JP2000091872A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波特性、絶縁抵抗特性を損なうことな
く、すだれ状電極の静電破壊を防止した弾性表面波装置
を得ることを目的とする。 【解決手段】 すだれ状電極2と電気的に独立した複数
の薄膜電極7を、該すだれ状電極2と基板1の端面との
間に配置して、少なくとも1つの隣合う薄膜電極7,7
間の間隔が、薄膜電極7とすだれ状電極2との間の間隔
より狭く形成する。このようにすることで、装置の高周
波電気的性能や絶縁抵抗の劣化を起こさず、すだれ状電
極の静電破壊を防止した弾性表面波装置を得ることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置、
特に無線通信機などに用いる比較的高い周波数領域で使
用される弾性表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】弾性表面波装置はその製造工程におい
て、圧電性基板をパッケージに接着する際の加熱やキャ
ップを溶接する際の温度上昇等により、すだれ状電極が
静電破壊することがある。これは圧電性基板の持つ焦電
性によるもので、これを防止するため、例えば特開平6
−224682号公報に記載されているような提案があ
る。
【0003】この提案は入出力電極の一部に静電破壊犠
牲用電極を設け、これを積極的に静電破壊させることに
よって、入出力電極の励振部を消失させないようにした
ものである。
【0004】また、焦電性により生じる自発分極の電荷
は、基板表面が短絡されていない自由表面で蓄積される
ため、圧電性基板の表面は出来る限り薄膜電極で覆うこ
とが有効であることも良く知られている。
【0005】しかしながら、上記公報の静電破壊犠牲用
電極は、入出力電極の一部に設けているため、特に高周
波で用いられる場合、この静電破壊犠牲用電極の持つ静
電容量により、周波数特性が劣化してしまう不具合が生
じる。
【0006】また、静電気によって静電破壊犠牲用電極
が溶断する際、静電破壊犠牲用電極間に溶けた電極材料
が付着し、絶縁抵抗値が低下するという不具合を生じ
る。さらに、溶けた電極材料によって、稀に静電破壊犠
牲用電極間が短絡することがある。このとき、入出力の
何れかが短絡することになるため、高周波信号が通過し
ないという極めて重大な欠陥が生じることとなる。ま
た、圧電性基板の表面を出来る限り薄膜電極で覆った場
合でも、すだれ状電極の静電破壊を防止できない場合が
ある。
【0007】図5に従来の弾性表面波装置を模式的に示
す。圧電性基板1上に入力及び出力すだれ状電極2が形
成されている。これらの電極は、共通電極6を介して入
力用ワイヤボンディングパッド3、及び出力用ワイヤボ
ンディングパッド4に接続される。また、それぞれのす
だれ状電極2には、接地用ボンディングパッド5が設け
られている。これらの電極とチップ端面の間には、自発
分極による電荷を短絡する目的の薄膜電極7i,7jが
設けられている。
【0008】この薄膜電極7は、圧電性基板1の端面ま
で形成されている訳ではなく、切断用空白部(ダイシン
グマージン)9を有している。この理由は、ウェハを切
断して圧電性基板1を切り出すときの破片によってすだ
れ状電極2が短絡することを防ぐためである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このような構造の弾性
表面波装置では、薄膜電極7により自発分極の電荷量を
抑えることが出来る効果があるものの、依然としてすだ
れ状電極2が静電破壊を起こしてしまう。この理由は、
圧電性基板1の中で最も広い自由表面である切断用空白
部9に生じる自発分極の電荷が、薄膜電極7i,7jを
通してすだれ状電極2に放電されるためである。
【0010】これを防止するため、図6のように、薄膜
電極7i,7jを、すだれ状電極2と間隔S2,S3を
設けて電気的に接続しない構成とすることが考えられる
が、数kVにも及ぶ高い静電気のため、間隔S2,S3
の絶縁を破り、静電破壊を起こしてしまう。また、S
2,S3を十分大きくしておけば絶縁を破ることはない
が、S2,S3の部分で自由表面が広くなり、当初の目
的を達成できないこととなる。
【0011】そこで本発明は、装置の電気的性能や絶縁
抵抗の劣化を起こさず、すだれ状電極の静電破壊を防止
することが出来る弾性表面波装置を提供することを目的
とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、すだれ状電極と電気的に独立した複数の薄
膜電極を、該すだれ状電極と圧電性基板端面との間に配
置しており、少なくとも1つの隣合う薄膜電極間の間隔
を、薄膜電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成
しているものである。
【0013】
【発明の実施の形態】上記構成とすれば、自発分極を最
も起こしやすい切断用空白部に発生した静電気が、すだ
れ状電極に印加されず、薄膜電極間で放電するため、入
出力のすだれ状電極の破壊を起こさず保護できる。
【0014】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て説明する。図1に第1の実施形態の電極構成図を示
す。圧電性基板1として64°回転Y軸カットX軸伝搬
ニオブ酸リチウムを用いる。すだれ状電極2、入力用ワ
イヤボンディングパッド3、出力用ワイヤボンディング
パッド4、接地用ワイヤボンディングパッド5、共通電
極6、薄膜電極7a,7b,7c,7dが図のごとく設
けてある。
【0015】薄膜電極7a,7b,7c,7dは、すだ
れ状電極2、入力用ワイヤボンディングパッド3、出力
用ワイヤボンディングパッド4、接地用ワイヤボンディ
ングパッド5、共通電極6の何れにも接続しておらず、
電気的に独立している。また、薄膜電極7aと7b、7
cと7dの間隔S1は5μmとし、薄膜電極7a,7
b,7c,7dと、すだれ状電極2の間隔S2,S3は
共に30μmとした。切断用空白部9の間隔は100μ
mである。
【0016】次に本発明の静電破壊防止メカニズムにつ
いて説明する。圧電性基板1の中で自発分極による電荷
の発生は一様ではなく、最も広い自由表面である切断用
空白部が最も多くなる。ここで発生した電荷は、温度変
化が緩やかな場合などは徐々に空気中のイオンと結合し
放電されるが、電荷の発生が急激な場合などでは近傍の
金属部分で放電される。
【0017】本実施形態では、間隔S1が間隔S2,S
3よりも十分狭くなっているので、静電気は、選択的に
薄膜電極7aと7b、7cと7dの電極間で放電し、す
だれ状電極2には静電破壊が発生することはない。
【0018】このように、静電気による放電を積極的に
生ぜしめる薄膜電極7a,7b,7c,7dは、すだれ
状電極2及びこれに接続する部位に対して電気的に独立
しているので、装置の高周波性能、絶縁抵抗性能に影響
を与えることはない。
【0019】次に、図2を用いて本発明の第2の実施形
態を説明する。図2は図1に対して薄膜電極7aと7
b、7cと7dの間に、放電用すだれ状電極8を設けた
構造としている。その他の部分は本発明の第1の実施形
態と同一である。放電用すだれ状電極8の線幅及び間隔
は、それぞれすだれ状電極2と同一の1.0,0.7μ
mとした。電極対数は3対とした。
【0020】本実施形態においては、放電用すだれ状電
極8を設けているので、静電気による放電がよりスムー
ズに行われる。即ち、すだれ状電極2と同様の構成とし
ているので、比較的低い帯電電圧でも放電用すだれ状電
極8で放電することができ、すだれ状電極2の保護効果
が高い。
【0021】本実施形態でも、薄膜電極7及び放電用す
だれ状電極8は、すだれ状電極2及びこれに接続する部
位に対して電気的に独立しているので、装置の高周波性
能、絶縁抵抗性能に影響を与えることがないことは明ら
かである。
【0022】また、ここでは放電用すだれ状電極8の線
幅及び間隔はそれぞれすだれ状電極2と同一としている
が、すだれ状電極2よりも小さくしてもよいことは明ら
かであり、また、例えすだれ状電極2よりも大きくして
も、電極の交差長さを小さくしておけば、同様の効果が
得られる。さらに、すだれ状の形状でなくとも先端の尖
ったくさび型の形状などでもよい。
【0023】次に、図3を用いて本発明の第3の実施形
態を説明する。図3は図1に対し薄膜電極7a,7b,
7c,7dを分割して、7e,7f,7g,7hを付加
したものであり、その他の部分は本発明の第1の実施形
態と同一である。
【0024】本実施形態においては、すだれ状電極2と
切断用空白部9の間に、2種類の薄膜電極を設けている
ことを特徴としており、切断用空白部9で発生した電荷
は、薄膜電極7a,7b,7c,7d,7e,7f,7
g,7hで放電するため、より静電破壊の抑止効果が高
い。
【0025】即ち、例えば薄膜電極7a,7bの間で放
電し切れなかった場合でも、さらに薄膜電極7aと7
e、7bと7fの間で放電させることによってすだれ状
電極2の保護効果を高めるものである。さらに、この分
割数を増やすことによって効果が高まることは明らかで
ある。
【0026】次に、図4を用いて本発明の第4の実施形
態を説明する。図4は図1に対して薄膜電極7e,7
f,7g,7hを付加したものであり、その他の部分は
本発明の第1の実施形態と同一である。
【0027】本実施形態においても、第3の実施形態と
同様に、すだれ状電極2と切断用空白部9の間に、2種
類の薄膜電極を設けているが、圧電性基板1の端に近い
部分に、薄膜電極7e,7f,7g,7hを付加したこ
とを特徴としている。動作は第3の実施形態と同様であ
るが、本実施形態の場合、静電気による放電は、すだれ
状電極2から十分離れた圧電性基板1の端部に近い部分
で生じることになるため、放電により溶断した電極材料
が再付着しても、圧電性基板の端部に溜まり、すだれ状
電極2に悪影響を及ぼすことはない。
【0028】次に、図7を用いて本発明の第5の実施形
態を説明する。図7は図1に対してパッケージ10、ボ
ンディングワイヤ13を付加したものであり、その他の
部分は本発明の第1の実施形態と同一である。
【0029】本実施形態において、圧電性基板1は熱硬
化型または光硬化型接着剤(図示せず)によりパッケー
ジ10に固定されている。パッケージ10との電気的接
続は、入力端子12aと入力用ボンディングパッド3を
ボンディングワイヤ13で接続し、出力端子12bと出
力用ボンディングパッド4をボンディングワイヤ13で
接続している。同様に、接地端子11と接地用ボンディ
ングパッド5をボンディングワイヤ13で接続し、さら
に薄膜電極7a,7b,7c,7dをボンディングワイ
ヤ13で接地端子11に接続している。
【0030】本実施形態によれば、薄膜電極7a,7
b,7c,7dは電気的に浮いておらず、電位を安定さ
せているため、高周波領域でも安定した性能が得られる
という効果がある。
【0031】この場合でもすだれ状電極2の入力用ボン
ディングパッド3、出力用ボンディングパッド4と薄膜
電極7a,7b,7c,7dは接続されず電気的に独立
しているので、前記第1の実施形態と同様に静電破壊を
抑止する効果を損なうことがなく、また電気的性能の劣
化がないことは明らかである。なお、圧電性基板1とパ
ッケージ10の接続はボンディングワイヤ13に限ら
ず、例えばバンプなどでもよい。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
すだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に、すだれ状
電極と電気的に独立した複数の薄膜電極を配置し、か
つ、少なくとも1つの隣合う薄膜電極間の間隔が、薄膜
電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成されてい
るので、装置の電気的性能や絶縁抵抗の劣化を起こさ
ず、すだれ状電極の静電破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態による弾性表面波装置
の構成を示す平面図である。
【図2】本発明の第2の実施形態による弾性表面波装置
の構成を示す平面図である。
【図3】本発明の第3の実施形態による弾性表面波装置
の構成を示す平面図である。
【図4】本発明の第4の実施形態による弾性表面波装置
の構成を示す平面図である。
【図5】従来の弾性表面波装置の構成を示す平面図であ
る。
【図6】従来の弾性表面波装置の構成を示す平面図であ
る。
【図7】本発明の第5の実施形態による弾性表面波装置
の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1 圧電性基板 2 すだれ状電極 3 入力用ワイヤボンディングパッド 4 出力用ワイヤボンディングパッド 5 接地用ワイヤボンディングパッド 6 共通電極 7a,7b,7c,7d,7e,7f,7g,7h,7
i,7j 薄膜電極 8 放電用すだれ状電極 9 切断用空白部 10 パッケージ 11 接地端子 12a 入力端子 12b 出力端子 13 ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中嶋 美佐男 岩手県水沢市真城字北野1番地 株式会社 日立メディアエレクトロニクス内 Fターム(参考) 5J097 AA27 CC01 DD25 DD27 GG04 HA04 JJ08

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 弾性表面波基板上に、複数のすだれ状電
    極を有する多電極型の弾性表面波装置において、 前記すだれ状電極と弾性表面波基板端面との間に、すだ
    れ状電極と電気的に独立した複数の薄膜電極を配置し、
    かつ、少なくとも1つの隣合う薄膜電極間の間隔が、薄
    膜電極とすだれ状電極との間の間隔より狭く形成されて
    いることを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載において、前記薄膜電極は
    平面状に形成されていることを特徴とする弾性表面波装
    置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載において、前記薄膜電極が
    平面状の部分を有し、薄膜電極間に少なくとも一対の放
    電用すだれ状電極を設けたことを特徴とする弾性表面波
    装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載において、前記薄膜電極の
    少なくとも1つが、ボンディングワイヤまたはバンプに
    よってパッケージに接地されていることを特徴とする弾
    性表面波装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002087080A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device and its manufacture method, and electronic part using it
WO2003001666A1 (fr) * 2001-06-21 2003-01-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif a ondes acoustiques de surface, procede de fabrication et composant electronique utilisant ledit dispositif et ledit procede

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001003176A1 (fr) * 1999-07-02 2001-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif de formation de bosses sur substrat semi-conducteur generateur de charge electrique, procede de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique, dispositif de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique et substrat semi-conducteur generateur
JP2002151999A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Nec Corp 弾性表面波フィルタ装置および弾性表面波フィルタを収容するためのパッケージ
WO2002043462A2 (en) * 2000-11-29 2002-06-06 Soliton Holdings Corp. Saw wave-guides
JP2003087080A (ja) * 2001-07-06 2003-03-20 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
US6946929B2 (en) * 2002-02-12 2005-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device having connection between elements made via a conductor not on the piezoelectric substrate
CN1242554C (zh) * 2002-07-31 2006-02-15 松下电器产业株式会社 声表面波元件的制造方法
US7039263B2 (en) * 2002-09-24 2006-05-02 Intel Corporation Electrooptic assembly
JP2005094593A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP4202245B2 (ja) * 2003-12-24 2008-12-24 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2006060565A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Alps Electric Co Ltd Sawフィルタ、及びその製造方法
US7619347B1 (en) 2005-05-24 2009-11-17 Rf Micro Devices, Inc. Layer acoustic wave device and method of making the same
US8490260B1 (en) 2007-01-17 2013-07-23 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing SAW device substrates
US7408286B1 (en) * 2007-01-17 2008-08-05 Rf Micro Devices, Inc. Piezoelectric substrate for a saw device
US9077312B1 (en) * 2014-07-25 2015-07-07 Resonant Inc. High rejection surface acoustic wave filter
US9331669B2 (en) * 2014-07-25 2016-05-03 Resonant Inc. High rejection surface acoustic wave duplexer

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60240207A (ja) * 1984-05-15 1985-11-29 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波素子
JPH03128518A (ja) * 1989-07-12 1991-05-31 Mitsubishi Electric Corp 表面弾性波素子
JPH03293808A (ja) * 1990-04-11 1991-12-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JPH0435312A (ja) * 1990-05-28 1992-02-06 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
JPH04243311A (ja) * 1991-01-18 1992-08-31 Fujitsu Ltd Sawデバイス
JPH04371009A (ja) * 1991-06-20 1992-12-24 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタの製造方法
JPH06132758A (ja) * 1992-10-14 1994-05-13 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法
JPH06204779A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Japan Energy Corp 弾性表面波装置の製造方法
JPH06224682A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JPH06350380A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
US5701645A (en) * 1994-04-06 1997-12-30 Motorola, Inc. Acoustic wave device manufacturing method
DE4414160C1 (de) * 1994-04-22 1995-12-21 Siemens Matsushita Components Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement, insbesondere Oberflächenwellenfilter
JPH08167826A (ja) * 1994-12-13 1996-06-25 Nec Corp 弾性表面波素子
JPH09199974A (ja) * 1996-01-19 1997-07-31 Nec Corp 弾性表面波装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002087080A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device and its manufacture method, and electronic part using it
US6972509B2 (en) 2001-04-19 2005-12-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device method of manufacturing the same, and electronic component using the same
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