JP2003050211A - 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体 - Google Patents

明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体

Info

Publication number
JP2003050211A
JP2003050211A JP2002131981A JP2002131981A JP2003050211A JP 2003050211 A JP2003050211 A JP 2003050211A JP 2002131981 A JP2002131981 A JP 2002131981A JP 2002131981 A JP2002131981 A JP 2002131981A JP 2003050211 A JP2003050211 A JP 2003050211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gray level
value
pixel
image
pixels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002131981A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4243454B2 (ja
Inventor
Chung-Sam Jun
忠森 全
Sang-Moon Chon
相文 全
Hyoung-Jin Kim
亨真 金
Dong-Chun Lee
東春 李
Soho Sai
相奉 崔
Sung-Gon Ryu
成坤 柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2003050211A publication Critical patent/JP2003050211A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4243454B2 publication Critical patent/JP4243454B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T5/00—Image enhancement or restoration
    • G06T5/90—Dynamic range modification of images or parts thereof
    • G06T5/94—Dynamic range modification of images or parts thereof based on local image properties, e.g. for local contrast enhancement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/90—Determination of colour characteristics
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20—Special algorithmic details
    • G06T2207/20021—Dividing image into blocks, subimages or windows
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハ表面の明度を補正する方法及び相異
なるパターンに対する選択的欠陥検出方法、そしてこの
ような方法を記録した記録媒体を提供する。 【解決手段】 ウェーハを分割する各画素の平均と標準
偏差を利用することによって、明度差があるイメージの
明度を補正できる。また、金属配線パターンとスペース
とを区別して各パターンに対して相異なる臨界値を適用
することによって、選択的に欠陥を検出できる。すなわ
ち、グレーンは検出せず、半導体素子に致命的な影響を
与えるブリッジだけ検出できる。したがって、欠陥検出
の選別力が向上するので欠陥検出工程をより効率的に管
理できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造工
程のうち生じる欠陥の検出技術に係り、特に明度差のあ
るウェーハ表面の明度を補正する方法及び相異なるパタ
ーンに対する選択的欠陥検出方法、そしてこのような方
法を記録した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程時に生じる欠陥は
素子の信頼性及び収率に重大な影響を及ぼすので、製造
工程の段階ごとに欠陥検出工程が行われている。一般
に、欠陥検出装置ではウェーハ上で反復されるパターン
の隣接したイメージの各画素を比較して、グレーレベル
値の差が臨界値以上である画素を欠陥として検出する方
法を使用している。グレーレベルとは、最も暗い段階を
０に、最も明るい段階を２５５に指定して明度を２５６
段階に区分した数値である。
【０００３】以下、従来の欠陥検出方法を具体的に説明
する。任意の光源から出射された光をウェーハ表面に照
射する。欠陥検出装置の信号感知部ではウェーハ表面か
ら反射された光を画素に分けて感知し、各画素のグレー
レベル値を定める。次に欠陥認識の基準となる臨界値を
設定する。欠陥を検出するためにはウェーハ全面に対し
て、ウェーハ表面の隣接部分のイメージを３つずつ比較
する。それぞれのイメージは多数の画素で構成されてい
る。イメージＢは欠陥の有無を検査しようとする対象イ
メージであり、イメージＡ及びＣは比較基準になる比較
イメージである。まず、イメージＢ及びイメージＡを対
応する画素同士で比較して、対応する画素間のグレーレ
ベル値の差を求める。グレーレベル値の差が臨界値以上
であるＢの画素を認識する。次に、イメージＢ及びイメ
ージＣを対応する画素同士で比較してグレーレベル値の
差を求める。やはり、グレーレベル値の差が臨界値以上
であるＢの画素を認識する。この時、前記二つの場合
で、共通に認識された画素だけを最終的に欠陥と見な
す。
【０００４】このようなイメージ比較法を利用した欠陥
検出方法の最も大きい問題点のうち一つは金属配線工程
上に存在する。図１は、金属ラインパターン１００及び
スペース１１０が規則的に配列されてる実際の姿を撮影
した図面である。図１で分かるように、金属ラインパタ
ーン１００上にはグレーン１２０が存在し、スペース１
１０にはブリッジ１３０が存在する。グレーン１２０は
欠陥のように見られるが、実際には半導体素子の動作に
は影響を与えない。しかし、示されたように、グレーン
１２０は金属ラインパターン１００より低いグレーレベ
ル値を持つので、欠陥検査時に欠陥として認識されて全
体欠陥の個数を増加させ、工程管理を難しくする。
【０００５】図２は金属ラインパターン２００及びスペ
ース２１０が規則的に配列されたウェーハに欠陥が存在
する場合のイメージ比較法を説明するための図面であ
る。イメージＢには実際に収率に深刻な影響を与える致
命的な欠陥であるブリッジ２３０とグレーン２２０とが
共に存在する。ブリッジ２３０のような致命的な欠陥を
検出するためには臨界値を低く設定して感知度を高めね
ばならない。ところで、臨界値を低く設定すれば、グレ
ーン２２０までも欠陥として検出されるので、欠陥の個
数が多すぎて工程管理が難しくなる。反対に、グレーン
２２０の検出を防止するために、すなわち、感知度を低
めるために臨界値を高く設定すれば、ブリッジ２３０ま
でも検出されない問題点がある。
【０００６】一方、イメージ比較法のさらに他の問題点
は図３に示されたように、ウェーハの明度差が存在する
場合に生じる。ウェーハの相異なる領域で、例えば、ウ
ェーハの中央部と縁部領域でイメージの全体的なグレー
レベルの差が生じる場合である。図３で、Ｘで表示され
た側はウェーハ中央部の暗いイメージを、Ｙで表示され
た側はウェーハ縁部の明るいイメージを示す。
【０００７】図４Ａ及び図４Ｂは、ウェーハの明度差が
存在する場合の欠陥検出イメージ比較法について説明し
た図面である。図４Ａのように明るいイメージの場合
に、ブリッジ３３０は検出しつつグレーン３２０の検出
を減らすためには臨界値を高く設定しなければならな
い。しかし、明るいイメージに合せて設定された臨界値
を図４Ｂのような暗いイメージに適用すれば、欠陥検出
力が劣る問題点が生じる。反対に、図４Ｂのような暗い
イメージに合せて臨界値を設定すれば、図４Ａのような
明るいイメージではグレーン２２０の検出によって非常
に多くの欠陥を検出する問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する技術的課題は、ウェーハの明度差を補正できる方法
及びこれを記録した記録媒体を提供することである。本
発明の他の技術的課題は、ラインパターンとスペースパ
ターンとを区別してラインパターンに存在するグレーン
は検出せず、スペースパターンに生じるブリッジ欠陥だ
けを検出するように、選択的に欠陥を検出する方法及び
これを記録した記録媒体を提供することである。また、
金属配線工程の欠陥検出時、ウェーハの明度差により比
較されるイメージ間のグレーレベルの差を乗り越え、ラ
インパターンとスペースパターンとを区別してグレーン
は検出せず、ブリッジだけ選択的に検出する方法及びこ
れを記録した記録媒体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の技術的課題を達
成するために、本発明の明度補正方法は、明度が相異な
るＸ領域とＹ領域が分布するウェーハの表面を一定の大
きさの画素に分け、各画素に対してグレーレベル値を定
める。Ｘ領域及びＹ領域に対して、各領域別にグレーレ
ベル値の平均と標準偏差を計算する。次に、Ｘ領域に対
するグレーレベル値の平均及び標準偏差がＹ領域に対す
るグレーレベル値の平均と標準偏差と同じ値を持つよう
にＸ領域の画素を補正することによってウェーハの全体
的なグレーレベルを補正する。次の式を利用してＸ領域
の画素を補正することによって、Ｘ領域に対するグレー
レベル値の平均及び標準偏差がＹ領域に対するグレーレ
ベル値の平均及び標準偏差と同じ値を持つようにするこ
とができる。
【００１０】
【数５】 （ここでｘiはＸ領域各画素のグレーレベル値、μは各
画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベ
ル値の標準偏差を表し、下付きＸはＸ領域、ＹはＹ領域
を表し、ｘi´はＸ領域の各画素の補正されたグレーレ
ベル値を表す。） 本発明の他の技術的課題を達成するために、本発明の欠
陥検出方法では、ラインパターン及び前記ラインパター
ンより明度が低いスペースが交互に反復して配列されて
いるウェーハ表面を一定の大きさの画素に分け、各画素
に対してグレーレベル値を定める。次に、ラインパター
ンに対しては第１臨界値を設定し、スペースに対しては
第２臨界値を設定し、第１及び第２臨界値以上のグレー
レベル値を持つ画素を確認する。
【００１１】第１及び第２臨界値以上のグレーレベル値
を持つ画素を確認するために、ウェーハの表面を多数の
画素で構成されるイメージに分け、隣接する３つのイメ
ージＡ、Ｂ、Ｃを順次抽出する。イメージＢ及びイメー
ジＡを対応する画素同士で比較して対応する画素間のグ
レーレベル値の差を求め、グレーレベル値の差が、ライ
ンパターンに対しては第１臨界値以上であり、スペース
に対しては第２臨界値以上である画素だけ確認する。次
に、この過程をイメージＢ及びイメージＣに対して行
い、イメージＢとＡとの比較及びイメージＢとＣとの比
較から共通的に確認された画素を欠陥として認識する。
【００１２】前記第１臨界値は前記金属配線パターン上
に生じるグレーンは検出されないように設定され、第２
臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定される。
また、本発明の技術的課題を達成するために、明度が相
異なるＸ領域とＹ領域が分布するウェーハの欠陥を検出
する方法では、まずウェーハの全体的なグレーレベルを
Ｙ領域のグレーレベルに補正する。すなわち、Ｘ領域を
構成する画素のグレーレベル値の平均及び標準偏差がＹ
領域の平均及び標準偏差と同じ値を持つように、Ｘ領域
の各画素のグレーレベル値を補正する。次に、ラインパ
ターンとスペースに相異なる臨界値を適用して欠陥を検
出する。ラインパターンに適用する臨界値は金属配線上
のグレーンは検出しないように設定し、スペースに適用
する臨界値はブリッジを検出できるように設定する。
【００１３】前記本発明の技術的課題を達成するための
明度補正方法及び欠陥検出方法は、前記方法を記録した
コンピュータ読み取り可能な記録媒体に提供できる。前
記記録媒体は、明度が相異なるＸ領域とＹ領域が分布す
るウェーハの表面を一定の大きさの画素に分け、Ｘ領域
及びＹ領域に対して、各領域別にグレーレベル値の平均
と標準偏差を計算した後、Ｘ領域に対するグレーレベル
値の平均及び標準偏差がＹ領域に対するグレーレベル値
の平均と標準偏差と同じ値を持つようにＸ領域の画素を
補正する明度補正プログラムモジュールが記録される。
次の式を利用してＸ領域の画素を補正する明度補正プロ
グラムモジュールが記録される。
【００１４】
【数６】 （ここでｘiはＸ領域各画素のグレーレベル値、μは各
画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベ
ル値の標準偏差を表し、下付きＸはＸ領域、ＹはＹ領域
を表し、ｘi´はＸ領域の各画素の補正されたグレーレ
ベル値を表す。）
【００１５】前記記録媒体は、ラインパターン及び前記
ラインパターンより明度が低いスペースが交互に反復し
て配列されているウェーハ表面の各画素に対してグレー
レベル値を定め、ラインパターンに対しては第１臨界値
を設定し、スペースに対しては第２臨界値を設定し、第
１及び第２臨界値以上の値を持つ画素を確認する欠陥検
出プログラムモジュールが記録される。また、前記記録
媒体は明度が相異なる領域が存在するウェーハの各イメ
ージを最適化されたグレーレベルを持つイメージに合う
ように補正し、ラインパターンとスペースとを区別し
て、各パターンによって相異なる臨界値を適用して欠陥
を検出するプログラムモジュールが記録される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明
の実施形態は多様な形態に変形でき、本発明の範囲が後
述される実施形態に限定されるものではない。 （実施形態１）実施形態１は明度差があるウェーハ表面
の明度を補正する方法に関する。第１明度を持つＸ領域
と第２明度を持つＹ領域とが分布するウェーハの明度が
相異なる二つのイメージの明度補正について説明する。
【００１７】図５は、本発明によって明度を補正する順
序を示したフローチャートである。段階Iでは、明度が
相異なる二つの領域Ｘ（暗い領域）とＹ（明るい領域）
とが分布されたウェーハの表面を一定の大きさの画素に
分け、各画素のグレーレベル値を定める。段階IIでは、
二つの領域Ｘ、Ｙの各々に対して、各画素が持つグレー
レベル値の平均及び標準偏差を計算する。段階IIIで
は、明度が低いＸ領域をＹ領域の明度に補正するため
に、式７を利用して、Ｘ領域の各画素のグレーレベル値
を補正する。
【００１８】
【数７】 ここでｘiはＸ領域各画素のグレーレベル値、μは各画
素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベル
値の標準偏差を表し、下付きＸはＸ領域、ＹはＹ領域を
表し、ｘi´はＸ領域の各画素の補正されたグレーレベ
ル値を表す。
【００１９】図６Ａ及び図６Ｂは、図３で示された、明
度が相異なる二つのイメージのヒストグラムを示したも
のである。横軸は０−２５５間の整数値を持つグレーレ
ベル値であり、縦軸は各々のグレーレベル値を持つ画素
の個数である。図６Ａは図３でＹで表示された明るいイ
メージのヒストグラムであり、図６Ｂは図３でＸで表示
された暗いイメージのヒストグラムである。ここで示さ
れたように、二つのイメージの明度差によって、二つの
イメージのグレーレベル値の平均と標準偏差が相異な
る。前記式７により図６Ｂに示された暗いイメージのヒ
ストグラムを図６Ａのヒストグラムと同じ形態に補正す
る。
【００２０】（実施形態２）実施形態２は金属配線パタ
ーンとスペースが交互に反復して配列されているウェー
ハから各パターン別に選択的に欠陥を検出する方法に関
する。図７は本発明によって選択的に欠陥を検出する順
序を示したフローチャートである。段階Iでは、金属配
線パターンとスペースとが交互に反復して配列されてい
るウェーハ表面を一定の大きさの画素に分け、各画素の
グレーレベル値を定める。
【００２１】段階IIでは、グレーレベルの高い金属配線
パターンには第１臨界値を設定して感知度を低め、グレ
ーレベルの低いスペースには第１臨界値より低い第２臨
界値を設定して感知度を高める。金属配線パターンには
グレーンが存在するので、グレーンが検出されないよう
に、第１臨界値はグレーンのグレーレベル値と金属配線
パターンのグレーレベル値との差より高く設定する。ま
た、第２臨界値はスペースに存在するブリッジを検出で
きるように、低く設定する。
【００２２】段階IIIでは、欠陥を検出するために３つ
の連続されたイメージＡ、Ｂ、Ｃを比較するが、金属配
線パターンは金属配線パターン同士で、スペースはスペ
ース同士で比較する。金属配線パターンをなす画素のグ
レーレベル値は大体類似しており、同じく、スペースを
なす画素のグレーレベル値も大体類似している。また、
金属配線パターンとスペースのグレーレベル値との差は
大きい。二つのパターンのグレーレベル値間の任意の値
を設定して二つのパターンを区分できる。
【００２３】イメージＢのスペース及びイメージＡのス
ペースを対応する画素同士で比較して、対応する画素間
のグレーレベル値の差を求める。グレーレベル値の差が
第２臨界値以上であればイメージＢの該当画素に欠陥が
あると認識する。次に、イメージＢの前記画素に対応す
るイメージＣの画素と比較してグレーレベル値の差を求
める。やはり、グレーレベル値の差が第２臨界値以上で
あれば欠陥と認識する。この時、前記二つの場合におい
て、共に欠陥と認識された場合、最終的に欠陥と見な
す。
【００２４】前述した方法により、金属配線パターン内
にだけ存在するグレーンは高い臨界値を設定することに
よって検出せず、スペースパターンでだけ生じるブリッ
ジのような欠陥を検出する。図８Ａないし図８Ｃは、実
際金属配線工程でのウェーハについて、従来の方法と本
発明の方法を適用した欠陥検出結果を示したものであ
る。
【００２５】図８Ａは従来の方法を適用した結果であっ
て、すなわち、パターン間の区別なしに一つの臨界値を
適用して欠陥を検出した結果である。図面の黒点はいず
れも欠陥として検出されたグレーンである。図８Ｂは本
発明の方法を適用した結果であって、図８Ｃで示される
ブリッジ欠陥４００だけを選択的に検出する。図８Ｂ
で、点表示が図８Ｃで示されるブリッジ欠陥４００の位
置を示し、＋表示はウェーハの中央を示す。
【００２６】（実施形態３）実施形態３はウェーハ表面
に明度が相異なる領域が存在し、イメージ間に明度差が
ある場合、パターン選択的な欠陥検出方法に関する。実
施形態３は実施形態１及び実施形態２を順番に実施する
ものであって、前述した内容と同一なのでその詳細な説
明は省略する。図３Ａ及び図３Ｂに示されたように、明
るいイメージと暗いイメージが存在する場合、まず前述
した実施形態１の方法で暗いイメージの明度を補正す
る。次に、実施形態２の方法でパターン別に相異なる臨
界値を適用してブリッジだけ検出する。
【００２７】
【発明の効果】前述したように、本発明では各イメージ
の画素の平均と標準偏差を利用することによって、明度
差があるイメージの明度を補正できる。また、金属配線
パターンとスペースとを区別して各パターンに対して相
異なる臨界値を適用することによって、選択的に欠陥を
検出できる。すなわち、グレーンは検出せず、半導体素
子に致命的な影響を与えるブリッジだけ検出できる。し
たがって、欠陥検出の選別力が向上するので、欠陥検出
工程をより効率的に管理できる。一方、ウェーハ内の位
置による明度差が生じる場合に、選択的欠陥検出方法を
行う前に、明度補正を先に実行して検査条件を最適化す
ることによって欠陥検出力を向上させうる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 グレーン及びブリッジ欠陥が存在する金属ラ
インパターンの実際の姿を撮影した図面である。
【図２】 イメージ比較法による欠陥検出法を説明する
図面である。
【図３】 相異なる明度を有する二つのイメージを示し
た図面である。
【図４Ａ】 ウェーハ表面に明度差がある場合のイメー
ジ比較法を説明する図面である。
【図４Ｂ】 ウェーハ表面に明度差がある場合のイメー
ジ比較法を説明する図面である。
【図５】 本発明によって明度を補正する順序を示した
フローチャートである。
【図６Ａ】 図３に示された、明度が相異なる二つのイ
メージのヒストグラムを示した図面である。
【図６Ｂ】 図３に示された、明度が相異なる二つのイ
メージのヒストグラムを示した図面である。
【図７】 本発明によって選択的に欠陥を検出する順序
を示したフローチャートである。
【図８Ａ】 実際の金属配線工程におけるウェーハに対
して、従来の方法及び本発明の方法を適用した欠陥検出
結果及び欠陥が存在する金属ラインパターンの実際の姿
を示した図面である。
【図８Ｂ】 実際の金属配線工程におけるウェーハに対
して、従来の方法及び本発明の方法を適用した欠陥検出
結果及び欠陥が存在する金属ラインパターンの実際の姿
を示した図面である。
【図８Ｃ】 実際の金属配線工程におけるウェーハに対
して、従来の方法及び本発明の方法を適用した欠陥検出
結果及び欠陥が存在する金属ラインパターンの実際の姿
を示した図面である。
【符号の説明】
１００，２００…ラインパターン １１０，２１０…スペース １２０，２２０，３２０…
グレーン １３０，２３０，３３０…ブリッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 亨真 大韓民国京畿道水原市八達区靈通洞1007− ２番地204号 (72)発明者 李 東春 大韓民国京畿道華城郡泰安邑餅店里（番地 なし）韓信アパート107棟104号 (72)発明者 崔 相奉 大韓民国京畿道水原市八達区靈通洞（番地 なし）東亜アパート714棟1302号 (72)発明者 柳 成坤 大韓民国京畿道水原市八達区牛満２洞（番 地なし）住公アパート201棟102号 Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AB02 EA14 EC02 EC03 ED07 4M106 AA01 BA04 CA38 DB21 5B057 AA03 CE11 DA03 DB02 DB09 DC22 DC32

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１明度を持つＸ領域と第２明度を持つ
    Ｙ領域とが分布するウェーハの表面を一定の大きさの画
    素に分ける段階と、 前記各画素に対してグレーレベル値を定める段階と、 前記Ｘ領域及び前記Ｙ領域に対して、各領域別に前記グ
    レーレベル値の平均と標準偏差を計算する段階と、 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差
    が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差
    と同じ値を持つように、前記Ｘ領域のあらゆる画素に対
    して前記グレーレベル値を補正する段階とを含む明度補
    正方法。
  2. 【請求項２】 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の平
    均及び標準偏差が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値の
    平均及び標準偏差と同じ値を持つように、次の式を利用
    して前記Ｘ領域のあらゆる画素のグレーレベル値を補正
    する請求項１に記載の明度補正方法。 【数１】 （ここでｘiはＸ領域各画素のグレーレベル値、μは各
    画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベ
    ル値の標準偏差を表し、下付きＸはＸ領域、ＹはＹ領域
    を表し、ｘi´はＸ領域の各画素の補正されたグレーレ
    ベル値を表す。）
  3. 【請求項３】 ラインパターン及び前記ラインパターン
    より明度が低いスペースが交互に反復して配列されてい
    るウェーハ表面を一定の大きさの画素に分ける段階と、 前記各画素に対してグレーレベル値を定める段階と、 前記ラインパターンに対しては第１臨界値を設定し、前
    記スペースに対しては第２臨界値を設定する段階と、 前記ラインパターン及び前記スペースの各々に対して、
    前記第１及び第２臨界値以上のグレーレベル値を持つ画
    素を確認する段階とを含む欠陥検出方法。
  4. 【請求項４】 前記第１及び第２臨界値以上のグレーレ
    ベル値を持つ画素を確認する段階は、 ａ）前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメ
    ージに分ける段階と、 ｂ）前記イメージのうち隣接する３つの連続イメージ
    Ａ、Ｂ、Ｃを抽出する段階と、 ｃ）前記イメージＢ及びイメージＡを対応する画素同士
    で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求
    める段階と、 ｄ）前記段階ｃ）で、比較されるイメージＡの該当画素
    に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対し
    ては第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨
    界値以上である前記イメージＢの画素だけ確認する段階
    と、 ｅ）前記イメージＢ及びイメージＣを対応する画素同士
    で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求
    める段階と、 ｆ）前記段階ｅ）で、比較されるイメージＣの該当画素
    に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対し
    ては第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨
    界値以上である前記イメージＢの画素だけ確認する段階
    と、 ｇ）前記段階ｄ）及びｆ）から共通で確認された画素を
    欠陥と認識する段階とを含む請求項３に記載の欠陥検出
    方法。
  5. 【請求項５】 前記ラインパターンは金属配線パターン
    である請求項３に記載の欠陥検出方法。
  6. 【請求項６】 前記第１臨界値は前記金属配線パターン
    上に生じるグレーンが検出されないように設定され、第
    ２臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定された
    請求項５に記載の欠陥検出方法。
  7. 【請求項７】 前記ウェーハ表面に明度が相異なる二つ
    の領域Ｘ、Ｙが存在する場合に、前記各画素に対してグ
    レーレベル値を定める段階後、前記第１及び第２臨界値
    を設定する段階前に、 第１明度を持つＸ領域と第２明度を持つＹ領域とが分布
    するウェーハの表面を一定の大きさの画素に分ける段階
    と、 前記各画素に対してグレーレベル値を定める段階と、 前記Ｘ領域及び前記Ｙ領域に対して、各領域別に前記グ
    レーレベル値の平均と標準偏差を計算する段階と、 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差
    が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差
    と同じ値を持つように、前記Ｘ領域のあらゆる画素に対
    して前記グレーレベル値を補正する段階とをさらに含む
    請求項３に記載の欠陥検出方法。
  8. 【請求項８】 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の平
    均及び標準偏差が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値の
    平均と標準偏差と同じ値を持つように、次の式を利用し
    て前記Ｘ領域のあらゆる画素に対して前記グレーレベル
    値を補正する段階を行って前記Ｘ、Ｙ領域間明度差が補
    正されることを特徴とする請求項７に記載の欠陥検出方
    法。 【数２】 （ここでｘiはＸ領域各画素のグレーレベル値、μは各
    画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベ
    ル値の標準偏差を表し、下付きＸはＸ領域、ＹはＹ領域
    を表し、ｘi´はＸ領域の各画素の補正されたグレーレ
    ベル値を表す。）
  9. 【請求項９】 前記第１及び第２臨界値以上のグレーレ
    ベル値を持つ画素を確認する段階は、 ａ）前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメ
    ージに分ける段階と、 ｂ）前記イメージのうち隣接する３つの連続イメージ
    Ａ、Ｂ、Ｃを抽出する段階と、 ｃ）前記イメージＢ及びイメージＡを対応する画素同士
    で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求
    める段階と、 ｄ）前記段階ｃ）で、比較されるイメージＡの該当画素
    に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対し
    ては第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨
    界値以上である前記イメージＢの画素だけ確認する段階
    と、 ｅ）前記イメージＢ及びイメージＣを対応する画素同士
    で比較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求
    める段階と、 ｆ）前記段階ｅ）で、比較されるイメージＣの該当画素
    に対するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対し
    ては第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨
    界値以上である前記イメージＢの画素だけ確認する段階
    と、 ｇ）前記段階ｄ）及びｆ）から共通で確認された画素を
    欠陥と認識する段階とを含む請求項７に記載の欠陥検出
    方法。
  10. 【請求項１０】 前記ラインパターンは金属配線パター
    ンである請求項７に記載の欠陥検出方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１臨界値は前記金属配線パター
    ン上に生じるグレーンは検出されないように設定され、
    第２臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定され
    た請求項１０に記載の欠陥検出方法。
  12. 【請求項１２】 第１明度を持つＸ領域と第２明度を持
    つＹ領域とが分布するウェーハの表面を一定の大きさの
    画素に分けるプログラムモジュールと、 前記各画素に対してグレーレベル値を定めるプログラム
    モジュールと、 前記Ｘ領域及び前記Ｙ領域に対して、各領域別に前記グ
    レーレベル値の平均と標準偏差を計算するプログラムモ
    ジュールと、 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差
    が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差
    と同じ値を持つように、前記Ｘ領域のあらゆる画素に対
    して前記グレーレベル値を補正するプログラムモジュー
    ルとを含む明度補正プログラムを記録したコンピュータ
    読み取り可能な記録媒体。
  13. 【請求項１３】 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の
    平均及び標準偏差が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値
    の平均と標準偏差と同じ値を持つように、次の式を利用
    して前記Ｘ領域のあらゆる画素に対して前記グレーレベ
    ル値を補正するプログラムモジュールを含む請求項１２
    に記載の明度補正プログラムを記録したコンピュータ読
    み取り可能な記録媒体。 【数３】 （ここでｘiはＸ領域各画素のグレーレベル値、μは各
    画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベ
    ル値の標準偏差を表し、下付きＸはＸ領域、ＹはＹ領域
    を表し、ｘi´はＸ領域の各画素の補正されたグレーレ
    ベル値を表す。）
  14. 【請求項１４】 ラインパターン及び前記ラインパター
    ンより明度が低いスペースが交互に反復して配列されて
    いるウェーハ表面を一定の大きさの画素に分けるプログ
    ラムモジュールと、 前記各画素に対してグレーレベル値を定めるプログラム
    モジュールと、 前記ラインパターンに対しては第１臨界値を設定し、前
    記スペースに対しては第２臨界値を設定するプログラム
    モジュールと、 前記ラインパターン及び前記スペースの各々に対して、
    前記第１及び第２臨界値以上のグレーレベル値を持つ画
    素を確認するプログラムモジュールと、 前記ラインパターン及び前記スペースの各々に対して、
    前記第１及び第２臨界値を適用して欠陥を確認するプロ
    グラムモジュールとを含む欠陥検出プログラムを記録し
    たコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  15. 【請求項１５】 前記第１及び第２臨界値以上のグレー
    レベル値を持つ画素を確認するプログラムモジュール
    は、 前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメージ
    に分けるサブプログラムモジュールと、 前記イメージのうち隣接する３つの連続イメージＡ、
    Ｂ、Ｃを抽出するサブプログラムモジュールと、 前記イメージＢ及びイメージＡを対応する画素同士で比
    較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める
    サブプログラムモジュールと、 前記イメージＢと比較されるイメージＡの該当画素に対
    するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては
    第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨界値
    以上の前記イメージＢの画素だけ確認するサブプログラ
    ムモジュールと、 前記イメージＢ及びイメージＣを対応する画素同士で比
    較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める
    サブプログラムモジュールと、 前記イメージＢと比較されるイメージＣの該当画素に対
    するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては
    第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨界値
    以上である前記イメージＢの画素だけ確認するサブプロ
    グラムモジュールと、 前記イメージＡとイメージＣとの比較を通じて共通で確
    認された画素を欠陥と認識するサブプログラムモジュー
    ルとを含む請求項１４に記載の欠陥検出プログラムを記
    録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  16. 【請求項１６】 前記ラインパターンは金属配線パター
    ンである請求項１４に記載の欠陥検出方法を記録したコ
    ンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  17. 【請求項１７】 前記第１臨界値は前記金属配線パター
    ン上に生じるグレーンは検出されないように設定され、
    第２臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定され
    た請求項１６に記載の欠陥検出プログラムを記録したコ
    ンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  18. 【請求項１８】 第１明度を持つＸ領域と第２明度を持
    つＹ領域とが分布するウェーハの表面を一定の大きさの
    画素に分けるサブプログラムモジュールと、 前記各画素に対してグレーレベル値を定めるサブプログ
    ラムモジュールと、 前記Ｘ領域及び前記Ｙ領域に対して、各領域別に前記グ
    レーレベル値の平均と標準偏差を計算するサブプログラ
    ムモジュールと、 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の平均及び標準偏差
    が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値の平均と標準偏差
    と同じ値を持つように、前記Ｘ領域のあらゆる画素に対
    して前記グレーレベル値を補正するサブプログラムモジ
    ュールとを含む明度補正プログラムモジュールとをさら
    に具備する請求項１４に記載の欠陥検出プログラムを記
    録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  19. 【請求項１９】 前記Ｘ領域に対するグレーレベル値の
    平均及び標準偏差が前記Ｙ領域に対するグレーレベル値
    の平均と標準偏差と同じ値を持つように、前記Ｘ領域の
    あらゆる画素に対して前記グレーレベル値を補正するサ
    ブプログラムモジュールは次の式を用いることを特徴と
    する請求項１８に記載の欠陥検出プログラムを記録した
    コンピュータ読み取り可能な記録媒体。 【数４】 （ここでｘiはＸ領域各画素のグレーレベル値、μは各
    画素のグレーレベル値の平均、σは各画素のグレーレベ
    ル値の標準偏差を表し、下付きＸはＸ領域、ＹはＹ領域
    を表し、ｘi´はＸ領域の各画素の補正されたグレーレ
    ベル値を表す。）
  20. 【請求項２０】 前記第１及び第２臨界値以上のグレー
    レベル値を持つ画素を確認するプログラムモジュール
    は、 前記ウェーハの表面を多数の画素で構成されるイメージ
    に分けるサブプログラムモジュールと、 前記イメージのうち隣接する３つの連続イメージＡ、
    Ｂ、Ｃを抽出するサブプログラムモジュールと、 前記イメージＢ及びイメージＡを対応する画素同士で比
    較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める
    サブプログラムモジュールと、 前記イメージＢと比較されるイメージＡの該当画素に対
    するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては
    第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨界値
    以上である前記イメージＢの画素だけ確認するサブプロ
    グラムモジュールと、 前記イメージＢ及びイメージＣを対応する画素同士で比
    較して、対応する画素間のグレーレベル値の差を求める
    サブプログラムモジュールと、 前記イメージＢと比較されるイメージＣの該当画素に対
    するグレーレベル値の差が、ラインパターンに対しては
    第１臨界値以上であり、スペースに対しては第２臨界値
    以上である前記イメージＢの画素だけ確認するサブプロ
    グラムモジュールと、 前記イメージＡとイメージＣとの比較を通じて共通で確
    認された画素を欠陥と認識するサブプログラムモジュー
    ルとを含む請求項１８に記載の欠陥検出プログラムを記
    録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  21. 【請求項２１】 前記ラインパターンは金属配線パター
    ンである請求項１８に記載の欠陥検出プログラムを記録
    したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  22. 【請求項２２】 前記第１臨界値は前記金属配線パター
    ン上に生じるグレーンは検出されないように設定され、
    第２臨界値はブリッジ欠陥が検出されるように設定され
    た請求項２１に記載の欠陥検出プログラムを記録したコ
    ンピュータ読み取り可能な記録媒体。
JP2002131981A 2001-05-10 2002-05-07 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体 Expired - Fee Related JP4243454B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2001-025578 2001-05-10
KR10-2001-0025578A KR100425447B1 (ko) 2001-05-10 2001-05-10 명도 보정 및 선택적 결함 검출 방법 및 이를 기록한 기록매체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003050211A true JP2003050211A (ja) 2003-02-21
JP4243454B2 JP4243454B2 (ja) 2009-03-25

Family

ID=19709307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002131981A Expired - Fee Related JP4243454B2 (ja) 2001-05-10 2002-05-07 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7027638B2 (ja)
JP (1) JP4243454B2 (ja)
KR (1) KR100425447B1 (ja)
DE (1) DE10221318B4 (ja)
TW (1) TW544841B (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002365570A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Method for detecting defects in substrates
US6829381B2 (en) * 2001-11-28 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Method for detecting defects
US8259358B2 (en) * 2002-10-18 2012-09-04 Muller Capital, Llc Apparatus for eliminating moire in scanned image and method for the same
US6885977B2 (en) * 2002-12-20 2005-04-26 Applied Materials, Inc. System to identify a wafer manufacturing problem and method therefor
US7263451B1 (en) * 2004-10-25 2007-08-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for correlating semiconductor process data with known prior process data
KR100670003B1 (ko) * 2004-12-28 2007-01-19 삼성전자주식회사 적응형 문턱치를 이용한 영상의 평탄 영역 검출장치 및 그방법
DE102005017642B4 (de) * 2005-04-15 2010-04-08 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
JP4533306B2 (ja) * 2005-12-06 2010-09-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置
KR100744233B1 (ko) * 2005-12-28 2007-07-30 동부일렉트로닉스 주식회사 테스트 패턴의 메탈 브리지 모니터링방법
KR100790881B1 (ko) * 2006-07-06 2008-01-02 삼성전자주식회사 미세유체 반응칩 및 이의 제조방법
US8126267B2 (en) * 2007-02-05 2012-02-28 Albany Medical College Methods and apparatuses for analyzing digital images to automatically select regions of interest thereof
KR100949200B1 (ko) * 2007-12-31 2010-03-23 주식회사 쓰리비 시스템 체적을 이용한 결함크기 측정방법
KR20090100615A (ko) 2008-03-20 2009-09-24 삼성전자주식회사 결함 검출 방법
KR100987520B1 (ko) * 2008-06-19 2010-10-13 삼성전기주식회사 기판 검사 장치
SG164293A1 (en) * 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
KR101147685B1 (ko) 2012-01-30 2012-05-22 한국지질자원연구원 컴퓨터 단층촬영장치를 이용한 보석 가치 평가장치 및 그 방법
US11645744B2 (en) * 2016-12-06 2023-05-09 Mitsubishi Electric Corporation Inspection device and inspection method
CN111667448B (zh) * 2019-03-06 2023-08-15 深圳中科飞测科技股份有限公司 一种图像处理方法、装置及设备
CN116912242B (zh) * 2023-09-12 2023-12-15 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种纳米压印晶圆缺陷定位方法
CN116977335B (zh) * 2023-09-22 2023-12-12 山东贞元汽车车轮有限公司 一种用于机械零件表面点蚀缺陷的智能检测方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11132959A (ja) * 1997-10-29 1999-05-21 Hitachi Ltd 欠陥検査方法および装置
JP2000346627A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Toray Eng Co Ltd 検査装置
JP2001022937A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査方法および欠陥検査装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293538A (en) * 1990-05-25 1994-03-08 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for the inspection of defects
JPH0621165A (ja) 1992-07-06 1994-01-28 Hitachi Ltd 画像の二値化良否判別方法
US5436979A (en) * 1992-08-21 1995-07-25 Eastman Kodak Company Process for detecting and mapping dirt on the surface of a photographic element
US5355212A (en) * 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5537669A (en) * 1993-09-30 1996-07-16 Kla Instruments Corporation Inspection method and apparatus for the inspection of either random or repeating patterns
US5781206A (en) * 1995-05-01 1998-07-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for recalibrating a multi-color imaging system
US6075905A (en) * 1996-07-17 2000-06-13 Sarnoff Corporation Method and apparatus for mosaic image construction
JPH10135287A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Toshiba Corp ウエーハ検査装置および検査方法
US6005966A (en) * 1997-02-12 1999-12-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for multi-stream detection of high density metalization layers of multilayer structures having low contrast
JPH10259849A (ja) 1997-03-21 1998-09-29 Bridgestone Corp 防振装置
US6605478B2 (en) * 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
JP4008291B2 (ja) * 2002-06-10 2007-11-14 大日本スクリーン製造株式会社 パターン検査装置、パターン検査方法およびプログラム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11132959A (ja) * 1997-10-29 1999-05-21 Hitachi Ltd 欠陥検査方法および装置
JP2000346627A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Toray Eng Co Ltd 検査装置
JP2001022937A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査方法および欠陥検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE10221318B4 (de) 2009-01-08
KR20020085995A (ko) 2002-11-18
DE10221318A1 (de) 2002-11-21
US7027638B2 (en) 2006-04-11
KR100425447B1 (ko) 2004-03-30
TW544841B (en) 2003-08-01
JP4243454B2 (ja) 2009-03-25
US20020172412A1 (en) 2002-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003050211A (ja) 明度補正方法及び選択的欠陥検出方法及びこれらを記録した記録媒体
CN110678901B (zh) 信息处理设备、信息处理方法和计算机可读存储介质
US6985180B2 (en) Intelligent blemish control algorithm and apparatus
US6040911A (en) Reference image forming method and pattern inspection apparatus
JP2015511310A (ja) ウエハ検査のためのセグメント化
JP2003092707A (ja) 不良ピクセルを検出し補正するセンサ装置
CN111052177A (zh) 异常检测装置
KR20210154164A (ko) 검출 방법 및 검출 시스템
US8538191B2 (en) Image correction apparatus and method for eliminating lighting component
JP2007156655A (ja) 変動領域検出装置及びその方法
JP2003057019A (ja) パターン検査装置および方法
US20190272627A1 (en) Automatically generating image datasets for use in image recognition and detection
JP4764903B2 (ja) テキストマップの中からライン構造を検出する方法および画像処理装置
JP4230880B2 (ja) 欠陥検査方法
KR100960543B1 (ko) 미지 품질의 패턴을 사용하여 기준 이미지를 생성하기 위한시스템 및 방법
JP2005165387A (ja) 画面のスジ欠陥検出方法及び装置並びに表示装置
JP4331120B2 (ja) 欠陥画素検出方法
CN109671081B (zh) 一种基于fpga查找表的坏簇统计方法及装置
JP2000028539A (ja) 欠陥検出方法
KR101053779B1 (ko) 디스플레이 수단의 메탈 마스크 검사 방법
KR101707625B1 (ko) 영상데이터를 이용한 패턴정보 추출방법
JP2012133587A (ja) 画像解析装置、画像解析方法及びプログラム
EP4318304A1 (en) Information reading device
JP5157963B2 (ja) 対象物検出装置
JP4889018B2 (ja) 外観検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050428

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081202

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090105

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4243454

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140109

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees