JP2013089630A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013089630A JP2013089630A JP2011225874A JP2011225874A JP2013089630A JP 2013089630 A JP2013089630 A JP 2013089630A JP 2011225874 A JP2011225874 A JP 2011225874A JP 2011225874 A JP2011225874 A JP 2011225874A JP 2013089630 A JP2013089630 A JP 2013089630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- copper
- terminal
- palladium
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/4557—Plural coating layers
- H01L2224/45572—Two-layer stack coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45664—Palladium (Pd) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/85464—Palladium (Pd) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の半導体パッケージは、端子形状の銅の表面にめっき皮膜が形成されたワイヤボンディング端子を有する半導体チップ搭載用基板と、ワイヤボンディング端子に接合された銅ワイヤで電気的に接続された半導体チップと、を備え、上記めっき皮膜が、銀めっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜、又は、パラジウムめっき皮膜と金めっき皮膜との2層めっき皮膜であり、上記ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有する。
【選択図】 なし
Description
Package)実装へと進化している。
(1)厚さが0.03〜0.4μmの銀めっき皮膜
(2)厚さが0.005〜0.35μmのパラジウムめっき皮膜
(3)厚さが0.03〜0.4μmの金めっき皮膜
(4)厚さが0.003〜0.2μmのパラジウムめっき皮膜及び厚さが0.03〜0.2μmの金めっき皮膜の2層めっき皮膜
(2−1)厚さが0.005〜0.35μmであり、純度が99%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−2)厚さが0.005〜0.25μmであり、純度が98%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−3)厚さが0.005〜0.15μmであり、純度が97%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−4)厚さが0.005〜0.12μmであり、純度が94%以上のパラジウムめっき皮膜
(1)厚さが0.03〜0.4μmの銀めっき皮膜
(2)厚さが0.005〜0.35μmのパラジウムめっき皮膜
(3)厚さが0.03〜0.4μmの金めっき皮膜
(4)厚さが0.003〜0.2μmのパラジウムめっき皮膜と厚さが0.03〜0.2μmの金めっき皮膜との2層めっき皮膜
(2−1)厚さが0.005〜0.35μmであり、純度が99%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−2)厚さが0.005〜0.25μmであり、純度が98%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−3)厚さが0.005〜0.15μmであり、純度が97%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−4)厚さが0.005〜0.12μmであり、純度が94%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−1)厚さが0.005〜0.35μmであり、純度が99%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−2)厚さが0.005〜0.25μmであり、純度が98%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−3)厚さが0.005〜0.15μmであり、純度が97%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−4)厚さが0.005〜0.12μmであり、純度が94%以上のパラジウムめっき皮膜
(実施例1)
(1a)内層板の準備
まず、絶縁基材に厚さ18μmの銅箔を両面に貼り合わせた、厚さ0.2mmのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E−679(日立化成工業株式会社製、商品名)を準備し、その不要な箇所の銅箔をエッチングにより除去し、スルーホールを形成して、表面に内層回路が形成された内層板を得た。
内層板の両面に、3μmの厚みの銅箔に接着剤を塗布したMCF−7000LX(日立化成工業株式会社製、商品名)を、170℃、30kgf/cm2の条件で60分間加熱加圧してラミネートした。
炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機L−500(住友重機械工業株式会社製、商品名)により、銅箔上から直径80μmの非貫通孔であるIVH30をあけた。さらに、IVH30形成後の基板を過マンガン酸カリウム65g/Lと水酸化ナトリウム40g/Lの混合水溶液に、液温70℃で20分間浸漬し、孔内のスミアの除去を行った。
(1c)の工程後の基板を、パラジウム溶液であるHS−202B(日立化成工業株式会社製、商品名)に25℃で15分間浸漬して、銅箔表面に触媒を付与した。その後、CUST−201(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用して、液温25℃、30分の条件で無電解銅めっきを行った。これにより銅箔上及びIVH内の表面に厚さ0.3μmの無電解銅めっき層を形成した。
ドライフィルムフォトレジストであるRY−3025(日立化成工業株式会社製、商品名)を、無電解銅めっき層の表面にラミネートし、電解銅めっきを行うべき箇所をマスクするフォトマスクを介してフォトレジストに紫外線を露光した後、現像して、電解めっきレジストを形成した。
硫酸銅浴を用い、液温25℃、電流密度1.0A/dm2の条件で、銅めっき層3上に電解銅めっきを12μmほどの厚さが得られるように行い、回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=15/15μmのパターン形状を有する第2の銅層を形成した。また、かかるパターン形状を形成した面と反対側の面には、はんだボール接続用のランド径600μmのパッドが形成されるように、電解銅めっき皮膜を形成した。
レジスト剥離液であるHTO(ニチゴー・モートン株式会社製、商品名)を用いて、電解めっきレジストの除去を行った。
主成分として硫酸20g/L、過酸化水素10g/Lの組成のエッチング液を用いて、電解めっきレジストで覆われていた部分の銅をエッチングにより除去した。
エッチング後の基板の上側の表面に、感光性のソルダーレジスト「PSR−4000 AUS5」(太陽インキ製造株式会社製、商品名)をロールコータにより塗布し、硬化後の厚みが40μmとなるようにした。続いて、露光・現像をすることにより、導体回路上の所望の場所に開口部を有するソルダーレジストを形成した。また、下側の表面には、はんだボール接続用のパッドを形成するために、ランド径600μmの銅パッドの上部に、500μmの開口径を有するソルダーレジストを形成した。
ソルダーレジスト形成後の基板を、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗した。得られた無電解パラジウムめっき皮膜の厚みは0.005μmであった。なお、本実施例及び以下の実施例や比較例においては、パラジウム層、銀層、金層の膜厚は、蛍光X線膜厚計SFT9500(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、商品名)を用いて測定した。
(1)微細配線形成性
上記で得られた半導体チップ搭載用基板について、下記の基準によりめっき皮膜形成後の微細配線形成性を評価した。得られた結果を表1に示す。
A:ブリッジが形成されておらず、端子部分にめっき皮膜が良好に形成されており、回路導体間隔が13μm以上である。
B:端子部分の外周に部分的にめっきがはみ出して析出しており、回路導体間隔が10μm以上、13μm未満である。
C:端子部分の外周に部分的にめっきがはみ出して析出しており、回路導体間隔が8μm以上、10μm未満である。
D:端子部分の外周に部分的にめっきがはみ出して析出しており、回路導体間隔が5μm以上、8μm未満である。
E:端子部分の外周に部分的にめっきがはみ出して析出しており、回路導体間隔が5μm未満である。
上記で得られた半導体チップ搭載用基板について、下記の基準により接続端子のワイヤボンディング性(ワイヤボンディング接続性)を評価した。
A:ワイヤプル強度の平均値が10g以上
B:ワイヤプル強度の平均値が8g以上10g未満
C:ワイヤプル強度の平均値が3g以上8g未満
D:ワイヤプル強度の平均値が3g未満
めっき皮膜の硬度(ビッカース硬度)の測定は、マイクロビッカース硬度計を用いて、クリープ速度5gf/2s、クリープ時間5sで測定した。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の還元型無電解パラジウムめっき液に70℃で5秒間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.01μm析出させることにより、端子の銅上に純度約100%の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
ギ酸ナトリウム:0.1mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例2記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて表1に示される膜厚を有する無電解パラジウムめっき皮膜を形成したこと以外は実施例2と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の無電解パラジウムめっき液に60℃で5秒間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.01μm析出させることにより、端子の銅上に純度約99.2%(パラジウム:99.2質量%、リン:0.8質量%)の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
ギ酸ナトリウム:0.1mol/L
次亜リン酸ナトリウム:0.003mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例8に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて表1に示される膜厚を有する無電解パラジウムめっき皮膜を形成したこと以外は実施例8と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の無電解パラジウムめっき液に60℃で7秒間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.01μm析出させることにより、端子の銅上に純度約98.5%(パラジウム:98.5質量%、リン:1.5質量%)の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
ギ酸ナトリウム:0.1mol/L
次亜リン酸ナトリウム:0.005mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例13に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて表1に示される膜厚を有する無電解パラジウムめっき皮膜を形成したこと以外は実施例13と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の無電解パラジウムめっき液に60℃で10秒間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.01μm析出させることにより、端子の銅上に純度約97%(パラジウム:97質量%、リン:3質量%)の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
次亜リン酸ナトリウム:0.03mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例17に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて表1に示される膜厚を有する無電解パラジウムめっき皮膜を形成したこと以外は実施例17と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の無電解パラジウムめっき液に60℃で10秒間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.01μm析出させることにより、端子の銅上に純度約94%(パラジウム:94質量%、リン:6質量%)の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
次亜リン酸ナトリウム:0.12mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例21に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて表1に示される膜厚を有する無電解パラジウムめっき皮膜を形成したこと以外は実施例21と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、プリディップ(商品名:SSP−700P 四国化成製)、液温=40℃にて40秒間浸漬し、置換銀めっき(商品名:SSP−700M 四国化成製)、液温=40℃にて30秒間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解銀めっき皮膜を0.03μm析出させることにより、端子の銅上に純度100質量%の無電解銀めっき層を形成する工程を行った。
実施例25に記載の置換銀めっき液への浸漬時間を変化させて表2に示される膜厚を有する無電解銀めっき皮膜を形成したこと以外は実施例25と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換金めっき液であるHGS−100(日立化成工業株式会社、商品名)に、85℃で2分間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.03μm析出させることにより、端子の銅上に純度100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換金めっき液であるHGS−100(日立化成工業株式会社、商品名)に、85℃で2分間浸漬した。次いで、還元型の金めっき液であるHGS−2000(日立化成工業株式会社製、商品名)に、70℃で2分間浸漬させ、更に5分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.05μm析出させることにより、端子の銅上に純度100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
実施例32に記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表2に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は実施例32と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の還元型無電解パラジウムめっき液に70℃で15秒間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.03μm析出させることにより、端子の銅上に純度約100質量%の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。続いて、置換金めっき液であるHGS−100(日立化成工業株式会社、商品名)に、85℃で2分間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.03μm析出させることにより、無電解パラジウムめっき皮膜上に100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
ギ酸ナトリウム:0.1mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例37と同様にして無電解金層を形成する工程までを行った後、さらに、還元型の金めっき液であるHGS−2000(日立化成工業株式会社製、商品名)に、70℃で2分間浸漬させ、更に5分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.05μm析出させることにより、端子の銅上に100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
実施例38に記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表2に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は実施例38と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の還元型無電解パラジウムめっき液に70℃で1分間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.1μm析出させることにより、端子の銅上に純度約100質量%の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。続いて、置換金めっき液であるHGS−100(日立化成工業株式会社、商品名)に、85℃で2分間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.03μm析出させることにより、端子の銅上に純度100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
ギ酸ナトリウム:0.1mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例42と同様にして無電解金層を形成する工程までを行った後、さらに、還元型の金めっき液であるHGS−2000(日立化成工業株式会社製、商品名)に、70℃で2分間浸漬させ、更に5分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.05μm析出させることにより、端子の銅上に純度100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
実施例43に記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表2に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は実施例43と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1の工程(1a)〜(1i)を行った後、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗し、下記組成の還元型無電解パラジウムめっき液に70℃で2分間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解パラジウムめっき皮膜を0.2μm析出させることにより、端子の銅上に純度約100%の無電解パラジウム層を形成する工程を行った。続いて、置換金めっき液であるHGS−100(日立化成工業株式会社、商品名)に、85℃で2分間浸漬し、更に2分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.03μm析出させることにより、端子の銅上に純度100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
塩化パラジウム:0.01mol/L
エチレンジアミン:0.08mol/L
ギ酸ナトリウム:0.1mol/L
チオジグリコール酸:10ppm
pH:8
実施例47と同様にして無電解金層を形成する工程までを行った後、さらに、還元型の金めっき液であるHGS−2000(日立化成工業株式会社製、商品名)に、70℃で2分間浸漬させ、更に5分間水洗して、無電解金めっき皮膜を0.1μm析出させることにより、端子の銅上に純度100質量%の無電解金層を形成する工程を行った。
実施例48に記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表2に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は実施例48と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有していることが確認された。
実施例1に記載の置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)への浸漬時間を2分間に変化させ、無電解パラジウムめっき皮膜の厚みを0.003μmとしたこと以外は実施例1と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例2に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて、無電解パラジウムめっき皮膜の厚みを0.4μmとしたこと以外は実施例2と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例8に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて、無電解パラジウムめっき皮膜の厚みを0.4μmとしたこと以外は実施例2と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例13に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて、無電解パラジウムめっき皮膜の厚みを0.3μmとしたこと以外は実施例2と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例17に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解パラジウムめっき皮膜を形成したこと以外は実施例17と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例21に記載の還元型無電解パラジウムめっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解パラジウムめっき皮膜を形成したこと以外は実施例21と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例25に記載の置換銀めっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解銀めっき皮膜を形成したこと以外は実施例25と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例31に記載の置換金めっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は全て実施例31と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例32記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は全て実施例32と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例38記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は全て実施例38と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例43記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は全て実施例43と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
実施例48記載の還元型の金めっき液への浸漬時間を変化させて表3に示される膜厚を有する無電解金めっき皮膜を形成したこと以外は全て実施例48と同様にして、半導体チップ搭載用基板を作製した。得られた半導体チップ搭載用基板について、実施例1と同様に特性評価を行った。なお、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。
比較例23〜26はそれぞれ、実施例4〜7と同様にして作製した基板をそれぞれ用い、ワイヤボンディングに用いたキャピラリーを、先端面を「マット加工」したCuPRAplus(登録商標) Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)の代わりに、先端面を「ポリッシュ加工」したCIC Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)を用いてワイヤボンディングを行った。しかし、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。なお、比較例23の銅ワイヤが接合されたワイヤボンディング端子の表面のSEM観察結果を図2に示す。ワイヤボンディング性以外については実施例1と同様に特性評価を行った。
比較例27〜30はそれぞれ、実施例27〜30と同様にして作製した基板をそれぞれ用い、ワイヤボンディングに用いたキャピラリーを、先端面を「マット加工」したCuPRAplus(登録商標) Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)の代わりに、先端面を「ポリッシュ加工」したCIC Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)を用いてワイヤボンディングを行った。しかし、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。ワイヤボンディング性以外については実施例1と同様に特性評価を行った。
比較例31〜34はそれぞれ、実施例33〜36と同様にして作製した基板をそれぞれ用い、ワイヤボンディングに用いたキャピラリーを、先端面を「マット加工」したCuPRAplus(登録商標) Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)の代わりに、先端面を「ポリッシュ加工」したCIC Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)を用いてワイヤボンディングを行った。しかし、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。ワイヤボンディング性以外については実施例1と同様に特性評価を行った。
比較例35〜37はそれぞれ、実施例38〜40と同様にして作製した基板をそれぞれ用い、ワイヤボンディングに用いたキャピラリーを、先端面を「マット加工」したCuPRAplus(登録商標) Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)の代わりに、先端面を「ポリッシュ加工」したCIC Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)を用いてワイヤボンディングを行った。しかし、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。ワイヤボンディング性以外については実施例1と同様に特性評価を行った。
比較例38〜39はそれぞれ、実施例43〜44と同様にして作製した基板をそれぞれ用い、ワイヤボンディングに用いたキャピラリーを、先端面を「マット加工」したCuPRAplus(登録商標) Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)の代わりに、先端面を「ポリッシュ加工」したCIC Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)を用いてワイヤボンディングを行った。しかし、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。ワイヤボンディング性以外については実施例1と同様に特性評価を行った。
比較例40〜41はそれぞれ、実施例47〜48と同様にして作製した基板をそれぞれ用い、ワイヤボンディングに用いたキャピラリーを、先端面を「マット加工」したCuPRAplus(登録商標) Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)の代わりに、先端面を「ポリッシュ加工」したCIC Capillary(Kulicke&Soffa社製、商品名)を用いてワイヤボンディングを行った。しかし、ワイヤボンディング端子は、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所を有していなかった。ワイヤボンディング性以外については実施例1と同様に特性評価を行った。
実施例1に示した工程(1a)〜(1i)を行った。ソルダーレジスト形成後の基板を、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、置換パラジウムめっき液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗した。続いて、下記組成の処理液に浸漬した後、水洗乾燥した。
チオ硫酸カリウム:50g/L
pH:6
pH調整剤:クエン酸ナトリウム
実施例1に示した工程(1a)〜(1i)を行った。ソルダーレジスト形成後の基板を、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、めっき活性化処理液である下記組成の置換パラジウムめっき液に、5分間浸漬後、水洗、乾燥した。
塩酸(35%):70ml/L
塩化パラジウム(Pd)として:50mg/L
次亜リン酸:100mg/L
酸性度:約0.8N
Claims (10)
- 端子形状の銅の表面にめっき皮膜が形成されたワイヤボンディング端子を有する半導体チップ搭載用基板と、前記ワイヤボンディング端子に接合された銅ワイヤで電気的に接続された半導体チップと、を備え、
前記めっき皮膜が、銀めっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜、又は、パラジウムめっき皮膜と金めっき皮膜との2層めっき皮膜であり、
前記ワイヤボンディング端子は、前記めっき皮膜が形成された箇所と、前記端子形状の銅と前記銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有する、半導体パッケージ。 - 前記端子形状の銅と前記銅ワイヤとが直接接合されている箇所の表面の十点平均粗さが0.15〜1.0μmの範囲である、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記めっき皮膜が、下記(1)〜(4)のいずれかのめっき皮膜である、請求項1又は2に記載の半導体パッケージ。
(1)厚さが0.03〜0.4μmの銀めっき皮膜
(2)厚さが0.005〜0.35μmのパラジウムめっき皮膜
(3)厚さが0.03〜0.4μmの金めっき皮膜
(4)厚さが0.003〜0.2μmのパラジウムめっき皮膜と厚さが0.03〜0.2μmの金めっき皮膜との2層めっき皮膜 - 前記めっき皮膜の純度が99%以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
- 前記めっき皮膜が、下記(2−1)〜(2−4)のいずれかのパラジウムめっき皮膜である、請求項1又は2に記載の半導体パッケージ。
(2−1)厚さが0.005〜0.35μmであり、純度が99%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−2)厚さが0.005〜0.25μmであり、純度が98%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−3)厚さが0.005〜0.15μmであり、純度が97%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−4)厚さが0.005〜0.12μmであり、純度が94%以上のパラジウムめっき皮膜 - 基板、及び該基板上に設けられ、端子形状の銅の表面にめっき皮膜が形成されたワイヤボンディング端子を備える半導体チップ搭載用基板と、前記ワイヤボンディング端子に接合された銅ワイヤで電気的に接続された半導体チップと、を備える半導体パッケージの製造方法であって、
前記めっき皮膜が、銀めっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜、又は、パラジウムめっき皮膜と金めっき皮膜との2層めっき皮膜であり、
前記ワイヤボンディング端子に前記銅ワイヤを接合して、前記ワイヤボンディング端子の一部に前記端子形状の銅と前記銅ワイヤとが直接接合する箇所を設ける工程を備える、半導体パッケージの製造方法。 - 先端面がマット加工されたキャピラリーにより前記銅ワイヤを前記ワイヤボンディング端子に接合する、請求項6に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記めっき皮膜が、下記(1)〜(4)のいずれかのめっき皮膜である、請求項6又は7に記載の半導体パッケージの製造方法。
(1)厚さが0.03〜0.4μmの銀めっき皮膜
(2)厚さが0.005〜0.35μmのパラジウムめっき皮膜
(3)厚さが0.03〜0.4μmの金めっき皮膜
(4)厚さが0.003〜0.2μmのパラジウムめっき皮膜と厚さが0.03〜0.2μmの金めっき皮膜との2層めっき皮膜 - 前記めっき皮膜の純度が99%以上である、請求項6〜8のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記めっき皮膜が、下記(2−1)〜(2−4)のいずれかのパラジウムめっき皮膜である、請求項6又は7に記載の半導体パッケージの製造方法。
(2−1)厚さが0.005〜0.35μmであり、純度が99%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−2)厚さが0.005〜0.25μmであり、純度が98%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−3)厚さが0.005〜0.15μmであり、純度が97%以上のパラジウムめっき皮膜
(2−4)厚さが0.005〜0.12μmであり、純度が94%以上のパラジウムめっき皮膜
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011225874A JP5978587B2 (ja) | 2011-10-13 | 2011-10-13 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011225874A JP5978587B2 (ja) | 2011-10-13 | 2011-10-13 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013089630A true JP2013089630A (ja) | 2013-05-13 |
JP5978587B2 JP5978587B2 (ja) | 2016-08-24 |
Family
ID=48533285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011225874A Expired - Fee Related JP5978587B2 (ja) | 2011-10-13 | 2011-10-13 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5978587B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015091232A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Silver wire bonding on printed circuit boards and ic-substrates |
EP3722459A1 (en) * | 2019-04-10 | 2020-10-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Gold plating method and plating film |
US20220127729A1 (en) * | 2020-10-28 | 2022-04-28 | Hutchinson Technology Incorporated | Electroless Nickel Etch Chemistry, Method Of Etching And Pretreatment |
CN115087760A (zh) * | 2020-02-18 | 2022-09-20 | 日本高纯度化学株式会社 | 镀覆层叠体 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01255234A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH0474432A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001196413A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、該半導体装置の製造方法、cmp装置、及びcmp方法 |
JP2005197442A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | ワイヤボンディング用端子とその製造方法及びそのワイヤボンディング用端子を有する半導体搭載用基板。 |
JP2005302941A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006120893A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007504648A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ |
JP2007123883A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Samsung Electro Mech Co Ltd | プリント回路基板のメッキ層形成方法およびこれから製造されたプリント回路基板 |
US20080073792A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | Infineon Technologies Ag | Electronic device and method for production |
JP2008113048A (ja) * | 2008-02-04 | 2008-05-15 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
JP2011035020A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Nippon Steel Materials Co Ltd | 半導体用ボンディングワイヤー |
-
2011
- 2011-10-13 JP JP2011225874A patent/JP5978587B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01255234A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH0474432A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001196413A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、該半導体装置の製造方法、cmp装置、及びcmp方法 |
JP2007504648A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ |
JP2005197442A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | ワイヤボンディング用端子とその製造方法及びそのワイヤボンディング用端子を有する半導体搭載用基板。 |
JP2005302941A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006120893A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007123883A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Samsung Electro Mech Co Ltd | プリント回路基板のメッキ層形成方法およびこれから製造されたプリント回路基板 |
US20080073792A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | Infineon Technologies Ag | Electronic device and method for production |
JP2008113048A (ja) * | 2008-02-04 | 2008-05-15 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
JP2011035020A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Nippon Steel Materials Co Ltd | 半導体用ボンディングワイヤー |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015091232A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Silver wire bonding on printed circuit boards and ic-substrates |
EP3722459A1 (en) * | 2019-04-10 | 2020-10-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Gold plating method and plating film |
CN111809170A (zh) * | 2019-04-10 | 2020-10-23 | 上村工业株式会社 | 镀金方法及镀覆膜 |
CN111809170B (zh) * | 2019-04-10 | 2024-03-22 | 上村工业株式会社 | 镀金方法及镀覆膜 |
CN115087760A (zh) * | 2020-02-18 | 2022-09-20 | 日本高纯度化学株式会社 | 镀覆层叠体 |
US20220127729A1 (en) * | 2020-10-28 | 2022-04-28 | Hutchinson Technology Incorporated | Electroless Nickel Etch Chemistry, Method Of Etching And Pretreatment |
US11932948B2 (en) * | 2020-10-28 | 2024-03-19 | Hutchinson Technology Incorporated | Electroless nickel etch chemistry, method of etching and pretreatment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5978587B2 (ja) | 2016-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5428667B2 (ja) | 半導体チップ搭載用基板の製造方法 | |
KR100688833B1 (ko) | 인쇄회로기판의 도금층 형성방법 및 이로부터 제조된인쇄회로기판 | |
JP5402939B2 (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
US10941493B2 (en) | Film formation method | |
WO2011149019A1 (ja) | 金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法、金メッキ金属微細パターン付き基材、プリント配線板、インターポーザ及び半導体装置 | |
US20110051387A1 (en) | Method for electroless nickel-palladium-gold plating, plated product, printed wiring board, interposer and semiconductor apparatus | |
US8987910B2 (en) | Method for obtaining a palladium surface finish for copper wire bonding on printed circuit boards and IC-substrates | |
CN102482781B (zh) | 锡和锡合金的无电镀覆方法 | |
JP5978587B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
US20140072706A1 (en) | Direct Electroless Palladium Plating on Copper | |
KR101184875B1 (ko) | 전기 접속단자 구조체 및 이의 제조방법 | |
JP4831710B1 (ja) | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 | |
JP2013093359A (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP5938948B2 (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
KR100619345B1 (ko) | 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 도금층 형성방법 및이로부터 제조된 인쇄회로기판 | |
JP5682678B2 (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP2013093360A (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
WO2015091232A1 (en) | Silver wire bonding on printed circuit boards and ic-substrates | |
TWI551361B (zh) | 獲得用於在印刷電路板及積體電路基材上之銅打線接合之鈀表面處理之方法及由其製備之製品 | |
CN114901867A (zh) | 无电解镀敷工艺及双层镀膜 | |
JP2010031312A (ja) | パターンめっき皮膜、及びその形成方法 | |
JP2006135206A (ja) | めっき方法 | |
JP2006049589A (ja) | 半田接合部の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160711 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5978587 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |