JP2016091841A - 有機発光デバイスと有機表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機機能膜の形成不良の発生を抑制し、高い発光性能を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を提供する。【解決手段】表示パネルのサブピクセルでは、Ｚ軸方向において、アノード１０３、ホール注入層１０４、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、カソードが順に積層されている。表示パネルにおいて、隣り合うサブピクセル同士は、それぞれＹ軸方向に延伸する複数の第1バンク１０５と、それぞれＸ軸方向に延伸する複数の第2バンク１１５とにより規定されている。有機発光層を含む有機機能層は、隣り合う第1バンク１０５同士の間にライン状に形成されている。第2バンク１１５の表面部のフッ素濃度は、第1バンク１０５の表面部のフッ素濃度に対して、１０％未満である。【選択図】図６
Description
本発明は、有機発光デバイスと有機表示装置に関し、特に、発光部を規定するバンクの構成に関する。
近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルや有機ＥＬ照明などの有機発光デバイスの開発が行われている（特許文献１）。従来技術に係る有機ＥＬパネルの構成について、図９（ａ）を用い説明する。
図９（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＥＬパネルは、基板９００の主面（Ｚ軸方向上側の主面）にＴＦＴ層９０１および絶縁層９０２が順に積層されている。そして、絶縁層９０２上には、発光部としてのサブピクセルを単位として、アノード９０３およびホール注入層９０４が順に積層形成されている。絶縁層９０２上であって、Ｙ軸方向におけるアノード９０３およびホール注入層９０４のエッジを含む間隙部分には、Ｘ軸方向に延伸する第２バンク９１５が形成されている。また、同じく絶縁層９０２上であって、第２バンク９１５に対して交差する状態で、Ｙ軸方向に延伸する第１バンク９０５が形成されている。
図９（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＥＬパネルは、基板９００の主面（Ｚ軸方向上側の主面）にＴＦＴ層９０１および絶縁層９０２が順に積層されている。そして、絶縁層９０２上には、発光部としてのサブピクセルを単位として、アノード９０３およびホール注入層９０４が順に積層形成されている。絶縁層９０２上であって、Ｙ軸方向におけるアノード９０３およびホール注入層９０４のエッジを含む間隙部分には、Ｘ軸方向に延伸する第２バンク９１５が形成されている。また、同じく絶縁層９０２上であって、第２バンク９１５に対して交差する状態で、Ｙ軸方向に延伸する第１バンク９０５が形成されている。
隣り合う第１バンク９０５同士の間の溝部分には、ホール輸送層９０６、有機発光層９０７、電子輸送層９０８などの有機機能膜が積層形成されている。電子輸送層９０８上および第１バンク９０５の頂面部を覆うように、カソード９０９および封止層９１０が順に積層形成されている。
なお、図９（ａ）では図示を省略しているが、封止層９１０の上には、樹脂層を介してカラーフィルタパネルが積層形成されている。
なお、図９（ａ）では図示を省略しているが、封止層９１０の上には、樹脂層を介してカラーフィルタパネルが積層形成されている。
しかしながら、本発明者等は、従来技術に係る有機発光デバイスにおいて、第２バンク９１５上でホール輸送層９０６や有機発光層９０７などからなる有機機能膜の形成不良が生じる場合があることを究明した。具体的には、図９（ｂ）に示すように、第２バンク９１５の表面９１５ｆの一部において、ホール輸送層９０６が形成されないことが生じ得ることがある。また、図示を省略しているが、有機発光層９０７についても同様に形成不良を生じることがある。
このような第２バンク９１５上における有機機能膜の形成不良は、その両側における発光部での有機機能膜（ホール輸送層９０６や有機発光層９０７など）の膜厚および膜形状の不良に繋がり、発光性能の低下をもたらすことがある。
本発明は、上記のような課題の解決を図ろうとなされたものであって、隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機機能膜の形成不良の発生を抑制し、高い発光性能を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記のような課題の解決を図ろうとなされたものであって、隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機機能膜の形成不良の発生を抑制し、高い発光性能を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなるデバイスである。複数の発光部の各々は、基板の前記主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、次のような部位が積層されてなる。
第１電極；基板の上方に配置されている。
有機機能層；第１電極上に配置され、少なくとも有機発光層を含んでいる。
第１電極；基板の上方に配置されている。
有機機能層；第１電極上に配置され、少なくとも有機発光層を含んでいる。
第２電極；有機機能層上に配置されている。
また、複数の発光部の各々は、複数の第１バンクおよび複数の第２バンクを以って規定されている。
複数の第１バンクは、基板の主面に沿った方向における一の方向である第２方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、第２方向に対し交差する第３方向に互いが離間して配置されている。
また、複数の発光部の各々は、複数の第１バンクおよび複数の第２バンクを以って規定されている。
複数の第１バンクは、基板の主面に沿った方向における一の方向である第２方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、第２方向に対し交差する第３方向に互いが離間して配置されている。
複数の第２バンクは、第３方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、第２方向に互いが離間して配置されている。
本態様において、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれが絶縁材料からなるとともに、少なくとも有機機能層の側の表面部にフッ素を含有し、且つ、互いの交差部分において、第１バンクが第２バンク上に積層されている。そして、第２バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度は、第１バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度に対して、１０％未満である。
本態様において、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれが絶縁材料からなるとともに、少なくとも有機機能層の側の表面部にフッ素を含有し、且つ、互いの交差部分において、第１バンクが第２バンク上に積層されている。そして、第２バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度は、第１バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度に対して、１０％未満である。
上記態様に係る有機発光デバイスでは、第2バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度を、第1バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度に対して、１０％未満に規定しているので、第1バンクの延伸方向に沿って隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機機能層の形成不良の発生を抑制することができ、高い発光性能を有する。
［本発明者等の検討事項］
本発明者等が本発明の各態様を推考するに当たり検討した事項について、引き続き図９（ｂ）を用い説明する。
第2バンク９１５は、隣り合うアノード９０３同士の短絡を防止し、また、アノード９０３におけるエッジ部分での電界発光を防止する役割を担う。
本発明者等が本発明の各態様を推考するに当たり検討した事項について、引き続き図９（ｂ）を用い説明する。
第2バンク９１５は、隣り合うアノード９０３同士の短絡を防止し、また、アノード９０３におけるエッジ部分での電界発光を防止する役割を担う。
しかしながら、図９（ｂ）に示すように、従来技術に係る有機ＥＬパネル（有機発光デバイス）では、第2バンク９１５の表面９１５ｆの一部でホール輸送層（有機層）９０６が形成されない、所謂、未濡れが発生する場合がある。これについて、本発明者等は、未濡れの発生原因として、第1バンク９０５の表面部の接触角に対する、第2バンク９１５の表面部の接触角の関係に大きく影響を受けるものであるとの結論に至った。より具体的には、第2バンク９１５の表面部でのフッ素濃度と第1バンク９０５の表面部でのフッ素濃度との関係が重要であることを見出した。
［本発明の各態様］
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなるデバイスである。複数の発光部の各々は、基板の前記主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、次のような部位が積層されてなる。
第１電極；基板の上方に配置されている。
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなるデバイスである。複数の発光部の各々は、基板の前記主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、次のような部位が積層されてなる。
第１電極；基板の上方に配置されている。
有機機能層；第１電極上に配置され、少なくとも有機発光層を含んでいる。
第２電極；有機機能層上に配置されている。
また、複数の発光部の各々は、複数の第１バンクおよび複数の第２バンクを以って規定されている。
複数の第１バンクは、基板の主面に沿った方向における一の方向である第２方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、第２方向に対し交差する第３方向に互いが離間して配置されている。
第２電極；有機機能層上に配置されている。
また、複数の発光部の各々は、複数の第１バンクおよび複数の第２バンクを以って規定されている。
複数の第１バンクは、基板の主面に沿った方向における一の方向である第２方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、第２方向に対し交差する第３方向に互いが離間して配置されている。
複数の第２バンクは、第３方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、第２方向に互いが離間して配置されている。
本態様において、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれが絶縁材料からなるとともに、少なくとも有機機能層の側の表面部にフッ素を含有し、且つ、互いの交差部分において、第１バンクが第２バンク上に積層されている。そして、第２バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度は、第１バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度に対して、１０％未満である。
本態様において、第１バンクおよび第２バンクは、それぞれが絶縁材料からなるとともに、少なくとも有機機能層の側の表面部にフッ素を含有し、且つ、互いの交差部分において、第１バンクが第２バンク上に積層されている。そして、第２バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度は、第１バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度に対して、１０％未満である。
この態様に係る有機発光デバイスでは、第2バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度を、第1バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度に対して、１０％未満に規定しているので、第1バンクの延伸方向に沿って隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機機能層の形成不良の発生を抑制することができ、高い発光性能を有する。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、第２バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度が、第１バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素含濃度に対して、７．５％未満である。このように、第2バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度を、第1バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度に対して、７．５％未満に規定することによって、第1バンクの延伸方向に沿って隣り合う発光部同士の間の間隙領域での有機機能層の形成不良の発生をさらに効果的に抑制することができ、より高い発光性能を有する。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、複数の発光部の各々において、第１電極と有機機能層との間に電荷注入層が配置されており、当該電荷注入層が有機機能層と接触している構成を有する。そして、第２バンクにおける有機機能層の側の表面部でのフッ素濃度が、電荷注入層における有機機能層の側の表面部に存在するフッ素の濃度に対して、４００％未満である。換言すると、第2バンクにおける上記表面部でのフッ素濃度に対する、電荷注入層における上記表面部に存在するフッ素の濃度の比率が、１／４よりも大きい。
このように、電荷注入層の上記表面部でのフッ素濃度と、第２バンクの上記表面部でのフッ素濃度との関係を規定することにより、電荷注入層および第２バンクの上に対して連続的に有機膜を形成する際のインクの未濡れ発生を防止することができ、また、電荷注入層上と第２バンク上との相対的な有機膜の形態の違い発生を抑制することができる。これより、隣り合う発光部間での有機膜の膜厚を含む膜形態の均一性を確保する上で優れる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、第２バンクが有機材料からなり、第2バンクと有機機能層および第1バンクとの間の少なくとも一部には、無機材料からなり、第2バンクおよび有機機能層および第1バンクに接触する無機層が配置されている。即ち、第２バンクの表面部の少なくとも一部が、無機層により被覆されている。このように、第２バンクの表面部の少なくとも一部を無機層で被覆してなる構成を採用すれば、第１バンクの形成に際して、第２バンクに含まれるフッ素が第２バンク同士の間に露出する下地層（第１電極あるいは電荷注入層）の表面部に拡散して（染み出して）しまうことを防止できる。よって、この構成を採用する場合には、有機機能層の形成に際して、下地層の表面部におけるインクの未濡れを防止でき、下地層上における有機機能層の形成もさらに良好に行うことができる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、無機層の構成材料として、シリコン酸化物またはシリコン窒化物またはシリコン酸窒化物を採用することができる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、第２バンクの厚みが０．８０μｍ以下である。このように、第2バンクの厚みを０．８０μｍ以下に規定することにより、有機機能層の形成時におけるインクの未濡れの発生を効果的に抑制することができる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、第２バンクの厚みが０．８０μｍ以下である。このように、第2バンクの厚みを０．８０μｍ以下に規定することにより、有機機能層の形成時におけるインクの未濡れの発生を効果的に抑制することができる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、第1バンクの高さが第2バンクよりも高く、且つ、０．５０μｍ以上１．１μｍ以下である。これにより、有機機能層の高い層厚均一性を確保することができる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、第１電極では、その各発光部の端縁領域の一部において、基板の主面に沿う平面に対して沿った平坦領域を有し、第２バンクは第１電極における平坦領域の上方も覆っており、第２バンクの厚みが、第１電極における平坦領域の上方部分での厚みである。このように、第2バンクの厚みを規定する領域を明確化することができる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様に係る構成において、第１電極では、その各発光部の端縁領域の一部において、基板の主面に沿う平面に対して沿った平坦領域を有し、第２バンクは第１電極における平坦領域の上方も覆っており、第２バンクの厚みが、第１電極における平坦領域の上方部分での厚みである。このように、第2バンクの厚みを規定する領域を明確化することができる。
また、本発明の一態様に係る有機表示装置は、表示パネルと、これに接続された制御駆動回路部とを備え、表示パネルとして、上記の内の何れかの態様に係る有機発光デバイスのデバイス構造を採用することができる。これにより、本態様に係る有機表示装置では、上記態様に係る有機発光デバイスが奏する効果をそのまま奏することができる。
［実施の形態］
以下では、図面を参酌しながら、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について説明する。
［実施の形態］
以下では、図面を参酌しながら、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について説明する。
１．装置の概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１および図２を用い説明する。なお、本実施の形態では、有機ＥＬ表示装置１を、有機表示装置の一例として採用している。
図１に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機発光デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１および図２を用い説明する。なお、本実施の形態では、有機ＥＬ表示装置１を、有機表示装置の一例として採用している。
図１に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機発光デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
図２に示すように、表示パネル１０では、複数のサブピクセル（副画素部）１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2，・・が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に二次元配置されている。本実施の形態では、一例として、サブピクセル１０ａが赤色光（Ｒ光）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｂが緑色光（Ｇ光）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2が青色光（Ｂ光）を出射する発光部である。そして、Ｘ軸方向に隣接する３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１つのピクセル（画素部）が構成されている。
図１に戻って、有機ＥＬ表示装置１における駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と１つの制御回路２５とから構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１における表示パネル１０と駆動・制御回路部２０との配置関係については、図１に示す形態に限定されない。
また、ピクセルの構成については、図２に示すような３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせからなる形態に限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１つのピクセルが構成されることとしてもよい。
また、ピクセルの構成については、図２に示すような３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせからなる形態に限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１つのピクセルが構成されることとしてもよい。
２．表示パネル１０の構成
本実施の形態において、有機発光デバイスの一例として採用する表示パネル１０の構成について、図３および図４を用い説明する。
図３に示すように、表示パネル１０は、２枚の基板１００，１１４と、その間に形成された複数の層１０１〜１１３などから構成されている。
本実施の形態において、有機発光デバイスの一例として採用する表示パネル１０の構成について、図３および図４を用い説明する。
図３に示すように、表示パネル１０は、２枚の基板１００，１１４と、その間に形成された複数の層１０１〜１１３などから構成されている。
先ず、Ｚ軸方向下側に配された基板１００の主面上には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１０１が形成されている。図３などでは、詳細な図示を省略しているが、公知の構成を有するＴＦＴ層であって、１つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2当たり、１つあるいは２つ以上のトランジスタ素子部が形成されている。
ＴＦＴ層１０１上には、絶縁層１０２を介してアノード１０３およびホール注入層１０４がＺ軸方向下方から順に積層形成されている。アノード１０３およびホール注入層１０４は、サブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2単位で形成されている。
図４に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃ1，１０ｃ2間の非発光領域においては、その一方のサブピクセル（図４では、サブピクセル１０ｃ2）におけるアノード１０３とＴＦＴ層１０１のソースまたはドレインとの接続のためのコンタクトホール１０２ａが絶縁層１０２に開けられている。アノード１０３とＴＦＴ層の上部電極（ソースまたはドレインに接続された電極）とは、コンタクトホール１０２ａの底部分で、互いに接続されている。
図４に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃ1，１０ｃ2間の非発光領域においては、その一方のサブピクセル（図４では、サブピクセル１０ｃ2）におけるアノード１０３とＴＦＴ層１０１のソースまたはドレインとの接続のためのコンタクトホール１０２ａが絶縁層１０２に開けられている。アノード１０３とＴＦＴ層の上部電極（ソースまたはドレインに接続された電極）とは、コンタクトホール１０２ａの底部分で、互いに接続されている。
図３に戻って、絶縁層１０２上およびホール注入層１０４のＸ軸方向両縁部を覆うように、第１バンク１０５が形成されている。第１バンク１０５は、紙面に垂直な方向（Ｙ軸方向）にそれぞれが延伸し、Ｘ軸方向において、サブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2を規定する。
図４に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃ1，１０ｃ2間の非発光領域においては、アノード１０３およびホール注入層１０４のＹ軸方向両縁部を覆うように、第２バンク１１５が形成されている。図４に示すように、第２バンク１１５は、その一部がコンタクトホール１０２ａの内方にも埋め込まれた状態となっている。
図４に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃ1，１０ｃ2間の非発光領域においては、アノード１０３およびホール注入層１０４のＹ軸方向両縁部を覆うように、第２バンク１１５が形成されている。図４に示すように、第２バンク１１５は、その一部がコンタクトホール１０２ａの内方にも埋め込まれた状態となっている。
再度、図３に戻って、第１バンク１０５によりＸ軸方向の両側が規定された開口内には、Ｚ軸方向下方から順に、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８が積層形成されている。本実施の形態では、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、および電子輸送層１０８が、有機機能層として形成されており、図４に示すように、第２バンク１１５の上を跨ぐ状態で、第１バンク１０５に沿ってＹ軸方向に連続的に形成されている。
なお、有機発光層１０７と電子輸送層１０８との間に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物（例えば、ＮａＦ）からなる薄層（例えば、４ｎｍ）と、当該層におけるアルカリ金属またはアルカリ土類金属とフッ素との結合を切断する機能を有するアルカリ金属またはアルカリ土類金属（例えばＢａ）からなる薄層（例えば、１ｎｍ）とを介挿させてもよい。
電子輸送層１０８上および第１バンク１０５の頂面上を覆うように、Ｚ軸方向下方から順に、カソード１０９および封止層１１０が積層形成されている。なお、カソード１０９および封止層１１０は、表示パネル１０の画素領域全体で連続的に形成されている。
一方、Ｚ軸方向上方に配置された基板１１４のＺ軸方向下側の主面には、カラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２が形成されている。封止層１１０とカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２との間は、樹脂層１１１が介挿されており、封止層１１０と樹脂層１１１との間、およびカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２と樹脂層１１１との間は、空隙なく密に接触している。
一方、Ｚ軸方向上方に配置された基板１１４のＺ軸方向下側の主面には、カラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２が形成されている。封止層１１０とカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２との間は、樹脂層１１１が介挿されており、封止層１１０と樹脂層１１１との間、およびカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２と樹脂層１１１との間は、空隙なく密に接触している。
なお、表示パネル１０における他のサブピクセル１０ｂ，１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2についても、上記同様の構成を有する。
本実施の形態に係る表示パネル１０は、図３に示すように、光が基板１１４を透過して出射されるトップエミッション型のパネルである。
３．表示パネル１０の構成材料
（１）基板１００
基板１００は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
本実施の形態に係る表示パネル１０は、図３に示すように、光が基板１１４を透過して出射されるトップエミッション型のパネルである。
３．表示パネル１０の構成材料
（１）基板１００
基板１００は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
（２）ＴＦＴ層１０１
ＴＦＴ層１０１は、各サブピクセル毎に１または複数のトランジスタ素子部を備え、各トランジスタ素子部は、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。
（３）絶縁層１０２
絶縁層１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
ＴＦＴ層１０１は、各サブピクセル毎に１または複数のトランジスタ素子部を備え、各トランジスタ素子部は、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。
（３）絶縁層１０２
絶縁層１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
また、絶縁層１０２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。
（４）アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
（４）アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
なお、アノード１０３については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（５）ホール注入層１０４
ホール注入層１０４は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
（５）ホール注入層１０４
ホール注入層１０４は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
なお、ホール注入層１０４の構成材料として金属酸化物を用いる場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０７に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
ここで、ホール注入層１０４を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、タングステン酸化物（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
ここで、ホール注入層１０４を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、タングステン酸化物（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
（６）第１バンク１０５
第１バンク１０５は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第１バンク１０５の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。第１バンク１０５は、表面に撥液性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
第１バンク１０５は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第１バンク１０５の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。第１バンク１０５は、表面に撥液性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
さらに、第１バンク１０５の構造については、図３および図４に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
（７）第２バンク１１５
第２バンク１１５は、例えば、有機絶縁材料などを用い形成することができる。有機絶縁材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
（７）第２バンク１１５
第２バンク１１５は、例えば、有機絶縁材料などを用い形成することができる。有機絶縁材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
なお、第２バンク１１５の構成材料として、シリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料を用いることも可能である。
（８）ホール輸送層１０６
ホール輸送層１０６は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（８）ホール輸送層１０６
ホール輸送層１０６は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（９）有機発光層１０７
有機発光層１０７は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０７の形成に用いる材料は、インクジェット法などの湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
有機発光層１０７は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０７の形成に用いる材料は、インクジェット法などの湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
（１０）電子輸送層１０８
電子輸送層１０８は、カソード１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
なお、電子輸送層１０８として、上記のような有機材料に対して、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属（例えば、Ｂａ）がドープされた層を採用することなどもできる。
電子輸送層１０８は、カソード１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
なお、電子輸送層１０８として、上記のような有機材料に対して、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属（例えば、Ｂａ）がドープされた層を採用することなどもできる。
（１１）カソード１０９
カソード１０９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
カソード１０９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
また、カソード１０９を構成する材料として、銀（Ａｇ）やマンガン銀（ＭｇＡｇ）、あるいはその積層体などを採用することもできる。これにより、キャビティ設計に起因して光取り出し効率を高めることもできる。
（１２）封止層１１０
封止層１１０は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
（１２）封止層１１０
封止層１１０は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
さらに、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）の順で積層されてなる積層体を封止層１１０として採用することなどもできる。
封止層１１０は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
封止層１１０は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１３）樹脂層１１１
樹脂層１１１は、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料から形成されている。ただし、構成材料としては、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。
（１４）ブラックマトリクス層１１２
ブラックマトリクス層１１２は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料から構成されている。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
樹脂層１１１は、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料から形成されている。ただし、構成材料としては、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。
（１４）ブラックマトリクス層１１２
ブラックマトリクス層１１２は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料から構成されている。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
（１５）カラーフィルタ層１１３
カラーフィルタ層１１３としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
（１６）基板１１４
基板１１４は、上記基板１００と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。基板１１４についても、プラスチック基板を採用する場合には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れの樹脂を用いてもよい。
カラーフィルタ層１１３としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
（１６）基板１１４
基板１１４は、上記基板１００と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。基板１１４についても、プラスチック基板を採用する場合には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れの樹脂を用いてもよい。
４．第１バンク１０５および第２バンク１１５の形態
第１バンク１０５および第２バンク１１５の形態について、図５および図６を用い説明する。
図５に示すように、複数の第１バンク１０５は、各々がＹ軸方向に延伸し、互いがＸ軸方向に離間した状態で形成されている。
第１バンク１０５および第２バンク１１５の形態について、図５および図６を用い説明する。
図５に示すように、複数の第１バンク１０５は、各々がＹ軸方向に延伸し、互いがＸ軸方向に離間した状態で形成されている。
一方、複数の第２バンク１１５は、各々がＸ軸方向に延伸し、互いがＹ軸方向に離間した状態で形成されている。そして、図６に示すように、第２バンク１１５は、第１バンク１０５との各交差部分において、第１バンク１０５の下を通過している。言い換えると、第１バンク１０５は、各交差部分において、第２バンク１１５上に積層されている。
図５に戻って、第１バンク１０５は、Ｘ軸方向において隣り合うホール注入層１０４およびその下のアノード１０３（図５では図示を省略。）の互いの間の隙間部分に介挿し、各端縁部分を覆う状態で形成されている。第２バンク１１５は、Ｙ軸方向において隣り合うホール注入層１０４およびその下のアノード１０３（図５では図示を省略。）の互いの間の隙間部分に介挿し、各端縁部分を覆う状態で形成されている。
図５に戻って、第１バンク１０５は、Ｘ軸方向において隣り合うホール注入層１０４およびその下のアノード１０３（図５では図示を省略。）の互いの間の隙間部分に介挿し、各端縁部分を覆う状態で形成されている。第２バンク１１５は、Ｙ軸方向において隣り合うホール注入層１０４およびその下のアノード１０３（図５では図示を省略。）の互いの間の隙間部分に介挿し、各端縁部分を覆う状態で形成されている。
図５に示すように、複数の第１バンク１０５と複数の第２バンク１１５とは格子状を成し、各格子内部がサブピクセルに相当する。
第１バンク１０５および第２バンク１１５は、上述のように、絶縁性の有機材料から形成されており、図６に示すように、少なくとも各表面部１０５ｆ，１１５ｆにフッ素を含有する。また、本実施の形態では、ホール注入層１０４の表面部１０４ｆにも僅かにフッ素が存在している。
第１バンク１０５および第２バンク１１５は、上述のように、絶縁性の有機材料から形成されており、図６に示すように、少なくとも各表面部１０５ｆ，１１５ｆにフッ素を含有する。また、本実施の形態では、ホール注入層１０４の表面部１０４ｆにも僅かにフッ素が存在している。
ここで、第１バンク１０５の表面部１０５ｆにおけるフッ素濃度をＤｆ105とし、第２バンク１１５の表面部１１５ｆにおけるフッ素濃度をＤｆ115とするとき、本実施の形態では、次の関係を満足する。
［数１］Ｄｆ115＜Ｄｆ105×０．１０
また、ホール注入層１０４の表面部１０４ｆに存在するフッ素の濃度をＤｆ104とするとき、次の関係を満足する。
［数１］Ｄｆ115＜Ｄｆ105×０．１０
また、ホール注入層１０４の表面部１０４ｆに存在するフッ素の濃度をＤｆ104とするとき、次の関係を満足する。
［数２］Ｄｆ115／Ｄｆ104＜４．００
なお、図６では図示を省略しているが、隣り合う第１バンク１０５で規定される開口部１０５ａに対しては、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８が充填形成される。これについては、図３および図４に示すとおりである。ここで、有機機能層を構成するホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８は、第２バンク１１５の上にも積層され、Ｙ軸方向に途切れることなく連続して形成される。
なお、図６では図示を省略しているが、隣り合う第１バンク１０５で規定される開口部１０５ａに対しては、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８が充填形成される。これについては、図３および図４に示すとおりである。ここで、有機機能層を構成するホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８は、第２バンク１１５の上にも積層され、Ｙ軸方向に途切れることなく連続して形成される。
５．第２バンク１１５の表面部１１５ｆのフッ素濃度Ｄｆ115と有機層の形成良否
第２バンク１１５の表面部１１５ｆのフッ素濃度Ｄｆ１１５と有機層（ホール輸送層１０６）の形成良否について、図７を用い説明する。図７（ａ）は本実施の形態、図７（ｂ）は比較例を示す。
図７（ａ）に示すように、本実施の形態では、第２バンク１１５における表面部１１５ｆのフッ素濃度Ｄｆ115を上記（数１）のように規定しているので、第２バンク１１５のＺ軸方向上方でも有機層（ホール輸送層１０６）が途切れることなく良好な状態で形成される。即ち、製造時において、ホール輸送層１０６用のインクが、第２バンク１１５の表面部１１５ｆで“未濡れ”の状態とならない。
第２バンク１１５の表面部１１５ｆのフッ素濃度Ｄｆ１１５と有機層（ホール輸送層１０６）の形成良否について、図７を用い説明する。図７（ａ）は本実施の形態、図７（ｂ）は比較例を示す。
図７（ａ）に示すように、本実施の形態では、第２バンク１１５における表面部１１５ｆのフッ素濃度Ｄｆ115を上記（数１）のように規定しているので、第２バンク１１５のＺ軸方向上方でも有機層（ホール輸送層１０６）が途切れることなく良好な状態で形成される。即ち、製造時において、ホール輸送層１０６用のインクが、第２バンク１１５の表面部１１５ｆで“未濡れ”の状態とならない。
一方、図７（ｂ）に示すように、比較例では、第１バンク９５５の表面部におけるフッ素濃度をＤｆ955とし、第２バンク９６５の表面部９６５ｆにおけるフッ素濃度をＤｆ965とするとき、次の関係となっている。
［数３］Ｄｆ965≧Ｄｆ955×０．１０
（図３）の関係を有する比較例では、図７（ｂ）に示すように、第２バンク９６５のＺ軸方向上方で有機層（ホール輸送層９５６）が途切れる場合が生じ得る。即ち、製造時において、ホール輸送層９５６用のインクが、第２バンク９６５の表面部で“未濡れ”の状態となる場合がある。
［数３］Ｄｆ965≧Ｄｆ955×０．１０
（図３）の関係を有する比較例では、図７（ｂ）に示すように、第２バンク９６５のＺ軸方向上方で有機層（ホール輸送層９５６）が途切れる場合が生じ得る。即ち、製造時において、ホール輸送層９５６用のインクが、第２バンク９６５の表面部で“未濡れ”の状態となる場合がある。
ここで、本実施の形態における第１バンク１０５の表面部１０５ｆのフッ素濃度Ｄｆ105と、第２バンク１１５の表面部１１５ｆのフッ素濃度Ｄｆ115とについての測定結果を次表に示す。
《ＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定条件》
装置／ＴＲＩＦＴ２（ＰＨＩ社製）
一次イオン／Ｇａ+，１８ｋＶ
分析エリア／１５０μｍ×１５０μｍ
中和銃／Ｆｌｏｏｄ Ｇｕｎ ＯＮ
また、本実施の形態における第２バンク１１５の表面部１１５ｆのフッ素濃度Ｄｆ115と、ホール注入層１０４の表面部１０４ｆに存在するフッ素の濃度Ｄｆ104とについての測定結果を次表に示す。なお、測定装置および方法は、上記同様である。
［数４］Ｄｆ115＜Ｄｆ105×０．０７５
また、（表２）に示すように、本実施の形態では、上記（数２）の関係を満足していることが分かる。
６．第１バンク１０５の高さと第２バンク１１５の厚み
第１バンク１０５の高さおよび第２バンク１１５の厚みと、有機層（ホール輸送層１０６、有機発光層１０７など）の形成良否との関係について、図３および図４を用い説明する。
図３に示すように、絶縁層１０２のＺ軸方向上面から第１バンク１０５の頂面までの高さをＨ105とする。
第１バンク１０５の高さおよび第２バンク１１５の厚みと、有機層（ホール輸送層１０６、有機発光層１０７など）の形成良否との関係について、図３および図４を用い説明する。
図３に示すように、絶縁層１０２のＺ軸方向上面から第１バンク１０５の頂面までの高さをＨ105とする。
また、図４に示すように、第２バンク１１５の厚みをＨ115とする。なお、図４に示すように、第２バンク１１５の厚みＨ115については、ホール注入層１０４の上面における端縁領域の平坦な領域（基板１００の上面に沿った平坦領域）の上での厚みである。
（ｉ）第１バンク１０５の高さＨ105
第１バンク１０５の高さＨ105については、次式を満足する範囲であることが望ましい。
（ｉ）第１バンク１０５の高さＨ105
第１バンク１０５の高さＨ105については、次式を満足する範囲であることが望ましい。
［数５］０．５０μｍ≦Ｈ105≦１．１μｍ
なお、図６などに示すように、第１バンク１０５の高さＨ105については、第２バンク１１５の厚みＨ115よりも高いことが前提となる。
高さＨ105の下限値（０．５０μｍ）については、第１バンク１０５の製造時における膜厚均一性を確保するための限界値であることを本発明者等は確認した。具体的には、ロールコータ法により第１バンク１０５形成用の有機膜を形成する際、０．５０μｍ未満では、膜厚均一性を確保することが困難となる。
なお、図６などに示すように、第１バンク１０５の高さＨ105については、第２バンク１１５の厚みＨ115よりも高いことが前提となる。
高さＨ105の下限値（０．５０μｍ）については、第１バンク１０５の製造時における膜厚均一性を確保するための限界値であることを本発明者等は確認した。具体的には、ロールコータ法により第１バンク１０５形成用の有機膜を形成する際、０．５０μｍ未満では、膜厚均一性を確保することが困難となる。
一方、第１バンク１０５の高さＨ105の上限値（１．１μｍ）については、これを超える場合に、有機層（特に、有機発光層１０７）の膜厚均一性を確保することが困難となる。本発明者等の確認では、第１バンク１０５の高さＨ105が、１．５μｍあるいは２．０μｍの場合には、有機発光層１０７の膜厚均一性を確保できない。
（ｉｉ）第２バンク１１５の厚みＨ115
第２バンク１１５の厚みＨ115については、次式を満足す範囲であることが望ましい。
（ｉｉ）第２バンク１１５の厚みＨ115
第２バンク１１５の厚みＨ115については、次式を満足す範囲であることが望ましい。
［数６］Ｈ115≦０．８μｍ
本発明者等の確認では、第２バンク１１５の厚みＨ115が上限値（０．８０μｍ）である場合には、第２バンク１１５上に若干の“未濡れ”発生があったものの、発光特性に影響を及ぼすものではなかった。これより、第２バンク１１５の厚みＨ115の上限値は、０．８０μｍである。
本発明者等の確認では、第２バンク１１５の厚みＨ115が上限値（０．８０μｍ）である場合には、第２バンク１１５上に若干の“未濡れ”発生があったものの、発光特性に影響を及ぼすものではなかった。これより、第２バンク１１５の厚みＨ115の上限値は、０．８０μｍである。
また、第２バンク１１５の厚みＨ115が０．５０μｍの場合には、第２バンク１１５上でのインクの“未濡れ“発生はなく、良好であった。これに対して、第２バンク１１５の厚みＨ115が上限値（０．８０μｍ）を超える１．０μｍとした場合には、”未濡れ“が多数発生し、発光特性の観点から許容できるものではなかった。
７．表示パネル１０の製造方法
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法について、図８を用い説明する。
７．表示パネル１０の製造方法
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法について、図８を用い説明する。
図８に示すように、表示パネル１０の製造においては、先ず、ＴＦＴ基板を準備する（ステップＳ１）。ＴＦＴ基板は、基板１００の上面にＴＦＴ層１０１を形成したものであり、公知の技術を用い作製される。
次に、ＴＦＴ基板上に絶縁層１０２を形成する（ステップＳ２）。絶縁層１０２の形成は、例えば、ＴＦＴ層１０１におけるパッシベーション膜上に対し有機材料を塗布し、その平面を平坦化して固化した後、コンタクトホール１０２ａ（図４を参照。）を開けることによりなされる。
次に、ＴＦＴ基板上に絶縁層１０２を形成する（ステップＳ２）。絶縁層１０２の形成は、例えば、ＴＦＴ層１０１におけるパッシベーション膜上に対し有機材料を塗布し、その平面を平坦化して固化した後、コンタクトホール１０２ａ（図４を参照。）を開けることによりなされる。
次に、絶縁層１０２上に対して、アノード１０３およびホール注入層１０４を形成する（ステップＳ３、ステップＳ４）。アノード１０３の形成は、例えば、スパッタリング法もしくは真空蒸着法などを用いて金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングすることによりなされる。なお、図４などに示すように、形成されたアノード１０３は、絶縁層１０２に開けられたコンタクトホール１０２ａによりＴＦＴ層１０１の上部電極（ソースまたはドレインと接続された電極）に接続されることになる。
ホール注入層１０４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いて金属酸化物（例えば、酸化タングステン；ＷＯｘ）からなる膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて各サブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2単位にパターニングすることによりなされる。
次に、第２バンク１１５の形成を行う（ステップＳ５）。第２バンク１１５の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて第２バンク１１５の構成用材料（例えば、感光性のアクリル系樹脂材料）からなる膜を成膜する。そして、この樹脂膜を露光・現像することによりパターニングし、焼成（ベーク）を行うことによりなされる。
次に、第２バンク１１５の形成を行う（ステップＳ５）。第２バンク１１５の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて第２バンク１１５の構成用材料（例えば、感光性のアクリル系樹脂材料）からなる膜を成膜する。そして、この樹脂膜を露光・現像することによりパターニングし、焼成（ベーク）を行うことによりなされる。
同様にして、第１バンク１０５の形成を行う（ステップＳ６）。第１バンク１０５の形成は、例えば、スピンコート法やロールコート法などを用いて第２バンク１１５を含む基板１００の上方全体を覆うように、第１バンク１０５の構成材料（例えば、感光性の樹脂材料）からなる膜を成膜し、露光・現像することによりパターンニングした後、焼成（ベーク）を行うことによりなされる。
なお、図８では図示を省略しているが、形成した第１バンク１０５および第２バンク１１５に対して、ＵＶ（紫外線）照射処理およびベーク処理を行う。ＵＶ照射処理は、例えば、１５０ｓｅｃ．〜２００ｓｅｃ．行い、ベーク処理は、例えば、１５０℃〜２３０℃の温度で１０ｍｉｎ．〜２０ｍｉｎ．行う。
次に、図５に示すような隣り合う２条の第１バンク１０５で規定された溝部分（図６の開口部１０５ａ）に対し、ホール輸送層１０６の形成を行う（ステップＳ７）。ホール輸送層１０６の形成は、例えば、インクジェット装置などを用いた印刷法で行うものであって、ホール輸送層１０６用の構成材料を含むインクを隣り合う２条の第1バンク１０５間で規定された溝部分に塗布し、乾燥させることでなされる。
次に、図５に示すような隣り合う２条の第１バンク１０５で規定された溝部分（図６の開口部１０５ａ）に対し、ホール輸送層１０６の形成を行う（ステップＳ７）。ホール輸送層１０６の形成は、例えば、インクジェット装置などを用いた印刷法で行うものであって、ホール輸送層１０６用の構成材料を含むインクを隣り合う２条の第1バンク１０５間で規定された溝部分に塗布し、乾燥させることでなされる。
同様に、隣り合う２条の第1バンク１０５で規定された溝部分に対し、有機発光層１０７および電子輸送層１０８を順に形成する（ステップＳ８、ステップＳ９）。有機発光層１０７および電子輸送層１０８の形成についても、上記ホール輸送層１０６の形成と同様に、各構成材料を含むインクを塗布した後、乾燥させることでなされる。
次に、電子輸送層１０８および第１バンク１０５の頂面部を被覆するように、カソード１０９および封止層１１０を順に形成する（ステップＳ１０、ステップＳ１１）。カソード１０９および封止層１１０の形成は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用い行うことができる。
次に、電子輸送層１０８および第１バンク１０５の頂面部を被覆するように、カソード１０９および封止層１１０を順に形成する（ステップＳ１０、ステップＳ１１）。カソード１０９および封止層１１０の形成は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用い行うことができる。
この後、基板１１４にカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１２が形成されてなるＣＦ基板を貼り合わせることにより、表示パネル１０が完成する（ステップＳ１２）。なお、貼り合せは、間に樹脂材料を塗布し、これを固化させることで行うことができる。間に塗布した樹脂材料の固化により、樹脂層１１１が形成される。
［変形例］
変形例に係る有機ＥＬ表示装置および表示パネルの構成について説明する。
［変形例］
変形例に係る有機ＥＬ表示装置および表示パネルの構成について説明する。
本変形例に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成については、上記実施の形態と同様であり、上記実施の形態との差異点は、表示パネルにおける第２バンクとホール輸送層および第１バンクとの間の部分の構成にある。具体的には、本変形例に係る表示パネルにおいては、第２バンクの表面部の少なくとも一部領域（望ましくは、全領域）が、無機層で被覆されている。ホール輸送層および第１バンクは、無機層を挟んだ状態で第２バンク上に積層形成されている。
ここで、無機層は、無機材料から構成されているものであって、絶縁性材料からなることが望ましい。具体例としては、シリコン酸化物やシリコン窒化物、あるいはシリコン酸窒化物などを採用することができる。
本変形例に係る表示パネルでは、第２バンクの表面部の少なくとも一部を無機層で被覆することにより、第１バンクの形成に際して、第２バンクに含まれるフッ素成分がホール注入層の表面部に拡散する（染み出す）ことを抑制することができる。
本変形例に係る表示パネルでは、第２バンクの表面部の少なくとも一部を無機層で被覆することにより、第１バンクの形成に際して、第２バンクに含まれるフッ素成分がホール注入層の表面部に拡散する（染み出す）ことを抑制することができる。
例えば、有機材料からなる第２バンクを形成した後、第１バンクを形成するために有機膜を成膜した場合、第２バンクを構成する有機材料と成膜した有機膜の有機材料とが接触することで、第２バンクに含まれるフッ素成分の一部がホール注入層の表面部に染み出すことが考えられる。
しかしながら、本変形例のように第２バンクの表面部の少なくとも一部を無機層で被覆することにより、第１バンクの形成に際して、少なくとも無機層で被覆した部分からのフッ素成分の染み出しを抑制することが可能となる。
しかしながら、本変形例のように第２バンクの表面部の少なくとも一部を無機層で被覆することにより、第１バンクの形成に際して、少なくとも無機層で被覆した部分からのフッ素成分の染み出しを抑制することが可能となる。
なお、上述のように、無機層の構成材料については、絶縁性の材料を用いることが望ましいが、第２バンクの表面部の一部だけを被覆する場合には、導電性を有する材料を採用することも可能である。
また、無機層の厚みに関しては、フッ素成分の染み出しを抑制できれば、特に限定はないが、例えば、１ｎｍ〜１０ｎｍ程度とすることができる。
また、無機層の厚みに関しては、フッ素成分の染み出しを抑制できれば、特に限定はないが、例えば、１ｎｍ〜１０ｎｍ程度とすることができる。
［その他の事項］
上記実施の形態および変形例では、有機発光デバイスの一例として有機ＥＬディスプレイパネルを採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、有機ＥＬ照明などに本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示パネルを採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、パッシブマトリクス型の表示パネルに対して本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
上記実施の形態および変形例では、有機発光デバイスの一例として有機ＥＬディスプレイパネルを採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、有機ＥＬ照明などに本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示パネルを採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、パッシブマトリクス型の表示パネルに対して本発明の構成を適用することでも上記同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態では、一例として、第２バンク１１５における表面部１１５ｆでのフッ素濃度Ｄｆ115を、第１バンク１０５の表面部１０５ｆのフッ素濃度Ｄｆ105に対して７．５％未満であることとしたが、フッ素濃度の比率については、１０％未満とすることで上記効果を得ることができる。
また、図２などに示すように、上記実施の形態では、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１ピクセルを構成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできるし、全体としてハニカム形状とすることもできる。１ピクセルを構成するサブピクセル数については、４つのサブピクセルとすることもできるし、それ以上とすることもできる。その場合には、１ピクセルを構成するサブピクセルが互いに異なる発光色であるとすることもできるし、一部が同色の発光を行うものとすることもできる。
また、図２などに示すように、上記実施の形態では、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１ピクセルを構成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできるし、全体としてハニカム形状とすることもできる。１ピクセルを構成するサブピクセル数については、４つのサブピクセルとすることもできるし、それ以上とすることもできる。その場合には、１ピクセルを構成するサブピクセルが互いに異なる発光色であるとすることもできるし、一部が同色の発光を行うものとすることもできる。
また、上記実施の形態では、第１バンク１０５と第２バンク１１５とで、互いの表面部１０５ｆ，１１５ｆのフッ素濃度を変える具体的な方法については言及しなかったが、形成材料におけるフッ素濃度を互いに変えることや、形成後におけるＵＶ光（紫外線）の照射強度や照射時間などを互いに変えることなどで実現することができる。
また、上記実施の形態では、第１バンク１０５および第２バンク１１５を、ともに有機材料を用い形成することとしたが、少なくとも一方を無機材料から形成することも可能である。この場合においても、表面部におけるフッ素濃度を上記の関係を充足するようにしておけば、上記効果を得ることができる。
また、上記実施の形態では、第１バンク１０５および第２バンク１１５を、ともに有機材料を用い形成することとしたが、少なくとも一方を無機材料から形成することも可能である。この場合においても、表面部におけるフッ素濃度を上記の関係を充足するようにしておけば、上記効果を得ることができる。
また、上記実施の形態および変形例では、ホール注入層１０４を無機物からなる層として第１バンク１０５および第２バンク１１５の下に形成することとしたが、有機層として形成する場合には、隣り合う第１バンク１０５間で規定された溝内に形成することができる。この場合には、第２バンク１１５の下地層は、アノード１０３の端縁部分および絶縁層１０２の露出部分ということになる。
また、上記実施の形態では、トップエミッション型の表示パネル１０を一例として採用したが、ボトムエミッション型の表示パネルに対して本発明の構成を採用することとしても、上記同様の効果を得ることができる。
本発明は、高い発光性能を有する有機発光デバイスおよび有機発光装置を実現する上で有用である。
１．有機ＥＬ表示装置
１０．表示パネル
１０ａ〜１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2．サブピクセル
２０．駆動・制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００，１１４．基板
１０１．ＴＦＴ層
１０２．絶縁層
１０３．アノード
１０４．ホール注入層
１０５．第１バンク
１０６．ホール輸送層
１０７．有機発光層
１０８．電子輸送層
１０９．カソード
１１０．封止層
１１１．樹脂層
１１２．ブラックマトリクス層
１１３．カラーフィルタ層
１１５．第２バンク
１０．表示パネル
１０ａ〜１０ｃ，１０ｃ1，１０ｃ2．サブピクセル
２０．駆動・制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００，１１４．基板
１０１．ＴＦＴ層
１０２．絶縁層
１０３．アノード
１０４．ホール注入層
１０５．第１バンク
１０６．ホール輸送層
１０７．有機発光層
１０８．電子輸送層
１０９．カソード
１１０．封止層
１１１．樹脂層
１１２．ブラックマトリクス層
１１３．カラーフィルタ層
１１５．第２バンク
Claims (9)
- 複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、
前記複数の発光部の各々は、前記基板の前記主面に沿った方向に対して交差する第１方向において、
前記基板の上方に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置され、少なくとも有機発光層を含む有機機能層と、
前記有機機能層上に配置された第２電極と、
を有し構成されており、
前記複数の発光部の各々は、
前記基板の前記主面に沿った方向における一の方向である第２方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、前記第２方向に対し交差する第３方向に互いが離間して配置された複数の第１バンクと、
前記第３方向にそれぞれがライン状に延伸し、且つ、前記第２方向に互いが離間して配置された複数の第２バンクと、
により規定されており、
前記第１バンクおよび前記第２バンクは、それぞれが絶縁材料からなるとともに、少なくとも前記有機機能層の側の表面部にフッ素を含有し、且つ、互いの交差部分において、前記第１バンクが前記第２バンク上に積層されており、
前記第２バンクにおける前記表面部でのフッ素濃度は、前記第１バンクにおける前記表面部でのフッ素濃度に対して、１０％未満である
ことを特徴とする有機発光デバイス。 - 前記第２バンクにおける前記表面部でのフッ素濃度は、前記第１バンクにおける前記表面部でのフッ素含濃度に対して、７．５％未満である
請求項１記載の有機発光デバイス。 - 前記複数の発光部の各々において、前記第１電極と前記有機機能層との間には、電荷注入層が配置されており、当該電荷注入層が前記有機機能層と接触しており、
前記第２バンクにおける前記表面部でのフッ素濃度は、前記電荷注入層における前記有機機能層の側の表面部に存在するフッ素の濃度に対して、４００％未満である
請求項１または請求項２記載の有機発光デバイス。 - 前記第２バンクは、有機材料からなり、
前記第2バンクと前記有機機能層および前記第1バンクとの間の少なくとも一部には、無機材料からなり、前記第2バンクおよび前記有機機能層および前記第1バンクに接触する無機層が配置されている
請求項１から請求項３の何れか記載の有機発光デバイス。 - 前記無機層は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物またはシリコン酸窒化物からなる
請求項４記載の有機発光デバイス。 - 前記第２バンクの厚みは、０．８０μｍ以下である
請求項１から請求項５の何れか記載の有機発光デバイス。 - 前記第１バンクの高さは、前記第２バンクよりも高く、０．５０μｍ以上１．１μｍ以下である
請求項６記載の有機発光デバイス。 - 前記第１電極は、各発光部の端縁領域の一部において、前記基板の前記主面に沿う平面に対して沿った平坦領域を有し、
前記第２バンクは、前記第１電極における前記平坦領域の上方も覆っており、
前記第２バンクの厚みは、前記第１電極における前記平坦領域の上方部分での厚みである
請求項６または請求項７記載の有機発光デバイス。 - 表示パネルと、
前記表示パネルに接続された制御駆動回路部と、
を備え、
前記表示パネルとして、請求項１から請求項８の何れかのデバイス構造が採用されている
ことを特徴とする有機表示装置。
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