JP4243454B2 - 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体 - Google Patents

明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP4243454B2
JP4243454B2 JP2002131981A JP2002131981A JP4243454B2 JP 4243454 B2 JP4243454 B2 JP 4243454B2 JP 2002131981 A JP2002131981 A JP 2002131981A JP 2002131981 A JP2002131981 A JP 2002131981A JP 4243454 B2 JP4243454 B2 JP 4243454B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gray level
image
pixel
computer
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002131981A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003050211A (ja
Inventor
忠森 全
相文 全
亨真 金
東春 李
相奉 崔
成坤 柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2003050211A publication Critical patent/JP2003050211A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4243454B2 publication Critical patent/JP4243454B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T5/00Image enhancement or restoration
    • G06T5/90Dynamic range modification of images or parts thereof
    • G06T5/94Dynamic range modification of images or parts thereof based on local image properties, e.g. for local contrast enhancement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/90Determination of colour characteristics
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20Special algorithmic details
    • G06T2207/20021Dividing image into blocks, subimages or windows
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の製造工程のうち生じる欠陥の検出技術に係り、特に明度差のあるウェーハ表面の明度を補正する方法及び相異なるパターンに対する選択的欠陥検出方法、そしてこのような方法を記録した記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の製造工程時に生じる欠陥は素子の信頼性及び収率に重大な影響を及ぼすので、製造工程の段階ごとに欠陥検出工程が行われている。一般に、欠陥検出装置ではウェーハ上で反復されるパターンの隣接したイメージの各画素を比較して、グレーレベル値の差が臨界値以上である画素を欠陥として検出する方法を使用している。グレーレベルとは、最も暗い段階を0に、最も明るい段階を255に指定して明度を256段階に区分した数値である。
【0003】
以下、従来の欠陥検出方法を具体的に説明する。
任意の光源から出射された光をウェーハ表面に照射する。欠陥検出装置の信号感知部ではウェーハ表面から反射された光を画素に分けて感知し、各画素のグレーレベル値を定める。次に欠陥認識の基準となる臨界値を設定する。
欠陥を検出するためにはウェーハ全面に対して、ウェーハ表面の隣接部分のイメージを3つずつ比較する。それぞれのイメージは多数の画素で構成されている。イメージBは欠陥の有無を検査しようとする対象イメージであり、イメージA及びCは比較基準になる比較イメージである。まず、イメージB及びイメージAを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める。グレーレベル値の差が臨界値以上であるBの画素を認識する。次に、イメージB及びイメージCを対応する画素同士で比較してグレーレベル値の差を求める。やはり、グレーレベル値の差が臨界値以上であるBの画素を認識する。この時、前記二つの場合で、共通に認識された画素だけを最終的に欠陥と見なす。
【0004】
このようなイメージ比較法を利用した欠陥検出方法の最も大きい問題点のうち一つは金属配線工程上に存在する。
図1は、金属ラインパターン100及びスペース110が規則的に配列されてる実際の姿を撮影した図面である。図1で分かるように、金属ラインパターン100上にはグレーン120が存在し、スペース110にはブリッジ130が存在する。グレーン120は欠陥のように見られるが、実際には半導体素子の動作には影響を与えない。しかし、示されたように、グレーン120は金属ラインパターン100より低いグレーレベル値を持つので、欠陥検査時に欠陥として認識されて全体欠陥の個数を増加させ、工程管理を難しくする。
【0005】
図2は金属ラインパターン200及びスペース210が規則的に配列されたウェーハに欠陥が存在する場合のイメージ比較法を説明するための図面である。イメージBには実際に収率に深刻な影響を与える致命的な欠陥であるブリッジ230とグレーン220とが共に存在する。ブリッジ230のような致命的な欠陥を検出するためには臨界値を低く設定して感知度を高めねばならない。ところで、臨界値を低く設定すれば、グレーン220までも欠陥として検出されるので、欠陥の個数が多すぎて工程管理が難しくなる。反対に、グレーン220の検出を防止するために、すなわち、感知度を低めるために臨界値を高く設定すれば、ブリッジ230までも検出されない問題点がある。
【0006】
一方、イメージ比較法のさらに他の問題点は図3に示されたように、ウェーハの明度差が存在する場合に生じる。ウェーハの相異なる領域で、例えば、ウェーハの中央部と縁部領域でイメージの全体的なグレーレベルの差が生じる場合である。図3で、Xで表示された側はウェーハ中央部の暗いイメージを、Yで表示された側はウェーハ縁部の明るいイメージを示す。
【0007】
図4A及び図4Bは、ウェーハの明度差が存在する場合の欠陥検出イメージ比較法について説明した図面である。図4Aのように明るいイメージの場合に、ブリッジ330は検出しつつグレーン320の検出を減らすためには臨界値を高く設定しなければならない。しかし、明るいイメージに合せて設定された臨界値を図4Bのような暗いイメージに適用すれば、欠陥検出力が劣る問題点が生じる。反対に、図4Bのような暗いイメージに合せて臨界値を設定すれば、図4Aのような明るいイメージではグレーン220の検出によって非常に多くの欠陥を検出する問題がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする技術的課題は、ウェーハの明度差を補正できる方法及びこれを記録した記録媒体を提供することである。
本発明の他の技術的課題は、ラインパターンとスペースパターンとを区別してラインパターンに存在するグレーンは検出せず、スペースパターンに生じるブリッジ欠陥だけを検出するように、選択的に欠陥を検出する方法及びこれを記録した記録媒体を提供することである。
また、金属配線工程の欠陥検出時、ウェーハの明度差により比較されるイメージ間のグレーレベルの差を乗り越え、ラインパターンとスペースパターンとを区別してグレーンは検出せず、ブリッジだけ選択的に検出する方法及びこれを記録した記録媒体を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の技術的課題を達成するために、本発明の明度補正方法は、明度が相異なるX領域とY領域が分布するウェーハの表面を一定の大きさの画素に分け、各画素に対してグレーレベル値を定める。X領域及びY領域に対して、各領域別にグレーレベル値の平均と標準偏差を計算する。次に、X領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差がY領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差と同じ値を持つようにX領域の画素を補正することによってウェーハの全体的なグレーレベルを補正する。次の式を利用してX領域の画素を補正することによって、X領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差がY領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差と同じ値を持つようにすることができる。
【0010】
【数5】
Figure 0004243454
(ここでxiはX領域各画素のグレーレベル値、μは各画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベル値の標準偏差を表し、下付きXはX領域、YはY領域を表し、xi´はX領域の各画素の補正されたグレーレベル値を表す。)
本発明の他の技術的課題を達成するために、本発明の欠陥検出方法では、ラインパターン及び前記ラインパターンより明度が低いスペースが交互に反復して配列されているウェーハ表面を一定の大きさの画素に分け、各画素に対してグレーレベル値を定める。次に、ラインパターンに対しては第1臨界値を設定し、スペースに対しては第2臨界値を設定し、第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認する。
【0011】
第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認するために、ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメージに分け、隣接する3つのイメージA、B、Cを順次抽出する。イメージB及びイメージAを対応する画素同士で比較して対応する画素間のグレーレベル値の差を求め、グレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である画素だけ確認する。次に、この過程をイメージB及びイメージCに対して行い、イメージBとAとの比較及びイメージBとCとの比較から共通的に確認された画素を欠陥として認識する。
【0012】
前記第1臨界値は前記金属配線パターン上に生じるグレーンは検出されないように設定され、第2臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定される。
また、本発明の技術的課題を達成するために、明度が相異なるX領域とY領域が分布するウェーハの欠陥を検出する方法では、まずウェーハの全体的なグレーレベルをY領域のグレーレベルに補正する。すなわち、X領域を構成する画素のグレーレベル値の平均及び標準偏差がY領域の平均及び標準偏差と同じ値を持つように、X領域の各画素のグレーレベル値を補正する。次に、ラインパターンとスペースに相異なる臨界値を適用して欠陥を検出する。ラインパターンに適用する臨界値は金属配線上のグレーンは検出しないように設定し、スペースに適用する臨界値はブリッジを検出できるように設定する。
【0013】
前記本発明の技術的課題を達成するための明度補正方法及び欠陥検出方法は、前記方法を記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に提供できる。
前記記録媒体は、明度が相異なるX領域とY領域が分布するウェーハの表面を一定の大きさの画素に分け、X領域及びY領域に対して、各領域別にグレーレベル値の平均と標準偏差を計算した後、X領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差がY領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差と同じ値を持つようにX領域の画素を補正する明度補正プログラムモジュールが記録される。次の式を利用してX領域の画素を補正する明度補正プログラムモジュールが記録される。
【0014】
【数6】
Figure 0004243454
(ここでxiはX領域各画素のグレーレベル値、μは各画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベル値の標準偏差を表し、下付きXはX領域、YはY領域を表し、xi´はX領域の各画素の補正されたグレーレベル値を表す。)
【0015】
前記記録媒体は、ラインパターン及び前記ラインパターンより明度が低いスペースが交互に反復して配列されているウェーハ表面の各画素に対してグレーレベル値を定め、ラインパターンに対しては第1臨界値を設定し、スペースに対しては第2臨界値を設定し、第1及び第2臨界値以上の値を持つ画素を確認する欠陥検出プログラムモジュールが記録される。
また、前記記録媒体は明度が相異なる領域が存在するウェーハの各イメージを最適化されたグレーレベルを持つイメージに合うように補正し、ラインパターンとスペースとを区別して、各パターンによって相異なる臨界値を適用して欠陥を検出するプログラムモジュールが記録される。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明の実施形態は多様な形態に変形でき、本発明の範囲が後述される実施形態に限定されるものではない。
(実施形態1)
実施形態1は明度差があるウェーハ表面の明度を補正する方法に関する。第1明度を持つX領域と第2明度を持つY領域とが分布するウェーハの明度が相異なる二つのイメージの明度補正について説明する。
【0017】
図5は、本発明によって明度を補正する順序を示したフローチャートである。
段階Iでは、明度が相異なる二つの領域X(暗い領域)とY(明るい領域)とが分布されたウェーハの表面を一定の大きさの画素に分け、各画素のグレーレベル値を定める。
段階IIでは、二つの領域X、Yの各々に対して、各画素が持つグレーレベル値の平均及び標準偏差を計算する。
段階IIIでは、明度が低いX領域をY領域の明度に補正するために、式7を利用して、X領域の各画素のグレーレベル値を補正する。
【0018】
【数7】
Figure 0004243454
ここでxiはX領域各画素のグレーレベル値、μは各画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベル値の標準偏差を表し、下付きXはX領域、YはY領域を表し、xi´はX領域の各画素の補正されたグレーレベル値を表す。
【0019】
図6A及び図6Bは、図3で示された、明度が相異なる二つのイメージのヒストグラムを示したものである。横軸は0−255間の整数値を持つグレーレベル値であり、縦軸は各々のグレーレベル値を持つ画素の個数である。図6Aは図3でYで表示された明るいイメージのヒストグラムであり、図6Bは図3でXで表示された暗いイメージのヒストグラムである。ここで示されたように、二つのイメージの明度差によって、二つのイメージのグレーレベル値の平均と標準偏差が相異なる。前記式7により図6Bに示された暗いイメージのヒストグラムを図6Aのヒストグラムと同じ形態に補正する。
【0020】
(実施形態2)
実施形態2は金属配線パターンとスペースが交互に反復して配列されているウェーハから各パターン別に選択的に欠陥を検出する方法に関する。
図7は本発明によって選択的に欠陥を検出する順序を示したフローチャートである。
段階Iでは、金属配線パターンとスペースとが交互に反復して配列されているウェーハ表面を一定の大きさの画素に分け、各画素のグレーレベル値を定める。
【0021】
段階IIでは、グレーレベルの高い金属配線パターンには第1臨界値を設定して感知度を低め、グレーレベルの低いスペースには第1臨界値より低い第2臨界値を設定して感知度を高める。金属配線パターンにはグレーンが存在するので、グレーンが検出されないように、第1臨界値はグレーンのグレーレベル値と金属配線パターンのグレーレベル値との差より高く設定する。また、第2臨界値はスペースに存在するブリッジを検出できるように、低く設定する。
【0022】
段階IIIでは、欠陥を検出するために3つの連続されたイメージA、B、Cを比較するが、金属配線パターンは金属配線パターン同士で、スペースはスペース同士で比較する。金属配線パターンをなす画素のグレーレベル値は大体類似しており、同じく、スペースをなす画素のグレーレベル値も大体類似している。また、金属配線パターンとスペースのグレーレベル値との差は大きい。二つのパターンのグレーレベル値間の任意の値を設定して二つのパターンを区分できる。
【0023】
イメージBのスペース及びイメージAのスペースを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める。グレーレベル値の差が第2臨界値以上であればイメージBの該当画素に欠陥があると認識する。次に、イメージBの前記画素に対応するイメージCの画素と比較してグレーレベル値の差を求める。やはり、グレーレベル値の差が第2臨界値以上であれば欠陥と認識する。この時、前記二つの場合において、共に欠陥と認識された場合、最終的に欠陥と見なす。
【0024】
前述した方法により、金属配線パターン内にだけ存在するグレーンは高い臨界値を設定することによって検出せず、スペースパターンでだけ生じるブリッジのような欠陥を検出する。
図8Aないし図8Cは、実際金属配線工程でのウェーハについて、従来の方法と本発明の方法を適用した欠陥検出結果を示したものである。
【0025】
図8Aは従来の方法を適用した結果であって、すなわち、パターン間の区別なしに一つの臨界値を適用して欠陥を検出した結果である。図面の黒点はいずれも欠陥として検出されたグレーンである。
図8Bは本発明の方法を適用した結果であって、図8Cで示されるブリッジ欠陥400だけを選択的に検出する。図8Bで、点表示が図8Cで示されるブリッジ欠陥400の位置を示し、+表示はウェーハの中央を示す。
【0026】
(実施形態3)
実施形態3はウェーハ表面に明度が相異なる領域が存在し、イメージ間に明度差がある場合、パターン選択的な欠陥検出方法に関する。実施形態3は実施形態1及び実施形態2を順番に実施するものであって、前述した内容と同一なのでその詳細な説明は省略する。
図3A及び図3Bに示されたように、明るいイメージと暗いイメージが存在する場合、まず前述した実施形態1の方法で暗いイメージの明度を補正する。次に、実施形態2の方法でパターン別に相異なる臨界値を適用してブリッジだけ検出する。
【0027】
【発明の効果】
前述したように、本発明では各イメージの画素の平均と標準偏差を利用することによって、明度差があるイメージの明度を補正できる。
また、金属配線パターンとスペースとを区別して各パターンに対して相異なる臨界値を適用することによって、選択的に欠陥を検出できる。すなわち、グレーンは検出せず、半導体素子に致命的な影響を与えるブリッジだけ検出できる。したがって、欠陥検出の選別力が向上するので、欠陥検出工程をより効率的に管理できる。
一方、ウェーハ内の位置による明度差が生じる場合に、選択的欠陥検出方法を行う前に、明度補正を先に実行して検査条件を最適化することによって欠陥検出力を向上させうる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 グレーン及びブリッジ欠陥が存在する金属ラインパターンの実際の姿を撮影した図面である。
【図2】 イメージ比較法による欠陥検出法を説明する図面である。
【図3】 相異なる明度を有する二つのイメージを示した図面である。
【図4A】 ウェーハ表面に明度差がある場合のイメージ比較法を説明する図面である。
【図4B】 ウェーハ表面に明度差がある場合のイメージ比較法を説明する図面である。
【図5】 本発明によって明度を補正する順序を示したフローチャートである。
【図6A】 図3に示された、明度が相異なる二つのイメージのヒストグラムを示した図面である。
【図6B】 図3に示された、明度が相異なる二つのイメージのヒストグラムを示した図面である。
【図7】 本発明によって選択的に欠陥を検出する順序を示したフローチャートである。
【図8A】 実際の金属配線工程におけるウェーハに対して、従来の方法及び本発明の方法を適用した欠陥検出結果及び欠陥が存在する金属ラインパターンの実際の姿を示した図面である。
【図8B】 実際の金属配線工程におけるウェーハに対して、従来の方法及び本発明の方法を適用した欠陥検出結果及び欠陥が存在する金属ラインパターンの実際の姿を示した図面である。
【図8C】 実際の金属配線工程におけるウェーハに対して、従来の方法及び本発明の方法を適用した欠陥検出結果及び欠陥が存在する金属ラインパターンの実際の姿を示した図面である。
【符号の説明】
100,200…ラインパターン
110,210…スペース 120,220,320…グレーン
130,230,330…ブリッジ

Claims (18)

  1. ラインパターン及び前記ラインパターンより明度が低いスペースが交互に反復して配列されているウェーハ表面を一定の大きさの画素に分ける段階と、
    前記各画素から反射された光を検出し、該検出に基づき該各画素に対してグレーレベル値を定める段階と、
    前記ラインパターンに対しては第1臨界値を設定し、前記スペースに対しては第2臨界値を設定する段階と、
    前記ラインパターン及び前記スペースの各々に対して、
    前記第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認する段階とを含む欠陥検出方法。
  2. 前記第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認する段階は、
    a)前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメージに分ける段階と、
    b)前記イメージのうち隣接する3つの連続イメージA、B、Cを抽出する段階と、
    c)前記イメージB及びイメージAを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める段階と、
    d)前記段階c)で、比較されるイメージAの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である前記イメージBの画素だけ確認する段階と、
    e)前記イメージB及びイメージCを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める段階と、
    f)前記段階e)で、比較されるイメージCの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である前記イメージBの画素だけ確認する段階と、
    g)前記段階d)及びf)から共通で確認された画素を欠陥と認識する段階とを含む請求項1に記載の欠陥検出方法。
  3. 前記ラインパターンは金属配線パターンである請求項1に記載の欠陥検出方法。
  4. 前記第1臨界値は前記金属配線パターン上に生じるグレーンが検出されないように設定され、第2臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定された請求項3に記載の欠陥検出方法。
  5. 前記ウェーハ表面に明度が相異なる二つの領域X、Yが存在する場合に、前記各画素に対してグレーレベル値を定める段階後、前記第1及び第2臨界値を設定する段階前に、
    第1明度を持つX領域と第2明度を持つY領域とが分布するウェーハの表面を一定の大きさの画素に分ける段階と、
    前記各画素から反射された光を検出し、該検出に基づき該各画素に対してグレーレベル値を定める段階と、
    前記X領域及び前記Y領域に対して、各領域別に前記グレーレベル値の平均と標準偏差を計算する段階と、
    前記X領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差が前記Y領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差と同じ値を持つように、前記X領域のあらゆる画素に対して前記グレーレベル値を補正する段階とをさらに含む請求項1に記載の欠陥検出方法。
  6. 前記X領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差が前記Y領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差と同じ値を持つように、次の式を利用して前記X領域のあらゆる画素に対して前記グレーレベル値を補正する段階を行って前記X、Y領域間明度差が補正されることを特徴とする請求項5に記載の欠陥検出方法。
    Figure 0004243454
    (ここでxi はX領域各画素のグレーレベル値、μは各画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベル値の標準偏差を表し、下付きXはX領域、YはY領域を表し、xi ´はX領域の各画素の補正されたグレーレベル値を表す。)
  7. 前記第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認する段階は、
    a)前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメージに分ける段階と、
    b)前記イメージのうち隣接する3つの連続イメージA、B、Cを抽出する段階と、
    c)前記イメージB及びイメージAを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める段階と、
    d)前記段階c)で、比較されるイメージAの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である前記イメージBの画素だけ確認する段階と、
    e)前記イメージB及びイメージCを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める段階と、
    f)前記段階e)で、比較されるイメージCの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である前記イメージBの画素だけ確認する段階と、
    g)前記段階d)及びf)から共通で確認された画素を欠陥と認識する段階とを含む請求項5に記載の欠陥検出方法。
  8. 前記ラインパターンは金属配線パターンである請求項5に記載の欠陥検出方法。
  9. 前記第1臨界値は前記金属配線パターン上に生じるグレーンは検出されないように設定され、
    第2臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定された請求項8に記載の欠陥検出方法。
  10. ラインパターン及び前記ラインパターンより明度が低いスペースが交互に反復して配列されているウェーハ表面を一定の大きさの画素に分ける手順をコンピュータに実行させるプログラムモジュールと、
    前記各画素から反射された光を検出し、該検出に基づき該各画素に対してグレーレベル値を定める手順をコンピュータに実行させるプログラムモジュールと、
    前記ラインパターンに対しては第1臨界値を設定し、前記スペースに対しては第2臨界値を設定する手順をコンピュータに実行させるプログラムモジュールと、
    前記ラインパターン及び前記スペースの各々に対して、
    前記第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認する手順をコンピュータに実行させるプログラムモジュールと、
    前記ラインパターン及び前記スペースの各々に対して、
    前記第1及び第2臨界値を適用して欠陥を確認する手順をコンピュータに実行させるプログラムモジュールとを含む欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  11. 前記第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認する手順をコンピュー タに実行させるプログラムモジュールは、
    前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメージに分ける手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージのうち隣接する3つの連続イメージA、B、Cを抽出する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージB及びイメージAを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージBと比較されるイメージAの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上の前記イメージBの画素だけ確認する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージB及びイメージCを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージBと比較されるイメージCの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である前記イメージBの画素だけ確認する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージAとイメージCとの比較を通じて共通で確認された画素を欠陥と認識する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールとを含む請求項10に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  12. 前記ラインパターンは金属配線パターンである請求項10に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  13. 前記第1臨界値は前記金属配線パターン上に生じるグレーンは検出されないように設定され、
    第2臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定された請求項12に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  14. 第1明度を持つX領域と第2明度を持つY領域とが分布するウェーハの表面を一定の大きさの画素に分ける手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記各画素から反射された光を検出し、該検出に基づき該各画素に対してグレーレベル値を定める手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記X領域及び前記Y領域に対して、各領域別に前記グレーレベル値の平均と標準偏差を計算する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記X領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差が前記Y領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差と同じ値を持つように、前記X領域のあらゆる画素に対して前記グレーレベル値を補正する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールとを含む明度補正プログラムモジュールとをさらに具備する請求項10に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  15. 前記X領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差が前記Y領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差と同じ値を持つように、前記X領域のあらゆる画素に対して前記グレーレベル値を補正する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールは次の式を用いることを特徴とする請求項14に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
    Figure 0004243454
    (ここでxiはX領域各画素のグレーレベル値、μは各画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベル値の標準偏差を表し、下付きXはX領域、YはY領域を表し、xi´はX領域の各画素の補正されたグレーレベル値を表す。)
  16. 前記第1及び第2臨界値以上のグレーレベル値を持つ画素を確認する手順をコンピュータに実行させるプログラムモジュールは、
    前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメージに分ける手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージのうち隣接する3つの連続イメージA、B、Cを抽出する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージB及びイメージAを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージBと比較されるイメージAの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である前記イメージBの画素だけ確認する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージB及びイメージCを対応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージBと比較されるイメージCの該当画素に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては第1臨界値以上であり、スペースに対しては第2臨界値以上である前記イメージBの画素だけ確認する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールと、
    前記イメージAとイメージCとの比較を通じて共通で確認された画素を欠陥と認識する手順をコンピュータに実行させるサブプログラムモジュールとを含む請求項14に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  17. 前記ラインパターンは金属配線パターンである請求項14に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  18. 前記第1臨界値は前記金属配線パターン上に生じるグレーンは検出されないように設定され、
    第2臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定された請求項17に記載の欠陥検出プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
JP2002131981A 2001-05-10 2002-05-07 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体 Expired - Fee Related JP4243454B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2001-025578 2001-05-10
KR10-2001-0025578A KR100425447B1 (ko) 2001-05-10 2001-05-10 명도 보정 및 선택적 결함 검출 방법 및 이를 기록한 기록매체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003050211A JP2003050211A (ja) 2003-02-21
JP4243454B2 true JP4243454B2 (ja) 2009-03-25

Family

ID=19709307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002131981A Expired - Fee Related JP4243454B2 (ja) 2001-05-10 2002-05-07 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7027638B2 (ja)
JP (1) JP4243454B2 (ja)
KR (1) KR100425447B1 (ja)
DE (1) DE10221318B4 (ja)
TW (1) TW544841B (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002365570A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Method for detecting defects in substrates
US6829381B2 (en) * 2001-11-28 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Method for detecting defects
US8259358B2 (en) * 2002-10-18 2012-09-04 Muller Capital, Llc Apparatus for eliminating moire in scanned image and method for the same
US6885977B2 (en) * 2002-12-20 2005-04-26 Applied Materials, Inc. System to identify a wafer manufacturing problem and method therefor
US7263451B1 (en) * 2004-10-25 2007-08-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for correlating semiconductor process data with known prior process data
KR100670003B1 (ko) * 2004-12-28 2007-01-19 삼성전자주식회사 적응형 문턱치를 이용한 영상의 평탄 영역 검출장치 및 그방법
DE102005017642B4 (de) * 2005-04-15 2010-04-08 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
JP4533306B2 (ja) * 2005-12-06 2010-09-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置
KR100744233B1 (ko) * 2005-12-28 2007-07-30 동부일렉트로닉스 주식회사 테스트 패턴의 메탈 브리지 모니터링방법
KR100790881B1 (ko) * 2006-07-06 2008-01-02 삼성전자주식회사 미세유체 반응칩 및 이의 제조방법
US8126267B2 (en) * 2007-02-05 2012-02-28 Albany Medical College Methods and apparatuses for analyzing digital images to automatically select regions of interest thereof
KR100949200B1 (ko) * 2007-12-31 2010-03-23 주식회사 쓰리비 시스템 체적을 이용한 결함크기 측정방법
KR20090100615A (ko) 2008-03-20 2009-09-24 삼성전자주식회사 결함 검출 방법
KR100987520B1 (ko) * 2008-06-19 2010-10-13 삼성전기주식회사 기판 검사 장치
SG164293A1 (en) * 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
KR101147685B1 (ko) 2012-01-30 2012-05-22 한국지질자원연구원 컴퓨터 단층촬영장치를 이용한 보석 가치 평가장치 및 그 방법
US11645744B2 (en) * 2016-12-06 2023-05-09 Mitsubishi Electric Corporation Inspection device and inspection method
CN111667448B (zh) * 2019-03-06 2023-08-15 深圳中科飞测科技股份有限公司 一种图像处理方法、装置及设备
CN116912242B (zh) * 2023-09-12 2023-12-15 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种纳米压印晶圆缺陷定位方法
CN116977335B (zh) * 2023-09-22 2023-12-12 山东贞元汽车车轮有限公司 一种用于机械零件表面点蚀缺陷的智能检测方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293538A (en) * 1990-05-25 1994-03-08 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for the inspection of defects
JPH0621165A (ja) 1992-07-06 1994-01-28 Hitachi Ltd 画像の二値化良否判別方法
US5436979A (en) * 1992-08-21 1995-07-25 Eastman Kodak Company Process for detecting and mapping dirt on the surface of a photographic element
US5355212A (en) * 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5537669A (en) * 1993-09-30 1996-07-16 Kla Instruments Corporation Inspection method and apparatus for the inspection of either random or repeating patterns
US5781206A (en) * 1995-05-01 1998-07-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for recalibrating a multi-color imaging system
US6075905A (en) * 1996-07-17 2000-06-13 Sarnoff Corporation Method and apparatus for mosaic image construction
JPH10135287A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Toshiba Corp ウエーハ検査装置および検査方法
US6005966A (en) * 1997-02-12 1999-12-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for multi-stream detection of high density metalization layers of multilayer structures having low contrast
JPH10259849A (ja) 1997-03-21 1998-09-29 Bridgestone Corp 防振装置
JP3397101B2 (ja) * 1997-10-29 2003-04-14 株式会社日立製作所 欠陥検査方法および装置
JP2000346627A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Toray Eng Co Ltd 検査装置
JP3745564B2 (ja) * 1999-07-08 2006-02-15 三菱電機株式会社 欠陥検査方法および欠陥検査装置
US6605478B2 (en) * 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
JP4008291B2 (ja) * 2002-06-10 2007-11-14 大日本スクリーン製造株式会社 パターン検査装置、パターン検査方法およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
DE10221318B4 (de) 2009-01-08
KR20020085995A (ko) 2002-11-18
DE10221318A1 (de) 2002-11-21
US7027638B2 (en) 2006-04-11
KR100425447B1 (ko) 2004-03-30
JP2003050211A (ja) 2003-02-21
TW544841B (en) 2003-08-01
US20020172412A1 (en) 2002-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4243454B2 (ja) 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体
US6985180B2 (en) Intelligent blemish control algorithm and apparatus
US7260244B2 (en) Print inspection method and print inspection apparatus
JP3533722B2 (ja) 不良検査方法およびその装置
JP2005172559A (ja) パネルの線欠陥検出方法及び装置
US7639860B2 (en) Substrate inspection device
JP2006343185A (ja) 表面欠陥検査装置
JP2005165387A (ja) 画面のスジ欠陥検出方法及び装置並びに表示装置
JP2006133196A (ja) 画素ムラ欠陥検出方法、画素ムラ欠陥検出装置、画素ムラ欠陥検出プログラムおよびこのプログラムを記録した記録媒体。
JP2005164565A (ja) 低解像度および高解像度映像におけるフラットパネル用光関連板要素の欠陥検出方法
JPWO2018198916A1 (ja) 画像処理装置、画像処理方法及び記憶媒体
JP4247993B2 (ja) 画像検査装置、画像検査方法、制御プログラムおよび可読記憶媒体
JP4364773B2 (ja) 印刷物の検査方法
KR101053779B1 (ko) 디스플레이 수단의 메탈 마스크 검사 방법
JP4253265B2 (ja) 影検出装置、影検出方法及び影検出プログラム、影検出装置を用いた画像処理装置、影検出方法を用いた画像処理方法及び影検出プログラムを用いた画像処理プログラム
JP4447464B2 (ja) 皮膚紋様の画像中の関心のある領域の決定方法
JPH09288037A (ja) Lcdパネルの検査方法
JPH09147056A (ja) マーク外観検査方法とその装置
EP4318304A1 (en) Information reading device
KR101076478B1 (ko) 스트레칭 기법을 활용한 평판 디스플레이 패널의 화상결함 검사 방법 및 기록매체
JP7300155B2 (ja) 固形製剤外観検査における教示装置、及び固形製剤外観検査における教示方法
JPH0786468B2 (ja) プリント基板のパターン検査方法
JP2001209793A (ja) パターン欠陥分別検出方法
JP4121628B2 (ja) 画面検査方法及びその装置
JPH0520459A (ja) パターン認識方法およびその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050428

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081202

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090105

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4243454

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140109

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees