JP3986743B2 - 配線基板とその製造方法及びそれに用いる無電解銅めっき液 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、特に微細なビアホール等の開口部に形成された銅層によって複数の配線間が接続された多層配線基板、とその製造方法、及びそれに用いる無電解銅めっき液に関する。
【0002】
【従来の技術】
無電解銅めっき液では、銅イオンと銅イオンの錯化剤、銅イオン還元剤、pH調整剤を含み、更にめっき膜の機械的特性を向上させる目的、あるいはめっき液の安定性を向上させる目的で、添加剤を加えて用いるのが通常である。
【0003】
これらの添加剤を添加した無電解銅めっき液としては例えば、特開昭51−105932では、2,2'-ビピリジル、2-(2-ピリジル)ベンズイミダゾール、2,2'-ジキノリルの少なくとも1種とポリアルキレングリコール、または/および1,10-フェナントロリン類の少なくとも1種とポリアルキレングリコールを添加剤とした無電解銅めっき液が開示されている。
【0004】
特開昭52−17334では、添加剤としてムレキシド、エリオクロームブラックT、メチルバイオレットのうち少なくとも1種を含む無電解銅めっき液が開示されている。
【0005】
特開昭52−17335では、添加剤としてピリジン、4-ビニルピリジン、2-アミノピリジン、2-メチルピリジン、3-メチルピリジン-4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、3-(n-プロピル)ピリジン、2-ヒドロキシピリジンのうち少なくとも1種を含む無電解銅めっき液が開示されている。
【0006】
特開昭52−20339では、添加剤としてNi、Co、Pb、及びSnの金属塩の少なくとも1種と非反応性脂肪族重合体とを添加した無電解銅めっき液が開示されている。
【0007】
特開昭52−21226では、アリルアルコール、α-クロロアリルアルコール、β-クロロアリルアルコール、α-メチルアリルアルコール、β-メチルアリルアルコールのうち1種以上を添加しためっき液が開示されている。
【0008】
更に、特開昭52−85936では添加剤としてオキシムを含有するめっき液が、特開昭56−105468では添加剤としてポリエチレングリコールステアリルアミン、2,2'-ビピリジル、Ag2Sを含有するめっき液が、特開昭57−26156では添加剤として環状ポリエーテルを添加しためっき液が、特開平5−156459ではヨウ素化合物と2,2'-ビピリジルを添加した無電解銅めっき液が開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述の添加剤は、何れもめっき膜の機械的特性やめっき液の安定性を向上させる目的で添加されているものである。近年、電子機器の小型化に伴い部品を実装する実装基板も高密度化が望まれており、高密度化に有利なビルドアップ基板開発が活発に行われている。即ち、ビルドアップ基板では、従来のプリント基板の層間接続構造であるスルーホール接続ではなく、必要な層間のみホールを形成し接続するビアホール構造が取られる。
【0010】
高密度化に伴い、このビアホールの径も小さくなり、めっきにより接続すべきビアホールのアスペクト比は大きくなる傾向にある。片側が閉塞されたビアホールにめっきを施して層間接続を行う場合、ビアホールのアスペクト比が大きいほどビアホール内に均一にめっきを行うのが困難となり、高密度実装基板の形成でそれがプロセスネックとなる場合がある。
【0011】
即ち、特にアスペクト比の大きい開口部内における閉塞された底部及び又は側壁の表面に、上部表面上に被着される銅層の厚さと実質的にほぼ同じで一様な厚さの銅層を再現性よく被着する技術を開発することが必要である。
【0012】
本発明の目的は、高密度実装に適した配線基板を提供することである。
【0013】
本発明の他の目的は、片側が閉塞された微小で高アスペクト比のビアホールにめっきを施して配線層を形成した高密度実装に適した多層配線基板を提供することである。
【0014】
本発明の更に他の目的は、かかるビアホールへの銅層の均一析出性に優れた無電解銅めっき液を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
開示されている発明のうち、代表的なものの概要について述べる。
【0016】
まず、銅めっき層の均一析出性に優れた本発明に係わる無電解銅めっき液は、銅イオン、銅イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤、およびpH調整剤を含む無電解銅めっき液に、添加剤としてマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンのうち少なくとも1つが加えられている。
【0017】
また、銅めっき層の均一析出性に優れた本発明に係わる他の無電解銅めっき液は、銅イオン、銅イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤、pH調整剤、および添加剤として2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を含む無電解銅めっき液に、更に添加剤としてマンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTのうち少なくとも1つが加えられている。
【0018】
本発明の目的である微細で高アスペクト比のビアホールに均一にめっきを施して配線層を形成した多層配線基板は、かかるめっき液を用いて無電解銅めっきすることによって再現性よく製造される。
【0019】
具体的には、絶縁体表面に50μmから150μmの微細な口径φとその口径よりも深い閉塞された底部を有する開口部を有する配線構造体に対して上記しためっき液を用いて無電解銅めっきすることにより、開口部内の側壁と底部の表面上に及び絶縁体の表面上にほぼ一様な厚さの連続した銅層を形成することができる。それによって、1.0から2.0の範囲のアスペクト比を持った微細開口部内の側壁と底部の表面上での銅層の厚さが絶縁体表面上の銅層の厚さの0.9倍以上とされた配線基板が再現性よく提供される。
【0020】
また、開口部内の側壁表面と絶縁体の表面とのなす角βが90度から100度であるほぼ垂直な断面を有する開口部に対して適用することによって、微細な高密度配線構造を有する多層配線基板が再現性よく提供される。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。
【0022】
(実施の形態1)
本実施の形態において、基本となる無電解銅めっき液は、銅塩、銅イオンの錯化剤、還元剤およびpH調整剤を含む無電解銅めっき液である。銅塩としては、硫酸銅、硝酸銅、塩化第二銅、ぎ酸銅等、通常の可溶性銅塩であればよい。
【0023】
また、錯化剤としては、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、テトラキス(2―ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン等が使用できる。
【0024】
また、還元剤としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、グリオキシル酸を使用できる。また、これらの中から二種以上を併用してもよい。
【0025】
さらに、pH調整剤としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド等有機アルカリを用いることができる。pHの最適範囲は使用する還元剤によって異なるが、概ね、20℃で測定したpHの値が11.5〜13.5の間にあれば良く、めっき速度の点からは大きい方が好ましい。
【0026】
また、添加剤としてはめっき膜の機械的特性、めっき液の安定性を向上させる目的で2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン、ポリエチレングリコールやその他従来技術で用いられてきた添加剤を使用することができる。
【0027】
以上の基本成分、および添加剤のみで構成した無電解銅めっき液では、アスペクト比が1.0以上のビアホール内壁面及び底部に膜厚の均一な銅めっき膜を形成することはできなかった。ビアホール内壁面及び底部での銅めっき膜厚の均一性は、ビアホールの形状やめっき液の撹拌状態、めっき液温度、めっき速度、めっき液主成分濃度により変わる。ビアホール内壁への均一析出性が低下する原因としては、底部が閉塞されたビアホール内部のようなめっき液の対流が十分に行われない部分においては、めっき反応の主成分である銅イオン(錯体)、還元剤、水酸化物イオンの濃度が不足してくるためと考えられる。
【0028】
本願発明者等は、これらの種々の要因を検討した結果、特に還元剤濃度が不足した場合、ビアホール内壁面への均一析出性が大きく低下するということを見出した。
【0029】
ここで、図1にビアホール3の底部を含む内壁面への銅めっき膜の析出形態を説明するための模式的な断面図を示して説明する。同図では、1は絶縁物からなる下地基板、2はその上に形成された絶縁層、3は底面が閉塞され口径φを有するビアホール等の開口部、4は析出された銅めっき層を示している。
【0030】
ビアホール3の外部の入り口付近の基板表面(即ち、絶縁層2の表面)上のめっき膜厚aと、ビアホール3の底面に析出しためっき膜厚 bとの比、b/aを百分率で表し均一析出性を評価した。均一析出性が良好な場合には100%に近く、均一析出性が悪い場合には0%に近い低い値になる。評価の方法としては、例えば、配線基板のビアホール周辺部分を切り出し、埋め込み樹脂に埋め込んだ後、ビアホール中心部で直径方向と垂直な断面が露出するように研磨を行い、銅めっき膜の研磨ダレをソフトエッチング゛により除去した後に顕微鏡により観察し、図1に示したような形態を観察することによって行った。
【0031】
なお、本発明の種々の実施例ではビアホール3内の側壁表面にめっきされる銅層の厚さcは実質的に底面表面にめっきされる銅層の厚さbよりも大きくなることが多いので、以下では最も銅層の膜厚が小さくなると予想されるビアホール3内の底部表面上の銅めっき層の厚さbで代表して説明されている。
【0032】
本実施形態では、前述の無電解銅めっき液の基本成分である、銅塩、銅イオンの錯化剤、還元剤およびpH調整剤で構成した無電解銅めっき液にマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを添加することにより、高アスペクト比のビアホールに均一なめっき膜を形成しようとするものである。マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを、無電解銅めっき液の基本成分に添加するだけで均一析出性は向上し、ビアホール構造を有するビルドアップ基板のビアホール接続信頼性は大幅に向上する。
【0033】
また、マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンの添加により、めっき速度を調整することができる。めっき速度とは、単位時間に単位面積に析出する銅の厚みであり、μm/hで表わされる。
【0034】
本発明者等は、特にビアホール内部での還元剤の不足が、ビアホールへのめっき膜の均一析出性の低下を引き起こすことを見出したと述べたが、更にこのマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンはビアホール内部での還元剤の不足を補う働きを有することを見出した。
【0035】
マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンによるビアホールへの均一析出性向上の作用機構について、特に還元剤としてホルムアルデヒドを用いた場合を例に取り以下に説明する。
【0036】
ホルムアルデヒドは、以下に示す素反応を経由し酸化され、電子を放出する。
HCHO + H2O = CH2(OH)2 ‥‥‥(1)
CH2(OH)2 + OH- = CH2CHO- + H2O ‥‥‥‥(2)
CH2CHO- = CHCHO- (ad) + H(ad) ‥‥‥(3)
CHCHO- (ad) + OH- = HCOO- + H2O + e-‥‥‥(4)
2H(ad) = H2 ‥‥‥(5) 。
【0037】
上記素反応で、添え字(ad)は、当該反応中間体物質が被めっき体表面に吸着していることを表す。ここで、反応式(3)および(4)中にあるCHOHO- (ad)なる反応中間体が、めっき反応の局部カソード反応である銅の析出反応を活性化する。このことは、Harm Wieseらにより検討され、Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 91, 619-626(1987)に記されている。
【0038】
従って、ホルムアルデヒド濃度が低下すると、電子供与体としてのホルムアルデヒド濃度が低下したことによるめっき速度の低下のみではなく、表面に吸着して銅の析出反応を活性化し、反応中間体の濃度も減少することになる。これにより、ホルムアルデヒド濃度が低下した部分のめっき速度は、ホルムアルデヒド濃度の大きな部分のめっき速度に比べ著しく低下することになる。
【0039】
すなわち、ホルムアルデヒド濃度の小さなビアホール内のめっき析出量は、ホルムアルデヒド濃度の大きな基板表面のめっき析出量に比べ著しく小さくなり、ビアホール内へのめっき膜の均一析出性が低下する。これは、ビアホール内や表面といった局部的なホルムアルデヒド濃度の差のみではなく、これら表面への、ホルムアルデヒド反応中間体の吸着量の差が、均一析出性の低下を助長しているためである。
【0040】
本発明者等は、マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを無電解銅めっき液中に添加することで、上述のホルムアルデヒド反応中間体濃度の低下の影響を低減できることを見出した。マンデロニトリルおよびトリエチレンテトラミン自体が被めっき面に吸着し、同じく表面に吸着しているホルムアルデヒド反応中間体と相互作用するためであると考えている。また、表面に吸着したマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンと銅イオンとの相互作用も考えられる。
【0041】
以上が、マンデロニトリルおよびトリエチレンテトラミンをめっき液中に添加した場合、ビアホール内への均一析出性が向上する作用機構と考えられる。
一方、エリオクロームブラックTを無電解銅めっき液中に添加しためっき液に関しては、特開昭52−17334に記載されているが、当該公知例にはめっきの均一析出性に関する記述はない。当該公知例はめっき液中にエリオクロームブラックTを添加することで、めっき膜の柔軟性特に伸び率を向上させる効果を示したものである。
【0042】
本発明者等はエリオクロームブラックTをめっき液中に添加して検討したが、エリオクロームブラックTを添加しただけではビアホールへの均一析出性は向上しないことを見出した。すなわち、無電解銅めっき液の基本成分である、銅塩、銅イオンの錯化剤、還元剤およびpH調整剤のみで構成した無電解銅めっき液にエリオクロームブラックTのみを添加した場合には、均一析出性は向上しない。本発明者等は、多くの添加剤について検討したが、エリオクロームブラックTを用いる場合には、2,2'-ビピリジル、あるいは1,10-フェナントロリン、あるいは2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1つを併用することで均一析出性が向上することを見出した。
【0043】
一般的に2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を無電解銅めっき液中に添加した場合にはめっき膜の機械的物性が向上するが、エリオクロームブラックTを併用した場合でも同様に、2,2’-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの添加によりめっき膜の伸び率は向上する。更に、マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを添加剤とした場合にも同様に、2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を添加することで、めっき膜の機械的物性の特に伸び率が向上し、得られるめっき膜は延性に富んだ膜となる。以上のように、マンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTの中の少なくとも1種を含む無電解銅めっき液中に、更に2,2’-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を添加することによりめっき膜の機械的物性が向上し、このめっき液を用いてビアホール接続を行った配線基板の、ビアホール接続信頼性は極めて良好である。
【0044】
更に、本発明ではマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンの中の少なくとも1種を添加した無電解銅めっき液中に、2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を添加することにより、ビアホールへの均一析出性が更に向上するという、新たな効果を見出した。マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを単独で添加した場合に比べ、2,2’-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を更に添加することにより、ビアホールへの均一析出性は向上するという効果を見出したのである。
【0045】
マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンはそれ単独を無電解銅めっき液中に添加するだけでビアホールの均一析出性を向上させる効果を有する。エリオクロームブラックTに関しては、単独ではその効果がないが、2,2‘-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種と併用することで、エリオクロームブラックT単独を無電解銅めっき液中に添加した場合、あるいは2,2’-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を単独で無電解銅めっき液中にの添加した場合に比べ、ビアホール内の均一析出性は著しく向上する。
【0046】
また、2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種とマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを併用した場合も、単独の場合よりも均一析出性は向上し、更にめっき膜の機械的物性も向上するという効果を有する。
【0047】
ビアホール内への均一析出性に優れためっき膜は、無電解銅めっき液中にマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを添加することにより得られる。また、2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種を添加した無電解銅めっき液中にマンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTを添加することによっても得られる。
【0048】
また、マンデロニトリル、トリエチレンテトラミンあるいは2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種とマンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTを含む本発明のめっき液を用いて、ビアホール接続を含む配線を形成した配線基板は接続信頼性に優れているという効果を有している。
【0049】
これは、本発明の無電銅めっき液を用いることにより、片側が閉塞された即ち底部を有するビアホール内への均一な析出が確保できるため、配線層等の導体への接続の信頼性が高いためである。更に、ビアホールへの均一析出性が高いため、微小なビアホールを有する配線基板に適用でき、従来に比べ基板の配線設計の自由度が向上するという効果もある。
【0050】
従って、配線層を有する下地基板上に絶縁層を形成し、当該絶縁層に下地基板表面の配線層に達するビアホールを形成し、当該ビアホールの内壁面を含む絶縁層表面の少なくとも一部に無電解銅めっきを施して第2の導体層を形成し、前記絶縁層表面に配線を形成するビルドアップ方式の多層配線基板の製造方法で、無電解銅めっき液に添加剤としてマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンを含む無電解銅めっき液を用いてビアホールめっき行う配線基板の製造方法は、接続信頼性に優れた配線板を得られるという効果を有する。
【0051】
無電解銅めっき液は、添加剤として2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンの中の少なくとも1種とマンデロニトリル、トリエチレンテトラミンあるいはエリオクロームブラックTのうち何れかを更に添加したものでも良い。
【0052】
更に、本発明の配線板の製造方法は、配線板製造工程のスループットが向上するという新たな効果を有する。これは、本発明の配線板の製造方法では、ビアホールの均一析出性に優れためっき液を用いるため、めっき時間を短縮できるためである。配線板の接続信頼性を確保するためには、ビアホール内部に析出させるめっき膜の厚みを厚くする必要があるが、本発明の配線板製造方法で用いる無電解銅めっき液は、従来のめっき液に比べビアホールへの均一析出性が優れているため、従来に比べ短いめっき時間で信頼性の確保に必要なビアホールめっきを終了することができるためである。
【0053】
また、本発明者等はビアホールの口径やアスペクト比だけでなくその断面形状と無電解銅めっき層の均一析出性についても検討した結果、図1に示した絶縁層2表面と絶縁層3で規定されるビアホールの側壁表面とがなす角度が、90度から100度の範囲をもって急峻に傾斜した断面を有する配線構造においても本発明の効果を達成できることが確認できた。このことは、より高密度な多層配線構造を実現するのに極めて有効である。
【0054】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、比較例は本発明を用いない無電解銅めっき液の例を説明するものである。
【0055】
(実施例1)
銅イオン源として硫酸銅、銅イオン還元剤としてホルマリンを用い、pH調整剤として水酸化ナトリウムを用いて無電解銅めっきを行った。
めっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0056】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0005モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0057】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0058】
上記無電解銅めっき液で、試験基板上に形成したビアホールにめっきを施し、断面観察により、ビアホール内壁面への均一析出性を評価した。試験基板の作成法は以下に示す。
【0059】
(試験基板作成法)
表面に18μm厚の銅箔有する銅張りガラスエポキシ基板表面に感光性レジストを形成し、パターニングの後、エッチングにより内層銅回路を形成した。レジストを剥離後、内層銅回路表面を黒化処理により粗化した。このガラスエポキシ基板上に、12μmの厚みの銅箔を表面に有する住友ベークライト社製APL−4001エポキシ樹脂フィルムを、150℃、30分の条件で加熱圧着した。尚、このエポキシ樹脂フィルムの厚みは80μmである。
【0060】
その後、表面の銅箔をエッチアウトし、日立ビアメカニクス社製炭酸ガスレーザを用いてφ60μm、φ80μm、φ100μm、φ120μm、φ140μmの種々の口径を有するビアホールを形成した。ビアホールのピッチは500μmであり、大きさ100mm角の基板に、それぞれの大きさのビアホールが2000穴づつ形成してある。
【0061】
ビアホール形成後、通常の方法にて、過マンガン酸アルカリ水溶液によるデスミヤ処理を行い、基板表面を洗浄の後、日立化成工業社製めっき触媒処理液のHS-101液を用いて通常の触媒付与工程により触媒を付与した後、日立化成工業社製CAST-2000薄付け無電解銅めっき液を用いて、厚み約1μmの無電解銅めっきを施した。次いで、160℃、1時間の条件でベークを行い試験用基板とした。
【0062】
(物性測定用めっき膜作成法)
物性(めっき膜の機械的特性)測定用のめっき膜は、ステンレス板上に厚み30μmのめっき膜を形成し、それを用いた。
【0063】
ステンレス板をめっき液中に浸漬し、液温70℃、負荷1dm2/lで無電解銅めっきを施した。ステンレス板は予め17%塩酸水溶液中に2分間浸漬し、次いで1液性のパラジウムコロイド触媒溶液〔日立化成工業(株)製増感剤HS101Bを含む酸性水溶液〕に10分間浸漬し、水洗を行った後、希塩酸を主成分とする促進処理液で5分間処理し、水洗したものを用いた。めっき中は、常時空気を吹き込んでめっき液を撹拌した。めっき中、銅イオン濃度、銅イオン還元剤濃度及びpHが一定になるように随時補給した。
【0064】
先ず、図1に示した試験基板を用いてビアホールへのめっきの均一析出性を評価した。上記のめっき液、めっき条件により、試験用基板に3.0時間めっきを行った。この時のめっき速度は8.3μm/hであったため、めっき膜厚は24.9μmである。断面研磨を行い、各大きさのビアホール100穴づつ、均一析出性を評価した。均一析出性の評価は、図1に記した絶縁層表面のめっき膜厚aに対するビアホール底部のめっき膜厚bの百分率(b/a×100%)で表す。
【0065】
本実施例では、基板表面にめっきしためっき厚み24.9μmに対する、それぞれの径のビアホール底部のめっき膜厚の百分率が均一析出性である。本実施例のめっき条件でめっきを行ったところ、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで68%、φ80μmのビアホールで77%、φ100μmのビアホールで89%、φ120μmのビアホールで96%、φ140μmのビアホールでは100%でり、めっき速度が8.3μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0066】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。ステンレス板よりめっき皮膜を剥離して、1.25cm×10cmの大きさに切断し、めっき皮膜の機械的強度を通常の引っ張り試験機で測定した。その結果、めっき膜の伸び率は3.2%であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0067】
以上より、添加剤としてマンデロニトリルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性はビルドアップ基板の接続信頼性を確保可能なレベルであり、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0068】
(実施例2)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0069】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・トリエチレンテトラミン 0.01モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整。
【0070】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0071】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は5.5μm/hであった。試験基板上に4.5時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、ビアホールへの均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで92%、φ80μmのビアホールで99%、φ100μmとφ120μmとφ140μmのビアホールでは全て100%であった。めっき速度が5.5μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0072】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は3.8%であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0073】
以上より、添加剤としてトリエチレンテトラミンを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性はビルドアップ基板の接続信頼性を確保可能なレベルであり、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0074】
(実施例3)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0075】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・トリエチレンテトラミン 0.02モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整。
【0076】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0077】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.3μm/hであった。試験基板上に6時間めっきを施し、厚み約26μmのめっき膜を形成した。その結果、ビアホールへの均一析出性はφ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全て100%であった。めっき速度が4.3μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0078】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は3.4%であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0079】
以上より、添加剤としてトリエチレンテトラミンを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性はビルドアップ基板の接続信頼性を確保可能なレベルであり、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0080】
(実施例4)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0081】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0005モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0082】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0083】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は5.1μm/hであった。試験基板上に5時間めっきを施し、厚み約25.5μmのめっき膜を形成した。その結果、ビアホールへの均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで90%、φ80μmのビアホールで99%、φ100μmとφ120μmとφ140μmのビアホールでは全て100%であった。めっき速度が5.1μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0084】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は15.3%と非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0085】
以上より、添加剤としてマンデロニトリルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、2,2'-ビピリジルと併用することでめっき膜物性は非常に良好となり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0086】
(実施例5)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0087】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・トリエチレンテトラミン 0.01モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0088】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0089】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.8μm/hであった。試験基板上に5時間めっきを施し、厚み約24μmのめっき膜を形成した。その結果、ビアホールへの均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで97%、φ80μmからφ140μmのビアホールでは全て100%であり、めっき速度が4.8μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0090】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は7.8%と非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0091】
以上より、添加剤としてトリエチレンテトラミンを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、2,2'-ビピリジルと併用することでめっき膜物性は非常に良好となり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0092】
(実施例6)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0093】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0002モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0094】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0095】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は5.8μm/hであった。試験基板上に4.5時間めっきを施し、厚み約26μmのめっき膜を形成した。その結果、ビアホールへの均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が5.8μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0096】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は8.5%と非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0097】
以上より、添加剤としてエリオクロームブラックTおよび2,2'-ビピリジルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0098】
(実施例7)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0099】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0005モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0100】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0101】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は6.0μm/hであった。試験基板上に4時間めっきを施し、厚み約24μmのめっき膜を形成した。その結果、ビアホールへの均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が6.0μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0102】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は7.6%と良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0103】
以上より、添加剤としてエリオクロームブラックTおよび2,2'-ビピリジルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0104】
(実施例8)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0105】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・グリオキシル酸 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0005モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0106】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0107】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.7μm/hであった。試験基板上に5.5時間めっきを施し、厚み約26μmのめっき膜を形成した。その結果、ビアホールへの均一析出性は、φ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が4.7μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0108】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は9.6%と良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0109】
以上より、添加剤としてエリオクロームブラックTおよび2,2'-ビピリジルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0110】
(実施例9)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0111】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0005モル/l
・ポリエチレングリコール(平均分子量600) 0.009モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0112】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0113】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は7.6μm/hであった。試験基板上に3.3時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで72%、φ80μmのビアホールで79%、φ100μmのビアホールで93%、φ120μmのビアホールとφ140μmのビアホールでは100%であった。めっき速度が7.6μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0114】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は7.6%と良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0115】
以上より、添加剤としてマンデロニトリルおよびポリエチレングリコールを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0116】
(実施例10)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0117】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・トリエチレンテトラミン 0.01モル/l
・ポリエチレングリコール(平均分子量600) 0.009モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0118】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0119】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.9μm/hであった。試験基板上に5時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はφ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が4.9μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0120】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は6.8%と良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
以上より、添加剤としてトリエチレンテトラミンおよびポリエチレングリコールを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。
【0121】
以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0122】
(実施例11)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0123】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0005モル/l
・ポリエチレングリコール(平均分子量600) 0.03モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0124】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0125】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は7.5μm/hであった。試験基板上に3.5時間めっきを施し、厚み約26μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで75%、φ80μmのビアホールで83%、φ100μmのビアホールで96%、φ120μmのビアホールとφ140μmのビアホールでは100%であった。めっき速度が7.5μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0126】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は5.4%%と良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0127】
以上より、添加剤としてエリオクロームブラックTおよびポリエチレングリコールを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。
【0128】
以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0129】
(実施例12)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0130】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0005モル/l
・2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン 0.0001モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0131】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0132】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は6.7μm/hであった。試験基板上に4.0時間めっきを施し、厚み約27μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで77%、φ80μmビアホールで88%、φ100μmのビアホールで96%、φ120μmのビアホールとφ140μmのビアホールでは100%であった。めっき速度が6.7μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0133】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は5.2%と、非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0134】
以上より、添加剤としてエリオクロームブラックT及び2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0135】
(実施例13)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0136】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0005モル/l
・2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン 0.0003モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0137】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0138】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は5,3μm/hであった。試験基板上に5.0時間めっきを施し、厚み約26μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで91%、φ80μm、φ100μm、φ120μm、およびφ140μmのビアホールでは100%であった。めっき速度が5.3μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0139】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は6.8%と、非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
以上より、添加剤としてマンデロニトリルおよび2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。
【0140】
以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0141】
(実施例14)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0142】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・トリエチレンテトラミン 0.005モル/l
・2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0143】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0144】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.9μm/hであった。試験基板上に5.0時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで92%、φ80μm、φ100μm、φ120μm、およびφ140μmのビアホールでは100%であった。めっき速度が4.9μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0145】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は6.9%と良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0146】
以上より、添加剤としてトリエチレンテトラミンおよび2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。
【0147】
以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0148】
(実施例15)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0149】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0005モル/l
・ポリエチレングリコール(平均分子量600) 0.009モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0001モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0150】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0151】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.8μm/hであった。試験基板上に5時間めっきを施し、厚み約24μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はφ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が4.8μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0152】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は18.3%と、非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0153】
以上より、添加剤としてマンデロニトリルおよびポリエチレングリコール、2,2'-ビピリジルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。
【0154】
以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0155】
(実施例16)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0156】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・トリエチレンテトラミン 0.01モル/l
・ポリエチレングリコール(平均分子量600) 0.009モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0001モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0157】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0158】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.1μm/hであった。試験基板上に6時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はφ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が4.1μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0159】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は8.6%と、非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0160】
以上より、添加剤としてトリエチレンテトラミンおよびポリエチレングリコール、2,2'-ビピリジルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0161】
(実施例17)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0162】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0005モル/l
・ポリエチレングリコール(平均分子量600) 0.009モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0001モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0163】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0164】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は5.9μm/hであった。試験基板上に4.2時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はφ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が5.9μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0165】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は8.4%と、非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0166】
以上より、添加剤としてエリオクロームブラックTおよびポリエチレングリコール、2,2'-ビピリジルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。
【0167】
以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0168】
(実施例18)
本実施例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0169】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.05モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・グリオキシル酸 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0006モル/l
・ポリエチレングリコール(平均分子量600) 0.01モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0001モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0170】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0171】
均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本実施例のめっき液でのめっき速度は4.5μm/hであった。試験基板上に5.5時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はφ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで100%であった。めっき速度が4.8μm/hと高速度であるにもかかわらず、良好な均一析出性が得られた。
【0172】
さらに、本実施例のめっき液、めっき条件で得られるめっき膜物性について評価した。その結果、めっき膜の伸び率は18.6%と、非常に良好であった。これは、ビルドアップ基板の接続信頼性を確保する上で十分な水準のめっき膜物性である。
【0173】
以上より、添加剤としてマンデロニトリルおよびポリエチレングリコール、2,2'-ビピリジルを含む無電解銅めっき液は、ビアホールへの均一析出性が良く、本実施例の効果が確認できた。更に、めっき膜物性も良好であり、ビルドアップ基板の接続信頼性を十分確保可能であることがわかった。
【0174】
以上より、本実施例で示した無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホール接続構造を有するビルドアップ基板製造方法に適していることが確認でき、本実施例の効果が確認できた。
【0175】
(実施例19)
表面に18μm厚の銅箔有する銅張りガラスエポキシ基板表面に感光性レジストを形成し、パターニングの後、エッチングにより内層回路を形成した。内層回路は幅75μm、スペース75μmの回路であり、1.27mmピッチで大きさ250μm角の層間接続用パッドが形成されている。レジストを剥離後、内層銅回路表面を黒化処理により粗化した。このガラスエポキシ基板上に、12μmの厚みの銅箔を表面に有する住友ベークライト社製APL−4001エポキシ樹脂フィルムを、150℃、30分の条件で加熱圧着した。尚、このエポキシ樹脂フィルムの厚みは80μmである。その後、表面の銅箔をエッチアウトし、日立ビアメカニクス社製炭酸ガスレーザを用いてφ80μmのビアホールを、内層に形成した層間接続用パッド上に形成した。ビアホール形成後、通常の方法にて、過マンガン酸アルカリ水溶液によるデスミヤ処理を行い、基板表面を洗浄の後、日立化成工業社製めっき触媒処理液のHS-101液を用いて通常の触媒付与工程により触媒を付与した後、日立化成工業社製CAST-2000薄付け無電解銅めっき液を用いて、厚み約1μmの無電解銅めっきを施した。次いで、160℃、1時間の条件でベークを行い、以下に示すめっき液、めっき条件により厚み25μmの無電解銅めっき処理を行った。
【0176】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0005モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0177】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0178】
上記めっき液組成、めっき条件により厚み25μmのめっき処理後、銅めっき膜上に感光性レジストを形成し、パターニングした。形成したパターンは、ビアホール2500個を直列に接続した構造になっており、これを用いてビアホール2500個のチェーン抵抗を測定できる。めっき直後のビアホール2500個のチェーン抵抗を測定し、同一基板での熱衝撃試験後の抵抗と比較した。熱衝撃試験の試験条件を以下に示した。
【0179】
(試験条件)
125℃、120分 → 室温、5分 → −65℃、120分
これを1サイクルとする。
【0180】
熱衝撃試験のサイクル数を増やしていくと測定されるビアホールの抵抗は上昇するが、抵抗上昇率が10%に達するまでのサイクル数を、その基板の信頼性の目安とした。従って、このサイクル数が多い程信頼性の高い基板であると言える。
【0181】
上記熱衝撃試験の結果、本実施例で試作した基板は、180サイクル後に抵抗上昇率が10%を越えた。この熱衝撃試験の結果は、ビルドアップ基板の接続信頼性評価結果としては十分な信頼性であり、本発明の配線基板の製造方法により、優れた接続信頼性を有する配線基板を得ることができるということが確認できた。
【0182】
以上より、本発明に記載のビアホール内への均一析出性に優れた無電解銅めっき液を用いることで、接続信頼性に優れた基板を得ることができ、本実施例の効果が確認できた。
【0183】
(実施例20)
めっき液、めっき条件として以下に示すめっき液、めっき条件を用いたこと以外は、全て実施例19と同様な試験を行った。
【0184】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・トリエチレンテトラミン 0.01モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0185】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0186】
その結果、本実施例で試作した基板は、実施例19と同様180サイクル後に抵抗上昇率が10%を越えた。この熱衝撃試験の結果は、ビルドアップ基板の接続信頼性評価結果としては十分な信頼性であり、本発明の配線基板の製造方法により、優れた接続信頼性を有する配線基板を得ることができるということが確認できた。
【0187】
以上より、本発明に記載のビアホール内への均一析出性に優れた無電解銅めっき液を用いることで、接続信頼性に優れた基板を得ることができ、本実施例の効果が確認できた。
【0188】
(実施例21)
めっき液、めっき条件として以下に示すめっき液、めっき条件を用いたこと以外は、全て実施例19と同様な試験を行った。
【0189】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・マンデロニトリル 0.0005モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0190】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0191】
その結果、本実施例で試作した基板は、200サイクル後に抵抗上昇率が10%を越え、実施例19や20よりも若干良好な結果であった。これは、2,2'-ビピリジルの添加によりめっき膜の機械的物性が向上しているためであると考えられる。また、この熱衝撃試験の結果は、ビルドアップ基板の接続信頼性評価結果としては十分な信頼性であり、本発明の配線基板の製造方法により、優れた接続信頼性を有する配線基板を得ることができるということが確認できた。
【0192】
以上より、本発明に記載のビアホール内への均一析出性に優れた無電解銅めっき液を用いることで、接続信頼性に優れた基板を得ることができ、本実施例の効果が確認できた。
【0193】
(実施例22)
めっき液、めっき条件として以下に示すめっき液、めっき条件を用いたこと以外は、全て実施例19と同様な試験を行った。
【0194】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0002モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.5になるように適宜調整した。
【0195】
めっき条件:
・pH 12.5
・液温 74℃ 。
【0196】
その結果、本実施例で試作した基板は、実施例21と同様に200サイクル後に抵抗上昇率が10%を越え、実施例19や20よりも若干良好な結果であった。これは、2,2'-ビピリジルの添加によりめっき膜の機械的物性が向上しているためであると考えられる。また、この熱衝撃試験の結果は、ビルドアップ基板の接続信頼性評価結果としては十分な信頼性であり、本発明の配線基板の製造方法により、優れた接続信頼性を有する配線基板を得ることができるということが確認できた。
【0197】
以上より、本発明に記載のビアホール内への均一析出性に優れた無電解銅めっき液を用いることで、接続信頼性に優れた基板を得ることができ、本実施例の効果が確認できた。
【0198】
(実施例23)
めっき液、めっき条件として以下に示すめっき液、めっき条件を用いたこと以外は、全て実施例19と同様な試験を行った。
【0199】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.04モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・グリオキシル酸 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0005モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0200】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0201】
その結果、本実施例で試作した基板は、実施例21、22と同様に200サイクル後に抵抗上昇率が10%を越え、実施例19,20よりも若干良好な結果であった。これは、2,2'-ビピリジルの添加によりめっき膜の機械的物性が向上しているためであると考えられる。
【0202】
また、この熱衝撃試験の結果は、ビルドアップ基板の接続信頼性評価結果としては十分な信頼性であり、還元剤としてグリオキシル酸を用いた場合にも本発明の配線基板の製造方法により、優れた接続信頼性を有する配線基板を得ることができるということが確認できた。
【0203】
以上より、本発明に記載のビアホール内への均一析出性に優れた無電解銅めっき液を用いることで、接続信頼性に優れた基板を得ることができ、本実施例の効果が確認できた。
【0204】
(比較例1)
次に、上記した種々の本発明の実施例と比較して説明するために用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0205】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.05モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0206】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0207】
この比較例ではめっき液中に添加剤を含まない場合である。均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本比較例のめっき液でのめっき速度は15.8μm/hであった。試験基板上に1.5時間めっきを施し、厚み約24μmのめっき膜を形成した。均一析出性を評価するため、ビアホールの断面観察を行ったが、ビアホール内にはほとんどめっきが析出しておらず、φ60μmのビアホールからφ140μmのビアホールの全てで、ほぼ0%の析出特性であった。
【0208】
さらに、本比較例のめっき液、めっき条件で得られためっき膜は非常に脆く、物性を評価した結果、めっき膜の伸び率は0.3%しかなかった。また、2時間のめっき終了後、めっき液は分解し、めっき槽壁面に銅が析出してしまった。
【0209】
以上より、本比較例のように添加剤を含まないめっき液は均一析出性が悪いことがわかった。従って、前記したように本発明のマンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTを含むめっき液は均一析出性に優れており、本発明のめっき液の効果が確認できた。また、本比較例の無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホールへの均一析出性も悪く、更にめっき膜の機械的特性も悪く、配線板の信頼性が確保できず、好ましくないことがわかり、これからも本発明の製造方法が、配線板の製造方法として非常に有効であるという効果が確認できた。
【0210】
(比較例2)
次に、他の比較例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0211】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.05モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・2,2'-ビピリジル 0.0002モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0212】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0213】
本比較例はめっき液中に添加剤として2,2'-ビピリジルを含むが、ビアホールへの均一析出性を向上させる添加剤のマンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックT等を含まない場合である。均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本比較例のめっき液でのめっき速度は5.5μm/hであった。試験基板上に4.5時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで25%、φ80μmのビアホールで30%、φ100μmのビアホールで57%、φ120μmのビアホールで67%、φ140μmのビアホールでは87%であった。これは、同程度のめっき速度を示す本発明の実施例に比べ、ビアホールへの均一析出性は著しく劣る結果となった。
【0214】
以上より、本比較例のように均一析出性を向上させる効果を有する添加剤を含まないめっき液は均一析出性が悪いことがわかった。従って、本発明のマンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTを含むめっき液は均一析出性に優れており、本発明のめっき液の効果が確認できた。また、本比較例の無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホールへの均一析出性が悪く、配線板の信頼性が確保できず、好ましくないことがわかり、これからも本発明の製造方法が、配線板の製造方法として非常に有効であるという効果が確認できた。
【0215】
(比較例3)
次に、更に別の比較例で用いためっき液の組成及びめっき条件を以下に示す。
【0216】
めっき液組成:
・硫酸銅5水和物 0.05モル/l
・エチレンジアミン四酢酸 0.1モル/l
・ホルムアルデヒド 0.03モル/l
・水酸化ナトリウム 0.01モル/l
・エリオクロームブラックT 0.0005モル/l
但し、水酸化ナトリウム濃度はpH=12.3になるように適宜調整した。
【0217】
めっき条件:
・pH 12.3
・液温 70℃ 。
【0218】
本比較例はめっき液中に添加剤としてエリオクロームブラックTのみを含む場合である。均一析出性およびめっき膜物性は実施例1と同様な試験基板、めっき膜物性測定用めっき膜の作成方法、均一析出性評価方法を用いて評価した。本比較例のめっき液でのめっき速度は10.4μm/hであった。試験基板上に2.4時間めっきを施し、厚み約25μmのめっき膜を形成した。その結果、均一析出性はそれぞれ、φ60μmのビアホールで18%、φ80μmのビアホールで25%、φ100μmのビアホールで33%、φ120μmのビアホールで48%、φ140μmのビアホールでは60%であった。これは、2,2'-ビピリジル、または/およびポリエチレングリコールを含む本発明の実施例に比べ、ビアホールへの均一析出性は著しく劣る結果となった。
【0219】
以上より、本比較例のようにめっき液中にエリオクロームブラックTのみを添加した無電解銅めっき液は均一析出性が悪いことがわかった。従って、本発明の無電解銅めっき液は均一析出性に優れており、その効果が確認できた。また、本比較例の無電解銅めっき液を用いた配線板の製造方法は、ビアホールへの均一析出性が悪く、配線板の信頼性が確保できず、好ましくないことがわかり、これからも本発明の製造方法が、配線板の製造方法として非常に有効であるという効果が確認できた。
【0220】
(実施の形態2)
次に、実際に本発明によって製造した多層配線基板について図2で説明する。図2は多層配線基板要部の拡大断面図であり、絶縁体2の内部に複数の銅の配線層6,7,8が形成されており、そのうち配線層7と8とを無電解銅めっき層4で接続するために絶縁体2の上表面にビアホール等の一端が閉塞された開口部3がそれら配線層7と8の一部を露出するように設けられ、しかる後前述した本発明に係わる無電解銅めっき液を用いて開口部3内及び絶縁体2の上表面にほぼ均一な厚さで、即ち同図ではa=b=cの状態で、連続した銅のめっき層が被着されている。なお、上記開口部3は50μm〜150μmの範囲内の口径φを有し、その口径長さよりも深い位置に閉塞された底部を有し、アスペクト比は1.0〜2.0の範囲内とされている。また、この開口部は上面から見て円形の溝であることが望ましいが、四角形であってもよいし細長い長方形の溝でもよい。
【0221】
この図2から判るように、開口部内の底面及び壁面に被着された一様な厚さの銅めっき層4によって複数の配線層7と8の電気的接続の信頼性が確保されており、特に、かかる開口部3が多数個設けられた大規模な多層配線基板を製造するにあたってはその製造歩留まりの向上及び製造コストの削減等を計る上で極めて有益である。
【0222】
一方、図3は前記比較例2又は3で説明した銅めっき液を用いて作成した多層配線基板要部の拡大断面図であり、開口部内の底面及び壁面に被着された銅めっき層4は厚さbやcが絶縁体2の上表面に被着された銅めっき層4の厚さaよりも薄く、また図中の9で示したように銅めっき層4自体に窪み等の厚さが不均一な部分が発生しており、配線層7と8の電気的接続の信頼性が十分確保されているとは言えない。
【0223】
以上種々の実施例に基づいて本発明を説明してきたことからも理解されるように、本発明は底部が閉塞されたアスペクト比が大きい開口部の内壁表面及び底面に外側の上部表面と実質的に同じ厚さの一様な銅めっき膜を設けた配線構造体を再現性よく得るのに極めて有効である。
【0224】
【発明の効果】
本発明によると、ビルドアップ基板に見られるようなビアホール構造の接続部分に、均一性良く銅金属を形成可能な無電解銅めっき液を得ることができる。また、この無電解銅めっき液を用いることで、ビアホール内部表面が均一に銅めっきされた、高配線密度で信頼性の高い配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を説明するための配線基板の要部断面図である。
【図2】本発明によって作られた多層配線基板の要部断面図である。
【図3】本発明の効果を比較して説明するための多層配線基板の要部断面図である。
【符号の説明】
1…下地基板、2…絶縁層(絶縁体)、3…ビアホール(開口部)、4…銅めっき膜、6、7,8…銅の配線層、a…絶縁層表面上の銅めっき膜厚、b…ビアホール底面での銅めっき膜厚、c…ビアホール側壁面での銅めっき膜厚。
Claims (3)
- 内部に配線層を有する絶縁体に前記配線層の一部を露出させる、口径が50〜150μmで、上記口径よりも深い閉塞された底部を有する開口部を設け、少なくとも前記開口部内の表面に、(1)銅イオン、銅イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤、pH調整剤及び添加剤としてマンデロニトリル及びトリエチレンテトラミンのうち少なくとも1つを含有する無電解銅めっき又は(2)銅イオン、銅イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤、pH調整剤、2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンのうち少なくとも1つの第1添加剤と、マンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTのうち少なくとも1つの第2添加剤とを含有する無電解銅めっき液を用いて銅を無電解めっきする工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 内部に配線層を有する絶縁体に前記配線層の一部を露出させる、口径が50〜150μmで、上記口径よりも深い閉塞された底部を有する開口部を設け、少なくとも前記開口部内の表面に、(1)銅イオン、銅イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤、pH調整剤及び添加剤としてマンデロニトリル及びトリエチレンテトラミンのうち少なくとも1つを含有する無電解銅めっき又は(2)銅イオン、銅イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤、pH調整剤、2,2'-ビピリジル、1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリンのうち少なくとも1つの第1添加剤と、マンデロニトリル、トリエチレンテトラミン、エリオクロームブラックTのうち少なくとも1つの第2添加剤とを含有する無電解銅めっき液を用いて銅を無電解めっきし、上記開口内の側壁と底部の表面上での上記銅層の厚さが上記絶縁体の表面上の上記銅層の厚さの0.9倍以上となるように無電解めっきする工程を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 前記還元剤がホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、グリオキシル酸の少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の配線基板の製造方法。
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