JPH0435312A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
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- JPH0435312A JPH0435312A JP13797490A JP13797490A JPH0435312A JP H0435312 A JPH0435312 A JP H0435312A JP 13797490 A JP13797490 A JP 13797490A JP 13797490 A JP13797490 A JP 13797490A JP H0435312 A JPH0435312 A JP H0435312A
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- wave device
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- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 25
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フィルタ、発振子または遅延線等に用いられ
る表面波装置に関し、特に、くし歯電極間の放電に伴う
静電破壊を防止する構造が備えられた表面波装置に関す
る。
る表面波装置に関し、特に、くし歯電極間の放電に伴う
静電破壊を防止する構造が備えられた表面波装置に関す
る。
表面波装置は、絶縁性基板上に圧電薄膜を形成してなる
、あるいは圧電体基板からなる圧電性基板上に、少なく
とも１個のインターデジタル・トランスデューサを形成
した構造、あるいは絶縁性基板上に少なくとも１個のイ
ンターデジタル・トランスデューサ及び圧電薄膜をこの
順序に形成した構造を有する。インターデジタル・トラ
ンスデューサは、互いに間挿し合う複数のくし歯電極か
ら構成されている。
、あるいは圧電体基板からなる圧電性基板上に、少なく
とも１個のインターデジタル・トランスデューサを形成
した構造、あるいは絶縁性基板上に少なくとも１個のイ
ンターデジタル・トランスデューサ及び圧電薄膜をこの
順序に形成した構造を有する。インターデジタル・トラ
ンスデューサは、互いに間挿し合う複数のくし歯電極か
ら構成されている。
圧電薄膜としては、ＺｎＯ等の圧電性材料からなる膜が
用いられ、また圧電体基板を構成する材料としては、圧
電セラミックスや水晶、ＬｉＮｂＯｘ 、Ｌ ｉ Ｔ
ａ ０２等の圧電性単結晶が用いられる。
用いられ、また圧電体基板を構成する材料としては、圧
電セラミックスや水晶、ＬｉＮｂＯｘ 、Ｌ ｉ Ｔ
ａ ０２等の圧電性単結晶が用いられる。
ところで、上記のような圧電材料のうち、ＬｉＮ ｂ
ＯｓやＬｉＴａ０．は、圧電性を示すだけでなく、高い
焦電性をも示す、従って、表面波装置を作製する際に、
熱的な変化を受けると焦電現象により、くし歯電極間に
電荷が蓄積される。すなわち、外装樹脂を熱硬化させる
工程、外装樹脂をモールドした後のマーキングを焼き付
ける工程、並びに完成された表面波装置をプリント基板
上にはんだ付けする工程等において、表面波装置に熱が
加えられるが、このような工程において上記焦電現象に
よりくし歯電極間に電荷が蓄積される。
ＯｓやＬｉＴａ０．は、圧電性を示すだけでなく、高い
焦電性をも示す、従って、表面波装置を作製する際に、
熱的な変化を受けると焦電現象により、くし歯電極間に
電荷が蓄積される。すなわち、外装樹脂を熱硬化させる
工程、外装樹脂をモールドした後のマーキングを焼き付
ける工程、並びに完成された表面波装置をプリント基板
上にはんだ付けする工程等において、表面波装置に熱が
加えられるが、このような工程において上記焦電現象に
よりくし歯電極間に電荷が蓄積される。
さらに、表面波装置の製造工程において、あるいは完成
された表面波装置を実装するに際し、帯電している作業
者かくし歯電極間に触れると、くし歯電極間に電荷が蓄
積される。このような電荷によって電極切れ等の静電破
壊が生じるという問題があった。
された表面波装置を実装するに際し、帯電している作業
者かくし歯電極間に触れると、くし歯電極間に電荷が蓄
積される。このような電荷によって電極切れ等の静電破
壊が生じるという問題があった。
よって、本発明の目的は、焦電性の高い圧電材料を用い
たとしても、静電破壊が生じ難い構造を備えた表面被装
！を提供することにある。
たとしても、静電破壊が生じ難い構造を備えた表面被装
！を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の表面波装置は、圧電性基板上に互いに間挿し合
う複数のくし歯電極からなる少なくとも１個のインター
デジタル・トランスデューサが形成された構造、あるい
は絶縁性基板上に少なくとも１個のインターデジタル・
トランスデューサ及び圧電薄膜がこの順序に形成された
構造を有する表面波装置において、弾性材料よりなり、
かつ導電性粒子を含有する抵抗性ダンピング材が、上記
インターデジタル・トランスデューサを構成しているく
し歯電極間に接続されるように上記基板上に設けられて
いることを特徴とする表面波装置である。
う複数のくし歯電極からなる少なくとも１個のインター
デジタル・トランスデューサが形成された構造、あるい
は絶縁性基板上に少なくとも１個のインターデジタル・
トランスデューサ及び圧電薄膜がこの順序に形成された
構造を有する表面波装置において、弾性材料よりなり、
かつ導電性粒子を含有する抵抗性ダンピング材が、上記
インターデジタル・トランスデューサを構成しているく
し歯電極間に接続されるように上記基板上に設けられて
いることを特徴とする表面波装置である。
抵抗性ダンピング材は、導電性粒子を含有しており、電
気的な抵抗体として機能する。従って、熱的変化を受け
て無電現象によりくし歯電極間に電荷が蓄積されたとし
ても、該蓄積電荷に基づく電流が抵抗性ダンピング材を
流れて放電されるため、静電破壊現象の発生が防止され
る。また、抵抗性ダンピング材は弾性材料よりなるため
、表面波をダンピングする機能も果たす。
気的な抵抗体として機能する。従って、熱的変化を受け
て無電現象によりくし歯電極間に電荷が蓄積されたとし
ても、該蓄積電荷に基づく電流が抵抗性ダンピング材を
流れて放電されるため、静電破壊現象の発生が防止され
る。また、抵抗性ダンピング材は弾性材料よりなるため
、表面波をダンピングする機能も果たす。
第１図は本発明の一実施例にかかる表面波フィルタを示
す平面図である。表面波フィルタｌは、Ｌ ｒ Ｎ ｂ
ＯｓやＬ ｉ Ｔ ａ Ｏｓ等の圧電材料よりなる基
板２上に、所定距離を隔てて、インターデジタル・トラ
ンスデューサ３．４を形成した構造を有する。インター
デジタル・トランスデューサ３は、くし歯電極３ａ、３
ｂの互いの電極指が間挿し合うようにくし歯電極３ａ、
３ｂを組み合わせた構造を有する。同様に、インターデ
ジタル・トランスデューサ４は、くし歯電極４ａ、４ｂ
を有する。
す平面図である。表面波フィルタｌは、Ｌ ｒ Ｎ ｂ
ＯｓやＬ ｉ Ｔ ａ Ｏｓ等の圧電材料よりなる基
板２上に、所定距離を隔てて、インターデジタル・トラ
ンスデューサ３．４を形成した構造を有する。インター
デジタル・トランスデューサ３は、くし歯電極３ａ、３
ｂの互いの電極指が間挿し合うようにくし歯電極３ａ、
３ｂを組み合わせた構造を有する。同様に、インターデ
ジタル・トランスデューサ４は、くし歯電極４ａ、４ｂ
を有する。
各くし歯電極３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂは、外部との接続
を果たすための電極ランド５〜８に電気的に接続されて
いる。
を果たすための電極ランド５〜８に電気的に接続されて
いる。
本実施例の表面波フィルタｌの特徴は、電極ランド５〜
８よりも表面波伝搬方向外側に、抵抗性ダンピング材９
．１０が配置されていることにある。抵抗性ダンピング
材９，１０は、例えばシリコンゴムのような弾性材料に
、導電性粒子を分散させることにより構成されている。
８よりも表面波伝搬方向外側に、抵抗性ダンピング材９
．１０が配置されていることにある。抵抗性ダンピング
材９，１０は、例えばシリコンゴムのような弾性材料に
、導電性粒子を分散させることにより構成されている。
導電性粒子としては、カーボンブランク、グラファイト
または金属粉等が用いられる。このような導電性粒子を
分散させることにより、抵抗性ダンピング材９１０は、
電気的な抵抗体として機能するように構成されている。
または金属粉等が用いられる。このような導電性粒子を
分散させることにより、抵抗性ダンピング材９１０は、
電気的な抵抗体として機能するように構成されている。
また、抵抗性ダンピング材９．１０は、それぞれ、電極
ランド５，６及び電極ランド７．８間に電気的に接続さ
れるように、接続ライン１１〜１４により電極ランド５
〜８と電気的に接続されている。
ランド５，６及び電極ランド７．８間に電気的に接続さ
れるように、接続ライン１１〜１４により電極ランド５
〜８と電気的に接続されている。
従って、表面波装置ｌの製造工程において、あるいは表
面被装Ｗ１を実装するに際し熱的な変化が与えられ、焦
電現象によりくし歯電極３ａ、３ｂ間またはくし歯電極
４ａ、４ｂ間に電荷が蓄積されたとしても、該蓄積電荷
に基づく電流は抵抗性ダンピング材９．１０を流れて放
電される。よって、従来技術で問題となっていた焦電現
象に基づく静電破壊現象を効果的に防止することができ
る。
面被装Ｗ１を実装するに際し熱的な変化が与えられ、焦
電現象によりくし歯電極３ａ、３ｂ間またはくし歯電極
４ａ、４ｂ間に電荷が蓄積されたとしても、該蓄積電荷
に基づく電流は抵抗性ダンピング材９．１０を流れて放
電される。よって、従来技術で問題となっていた焦電現
象に基づく静電破壊現象を効果的に防止することができ
る。
また、上記抵抗性ダンピング材９．１０は、表面波伝搬
方向においてインターデジタル・トランスデューサ３，
４の外側に載置されており、かつシリコンゴムのような
弾性材料よりなるため、従来より用いられていた振動ダ
ンピング材としても機能する。
方向においてインターデジタル・トランスデューサ３，
４の外側に載置されており、かつシリコンゴムのような
弾性材料よりなるため、従来より用いられていた振動ダ
ンピング材としても機能する。
第２図は、本発明の他の実施例にかかる表面波フィルタ
を示す平面図である０本実施例では、抵抗性ダンピング
材９．１０が電極ランド５〜８よりも表面波伝搬方向に
おいて内側に形成されている。すなわち、くし歯電極３
ａ、３ｂと電極ランド５．６との間に抵抗性ダンピング
材９が、くし歯電極４ａ、４ｂと電極ランド７．８との
間に抵抗性ダンピング材１０が配置されている。その他
の点は、第１図実施例の表面波フィルタ１と同様である
。
を示す平面図である０本実施例では、抵抗性ダンピング
材９．１０が電極ランド５〜８よりも表面波伝搬方向に
おいて内側に形成されている。すなわち、くし歯電極３
ａ、３ｂと電極ランド５．６との間に抵抗性ダンピング
材９が、くし歯電極４ａ、４ｂと電極ランド７．８との
間に抵抗性ダンピング材１０が配置されている。その他
の点は、第１図実施例の表面波フィルタ１と同様である
。
本実施例の表面波フィルタ１５においても、抵抗性ダン
ピング材９，１０が、それぞれ、くし歯電極３ａ、３ｂ
間及びくし歯電極４ａ、４ｂ間に電気的に接続されてい
るため、第１図実施例の表面波フィルタｌと同様に焦電
現象に基づく静電破壊を効果的に防止することができる
。
ピング材９，１０が、それぞれ、くし歯電極３ａ、３ｂ
間及びくし歯電極４ａ、４ｂ間に電気的に接続されてい
るため、第１図実施例の表面波フィルタｌと同様に焦電
現象に基づく静電破壊を効果的に防止することができる
。
第３図は、本発明のさらに他の実施例にかかる表面波装
置を示す平面図である０表面波装置１６では、１個のイ
ンターデジタル・トランスデューサ１８が圧電体基板１
７の中央領域に形成されている。インターデジタル・ト
ランスデューサ１８の表面波伝搬方向外側には、それぞ
れ、グレーティング反射器１９．２０が構成されており
、それによって表面波共振子が構成されている。
置を示す平面図である０表面波装置１６では、１個のイ
ンターデジタル・トランスデューサ１８が圧電体基板１
７の中央領域に形成されている。インターデジタル・ト
ランスデューサ１８の表面波伝搬方向外側には、それぞ
れ、グレーティング反射器１９．２０が構成されており
、それによって表面波共振子が構成されている。
インターデジタル・トランスデューサ１８は、くし歯電
極１８ａ、１８ｂからなり、各くし歯電極１８ａ、１８
ｂは、接続ライン２１．２２を介して電極ランド２３．
２４に電気的に接続されている。そして、電極ランド２
３．２４間に、抵抗性ダンピング材２５が接続されてい
る。
極１８ａ、１８ｂからなり、各くし歯電極１８ａ、１８
ｂは、接続ライン２１．２２を介して電極ランド２３．
２４に電気的に接続されている。そして、電極ランド２
３．２４間に、抵抗性ダンピング材２５が接続されてい
る。
本実施例の表面波装置１６においても、くし歯電極１８
ａ、１８ｂ間に抵抗性ダンピング材２５が接続されてい
るため、上述した実施例と同様に、焦電現象に基づく静
電破壊を防止することができなお、上記各実施例では、
圧電体基板上に直接インターデジタル・トランスデュー
サを構成した表面波装置を例にとり説明したが、絶縁性
基板上に圧１を薄膜を形成し、それによって圧電性基板
を構成し、該圧電性基板上にインターデジタル・トラン
スデューサを形成した表面波装置にも本発明を適用する
ことができる。同様に、絶縁性基板と圧！薄膜との間に
インターデジタル・トランスデューサを形成した構造を
育する表面波装置にも、本発明を適用することができる
。
ａ、１８ｂ間に抵抗性ダンピング材２５が接続されてい
るため、上述した実施例と同様に、焦電現象に基づく静
電破壊を防止することができなお、上記各実施例では、
圧電体基板上に直接インターデジタル・トランスデュー
サを構成した表面波装置を例にとり説明したが、絶縁性
基板上に圧１を薄膜を形成し、それによって圧電性基板
を構成し、該圧電性基板上にインターデジタル・トラン
スデューサを形成した表面波装置にも本発明を適用する
ことができる。同様に、絶縁性基板と圧！薄膜との間に
インターデジタル・トランスデューサを形成した構造を
育する表面波装置にも、本発明を適用することができる
。
〔発明の効果〕
本発明によれば、抵抗性ダンピング材がインターデジタ
ル・トランスデューサを構成するくし歯電極間に電気的
に接続されることになるため、表面波装置が熱的変化を
受けて焦電現象に基づく電荷かくし歯電極間に蓄積され
たとしても、該電荷に基づく電流が抵抗性ダンピング材
を流れて消費されるため、焦電現象に基づく静電破壊を
確実に防止することができる。よって、表面波装置の製
造工程において、熱豹変化を受けたとしても、また人体
からの電荷を受けたとしても静電破壊に基づく不良品の
発生が防止されるため、歩留を高めることができる。ま
た、プリント回路基板等に実装するに際し、はんだ付は
等の工程において熱的変化を受けたとしても静電破壊が
生じ難いため、製品としての表面波装置の信輔性も高め
られる。
ル・トランスデューサを構成するくし歯電極間に電気的
に接続されることになるため、表面波装置が熱的変化を
受けて焦電現象に基づく電荷かくし歯電極間に蓄積され
たとしても、該電荷に基づく電流が抵抗性ダンピング材
を流れて消費されるため、焦電現象に基づく静電破壊を
確実に防止することができる。よって、表面波装置の製
造工程において、熱豹変化を受けたとしても、また人体
からの電荷を受けたとしても静電破壊に基づく不良品の
発生が防止されるため、歩留を高めることができる。ま
た、プリント回路基板等に実装するに際し、はんだ付は
等の工程において熱的変化を受けたとしても静電破壊が
生じ難いため、製品としての表面波装置の信輔性も高め
られる。
第１図は本発明の一実施例の表面波フィルタの平面図、
第２図は本発明の他の実施例の表面波フィルタの平面図
、第３図は本発明のさらに他の実施例にかかる表面波装
置を示す平面図である。 図において、ｌは表面波フィルタ、２は圧電性基板、３
．４はインターデジタル・トランスデューサ、３ａ、３
ｂ、４ａ、４ｂはくし歯電極、９１０は抵抗性ダンピン
グ材を示す。
第２図は本発明の他の実施例の表面波フィルタの平面図
、第３図は本発明のさらに他の実施例にかかる表面波装
置を示す平面図である。 図において、ｌは表面波フィルタ、２は圧電性基板、３
．４はインターデジタル・トランスデューサ、３ａ、３
ｂ、４ａ、４ｂはくし歯電極、９１０は抵抗性ダンピン
グ材を示す。
Claims (1)
- （１）圧電性基板上に互いに間挿し合う複数のくし歯電
極からなる少なくとも１個のインターデジタル・トラン
スデューサが形成された構造、または絶縁性基板上に少
なくとも１個のインターデジタル・トランスデューサ及
び圧電薄膜がこの順序に形成された構造を有する表面波
装置において、弾性材料よりなり、かつ導電性粒子を含
有してなる抵抗性ダンピング材が、前記インターデジタ
ル・トランスデューサを構成しているくし歯電極間に接
続されるように、前記圧電性基板または絶縁性基板上に
設けられていることを特徴とする表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13797490A JPH0435312A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13797490A JPH0435312A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435312A true JPH0435312A (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=15211095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13797490A Pending JPH0435312A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435312A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994021040A1 (de) * | 1993-03-11 | 1994-09-15 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement |
| JPH08167826A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Nec Corp | 弾性表面波素子 |
| US6034578A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-07 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with closely spaced discharge electrodes electrically independent of the interdigital transducers |
| WO2001052410A2 (de) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Epcos Ag | Bauelement mit ableitung für pyrospannungen und herstellverfahren |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524845B2 (ja) * | 1976-05-18 | 1980-07-02 | ||
| JPS5616312A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-17 | Murata Mfg Co Ltd | Surface elastic wave device |
| JPS5757629B2 (ja) * | 1976-11-16 | 1982-12-06 | Kyosan Denki Kk | |
| JPS60180317A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Ｓａｗデバイス等のパツケ−シ |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13797490A patent/JPH0435312A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| JPH08167826A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Nec Corp | 弾性表面波素子 |
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