、複数の前記画素のうち、前記第2バンクの欠陥箇所に対応する画素の両側に位置し、前記欠陥箇所を含む前記第2バンクと隣り合う第2バンクとの間に位置する前記第1バンク上にそれぞれ設けられた撥液性を有する複数のリペア材と、を具備し、前記複数のリペア材は間隔を空けて、ドット状に設けられる
複数のリペア材を具備する表示装置は、リペア材の撥液性により、インクをはじくことができる。このため、インクがリペア材を配置した第1バンクを越えることを防止できる。したがって、第2バンクの欠陥箇所において隣接するインク同士の接触が発生しても、欠陥箇所に隣接する画素では混色が発生するが、第1バンクを超えて混色が広がることを防止することができる。
また、リペア材は、第1バンク上から陽極領域に流れこむことがないため、陽極上にインクが塗布されない領域は発生しない。これにより、陽極と陰極のショートを防ぐことができ、画素の発光不良を防止することができる。
本実施形態の表示装置に適用される表示部の一例を示す平面図。 図1のII−II線に沿った断面図。 バンクの異物を説明するために示す図。 比較例としてのリペア材の配置の一例を示す平面図。 図4のV−V線に沿った断面図。 本実施形態に係るリペア材の配置の一例を示す平面図。 図6のVII−VII線に沿った断面図。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するために示すフローチャート。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を示すものであり、図1のII−II線に沿った断面図。 図9Aに続く製造方法を示す断面図。 図9Bに続く製造方法を示す断面図。 図9Cに続く製造方法を示す断面図。 図9Dに続く製造方法を示す断面図。 図9Eに続く製造方法を示す断面図。 第2の実施形態に適用される表示装置の一例を示す斜視図。 第2の実施形態に係る表示装置の一例を示す斜視図。 本実施形態が適用される表示装置の一例を示す構成図。 図11に示す1つの画素を取り出して示す回路図。
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。図面において、同一部分には同一符号を付している。
図1は、本実施形態の表示装置1に適用される表示部2の一部を示している。
表示部2は、赤(R)、緑(G)、青(B)に対応する複数の画素PXを含んでいる。同色の画素PXは、列方向(図示Y方向)に配置され、異なる色の画素PXは、行方向(図示X方向)に配置されている。
各画素PXは、例えばサブ画素とも言い、赤(R)、緑(G)、青(B)に対応する3つのサブ画素をまとめて画素と呼ぶこともある。ここでは、赤(R)、緑(G)、青(B)に対応するサブ画素を単に画素と呼ぶ。
図1に示す画素PXは、後述する発光素子ELを構成する陽極上に設けられた有機発光材料などを示しており、陰極などは省略している。
表示部2は、所謂ラインバンク方式であり、異なる色の画素PXがライン状の隔壁としての第2のバンク12により仕切られ、同色の画素PXがライン状の第1のバンク11により仕切られている。
第1バンク11は、図示矢印X方向(行方向)に例えばライン状に配置され、ライン状の隔壁としての第2バンク12は、第1バンク11と交差する方向、すなわち、図示矢印Y方向(列方向)に延伸して設けられている。第1バンクは、同色の画素PX間に配置され、第2バンク12は、異なる色の画素PX間に配置されている。
第1バンク11は、R、G、Bに対応する有機発光材料を含むインク13r、13g、13bを塗布する際、インク13r、13g、13bがそれぞれ乗り越えることができる第1の高さH1(図2に示す)を有している。このため、列方向に配置された同色の画素PX間のインクの量を均一化することが可能とされている。
第2バンク12は、インク13r、13g、13bを塗布する際、インク13r、13g、13bが乗り越えられない第1の高さより高い第2の高さH2(図2に示す)を有している。このため、行方向に隣接する画素PX間において、異なる2色のインクが混じることが防止されている。
図2は、図1のII−II線に沿った断面図を示している。
基板21は、例えば基板本体21aと、基板本体21a上に設けられた層間絶縁膜21bを含んでいる。
基板本体21a上には、画素を駆動する複数の薄膜トランジスタ(TFT)(図示せず)などが形成されている。複数のTFTなどは、層間絶縁膜21bにより覆われている。層間絶縁膜21b上には、例えば複数のTFTのソース領域又はドレイン領域の一方に接続された給電端子22が形成されている。
基板21(層間絶縁膜21b)上には、給電端子22を覆う層間絶縁膜23が形成され、層間絶縁膜23の給電端子22と対応する部分には、コンタクトホール24が設けられている。
層間絶縁膜23上及びコンタクトホール24内には、発光素子ELを構成する陽極25が設けられている。すなわち、陽極25は、コンタクトホール24を覆うように設けられた領域25aと、絶縁膜23上に設けられた領域25bからなる。
コンタクトホール24内を含む陽極25の一端部25a上には、ライン状の第1バンク11が設けられている。さらに、層間絶縁膜23上で第1バンク11と交差する方向にライン状の第2バンク12が同色の複数の画素PXに沿って設けられている。第2バンク12はインクに対して撥液性の材料により構成される。
第1バンク11の第1の高さH1は、前述したように、第2バンク12の第2の高さH2より低い。例えばインクジェット法によりヘッド(図示せず)を紙面手前から奥方向に移動させてインク13rを塗布する際、各ノズルから滴下されたインク量に差異があれば、列方向に並んだ各画素に滴下されたインク量に差異が発生することになる。しかし、インク13rは、第1バンク11を乗り越えて列方向に隣接する画素間で移動し、各画素のインク13rの厚みを均一化することができる。このため、各画素の輝度や色度を均一化することが可能である。
(バンクの欠陥の一例)
ところで、図3に示すように、異なる色の画素PX間に設けられた第2バンク12に異物や決壊などの欠陥箇所31が有る場合、欠陥箇所31を通って、隣接する画素PXのインクが移動する。この場合、隣接する画素PXの一方又は両方において、混色が発生する。このため、欠陥箇所31が検出された場合、欠陥箇所31に対応する画素から隣接する画素に混色が広がらないように、バンクが補修される。
具体的には、図4、図5に示すように、第2バンク12の欠陥箇所31が検出された場合、欠陥箇所31に対応する画素PXr、PXgから第2バンク12に沿った方向に隣接する複数の画素に混色が広がらないように、画素PXr、PXgと隣接する例えば4つの第1バンク11が補修される。
すなわち、欠陥箇所31に対応する画素PXrと列方向(第2バンク12に沿った方向)に隣接する画素PXr−1と画素PXr+1との間の2つの第1バンク11上、及び欠陥箇所31に対応する画素PXgの列方向に隣接する画素PXg−1と画素PXg+1との間の2つの第1バンク11上にリペア材32が配置される。しかし、必要なリペア材32の量に対して配置される第1バンク11の面積が狭い場合や、第1バンク11の行方向の幅が狭い場合、図5に破線で示すように、リペア材32aが陽極25上に溢れる。この場合、リペア材32の撥液性によりリペア材32a近傍の陽極25上に発光層としてのインクを塗布することができなくなるため、画素は発光不良(滅点)となる。
(第1の実施形態)
本実施形態は、リペア材がバンク上から陽極25上に溢れることを抑制し、補修したバンクで区画される画素の発光不良を防止するとともに、リペア材によってリペア箇所の撥液性を担保することにより、混色が広がることを抑制する。
具体的には図6、図7に示すように、第2バンク12の欠陥箇所31が検出された場合、欠陥箇所31に対応する画素PXr、PXgから第2バンク12に沿った方向に隣接する複数の画素に混色が広がらないように、上記と同様に画素PXr、PXgと隣接する例えば4つの第1バンク11が補修される。
この場合、4つの第1バンク11上にリペア材33が数滴ずつドット状に配置される。各リペア材33は、後述するように、撥液性を有する材料により構成され、図7に示すように、第1バンク11上にドット状に配置された状態において、その表面張力により半球状となる。このため、各リペア材33間は間隙34を有している。ここで、半球状とは、球の半分の形状に限定されるものではなく、ドット状の各リペア材33が連続することなく間隔34を有している形状をいう。
また、複数のリペア材33は、第1バンク11の行方向に一列形成しても良いし、2列以上形成しても良い。
複数のリペア材33において、各リペア材33の液滴の量は、それぞれ異なっていてもよい。例えば行方向に3列にリペア材33を配置する場合、画素PXr−1、PXg+1との境界に位置するリペア材33は、画素PXr−1、PXg+1へ溢れ出ることを防止し、画素PXr−1、PXg+1に塗布されるインクの膜厚の適正化を図るため、中央の列のリペア材33の量より少なくてもよい。
あるいは、3列のリペア材33のうち、中央の列のリペア材33は、コンタクトホール24内において、3列のリペア材33の高さを揃えるため、両側のリペア材33より、量を多くてもよい。リペア材33は、撥液性を有しているが、3列のリペア材33の高さを揃えることにより、コンタクトホール24内に画素のインクが残ることを防止できる。
各リペア材33は、後述するように、例えば針を用いた針塗布法やディスペンス法、インクジェット法などを用いて配置される。しかし、リペア材33の塗布方法は、これに限定されるものではなく、他の配置方法を用いることも可能である。
図8、図9A乃至図9Fを用いて、表示部2の製造方法について説明する。
先ず、図9Aに示すように、基板本体21a上には、前述した複数のTFTなど(図示せず)が形成される(S11)。ここでは、TFTの内、有機発光素子の陽極に接続される給電端子22のみを表示している。
基板本体21aは、例えば無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂などの絶縁性材料により形成される。
次いで、図9Bに示すように、基板21(層間絶縁膜21b)上に層間絶縁膜23が形成され、層間絶縁膜23に給電端子22の一部を露出するコンタクトホール24が形成される(S12)。
層間絶縁膜23は、例えばポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂などの絶縁性材料により形成される。
この後、図9Cに示すように、層間絶縁膜23上及びコンタクトホール24内に陽極25が形成される(S13)。すなわち、陽極25は、コンタクトホール24を覆うように設けられた領域25aと、絶縁膜23上に設けられた領域25bからなる。また、陽極25は、層間絶縁膜23上において、画素毎に分離して形成される。
陽極25は、光の反射率が比較的高い導電性材料であることが好ましい。このため、例えばアルミニウム(Al)、アルミニウム合金、銀(Ag)、銀合金、モリブデン(Mo)などの材料が適用される。
次いで、図9Dに示すように、コンタクトホール24に対応する陽極25上で、陽極25の並び方向と交差する方向に第1バンク11が形成される(S14)。すなわち、第1バンク11は、コンタクトホール24及び陽極25の両端部を覆うように形成される。第1バンク11は、後述する有機発光材料を含むインクを塗布する際、インクが乗り越えて同色の画素間で移動可能な第1の高さH1を有している。
第1バンク11は、絶縁性材料であり、具体的には、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラックフェノール樹脂等の材料により形成される。
次に、図9Eに示すように、第1バンク11と交差して、ライン状の第2バンク12が形成される(S15)。第2バンク12は、第1バンク11より高い第2の高さH2を有し、並行する2つの第1バンク11及び2つの第2バンク12により、1つの画素が区画される。第2バンク12を設けることにより、後述するインクを塗布する際、異なる色の画素間でインクの混色が生じることを防止できる。
第2バンク12は、例えば熱硬化型の樹脂、又は紫外線硬化型の樹脂を適用することが可能である。熱硬化型の樹脂としては、例えばアクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する樹脂が適用可能である。また、第2バンク12は、塗布するインクに対して撥液性を保つように、フッ素を含んだ感光性材料をフォトリソグラフィー法で形成するか、又は、樹脂系の材料をドライエッチなどでフッ素化して形成する方法がある。
第2バンク12が形成された後、第1バンク11及び第2バンク12の欠陥が検査される(S16)。すなわち、基板21上に形成された第1バンク11及び第2バンク12の平面(上面)画像が撮影され、撮影された平面画像の欠陥が検査される。この結果、図3に示すように、例えば第2バンク12に異物などの欠陥箇所31が検出された場合、欠陥箇所31に対応する画素PXr、PXgから第2バンク12に沿った方向に隣接する複数の画素PXr−1、PXg−1、PXr+1、PXg+1に混色が広がらないように、画素PXr、PXgと隣接する例えば4つの第1バンク11が補修される。
すなわち、欠陥箇所31に対応する画素PXrと列方向に隣接する画素PXr−1と画素PXr+1との間の2つの第1バンク11、及び欠陥箇所31に対応する画素PXgの列方向に隣接する画素PXg−1と画素PXg+1との間の2つの第1バンク11が補修される。
図9Fに示すように、例えば第2バンク12に欠陥箇所31が検出された場合、図3に示す画素PXr、PXgと隣接する例えば4つの第1バンク11上にリペア材33が配置される(S17)。
すなわち、欠陥箇所31に対応する画素PXrと列方向に隣接する画素PXr−1と画素PXr+1との間の2つの第1バンク11上、及び欠陥箇所31に対応する画素PXgの列方向に隣接する画素PXg−1と画素PXg+1との間の2つの第1バンク11上にリペア材33が配置される。
具体的には、図9Fに示すように、例えば針35の先端にリペア材33が保持され、針35に保持されたリペア材33が第1バンク11の表面に配置される。複数のリペア材33は、第1バンク11の行方向に一列形成しても良いし、2列以上形成しても良い。このようにリペア材33が陽極25上へ溢れ出ることなく、リペア材33が第1バンク11の表面に配置される。
図9Fに示すように、針35を用いてリペア材33を配置することにより、リペア材33がドット状となる。このため、図5に示すように、リペア材32を隣接する第2バンク12(図示せず)間に連続して配置する場合と比較して、リペア材32とリペア材33の表面積が同程度である場合、第1の実施形態の方がリペア材33の体積をより小さくできる。したがって、第1の実施形態の場合、リペア材33が、図5に示すリペア材32のように、陽極25上へ溢れ出ることを防止できる。
リペア材33は、塗布されるインクに対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂を含む樹脂により構成されている。具体的には、光や熱で硬化させることが可能な樹脂、例えばポリイミドやアクリル、又はアクロイル基、アリル基、ビニル基などを有する樹脂にフッ素を導入したフッ化ポリマーなどの樹脂材料を適用することが可能である。しかし、リペア材33の材料は、これに限定されるものではない。
第1バンク11の表面にほぼ一定の間隔を空けて配置された各リペア材33は、その表面張力により半球状のドットとなり、各リペア材33の相互間に間隙34が形成される。このため、半球状の複数のリペア材33の列は、リペア材を図5に示すように、図示せぬ隣接する第2バンク12間に連続して配置する場合と比べて、体積を同じとした場合に大きな表面積を得ることができる。したがって、有機発光材料を含むインクを塗布する際、インクの撥液性を高く保持でき、第1バンク11に形成されたリペア材33をインクが乗り越えることを防止できる。
尚、画素を区画する一辺において、各画素内のインクをバンクに閉じ込める能力は、その領域にある撥液性材料(材料が同じとして)の表面積に比例する。このため、各画素内のインクをバンクに閉じ込めるために必要なリペア材の表面積を確保するために、図5に示すように、リペア材32を隣接する第2バンク12間に連続して配置する場合と比較して、リペア材33を複数のドット列とするほうが、リペア材33の体積は、少なくて済む。したがって、第1バンク11の上の限られた面積に配置するリペア材33の体積を削減できるため、リペア材33が第1バンク11の上から画素内に流れ込むことを防止しつつ、インクをバンク内に閉じ込める機能を果たすことが可能である。
複数のリペア材33の間隔は、必ずしも一定である必要はなく、リペア材33同志が接触しない程度に離れていればよい。
リペア材33を第1バンク11上に配置した後、リペア材33が硬化される(S18)。すなわち、リペア材33にのみスポット的に紫外線が照射され、リペア材33のみが硬化される。尚、リペア材33の材料によっては、紫外線照射は不要である。
次いで、熱処理により、リペア材33が焼成される(S19)。
この後、例えばインクジェット法により、第2バンク12の相互間に各画素の色に対応する有機発光材料としてのインク13r、13g、13bが塗布される(S20)。インク13r、13g、13bは、例えば有機材料に溶媒を混合した材料を適用することが可能である。
この際、図6に示すように、画素PXr−1と画素PXrとの間の複数のリペア材33、画素PXrと画素PXr+1との間の複数のリペア材33、画素PXg−1と画素PXgとの間のリペア材33、及び画素PXgと画素PXg+1との間の複数のリペア材33により、欠陥箇所31により赤(R)と緑(G)が混色した画素PXrのインクが画素PXr−1、PXr+1に進入することが防止され、赤(R)と緑(G)が混色した画素PXgのインクが画素PXg−1、PXg+1に進入することが防止される。したがって、画素PXrと画素PXgの少なくとも一方に生じた混色が隣接する複数の画素に拡大することを防止できる。
(第1の実施形態の効果)
上記第1の実施形態によれば、第1バンク11上にドット状に配置された複数のリペア材33は、半球状の表面を有しているため、画素PXr内と画素PXg内のインクを第1バンク11の位置で閉じ込めるために必要なリペア材33の表面積を確保して、図5に示すように、リペア材32を隣接する第2バンク12間に連続して配置した場合に比べて、リペア材33の体積を削減することができる。このため、リペア材33が第1バンク11上から陽極25上に溢れ出ることを防止でき、混色が第1バンク11を超えて隣接する複数の画素に拡大することを防止できる。したがって、画素の発光不良を防止することが可能である。
さらに、第1バンク11上に配置されたドット状の複数のリペア材33は、第1バンク11の幅方向に張出すことがない。このため、リペア材33が画素PXr−1、PXr+1、及び画素PXg−1、PXg+1に塗布されるインクに影響を与えることを防止できる。したがって、画素PXr−1、PXr+1、及び画素PXg−1、PXg+1の発光特性が、リペアと関係しない他の画素の発光特性と差異が生じることを防止することが可能である。
(第2の実施形態)
上記第1の実施形態は、ライン状のバンクに生じた欠陥による混色の拡大防止について説明した。しかし、これに限定されるものではなく、例えば格子状のバンクにより画素を囲む所謂ピクセルバンクに、第1の実施形態を適用することも可能である。
図10Aは、第2の実施形態に適用されるピクセルバンクの一例を示している。
基板21内には、図示せぬ複数のTFTが形成されている。基板21上には、複数の第1バンク41が設けられ、複数の第1バンク41と交差して第2の高さを有する複数の第2バンク42が設けられている。複数の第1バンク41と複数の第2バンク42とにより、複数の画素PXが区画される。各画素PX内の基板21上に図示せぬ陽極(図示せず)が設けられ、陽極上に有機発光材料としてのインクが塗布される。図10Aでは、第1バンク41と第2バンク42の高さは等しいが、異なっていてもよい。
第1バンク41及び第2バンク42が形成された後、第1バンク41及び第2バンク42の欠陥が検出される。この結果、例えば第2バンク42の欠陥箇所51が検出された場合、この欠陥箇所51が補修される。
具体的には、図10Bに示すように、欠陥箇所51に複数のリペア材33が一定の間隔を空けてドット状に配置される。複数のリペア材33の材料、及び配置方法は、第1の実施形態と同様である。ドット状に配置された複数のリペア材33は、撥液性を有し、半球状に形成される。このため、第1の実施形態と同様に、複数のリペア材33は、図5に示すように、リペア材32を第2バンク12に連続して配置する場合に比べて大きな表面積を有している。
尚、複数のリペア材33において、各リペア材33の液滴の量は、第1実施形態と同様に、それぞれ異なっていてもよい。例えば欠陥箇所51の最も深い箇所に配置されるリペア材33の量を、欠陥箇所51の浅い箇所に配置されるリペア材33の量よりも多くすることにより、各リペア材33の高さを揃えることができる。このように、各リペア材33の液滴の量を調整することにより、欠陥箇所51の形状に応じて、欠陥箇所51を適正に補修することが可能である。
また、ドット状に塗布された複数のリペア材33は、リペア材33を連続的且つ平坦に配置する場合に比べて、塗布量を削減できる。このため、リペア材33が画素内の図示せぬ陽極上に溢れ出ることを防止できる。したがって、画素の発光不良を防止することが可能である。
複数のリペア材33は、その後、焼成され、さらに、各画素に有機発光材料としてのインクが塗布される。インクは、例えばインクジェット法により塗布される。
尚、上記例では、第2バンク42に生じた欠陥箇所51を補修する場合について説明したが、これに限らず、第1バンク41に生じた欠陥箇所も同様に補修することが可能である。
(第2の実施形態の効果)
上記第2の実施形態によれば、第2バンク42に欠陥箇所51がある場合、欠陥箇所51に撥液性を有する複数のリペア材33が一定の間隔でドット状に設けられ、欠陥箇所51が補修される。このため、各画素PXにインクを塗布する際、リペア材33により、インクが欠陥箇所51を越えて隣接する画素に流れ込むことを防止できる。したがって、混色が発生することを防止できる。
また、欠陥箇所51に配置されたドット状の複数のリペア材33は、リペア材33を連続的且つ平坦に配置する場合に比べて、リペア材33の量を削減できる。このため、リペア材33が陽極上へ溢れ出すことを防止でき、画素の発光不良を防止できる。
さらに、第2バンク42の欠陥箇所51に配置されたドット状の複数のリペア材33は、第2バンク42の形状に殆んど変化を与えない。特に、複数のリペア材33は、第2バンク42の幅方向に張出すことがない。このため、各画素PXにインクを塗布する際、リペア材33がインクの塗布を遮断することを防止できる。したがって、各画素PXに塗布されるインクの量に影響を与えることがないため、画素の発光不良を防止することが可能である。
(本実施形態が適用される表示装置)
図11は、本実施形態が適用される表示装置1の一例を概略的に示している。表示装置1は、例えば有機EL素子を有するアクティブマトリクス型の表示装置である。
表示装置1は、前述した表示部2と、表示部2の周辺に設けられた第1走査線駆動回路3、第2走査線駆動回路4、データ線駆動回路5、制御回路6、電源回路7を含んでいる。
表示部2は、行列状に配置された複数の画素PXを含んでいる。行方向に配置された複数の画素PXは、第1走査線駆動回路3に接続された複数の第1走査線WL(WL1〜WLm)と、第2走査線駆動回路4に接続された複数の第2走査線RL(RL1〜RLm)に接続されている。行方向と交差する列方向に配置された複数の画素は、データ線駆動回路5に接続された複数のデータ線DL(DL1〜DLn)に接続されている。ここで、m、nは自然数である。
第1走査線駆動回路3は、各第1走査線WLmに対して、書き込み走査信号WSを順次供給する。これにより、行方向に配置された複数の画素PXが順次選択される。
第2走査線駆動回路4は、第1走査線駆動回路3により供給される書き込み走査信号WSと同期して、第2走査線RLに駆動走査信号AZを供給する。これにより、画素PXの発光動作及び消光動作が制御される。
データ線駆動部5は、データ線DLに対して、例えば信号電圧Vsigと、基準電圧Vofsとを選択的に供給する。信号電圧Vsigは、映像信号の輝度に応じた信号の電圧である。基準電圧Vofsは、信号電圧の基準となる電圧であり、例えば黒レベルを示す信号の電圧に相当する。
制御回路6は、外部信号源から供給される外部信号に基づいて、第1走査線駆動回路3、第2走査線駆動回路4、データ線駆動回路5を駆動するために必要な各種信号を生成する。電源回路7は、第1走査線駆動回路3、第2走査線駆動回路4、データ線駆動回路5、制御回路6に電源を供給する。
図12は、画素PXの駆動回路の一例を概略的に示している。しかし、駆動回路は、これに限定されるものではない。
画素PXは、書き込みトランジスタTr1、駆動トランジスタTr2、リセットトランジスタTr3、容量素子Cs、発光素子ELを備えている。書き込みトランジスタTr1、駆動トランジスタTr2、リセットトランジスタTr3は、例えば薄膜トランジスタ(TFT)である。薄膜トランジスタとしては、ボトムゲート型トランジスタ、トップゲート型トランジスタのいずれかを適用することが可能である。
書き込みトランジスタTr1は、ゲート電極が第1走査線WLmに接続され、ソース/ドレイン電極の一方がデータ線DLnに接続され、他方が容量素子Csの第1の電極と駆動トランジスタTr2のゲート電極とに接続されている。
駆動トランジスタTr2のソース/ドレイン電極の一方は、電源電圧Vccが供給される配線に接続され、他方は、発光素子ELの陽極(例えば図2、9Fに示す25)、容量素子Csの第2の電極、及びリセットトランジスタTr3のソース/ドレイン電極の一方に接続されている。発光素子ELの陰極には、陰極(カソード)電圧Vcathが供給されている。
リセットトランジスタTr3のゲート電極は、第2走査線RLmに接続され、ソース/ドレイン電極の他方は、固定電圧Viniが供給される配線に接続されている。
表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他の表示装置を有する電子機器に適用することが可能である。
1…表示装置、2…表示部、PX…画素、21…基板、11、41…第1バンク、12、42…第2バンク、31、51…欠陥箇所、33…リペア材。

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられた複数の第1バンクと、
    前記第1バンクと交差して配置され、前記第1バンクと共に複数の画素を仕切る複数の第2バンクと、
    複数の前記画素のうち、前記第2バンクの欠陥箇所に対応する画素の両側に位置し、前記欠陥箇所を含む前記第2バンクと隣り合う第2バンクとの間に位置する前記第1バンク上にそれぞれ設けられた撥液性を有する複数のリペア材と、
    を具備し、
    前記複数のリペア材は間隔を空けて、ドット状に設けられることを特徴とする表示装置。
  2. 複数の前記第1バンクは第1の高さを有し、複数の前記第2バンクは、前記第1の高さより高い第2の高さを有し、複数の前記画素に沿ったライン状であることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
  3. 前記複数のリペア材のうち、少なくとも1つは半球状であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記複数のリペア材は、前記第1バンクの上にそれぞれ2列以上形成されることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7240624B2 (ja) * 2018-12-07 2023-03-16 大日本印刷株式会社 表示装置形成用基板、表示装置及び表示装置の製造方法
JP7257032B2 (ja) * 2019-02-08 2023-04-13 株式会社Joled 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076725A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Toppan Printing Co Ltd インキ吐出印刷物の修正方法
KR100927296B1 (ko) 2007-05-28 2009-11-18 파나소닉 주식회사 유기 el 디바이스 및 표시장치
JP5167932B2 (ja) * 2008-05-01 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2010013654A1 (ja) 2008-07-30 2010-02-04 旭硝子株式会社 隔壁と画素が形成された基板を製造する方法
WO2012004823A1 (ja) 2010-07-05 2012-01-12 パナソニック株式会社 有機el表示パネルとその製造方法
KR20150084458A (ko) * 2014-01-14 2015-07-22 삼성전기주식회사 터치 패널
JP6205664B2 (ja) 2014-02-10 2017-10-04 株式会社Joled バンクの補修方法、有機el表示装置及びその製造方法、
JP6214019B2 (ja) * 2014-03-07 2017-10-18 株式会社Joled バンクの補修方法、有機el表示装置およびその製造方法
US10243176B2 (en) 2014-09-24 2019-03-26 Joled Inc. Method for manufacturing organic EL display device and organic EL display device
JP2016071992A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Joled 有機el表示装置の製造方法
JP6649714B2 (ja) * 2015-08-04 2020-02-19 株式会社Joled バンク補修方法、有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置

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