JP4038021B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、半導体チップを搭載したパッケージ基板を半田バンプを介してフリント配線基板に実装するボールグリッドアレイ(Ball Grid Array;BGA)型の半導体装置に適用して有効な技術に関する。
背景技術
半導体チップを搭載したパッケージ基板の一面に半田バンプを取り付け、この半田バンプを介してパッケージ基板をプリント配線基板に実装するBGAは、パッケージの側面からリードを引き出したQFP(Quad Flat Package)やSOP(Small Outline Package)などに比べて多ピン化が容易で、かつ実装面積も小さくできるという利点がある。
上記BGAには各種の構造が提案されているが、特に携帯情報機器、ディジタルカメラ、ノートパソコンといった小型軽量電子機器への実装に好適なBGAとして、パッケージ基板を絶縁テープで構成したTCP(Tape Carrier Package)方式のBGA(テープBGA)が公知である。この種のテープBGAについては、例えば特開平7−321248号公報、特開平8−88243号公報、特開平8−111433号公報などに記載がある。
また、本発明者は、以下のような構造のBGA(特に、バンプのピッチを狭小化したファインピッチBGA)を開発している。このBGAは、片面にCu(銅)箔からなる複数のリードを形成した樹脂製の配線基板の中央部にデバイスホールを形成してそこに半導体チップを配置し、この半導体チップとリードの一端部とをAuのバンプ電極を介して電気的に接続すると共に、半導体チップの主面をポッティング樹脂で封止する。また、リードの他端部を配線基板の周辺部まで延在してランド部を形成し、そこにBGAの外部接続端子となる半田バンプを接続する。
さらに、上記BGAを組立てる工程で半田バンプをランド部に確実に位置決めできるようにするための補強材として、配線基板の周辺部の半田バンプ接合面と反対側の面に四角枠状の金属枠を接着剤で貼り付け、この金属枠で配線基板の周辺部の反りを防いでいる。
しかし、上記のBGAで使用する金属枠は、Cu(銅)などの薄い金属板をプレスで打ち抜いて片面に接着剤を塗布し、さらにその表面に接着剤保護用のカバーテープを貼り付けたものであるために材料が高価であり、BGAの製造コストを引き上げる要因となる。また、配線基板に金属枠を貼り付ける作業が必要となるために、BGAの製造工程が増える。この金属枠を貼り付ける作業は、接着剤を保護する薄いカバーテープを剥がす作業がロボットハンドでは上手く処理出来ないために、自動化によってコスト削減を図ることも難しい。
本発明の目的は、BGA(テープBGA、ファインピッチBGAなど)の製造コストを低減することのできる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、BGA(テープBGA、ファインピッチBGAなど)の信頼性を向上することのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
発明の開示
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを囲むように設けられた配線基板と、前記配線基板に形成され、一端部が前記半導体チップと電気的に接続された複数のリードと、前記半導体チップを被覆する封止樹脂と、前記配線基板の一面の周辺部に沿って配置され、前記リードの他端部と電気的に接続された複数個のバンプと、前記配線基板の他面の周辺部に沿って設けられ、前記配線基板を挟んで前記複数個のバンプと対向するように配置された樹脂製の補強枠とを有する。
また、本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを囲むように設けられた配線基板と、前記配線基板に形成され、一端部が前記半導体チップと電気的に接続された複数のリードと、前記半導体チップを被覆する封止樹脂と、前記配線基板の一面の周辺部に沿って設けられた補強枠と、前記補強枠に形成された複数個の凹溝の内部に配置され、前記リードの他端部と電気的に接続された複数個のバンプとを有する。
また、本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを囲むように設けられた配線基板と、前記配線基板に形成され、一端部が前記半導体チップと電気的に接続された複数のリードと、前記半導体チップを被覆する封止樹脂と、前記配線基板の一面の周辺部に沿って配置され、前記リードの他端部と電気的に接続された複数個のバンプと、前記配線基板の他面の周辺部に沿って設けられ、前記配線基板を挟んで前記複数個のバンプと対向するように配置された樹脂製の補強枠とを有し、前記半導体チップは、その裏面が前記封止樹脂から露出している。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、以下の工程を含んでいる。
(a)一端部がデバイスホールの内側に延在し、他の一部にバンプを接続するためのランド部が形成された複数のリードを有するテープ基材の前記デバイスホールに半導体チップを配置し、前記半導体チップと前記リードの一端部とを電気的に接続する工程、
(b)前記半導体チップを被覆する封止樹脂と、前記配線基板の一面の周辺部に沿って設けられる補強枠とをトランスファ・モールド法によって成形する工程、
(c)前記複数のリードのランド部にバンプを接続し、前記配線基板を挟んで前記バンプと前記補強枠とを対向するように配置する工程、
(d)前記テープ基材の不要箇所を除去する工程。
上記した本発明によれば、配線基板に高価な金属枠を設ける工程が不要となるので、材料原価および製造工程数を低減することができ、低コストのBGAを提供することができる。また、半導体チップをトランスファ・モールド法で樹脂封止することにより、信頼性の向上したBGAを提供することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
実施形態1
図1は、本実施形態のテープBGA(ファインピッチBGA)を示す斜視図、図2は、このテープBGAの実装面(半田バンプ取り付け面)を示す斜視図、図3は、このテープBGAの断面図である。
本実施形態のテープBGAは、片面に銅箔配線からなる複数のリード1を形成したポリイミド系樹脂からなる配線基板2、この配線基板2のデバイスホールに配置された半導体チップ3、この半導体チップ3を被覆する封止樹脂4、配線基板20周辺部に沿って設けられた四角枠状の補強枠5、および配線基板2の周辺部に沿って取り付けられた複数個の半田バンプ6により構成されている。
マイコン、ASICなどのLSIが形成された半導体チップ3は、その主面の周辺部に設けられたAuのバンプ電極7を介してリード1の一端部(インナーリード部1A)と電気的に接続されている。リード1の他端部は、配線基板2の周辺部に設けられた補強枠5の下部まで延在し、この領域で半田バンプ6と電気的に接続されている。半田バンプ6が接合されたリード1の他端部(ランド部1B)を除く配線基板2の片面は、リード1を保護するためのソルダーレジスト(図示せず)で被覆されている。
配線基板2の周辺部、すなわち半田バンプ6が取り付けられた領域に設けられた補強枠5は、配線基板20周辺部の平坦性を確保し、後述する半田バンプ6の取り付け工程で半田バンプ6がランド部1Bに確実に接合されるように機能する。この補強枠5は、トランスファ・モールド法によって成形された合成樹脂で構成されている。
半導体チップ3を外部環境から保護する封止樹脂4は、上記補強枠5と同じくトランスファ・モールド法によって成形された合成樹脂で構成され、半導体チップ3の全面を覆っている。図1に示すように、封止樹脂4は、その四隅において補強枠5と連結され、この補強枠5と一体に成形されている。
上記したテープBGAの各部の材料、寸法の一例を示すと、半導体チップ3は単結晶シリコンからなり、その寸法は7.6mm×7.6mm、厚さ0.4mmである。ポリイミド系樹脂からなる配線基板2の寸法は15mm×15mm、厚さ0.075mmである。リード1は、この配線基板2の片面に貼り付けた厚さ0.018mmの電解銅箔(または圧延銅箔)をエッチングして形成した銅箔配線からなり、その両端部(インナーリード部1Aおよびランド部1B)の表面には、Au/Niのメッキが施されている。
半導体チップ3を封止する封止樹脂4およびこれと一体に成形された補強枠5は、シリカなどのフィラーが充填されたエポキシ系樹脂からなる。封止樹脂4の寸法は14.6mm×14.6mm、厚さ0.655mmである。補強枠5は、配線基板2の片面のみに形成され、その厚さは0.355mmである。リード1のランド部1Bに接合された半田バンプ7はSn(63%)/Pb(37%)合金からなり、その直径は0.3mm、ピッチは0.5mmである。
次に、上記のように構成された本実施形態のテープBGAの製造方法を図4〜図11を用いて説明する。
テープBGAを製造するには、まず図4に示すような、片面に銅箔配線からなるリード1を形成すると共に貫通孔を形成したテープ基材2Aと、図5に示すような、素子形成面の周辺部にAuのバンプ電極7を形成した半導体チップ3とを用意する。
上記テープ基材2Aは、一端がリールに巻き取られた幅35mmの長尺テープであるが、図4にはBGA一個分の領域のみが示されている。このテープ基材2AのBGA一個分の領域の中央部には、半導体チップ3が配置される略正方形のデバイスホール8が形成され、リード1のそれぞれの一端部(インナーリード部1A)が、このデバイスホール8の内側に延在している。また、リード1の中途部には、後の工程で半田バンプ6が接続されるランド部1Bが形成されている。これらのランド部1Bは、デバイスホール8の各辺に沿って2列に配置されている。ランド部1Bのさらに外側のテープ基材2Aには、長方形の開孔9がランド部1Bを囲むように形成されている。これらの開孔9は、テープ基材2Aを打ち抜く作業を容易にするためのもので、それらの内側のテープ基材2AがBGAの配線基板2を構成するようになっている。
一方、半導体チップ3へのバンプ電極7の取り付けは、ワイヤボンディング装置を用いたボールボンディング方式で行う。
次に、図6に示すように、上記テープ基材2Aのデバイスホール8に半導体チップ3を位置決めし、バンプ電極7と対応するリード1とを電気的に接続する。バンプ電極7とリード1とを接続するには、図7に示すように、ボンディングステージ10の上に水平に載置した半導体チップ3のバンプ電極7にリード1のインナーリード部1Aを重ね合わせ、上方から500℃程度に加熱したボンディングツール11を1秒程度圧着して、すべてのバンプ電極7と対応するインナーリード部1Aとを同時に一括して接続する。
次に、上記テープ基材2Aを図8に示すようなモールド金型に装着し、半導体チップ3が位置決めされたキャビティ12の内部に樹脂を注入する。図示のように、このモールド金型は、上型13Aと下型13Bとで構成されている。上型13Aの一部には突起部14が設けられており、キャビティ12に注入された樹脂は、この突起部14の内側の部分が半導体チップ3を封止する封止樹脂4となり、外側の部分が補強枠5となる。また、上型13Aの一部に突起部14を設けたことにより、半導体チップ3に近接した領域のテープ基材2Aが突起部14と下型13Bとに挟まれて確実に固定される。これにより、キャビティ12の内部に樹脂を注入した際に半導体チップ3が揺動し難くなるので、半導体チップ3の位置ずれに起因する成形不良率を低減することができる。
また、上記モールド金型は、上型13Aと下型13Bのそれぞれに樹脂の注入口であるゲート15が設けられている。これにより、半導体チップ3の主面側と裏面側とに樹脂が均一に流入されるので、樹脂の流入ばらつきに起因する成形不良率を低減することができる。
図9は、上記モールド金型を使ったトランスファ・モールド法によって樹脂4と補強枠5とを成形したテープ基材2A(上面側)を示す平面図、図10は、同じくテープ基材2A(実装面側)を示す平面図である。
次に、上記テープ基材2Aのランド部1Bに半田バンプ6を接続する。半田バンプ6をランド部1Bに接続するには、あらかじめボール状に成形しておいた半田バンプ6を図11に示すようなボールマウンタ16を使って真空吸引し、この状態でフラックス槽(図示せず)に半田バンプ6を浸漬してその表面にフラックスを塗布した後、フラックスの粘着力を利用して半田バンプ6を対応するランド部1Bに仮付けする。本実施形態では、ランド部1Bが形成された領域のテープ基材2Aに補強枠5が設けられているので、この領域のテープ基材2Aの反りや変形が防止されて平坦度が向上する。従って、多数の半田バンプ6を対応するランド部1Bに同時に押し付けた場合でも、すべての半田バンプ6がランド部1Bに確実に密着する。
その後、半田バンプ6を加熱リフローしてランド部1Bに固着した後、テープ基材2Aの表面に残ったフラックス残渣を中性洗剤などを使って除去し、最後にテープ基材2Aをチップ単位で打ち抜くことにより、前記図1〜図3に示すテープBGAが完成する。このようにして得られたテープBGAは、バーンイン/テスタによる検査に付されて良品と不良品とに選別された後、梱包、出荷される。
図12は、上記テープBGAと他の表面実装型パッケージ(例えばQFPなど)とが実装されたプリント配線基板18の平面図である。テープBGAとQFPは、テープBGAの半田バンプ6およびQFPのリード表面に塗布した半田ペースト(または半田メッキ)を加熱炉内でリフローすることにより、同時に一括して実装する。
このように、半導体チップ3を保護する封止樹脂4と、配線基板20周辺部の平坦性を確保するための補強枠5とをトランスファ・モールド法によって同時に一括成形する本実施形態によれば、樹脂基板の周辺部に金属枠を接着した後、半導体チップをポッティング樹脂で封止する場合に比べて製造工程を低減することができ、かつ金属枠よりも安価なモールド樹脂で補強枠を形成することにより材料原価を低減することができるので、テープBGAを安価に製造することができる。
また、ポッティング樹脂よりも耐湿性に優れたモールド樹脂で半導体チップを全面封止する本実施形態によれば、テープBGAの信頼性を向上させることができる。
実施形態2
図13は、本実施形態のテープBGAを示す斜視図、図14は、このテープBGAの断面図である。
図示のように、本実施形態のテープBGAは、半導体チップ3の裏面を封止樹脂4から露出させた構造になっている。このような構造は、特に消費電力の大きい半導体チップ3を搭載したテープBGAの熱抵抗を低減するのに有効である。また、図15に示すように、半導体チップ3の露出面に接着剤17などを使って金属製の放熱フィン19を接合することにより、テープBGAの熱抵抗をさらに低減することができる。
半導体チップ3の裏面を封止樹脂4から露出させた上記テープBGAを製造するには、まず前記実施の形態1の図8に示したモールド金型に比べて深さの浅いキャビティを備えたモールド金型を用意し、このモールド金型の上型に半導体チップ3の裏面が接触するようにテープ基材2Aを装着した状態でキャビティに樹脂を注入し、封止樹脂4を成形すればよい。
実施形態3
図16は、本実施形態のテープBGAを示す斜視図、図17は、このテープBGAの断面図である。
図示のように、このテープBGAの補強枠5およびその下部の配線基板2には、それらの上下面を貫通してリード1のランド部1Bに達する多数の貫通孔20が設けられ、それぞれの貫通孔20の内部には、導電材21が埋め込まれている。導電材21は、ランド部1Bに接続された半田バンプ6よりも高融点の半田や導電性ペーストなどで構成され、スクリーン印刷あるいは多点ノズルを備えたディスペンサによって貫通孔20の内部に充填される。補強枠5に貫通孔20を形成するには、図18に示すように、上型13Aの一部に多数のピン22を設けたモールド金型を使って補強枠5を成形する。
テープBGAを上記のような構造とすることにより、図19に示すように、複数のテープBGAを基板実装面に対して垂直な方向に重ね合わせ、半田バンプ6と導電材21とを介して共通のピン同士を電気的に接続したマルチチップ・モジュールを容易に実現することができる。この場合、半導体チップ3は、DRAMなどのメモリLSIを形成したものが使用される。
実施形態4
図20は、本実施形態のテープBGAを示す断面図である。図示のように、このテープBGAは、配線基板2の下面側に補強枠5を設け、この補強枠5に形成された凹溝23の内部に半田バンプ6を配置した構造になっている。補強枠5に凹溝23を形成するには、図21に示すように、下型13Bの一部に多数の突起部24を設けたモールド金型を使って補強枠5を成形する。
テープBGAを上記のような構造とすることにより、図22に示すように、ボールマウンタ16を使って半田バンプ6をランド部1Bに仮付けする際、凹溝23が半田バンプ6の位置決めガイドとして機能するので、半田バンプ6の仮付けを容易、かつ迅速に行うことができる。この場合も、補強枠5は、ランド部1Bが形成された領域のテープ基材2Aの反りや変形を防止するように機能する。
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば図23に示すように、封止樹脂4と補強枠5とを分離して成形してもよい。この場合は、封止樹脂4を成形するモールド金型のキャビティ(12)と補強枠5を成形する上型(13A)の一部とに樹脂を直接供給するためのゲートをそれぞれ設ける必要がある。
産業上の利用可能性
半導体チップを封止する封止樹脂と配線基板の反りや変形を防ぐ補強枠とをトランスファ・モールド法で同時に樹脂成形する本発明のテープBGAは、製造コストが安価で信頼性も高いことから、携帯情報機器、ディジタルカメラ、ノートパソコンといった小型軽量電子機器への実装に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
図1、図2は、本発明の実施形態1である半導体装置の斜視図である。
図3は、本発明の実施形態1である半導体装置の斜視図である。
図4は、本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示すテープ基材の平面図である。
図5は、本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す斜視図である。
図6は、本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す平面図である。
図7、図8は、本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
図9、図10は、本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す平面図である。
図11は、本発明の実施形態1である半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
図12は、本発明の実施形態1である半導体装置を実装したプリント配線基板の平面図である。
図13は、本発明の実施形態2である半導体装置の斜視図である。
図14、図15は、本発明の実施形態2である半導体装置の断面図である。
図16は、本発明の実施形態3である半導体装置の斜視図である。
図17は、本発明の実施形態3である半導体装置の断面図である。
図18は、本発明の実施形態3である半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
図19は、本発明の実施形態3である半導体装置を用いたマルチチップモジュールの断面図である。
図20は、本発明の実施形態4である半導体装置の断面図である。
図21、図22は、本発明の実施形態4である半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
図23は、本発明の他の実施形態である半導体装置の斜視図である。
Claims (3)
- 半導体チップを封止する封止樹脂と、前記封止樹脂の周囲を囲む補強枠とを有する半導体装置の製造方法であって、
(a)主面に複数の電極が形成された半導体チップを用意する工程、
(b)デバイスホールと、一端部が前記デバイスホールの内側に延在し、他端部の一部にバンプを接続するためのランド部を有する複数のリードとが形成されたテープ基材を用意する工程、
(c)前記半導体チップを前記テープ基材の前記デバイスホールに配置し、前記半導体チップと前記リードの一端部とを電気的に接続する工程、
(d)前記封止樹脂が形成される領域と前記補強枠が形成される領域の間の前記テープ基材の一部を上型の突起部と下型とで挟んで固定し、トランスファモールド法によって、前記封止樹脂と前記補強枠とを一体に成形する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)の後、前記テープ基材の不要箇所を除去する工程をさらに含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数のリードのランド部にバンプを接続する工程をさらに含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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