TWI270924B - Coating and developing apparatus, resist pattern forming method, exposure apparatus and washing apparatus - Google Patents

Description

1270924 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 關於對半導體晶圓進行浸 本發明係關於塗布、顯影裝置，包括 光阻塗布之塗布單元，及對於其表面形心面進订 板供給顯影液以顯影之顯影單元；及， 液曝光之曝光裝置及洗淨裝置。 【先前技術】 ^往’構成半導體製造步驟之-的光阻步驟中，係於半導體 先阻主布•顯影之塗布•顯影裝置連接曝光裝置之***。 (EUvdp +象又之要求也在提南。對此，以極端紫外曝光 光了 Vl〇let Lith〇graphy)、電子束投影曝 fh ( Ejection Lithography)^^^^^(F2 ^ 肥r)進打曝光技術之開發進展中，另外，改良既有的 ίί ^ 或氟化氪(KrF)之曝光技術以提高解像度， πϋΐ面上形成能使光穿透之液相狀態進行冑光的方法（以下 :液曝光」）亦被探討。半導體及製造裝置業界由於財務的 a二級可此奴延長ArF曝光裝置之壽命，到45nm為止使用ArF， 2持使用爾以試圖更進—步之見解者。浸液曝光係利用使光 =透例如超純水巾之猶，使波長193nm之ArF於水巾由於波長 虻短，而實質上變成134nm之特徵。 、先使用® 15簡單地敘述進行該浸液曝光之曝光裝置。首先， =支持機構(未晝出）支持水平狀態之晶圓（例如晶圓w)表面隔 =隙相對面配置之曝光裝置1〇前端部，設有透鏡1〇，於該透鏡 ^外侧分別設有：供給口 11，用於供給在晶圓W表面形成液層 之溶液，例如水；吸引口 12，用於吸引對晶圓W供給之水以回收。 5 1270924 於此情形中’藉由一方面外/it ^人1 1处1 面從吸引口 12進行回收，W表面供給水，一方 膜(水膜）。從光源fUt透^與晶® Μ面之間形成液 射於晶圓W上，获出出而牙過透鏡10之光穿透該液膜照 又，恥射區域13畫得較實際為大。 口木 阻’ ΐϊΐ用浸液曝光之光阻步驟有以下的問題。即，光 脾d ’曰曰圓處理係於形成有下降氣流的清淨室内進行，但欲 光阻的微粒完全排除有困難。此處考慮例如於經 粒合你由+果於该⑽固之先阻表面形成液膜，則微 同日以ίΐίί表面移動。如前述’由於曝光裝置和液膜 只為晶圓-S 案1故即使微粒附著部位 浪杜地仏、丨> 也9由於被粒’在轉印時妨礙曝光。結果會妨 y、月另-J圖f轉印，使光阻圖案的缺陷部位散佈於晶圓上。 汾φα、八μ，，又液曝光的一個問題為，光阻於液膜側溶出，使 if上。尤其是，曝光終了後，雖然晶圓:液： 在於晶圓周緣部為斜面構造，前述溶出成分沒 百摔洛而遠在周緣部之傾斜面的可能性並不低。 故和成於晶κ表面，液職液滴容祕微粒吸附， 怎，，if里相比，浸液曝光後之晶圓上有微粒附著之可 周ϋ斜面上並直接殘留，因此，微粒容易吸附於該周緣部。 可能曝光後之晶圓，尤其是其周緣部，微粒附著的 布、顯影裝置側時，微粒會附著於搬送 的主要原因。而且，如果晶圓表面有微粒附著， !27〇924 =附著之雜溫度與其他雜之溫度*同，尤其，將於對化 光阻内擴散之减處理中，

，、 、J 心^上所述，進行浸液曝光時，_微_著有特別的問題。 • 巧題’於雜塗布後，浸液曝光前，及/或浸液曝光後、 =處_，以洗淨單元進行晶圓洗淨叫除微粒是有效的。於 该情形，由於在配置有塗布單元或顯影單元之稱為處理區塊 處观塊中，f要儘可缺縣的處理單元 ··f夕’以提局生產量’故’較佳為將洗淨單元配置於進行 處理區塊與曝光裝置之間連繫之界面區塊。 對晶圓進行之單元-般而言，係使用旋轉洗淨，如眾所知， 組5於塗布單元或顯影單元，邊將洗淨液對晶圓中央部供給 使晶圓旋轉，之後，進行甩開乾燥。 但是，該種乾燥裝置為將飛散的洗淨液回收，必需於載置上 述晶圓之台座下方侧跨越整個周邊設置形成有凹部的杯體。再 者，為將飛散的洗淨液確實地捕捉於杯體内而設置吸引妒置等 日^會使洗淨單元更大型化。因此，該種洗淨單元配^處理區 塊需ΐ的空間大’並不實際，而且，前述界面區塊中也需要儘可 鲁能地節省空間，很難採用此種配置大型洗淨單元的設計。 又’專利文獻1揭示-種裝置，使洗淨液從晶圓兩端部附近 上方吐出並於晶社流動後，自辦晶圓巾央部上方之吸引麵 將洗〉尹液與顯影液同時吸引以乾燥。但是，該種裝置中，從晶圓 端部也只有使職之洗淨液會流下。因此，必需以⑽晶圓:方 式設置上部侧開口之杯體，該杯體會妨礙裝置小型化。 k [〃專利文獻1 ]日本特開2004-95708號公報（第8〜9頁、第12 頁、第20頁） ' 【發明内容】 7 1270924 發明欲解決之 液曝情提供一種技術，於包含浸 =夜1=ίΓ除去在日日丄前 微=另同，礙塗布、 能以簡易構造進行晶圓洗^ 的為提供-種洗淨裝置， g決問題之方4 光後之半導體晶圓供給顯^液=3於其表面形成液層以浸液曝 其特徵為包括： 、〜 淨；洗手單兀’於半導體晶圓進行光阻塗布後浸液曝光前進行洗 喷嘴ϊ圓:部’使前述洗淨單元水平支持於半導體晶圓； 洗淨液吐出口，以面對支持於前述晶圓支持部之丰藤，曰 表面之方式形成，長度大致相當於固 吸引口，用於吸引從該洗淨液==二 轉；域機構’使B0il支持部相對於前述喷嘴部，触直轴線旋 移動機構’使喷嘴部於與面向支持於晶圓支 g表面的洗淨位置’與從半導體晶圓表面撤離之撤離位置之^ 月ΐ洗夜吐出Π」不限於狹縫狀之吐出口，尚包含 。並且，如果洗淨液吐出口比「s 大致相虽於料體曰曰回直徑」為長，只是來自吐出口之洗淨液會 8 1270924 晶圓當於半導體 浸液曝光，接著，對晶圓爰表===圓 行洗先、ΐΐϊ半Ϊ體晶圓進行光阻塗布後，於浸液曝光前進 置的ίί;使刚柄嘴部位於面向前述半導體晶圓表面之相對位 洗淨沿料導i日^吸引該洗淨液， 轉’亦可邊使例如晶圓^^轉邊 曝光後之半输0繼^==細彡細以浸液 ;:以圓浸液曝光後顯影前進行洗淨， ，圓支持部，支持使半導體晶圓水平； 旋轉機構’使該晶圓支持部繞鉛直軸線旋轉； 部的以包圍支持於前述晶圓支持部之半導體晶圓周緣 病S洗淨液吐出口及下側洗淨液吐出口，從該〕字型部之上 下部S=3導體晶圓的兩面周緣部吐出洗淨液； 下Ρ及引口為在刚迷]字型部下面部吸引洗淨液而設，若 9 1270924 側 =淨液^出口觀察，半導體晶圓中央部侧作為前方， 曰 從刖侧及兩側共二方包圍該下侧洗淨液吐出口· 側部吸引口，設於前述口型部之侧面部，用於吸引 罟盘2機構’使前述〕型部於包圍半導體晶圓周緣部之洗二 置〃攸该洗淨位置撤離之撤離位置間移動。 序位 =如^述i部可設置為使鮮導體晶圓直財向彼 為細述下=淨液吐出口以由半導體晶圓内側往外ί延!申 口之兩側可以具有沿該吐出口延伸之雜。下側冼乎液吐出 二種光阻圖案形成方法被實施，係使用前述 =於半導體關表面上進行光阻塗布後，於朴、，、置’ =液曝光’接著對晶圓表面供給顯影液以S 對+=日日圓浸祕光後，於顯影前進行洗淨之洗 括 其特徵為前述洗淨步驟包括： 使半導體晶圓水平支持於晶圓支持部之步驟· 古j著，使前述〕字型部相對定位，以使包圍支持於前述曰圓 支持部之半導體晶圓周緣部的步驟； 文賊月^曰圓 從設於動字型部之上側洗淨液吐出口及下側 於㈡ΐΐΐ體晶圓之兩面周緣部吐出洗淨液之步驟；/ 吐出口之吸引口及設於前述^字型 :月UW况甲液 液之步驟； 从魏·面部之吸引口，吸引洗淨 為使跨半導體晶圓整個周圍進行周綾 持部旋轉之步驟。又，前述光阻酵 //，使刚也曰圓支 吐出之方式。 使日日®邊連_轉’並使洗淨液 另一發明為一種塗布、顯影裝置 晶圓表面進行光阻塗布，及顯 布早凡’於+導體 曝光後之半導體晶圓供給顯影液去供給面形成液層以浸液 10 1270924 淨；包括洗淨單元，對半導體晶圓浸液曝光後，於顯影前進行洗 其特徵為前述洗淨單元包括： 晶圓支持部，使半導體晶圓支持水平； 噴嘴部，包括： ’ 晶

^淨^出口，以面對於支持於前述晶圓支 囫表面之方式形成，長度大致相當於半導體晶圓直徑；牛^體 ，引口，用於吸引從該洗淨液吐出口吐出到半導體 口同?該洗淨液吐出口之兩側配置，長度與該：液W 旋轉機對前述喷嘴部，使晶圓支持部相對地繞錯 /子型部，設於前述喷嘴部之兩端部 於 圓支持部之半導體晶w職部的方式形成；_支持於則返晶 鬥夕Γ:ίί液吐出口，從該口字型部之下面部内側對半導沪曰 0之晨面周緣部吐出洗淨液； T干命體曰曰 吸引口，設於前述二字型部之侧面部，用以吸引洗 前述噴嘴部，於面向支持於晶圓支持部之半導 ^圓表 雜置與從半導體晶圓表面撤離之撤離位置之 前述塗布、顯影裝置可包括於前述j字 =吸引Π。以例如從前述下側洗淨液吐口 J面; =口二二σ之方式設置。此處’前述下側洗淨液吐 部吸引口可具有於該下側洗淨液吐出口兩側沿該吐出口延=: 位 砰琶又於彻案形成方法被實施，係使用前述塗布、顯影 + ¥體晶圓表面塗布光阻後，於辭導體晶圓表面 形成液層心液曝光，接著，對晶圓表面供給顯影液以進行顯影， 1270924 ^括洗〇驟☆對半導體晶圓進行浸液曝光後顯影前，進行洗 其特徵為前述洗淨步驟包括： 使巧體晶圓水平支持於晶岐 喷嘴ΪΪ端面向半導體晶圓並相對定位，使位於該 前述喷嘴部之洗淨液吐出口將洗淨液對半導 周緣面!^則將洗淨液對半導體晶圓裏面 液之步驟； 11、别述〕子u之側面部的吸引口吸引洗淨 及半ΐϊ 部依序旋轉’將於各旋轉位置之帶狀區域 疋轉又也可邊使例如晶圓連續的旋轉，邊吐出洗淨液。 如沿半導ΐΐ^ίΐ、Ϊ影裝置中，為以前述喷嘴部依序洗淨例 部間歇地曰亦门可控制旋轉機構使晶圓支持 „赌洗淨液吐出时出。再者，上述各塗布、娜裝置， 口吐出洗淨液 冼核吐出σ吐出。但是，也可邊使晶圓連續地旋轉， ★ π目士+ 、工山“幵有，上述各3 時使，以於從前述洗淨液吐出口吐出洗淨液 便貧為撕別迷晶圓支持部相對地於半導體1 布單元及4顯影裝置包括:處理區塊，包含例如前述塗 12 1270924 線方向來回移動之步驟。再去， 導體晶圓進行浸液曝光後，$ $阻^形^方法包括對半 步驟可於進行加熱步驟之前進^⑷丁加熱之步驟，前述洗淨 另一發明特徵為··於塗布光阻桌 以進行浸液曝光之曝光裝置中，設置上述=^面。上形成液層 發批概為：洗料勤上舰Λ元構成。 元洗淨，故能避光J液:以晶：以: 淨單si曰圓不會從晶圓表面灑落。因此，於該洗 =化月:期待早兀之令空間化，其結果能避免塗布、顯影裝置之大 =另-發明，係於浸液曝光後，洗淨晶圓周緣部，雖缺芦 ^曝光後，bSU周緣部殘留有液滴，為微粒容易附著能，、^ 1由將晶，緣部洗淨，能防止於浸液曝光後之步驟中i粒的 ，。而且，由以包圍晶圓周緣部之方式所形成〕字型部包Η勺 圓周緣部，從該〕字型部上面部將洗淨液 二 從侧面部吸引，同時，從前述口字型部下面部之下=;J、= 。對晶圓周緣部之背面侧吐出洗淨液，並以從三方包圍 之吸引口吸引，故洗淨液不會從晶圓表面及〕字型部灑落/ 公晶圓士持部的周圍不需要設置回收洗淨液之杯體，“待洗淨 早兀之省空間化’結果能避免塗布、顯影裝置之大型化。、， 又’依照另-發明，由於係於浸液曝光後 表面以料料洗淨，故即使浸液曝光後於晶圓表 產物，仍糾洗單元除去，可防止於浸祕光後之步驟產生的 13 1270924 且於===，:洗淨液不會從 微粒污染。而且 17字 字型部灑落， 圓表面灑落，而且，係使用以包圍晶圓周緣部之彳，π宵 型部進行洗淨液之吐出、吸引，故洗淨液不會從Χ形成的 同樣地，也可避免塗布、顯影裝置之大型化。 又，依照本發明之曝光裝置，由於設置上述 浸液曝光前及/或浸液曝光後洗淨晶圓，_免曝光於 早的構成 本發明之洗淨装置由於使用上述洗淨單元，故能為/ J、型且簡 【實施方式】 浸液以照光阻塗布後、 之塗布•顯影裝置連接於進行浸液曝光之$ 括可^哉山罢^片晶圓w之貨架2，設有：貨架站20，包 ^1^21 架载置部bi之後側，連接有悲體22 (處理區塊)B2，於該處理部β2之近侧起依序 系之單元多階化之3個棚架單元㈣ 搬送裝置A2、\Γ。、耶之各單元間用於晶圓界接驳的主 U1、U2、m e «。也就是說，從貨架載置部β1側起，棚架單元 成有晶圓前後排成一列，於各連接部位形 從-端側的棚竿=勘圖示)，使晶圓w可於處理區塊β2内 又，到另一端侧的棚架單元U3自由地移動。 分隔壁:由從ί2年=放置於以分隔壁23包圍的空間内，該 之Μ木载置部Β1觀察前後排成一列之棚架單元U1、 14 1270924 及構成= 側液處理單元陶5侧之-面部， 包ίίίLit隱成。又，圖中24為溫濕度調節單元， 等括口早70所使用處理液之溫度調節裝置或溫濕度調節用管路 刖述棚架單元m、U2、U3疊層複數層，例如1Q# 、U5處理之前處理及後處理的各種日單元= ϊ，晶圓w(洪烤)之加熱單元(PAB)(未圖示）、使曰圓w、i 部早70等。又，液處理單元U4、U5例如圖2所示二二 =顯影液等藥液收納部之上疊層複數 、及^ 攻以進行顯影處理之顯影單元(勝)28等所構成。4、、’p =處理部B2中，棚架單元ϋ3後侧透過界 ^接有曝光部Μ。該界面部Β3詳細地說，如圖3 =面^^ 部Β2與曝光部Β4之間前後之第丨搬送室3Α及第ς又^ S搬並第1晶圓搬送部31及第2晶圓搬送部至第1 並繞錯直軸、ί自^旋^ ΒθΚ搬_ 32包括f 32A ’可自由昇降 加再者’於第1搬送室3A，包夾第1晶圓搬送部31從眢加韵署 例如上下細方式設有=單元 UKS3)37，2個兩精度調溫單元(cpL2)39，各 衝卡 央部t ，從貨架載置部β1側觀察曰，於較中 兴口【偏左側5又有台座4，作為洗淨單元之晶圓 。 元係指與晶圓w之洗淨步驟相關的—群構成字早

在第2搬送室3B内設有該所有構成要素。該H 2搬送室3B内下部之旋轉機構的驅動機構41，設有 15 1270924 =轴部42。台座4由吸引吸附晶圓w背面側中 所構成，能於藉驅動機構以支持 2空夾頭 該台座4兼用為接敬台座，將晶旋轉。 到塗布、顯影裝置侧之臂32A。 之I 40接駁 從=載置部m側觀察，較台座4為左的方 向)’设有洗料7L之噴嘴部5。該喷嘴部 方 板51兩端之3字型部52、52構成，該 ^反1及扠於该頂

座4，可於與該頂板51長邊方向垂直之方向水平g聽朝向台 並自;進:細側之臂4°可自由昇降、_軸線自由旋轉 接^，參相4〜圖7，說明構成洗淨單元—部份 及其周邊部位。喷嘴部5之頂板51如圖4所示，係 度較晶圓W直徑為長之帶狀板構成。 糾長邊方向長 圖5為從頂板51下面觀察之圖，沿頂板51中 向’以直線狀設有多數吐出孔53。該等吐出孔53群之兩端^^ ίίίΐ晶圓w之直徑長度大致相同，該等吐出孔53之各 仫為0.1mm〜3mm，更佳為〇· 5〜1麵。於本例，係由多數 53群形成洗淨液吐出口 54,但是洗淨液吐出口 54也可為盘 直徑長度大致相同之狹縫。洗淨液吐出口 54之兩側沿淨 口 54，分卿成狹縫狀吸引口 55、56，其長度與洗淨液 之長度大致相等。該吸引口 55、56之寬度較佳為〇. 〇5麵〜丨.〇咖， 更佳為5· 0〜1〇· 〇腿。又，洗淨液吐出口 54與吸引口 55、％之間 隔較佳為2· 0〜20· 0mm，更佳為5· 0〜10. 〇mm。 曰 圖6為圖4所示喷嘴部5中，將頂板51及口字型部52之下 面部切斷觀察到的縱剖面圖。洗淨液吐出口 54如圖β所示，透過 頂板51内之通路，於頂板51之長邊方向在中央部與洗淨液供^ 管54a連通’該洗淨液供給管54a透過閥54b連接於洗淨液供給 源54c。又，吸引口 55、56透過頂板51内之通路，與分別位於前 述洗淨液供給管54a雨侧之吸引管55a、56a連通，該等吸引管 16 1270924 = 等吸引機構 實際上，於中途往頂板51之長产 f條’（5計3條），但 出口 54、吸引σ 55或則I = 。’形成連通於洗淨液吐 頂板51之兩端部大致來說，為 下端往内似直角彎折，如果將f ^、請’並且’其 該喷嘴部5可說是於頂板51之兩_設置,^為f反5卜f 造，於本說明書對該鋪成進行朗。 W 52、52之構 52 t ί將晶圓W之中央部侧朽稱下面口P，攸17字型部52觀察， 左右方向中工ί主為=1’則以符號60表示之下面部之 左右之狹縫狀洗淨液吐出二f 例如長度為_ 大致麟之正下ί 61之後端條於晶圓w 以沿洗淨液吐出口 61，延伸目m兩=引口62 洗淨液吐出口 61相告於下而、…上 方式形成。 可為多數吐出孔排顺&方 =洗/液吐出σ，可為狹縫狀，亦 者如果能確實，可為連續的U字狀，或 通，吸引Π 62透過形成於連接單元63内之與前述通路Γ同: 17 1270924 路，與吸引管65連通。該等洗淨液供給管β4及 侧分別連接於圖6所示之洗淨液供給源 ^ 之基端 再者，於各增部52之側面=構 用以吸引晶圓W之上部側及下部側的、、条 2 考圖6)， 引管67與圖6所示吸引機構下^的^液’该吸引口 66透過吸 回到圖4的說明，喷嘴部$读讲辟# 構成之移動機構58，於洗淨晶圓W之洗淨===== 妨礙晶UW接駁之撤離位置間，以水平方^動、。、口庄4上不會 對上述貫施形態之作用，以晶圓W先、一

F 進行浸液曝氺，目丨I兮a Pi i丨，人、口 所自兄明’對晶圓W 載置於台=上===+4()，_送(圖關 :附晶圓w之背面中央部，使r圓w水二。f座由4台上座2引 =二圖:⑹)，喷嘴部5藉由“機構二撤 為包圍晶圓w周緣部之壯字型部52成 出口 54成為*曰^古狀，占直線狀形成於頂板51之洗淨液吐 Ι-a，為/、日日回W直徑一致的狀態（圖8(c)及圖4)。 供給;2圓3=1之巧嫌吐出口 54將洗淨液(例如純水）， 55、56成為吸=能，使該洗淨液吐出σ 54之兩側吸引口 液吐出口 61對i t田而且’於口型部52 ’從下面部60之洗淨 吸引口 62 ?周緣部背面侧供給純水，並同時使下面部之 面及周緣部的洗、:Ρ吸引口 66成為吸引狀態’藉此開始晶圓界表 前。 尹。又，吸引的時點為較供給純水大致同時或稍 將頂板曰圓？表面洗淨之狀態，圖9為晶圓W洗淨時， 淨液吐出口切斷之概略縱斷正面圖，於頂板51，純水從洗 之表面與頂拓晶圓？表面吐出。吐出之純水邊充滿例如晶圓w 、、 下面之間，邊往洗淨液吐出口 54兩侧擴散。此 18 1270924 l === 口 55、56進行吸引，故純水會吸入吸引口 ⑽56,而不會從晶圓？上灑落。 部52如ΐίίί晶圓W周緣部洗淨之狀態，如㈣所示，於讀 之背面<吹送此^下^洗淨液吐出口 61將洗淨液往晶圓W周緣部 ί，tS到ΪΪ寞，型部52側面部之吸引口 66進行吸 口 66吸引。又ff、之洗淨液一部份會乘著其吸引流被該吸引 但是會於下舰部份落下到下方侧， ^字狀設置之吸引 :=::?圓¥周緣吐出並飛散之：=== 細’嫩也不· 方式對晶圓界進行洗淨，該洗淨步驟係如圖11(a)所 :二=動使=5沿水平的，切線方向邊 e2rir：" 對岸於智爽问梦私bZ的位置關係一例， 0於紅口私動耗圍’圖12中以虛線200表示的帶狀區域被洗 端3淨液吐出口 54及下側洗淨液吐出口 61之 ==曰0 w周=離’來自該等吐出口 54，之洗淨液分 π下面邛及上面部6吹出，但被側面部之吸引π 66月ΊΓ =()之吸引口 62吸人，不會從喷嘴部5灑落。=部6= 二：3〇ΤΤ液吐出口 54、61之移動區域的晶圓W中心角Θ ϋϊίΓΛ 限定於該角度。又，關於來回移動，可為= 刖物狀區域-邊之來回丨次方式，也可為來回2次‘古^ 如上所述，使晶圓w中之帶狀區域被洗淨，、” 54、61之移動區二;= 細地將晶圓W的帶狀區域洗淨。並且，將晶圓w依序子 19 ^27〇924 θ ’+將各仅置洗淨，於最後的角度位置的洗淨（圖11(c))完成後， 將嘴嘴部5從晶圓w撤離（圖11(d))，以界面部Β3之搬送部32 的臂從台座4接過晶圓W(圖11(e))，搬送到位於界面部Β3内進 行ΡΕΒ之單元。 _於圖中為求簡明，將晶圓W與頂板51之間放寬，但實際上其 間隔例如為〇· 5〜5mm左右，供給於晶圓W表面之洗淨液不會殘留 於其表面而會被吸引口 55、56所吸引，且晶圓W之周緣部背面侧 的洗淨液會被口型部52之側面部的吸引口 66所吸引，故晶圓w ^不會殘留液滴。又，本發明中，尚可以設置乾燥機構，與喷嘴 :5為一體或分開，對晶圓¥表面吹送乾燥氣體。乾燥機構可 於喷嘴部5之頂板51的吸引口 55、56兩侧，沿長邊方向 a 又置乾燥氣體供給口等之構成。 …上述實施形態，可將浸液曝光後之晶圓周緣部加以洗 LUfi曝光後，晶圓周緣部殘留有液滴，為微粒易附著 餘“ 晶圓周緣部，能於浸液曝光後之步驟防止 產tUi即使於晶圓表面殘留有浸液曝光時齡成 ί =除去，可於浸液糾後之步驟中，防止微粒Α又 ^曝，之晶圓w洗淨希望於顯影前 ^又’ 則 Ϊ於t前=例如不進行加熱之下進行晶圓貝 邊對ii 相徑之洗淨液吐出D 54 引洗淨液，故洗淨液不二兩:之，55、56吸 於吐出至晶圓w之周緣部的洗淨液會被 °骑_ ’由 吸引，故洗淨液也不會從〕型部52 ^p52之吸引口 62、66 置將洗淨液回收之杯體，能期待二二。因此，不需要在周圍設 洗淨單元之塗布、顯影裝置 變得大ί/匕。。因此，能防止包含該 U為較佳者，但也可使 20 1270924 噴嘴部5不來回移動而以例如小角度間隔使晶圓w間歇地旋轉， 於各角度位置將洗淨液吐出，或者以洗淨液不會灑落程度之慢旋 轉速度，邊使晶圓W連續地旋轉，邊吐出洗淨液。 办又，於口型部52中，可將下面部60與晶圓w之間的距離變 乍使洗淨液充滿該間隙’也可使間隙擴大，使洗淨液與下面部 60之間形成空間，以使洗淨液能飛散。於該等情形中，使吸引口 配置於使洗淨液不往下落而能確實地被吸引是重要的。從此點看 來，如果如實施形態，將下側洗淨液吐出口 61之三方以吸引口 62 包圍，並於側面部設置吸引口 66，則如作用説明所詳述，能確實 _ 地吸引從該吐出口 61所吐出之洗淨液，故為較佳構成。 ^又，亦可著重於浸液曝光後，於晶圓W之周緣部微粒容易附 ，之情形，不對晶圓w表面加以洗淨，而使用僅诜淨晶圓w周緣 部之洗淨單元。於此情形中，可為例如圖14所示，彼此相向的相 同構造的型部71、72各藉由移動機構73、74水平移動。於：7 型部71、72之下面側及側面側，可與圖4所示實施形態為相同構 成，也可為上面部與例如下面部為相同的構成，也可僅設置對晶 ，W周緣部表面吐出洗淨液之洗淨液吐出口而不設置吸引口。於 該構成中，上面部侧之洗淨液吐出口相當於本發明所稱上側洗淨 液吐出口。 ® 再者，於本發明中，於例如界面部B3可設置洗淨單元，於進 行〉s:液曝光前對晶圓W進行洗淨。於此情形，可使用與圖4所示 構造為相同構造之噴嘴部5，與之前的實施形態為相同構成，但由 於液曝光前，尤其是晶圓W表面之洗淨是重要的，故可從圖4 所不喷嘴部5除去3型部52之構成。於此情形，雖依吸引口之吸 ‘ 引^會有差別，但例如以不使喷嘴部5來回移動，而使晶圓w以 ，或·地旋轉之方式在由吸引p確實地吸引洗淨液之觀點為 較佳的。或者，可於圖4所示噴嘴部5中，除去口型部52下面侧 之洗淨液吐出口 61及吸引口 β2。 圖13中，顯示圖1及圖2所示之前的實施形態中，設有洗淨 21 1270924 座81兼用為接駁台座：、^^鳴β 83等所構成 到曝光部_之搬送部^臂===搬送部32之臂接 =動猶糊^之洗繼與從繼 = 動 4 ' ίϊί；；；^^ ，小型化及簡單構造之效果。並^，具有 到既述的^ ^而雜曝光部β4側，於此情形，也可得 【圖式簡單說明】 圖1係顯示依本發明一實施形態之塗布、 圖 體圖 2係顯示依本發明一實施形熊 顯影裝置的平面圖 之塗布、顯影裝置的整體立 • : 於之f面部的立體圖。 嘴部之立_。03於上讀布、顯影裝置之洗淨單元的喷 S 嘴部中頂板-例之底視圖。 圖6係顯不上述贺嘴部之縱剖面圖。 述噴嘴部中之口型部之横斷平面圖。 圖 回a〜（）係顯不洗淨前，上述喷嘴部及晶圓之動態的説明 顯示洗淨時，上述噴嘴部之縱剖面圖。 回a)〜（b)係顯不洗淨時，上述噴嘴部之侧面圖 22 1270924 圖11(a)〜（e)係顯示洗淨開始到洗淨結束後，上述喷嘴部及 晶圓之動態的説明圖。 圖12係顯示上述喷嘴部中之口型部之洗淨區域的説明圖。 圖13係顯示本發明另一實施形態之光阻圖案形成裝置的洗淨 單元的立體圖。 圖14係顯示本發明另一實施形態之光阻圖案形成裝置之洗淨 單元的立體圖。 圖15係顯示用以將晶圓進行浸液曝光之曝光裝置的説明圖。 圖16係顯示以上述曝光裝置將晶圓表面浸液曝光之狀態的説 I 明圖。 【主要元件符號說明】 A1接驳裝置 A2 主搬送裝置 A3主搬送裝置 B1貨架載置部 B2處理部 B3界面部（界面區塊） B4曝光部B4 • U1棚架單元 U2棚架單元 U3棚架單元 U4液處理單元 U5液處理單元 _ W 晶圓 1 曝光裝置 10透鏡 11供給口 12吸引口 1270924 13轉印區域（照射區域） 2 貨架 20貨架站 20a載置部 21開閉部 22框體 23分隔壁 24溫濕度調節單元 26抗反射膜塗布單元(BARC) 27光阻塗布單元(COT) 28顯影單元(DEV) 200虛線 3A 第1搬送室 3B 第2搬送室 31第1晶圓搬送部 31A臂 31B臂 32第2晶圓搬送部 32A臂 32B臂 34緩衝卡匣（SBU) 35緩衝卡匣（SBU) 37接駁單元(TRS3) 38冷卻單元(PEB) 39高精度調溫單元(CPL2) 4 台座 40臂 41 驅動機構 42軸部 24 1270924 喷嘴部 頂板 ：7型部 吐出孑L 洗淨液吐出口 洗淨液供給管 閥 參 洗淨液供給源 吸引口 吸引管 閥 吸引機構 吸引口 吸引管 臂 移動機構 下面部 洗淨液吐出口 吸引口 連接單元 洗淨液供給管 吸引管 吸引口 吸引管 :?型部 ：7型部 移動機構 移動機構 台座 1270924 82驅動機構 83喷嘴部

Claims (1)

1270924 十'申請專利範圍： L 一^塗布、顯影裝置，包括： ίϊί元，!以將光阻塗布於半導體晶圓之表面； 光後之半導體晶圓供給至於表面形成液層並經浸液曝 光前ϊίϊ淨洗淨單7^ ’在對於半導體晶圓塗布光阻後、浸液曝 該洗淨單元包括： 晶持部’將半導體晶SU持成水平； 半導體日ΐυ之表夜吐面對受該晶圓支持部所支持之 當;及吸引口 ===，晶圓之直徑大致相 面之洗淨液，沿該洗淨液吐出=出口吐出到半導體晶圓表 吐出口大致相同； 出之兩侧配置，其長度與該洗淨液 轉；旋轉機構，對該喷嘴部，使晶圓支持部相對地繞錯直軸線旋 即面圓ίϊΐ紫部在下列兩位置之間移動:洗淨位置， 離位置，從；導I#曰半導體晶圓之表面的位置；及撤 千冷體日日圓之表面撤離的位詈。 已一種塗布、顯影裝置，包括· f布單元，於半導體晶圓表面塗布光阻. 光後晶供給至於表面形成液層並經浸液曝 並包括：洗淨單元，為屯 前進行洗淨； 、平‘體晶圓施以浸液曝光後、顯影 該洗淨單元包括： 晶圓支持部，將轉體晶圓 部繞錯直軸線旋轉； ^ 又6亥晶圓支持部所支持之半導體晶圓的周緣 27 1270924 部而形成； 上側洗淨液吐出口及下侧洗淨液吐出口，從該〕型部上面部 及下面σ卩之㈣j 77別朝半導體晶圓之兩面周緣部吐出洗淨液； ^部吸Π 型部下面部為了吸引洗淨液而設置，若 :;ρί:=液吐出口觀察之半導體晶圓中央部側為前方，至 ν伙則侧及兩侧之三方包圍於該下侧洗淨液吐出口； 設於該〕型部之侧面部，用以吸引洗淨液；及 從+導體晶圓之表面撤離。 且 # y 3.如申明專利範圍弟2項之塗布、顯影裝置，豆中，兮刑 部係設置為沿半導體晶圓之直徑方向彼其中^型 4.如，请專利範圍第2項或第3項之塗 1 液形成為由半導體晶圓之内側往外側延伸的 該;出二部吸引口於該下侧洗淨液吐出口兩侧具有沿 5· —種塗布、顯影裝置，包括： ίϊίί:Ξ以將光阻塗布於半導體晶圓之表面； 光後之ΐ導體晶圓=:=供給至於表面形成液層並經浸液曝 前進Ξϊί洗乎早70 ’在對於半導體晶圓施以浸液曝光後、顯影 該洗淨單元包括： ，圓b，持部，將半導體晶圓支持成水平； 半導體關之表成夜對受該關支持部所支持之 當;及吸引口 =從;=導體晶圓之直徑大致相 面之洗淨液，沿該洗淨液吐出口之2出口吐出到半導體晶圓表 吐出口大致相同； 兩側配置，其長度與該洗淨液 28 1270924 轉 旋轉機構’對該喷嘴部，使晶圓支持部相對地繞錯直轴線旋 支持之=部’纖衝日_部所 之背面ΪΓ部tf；^^該讀部之下面__半導體晶圓 _構，使該喷以：:位爭 離位置’從半導體晶圓之 =;=ίΗ之表面的位置， =請顯:裝置，其中，包括 從該下侧洗淨液吐出口觀以吸引洗淨液，若以 少從7前::=—該側作為前方’至 下側、先=、广=圍第6記載之塗布、顯影裝置，盆中， 之細長吐出:4係形成為從半導體晶圓之内侧朝外側延伸 伸的=吸引口於下侧洗淨液吐出口之兩側，具有沿該 的4如範項〜第7項中任—項 的塗範iL，3項、第5項〜第7項中任-項 嘴部ί，時，使該噴 =·如巾請專鄕_ 方向來回移動 兼用為該來回動作機構。、土布』衫裝置，其中該移動機 29 1270924 的如/請專利範圍第1項〜第3項、第5項〜第7項中任一項 的金布、顯影裝置，更包括： 仕項 處理區塊，包含該塗布單元及顯影單元；及 曝光塊’介於該處理區塊與對半導體晶_行浸液曝光之 該洗淨單元設於該界面區塊。 •種光阻圖案形成方法，在半導體曰圓本a、、4s 士 晶圓的表面形成液層以進行浸液曝公；著二 曰曰0表面供給顯影液以進行顯影， 兀接者對 其特徵為包括： 進行=步驟’於對半導體晶圓進行光阻塗布後、浸液曝光之前 該洗淨步驟包括： ίί導fi圓水平支持於晶圓支持部之步驟； 表面吐出口朝半導體晶圓之 以洗:ί半1?晶圓直禋之帶狀區域口吸引該洗淨液’ 依照㈣二上之帶狀區域 後’於該半導體晶圓 牡千>體曰曰圓的表面塗布光阻 晶圓表面供給顯影液以^行顯I液層以進行浸液曝光，接著，對 進行洗淨’在對半導—崎浸祕光後，於顯影前 該洗淨步驟包括： :ί導:平支持於晶圓支持部之步驟· 接者，使申請專利籍圍笛 之步驟， 、之3型部位在包圍於受該晶圓 30 1270924 支持部所支持之半導體晶圓的周 接著’從設於該口型部之上丄二目，置， 出口分別朝半導體晶圓之兩面周緣部吐洗淨液吐 於該吐出洗淨液之步驟進行中 使該晶圓支持部旋轉，引洗淨液之步驟； 之洗淨的步驟。 丰冷體晶圓之全周進行周緣部 14. 一種光阻圖案形成方法，在 後，於該轉體晶_表=體^的表面塗布光阻 晶圓表面供給顯影液以進行^夜層以進做液曝光，接著，對 進行^“步驟，在對半導體晶圓進行浸液曝光後，於顯影前 该洗淨步驟包括： 兩端部之， 將半導體晶®水平支持於晶圓支 接著财料纖圍第5觀=：^^· 设於訪邊U皆加工i山、 一·. 、為口P面對半體晶圓 半導體d 體心二朝半導 崎之帶，進==洗淨液’ 之步驟 ίί,使it持部依序旋轉，將各旋轉位置之帶狀區域及 驟同樣方式進行洗淨之步 出洗淨液，」面從朝半導體晶圓之背面周緣部吐 之步驟：面^於心己：型部之側面部的吸引π吸引洗淨液 ^ •〜叫叫入何邓很得， 驟、豆曰曰圓之月面周緣部依照前述步 成方法，動Λ侧弟貝〜第14項 嘴部相對於該晶吐出口吐出洗淨液時，使該喷 嫩-嫩阻圖案形 體日日圓之切線方向來回移動之 ，924 如申請專利範圍第12項〜第14項中任一頊的光阻圖案形 决，其中， ，括對半導體晶圓浸液曝光後，於顯影前進行加熱之步驟， 步驟於進行加熱步驟之前進行。 層以.布有触之轉體關表面形成液 單元設有申請專利範圍第1項：第7項、第10項中任-項之洗淨 18.—種洗淨裝置’其特徵為· 由申請專利範圍第1項〜第7 元所構成。 冑弟1G項巾任-項之洗淨單 十一、圖式：

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