JP3972814B2 - 半導体集積装置 - Google Patents

半導体集積装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3972814B2
JP3972814B2 JP2002377608A JP2002377608A JP3972814B2 JP 3972814 B2 JP3972814 B2 JP 3972814B2 JP 2002377608 A JP2002377608 A JP 2002377608A JP 2002377608 A JP2002377608 A JP 2002377608A JP 3972814 B2 JP3972814 B2 JP 3972814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated device
semiconductor integrated
base body
semiconductor
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002377608A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004207639A5 (ja
JP2004207639A (ja
Inventor
和彦 根本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2002377608A priority Critical patent/JP3972814B2/ja
Priority to TW092133689A priority patent/TWI234913B/zh
Priority to US10/745,015 priority patent/US6867366B2/en
Priority to CN2003101131469A priority patent/CN1519829B/zh
Publication of JP2004207639A publication Critical patent/JP2004207639A/ja
Publication of JP2004207639A5 publication Critical patent/JP2004207639A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3972814B2 publication Critical patent/JP3972814B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積装置に関する。詳しくは、半導体レーザーの駆動時の放熱性の向上及び各光学素子に対する断熱性の向上を図る技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ディスクドライブ装置の光ピックアップに設けられる半導体集積装置があり、このような半導体集積装置は、半導体レーザー、受光素子、プリズム等の所定の各光学素子が搭載された半導体基板がパッケージの内部に配置されている。
【０００３】
従来の半導体集積装置として、パッケージに形成された凹部に半導体レーザーや受光素子等の各光学素子が配置され、パッケージにホログラム部等を有する素子配置ブロック（特許文献１においては「光学素子２」）が取り付けられ、半導体レーザーや受光素子等の各光学素子が素子配置ブロックによって覆われているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２―２３７０７３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の半導体集積装置において、例えば、パッケージがセラミック等によって形成されている場合には、半導体レーザーからレーザー光が出射されたときの良好な放熱性が確保される。
【０００６】
ところが、従来の半導体集積装置にあっては、パッケージに素子配置ブロックが取り付けられているため、光ピックアップの組立時に半導体集積装置にフレキシブルプリント配線板等を半田によって取り付ける際に発生する高熱が素子配置ブロックに伝導され易く、ホログラム部等の各光学素子の機能の低下を来たすおそれがある。
【０００７】
逆に、パッケージが樹脂材料等によって形成されている場合には、半導体レーザーからレーザー光が出射されたときに発生する熱が素子配置ブロックに伝導され難いため、フレキシブルプリント配線板の半田付け等の際にホログラム部等の各光学素子に対する熱の影響が小さくなるが、逆に、半導体レーザーからレーザー光が出射されたときの放熱性が低下し、半導体集積装置の動作の信頼性が損なわれる可能性がある。
【０００８】
そこで、本発明半導体集積装置は、半導体レーザーの駆動時の放熱性の向上及び各光学素子に対する断熱性の向上を図ることを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明半導体集積装置は、上記した課題を解決するために、熱伝導性の高い金属材料又はセラミック材料によって形成され、一方の面に半導体レーザーを含む所定の各光学素子が搭載された半導体基板が配置されると共に、他方の面に電極が設けられたベース体と、耐熱性及び断熱性の高い樹脂材料又はガラス材料によって形成され、上記ベース体に配置された上記半導体基板を覆うと共に、上記ベース体上に配置されたハウジングと、上記ハウジングに取り付けられ上記所定の各光学素子とは異なる光学素子を有する素子配置ブロックとを備えたものである。
【００１０】
従って、本発明半導体集積装置にあっては、素子配置ブロックと金属材料又はセラミック材料によって形成されたベース体との間に樹脂材料又はガラス材料によって形成されたハウジングが介在される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明半導体集積装置の実施の形態を添付図面に従って説明する。
【００１２】
半導体集積装置１は、例えば、ディスクドライブ装置に設けられた光ピックアップの移動ベースに配置されている。移動ベースはディスク状記録媒体に対する情報信号の記録時又は再生時に、ディスク状記録媒体の半径方向へ移動される。移動ベース上には駆動回路と接続された配線板、例えば、フレキシブルプリント配線板が取り付けられ、該フレキシブルプリント配線板の一端部に外部電極が形成されている。
【００１３】
半導体集積装置１はパッケージ２に所定の各部が配置されて成り、図１及び図２に示すように、パッケージ２は、熱伝導性の高い金属材料又はセラミック材料によって平板状に形成されたベース体３と、耐熱性及び断熱性の高い樹脂材料又はガラス材料によって形成されたハウジング４とから成る。
【００１４】
ベース体３の金属材料としては、例えば、銅、鉄、アルミニウム等が用いられ、セラミック材料としては、例えば、アルミナ、アルミニウムナイトライド等が用いられる。ベース体３の上下両面には、それぞれ後述する半導体基板と上記配線板（フレキシブルプリント配線板）の外部電極との導通を図るための図示しない電極が設けられている。
【００１５】
ハウジング４は下方に開口された箱状に形成され、上面４ａに透過孔４ｂが形成されている。ハウジング４の樹脂材料としては、例えば、フェノリック硬化ノボラックエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイド、エコノール、ポリエチルエーテルケトン等の熱可塑性樹脂が用いられ、ガラス材料としては、例えば、低融点ガラス等が用いられる。
【００１６】
ベース体３上には半導体基板５が配置されている。半導体基板５上には、図３に示すように、複数の電極部５ａ、５ａ、・・・や位置決め用のアライメントマーク５ｂ、５ｂが設けられている。
【００１７】
半導体基板５上には、銀ペーストを介してサブマウント６が配置され、該サブマウント６上には半導体レーザー７が配置されている。半導体基板５の上面には、半導体レーザー７から発光されるレーザー光の光量が一定となるように制御するＡＰＣ（Automatic Power Control）機能を有するフロントフォトダイオード８が設けられている。
【００１８】
半導体基板５上には接着剤を介してプリズム９が取り付けられ、該プリズム９はフロントフォトダイオード８を覆う位置に配置されている。プリズム９には半導体レーザー７に対向する位置に傾斜状の反射面９ａが形成されている。
【００１９】
プリズム９は、半導体基板５に設けられたアライメントマーク５ｂ、５ｂの間に位置され、このアライメントマーク５ｂ、５ｂによって半導体基板５に対する位置決めが行われる。
【００２０】
半導体基板５上には受光素子１０がプリズム９の側方の位置に配置されている。
【００２１】
ハウジング４の上面４ａ上には、素子配置ブロック１１が取り付けられている（図１及び図２参照）。素子配置ブロック１１は、例えば、樹脂材料によって形成され、図２に示すように、下端部の中央部にグレーティング１２が配置され、上端部の中央部に１／４波長板１３が配置されている。
【００２２】
素子配置ブロック１１には１／４波長板１３の下側に所定の間隔をおいてホログラム１４が配置されている。ホログラム１４はレーザー光の光路を変更する光路変更機能及びレーザー光を分割する光分割機能を有する素子である。
【００２３】
以上のように構成された半導体集積装置１において、半導体レーザー７からレーザー光が出射されると、出射されたレーザー光はプリズム９の反射面９ａで反射されて光路が９０°変更される（図２参照）。光路が変更されたレーザー光はハウジング４の透過孔４ｂを透過されグレーティング１２、ホログラム１４及び１／４波長板１３を介して図示しない対物レンズへ向かい、該対物レンズによってディスク状記録媒体の記録面に集光される。ディスク状記録媒体の記録面に集光されたレーザー光は、該記録面で反射されて戻り光として再び対物レンズを介して１／４波長板１３からホログラム１４に入射される。ホログラム１４に入射されたレーザー光は光路が変更されて受光素子１０に入射され、例えば、再生時にはディスク状記録媒体に記録された情報信号の読取が行われる。
【００２４】
上記のように半導体レーザー７からレーザー光が出射されているときには、レーザー光の一部がプリズム９を透過されてフロントフォトダイオード８に入射される。フロントフォトダイオード８に入射されたレーザー光は、その光量が検出され、当該検出量に基づいて半導体レーザー７から出射されるレーザー光の光量が一定となるように半導体レーザー７の出力が制御される。
【００２５】
以上に記載した通り、半導体集積装置１にあっては、素子配置ブロック１１と金属材料又はセラミック材料によって形成されたベース体３との間に樹脂材料又はガラス材料によって形成されたハウジング４が介在された構造とされている。従って、熱伝導性の高いベース体３によって半導体レーザー７からレーザー光が出射されたときの良好な放熱性を確保することができ、耐熱性及び断熱性の高いハウジング４によってフレキシブルプリント配線板の半田付け等の際に素子配置ブロック１１の各光学素子、例えば、ホログラム１４等に対する熱の影響を低減することができる。
【００２６】
また、パッケージ２をベース体３とハウジング４の２部材によって構成しているため、パッケージ２の形状等の設計の自由度が高く、半導体集積装置１の小型化や薄型化を低コストで容易に実現することが可能である。
【００２７】
さらに、ハウジング４によって半導体レーザー７等が配置された半導体基板５を配置するための空間が形成されるため、ベース体３に半導体基板５を配置するための凹部を形成する必要がなく、ベース体３を単純な構造の平板状に形成することができ、放熱機能を高めるための設計が容易となる。
【００２８】
さらにまた、ベース体３をセラミック材料によって形成することにより、ベース体３に設けられる電極の配置の自由度が高くなり、設計の自由度の向上を図ることができる。特に、ベース体３の下面に配線板（フレキシブルプリント配線板）との接続を図るための電極を設けることにより、配線板との半田付けによる接続作業において、半田コテがベース体３の上面側に位置する各光学素子等に接触するおそれがなく、接続作業における不具合を回避することができる。
【００２９】
加えて、ハウジング４を樹脂材料又はガラス材料によって形成することにより、ハウジング４の形状の自由度が高く寸法精度を向上させることができ、素子配置ブロック１１のハウジング４に対する良好な位置精度を確保することができると共に素子配置ブロック１１を光学機能を優先した単純な形状に形成することができる。
【００３０】
尚、上記には、本発明をディスクドライブ装置の光ピックアップに設けられた半導体集積装置に適用した例を示したが、本発明の適用範囲はこれに限られることはなく、各種の電子機器に用いられる半導体集積装置に適用することができる。
【００３１】
上記した実施の形態において示した各部の形状及び構造は、何れも本発明の実施に際しての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって、本発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならないものである。
【００３２】
【発明の効果】
以上に記載したところから明らかなように、本発明半導体集積装置は、熱伝導性の高い金属材料又はセラミック材料によって形成され、一方の面に半導体レーザーを含む所定の各光学素子が搭載された半導体基板が配置されると共に、他方の面に電極が設けられたベース体と、耐熱性及び断熱性の高い樹脂材料又はガラス材料によって形成され、上記ベース体に配置された上記半導体基板を覆うと共に、上記ベース体上に配置されたハウジングと、上記ハウジングに取り付けられ上記所定の各光学素子とは異なる光学素子を有する素子配置ブロックとを備えたことを特徴とする。
【００３３】
従って、金属材料又はセラミック材料から成る熱伝導性の高いベース体によって半導体レーザーからレーザー光が出射されたときの良好な放熱性を確保することができ、樹脂材料又はガラス材料から成る耐熱性及び断熱性の高いハウジングによって、配線板の半田付け等の際に素子配置ブロックの各光学素子、例えば、ホログラム等に対する熱の影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２及び図３と共に本発明の実施の形態を示すものであり、本図は半導体集積装置の分解斜視図である。
【図２】半導体集積装置の拡大断面図である。
【図３】半導体基板に各光学素子が配置された状態を示す拡大平面図である。
【符号の説明】
１…半導体集積装置、３…ベース体、４…ハウジング、５…半導体基板、７…半導体レーザー、８…フロントフォトダイオード、９…プリズム、１０…受光素子、１１…素子配置ブロック、１２…グレーティング、１３…１／４波長板、１４…ホログラム

Claims (8)

  1. 熱伝導性の高い金属材料又はセラミック材料によって形成され、一方の面に半導体レーザーを含む所定の各光学素子が搭載された半導体基板が配置されると共に、他方の面に電極が設けられたベース体と、
    耐熱性及び断熱性の高い樹脂材料又はガラス材料によって形成され、上記ベース体に配置された上記半導体基板を覆うと共に、上記ベース体上に配置されたハウジングと、
    上記ハウジングに取り付けられ上記所定の各光学素子とは異なる光学素子を有する素子配置ブロックとを備えた
    ことを特徴とする半導体集積装置。
  2. 上記ベース体の金属材料が、銅、鉄、アルミニウムである
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
  3. 上記ベース体のセラミック材料が、アルミナ、アルミニウムナイトライドである
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
  4. 上記ハウジングの樹脂材料が、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂である
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
  5. 上記熱硬化性樹脂が、フェノリック硬化ノボラックエポキシ系樹脂である
    ことを特徴とする請求項４に記載の半導体集積装置。
  6. 上記熱可塑性樹脂が、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイド、エコノール、ポリエチルエーテルケトンである
    ことを特徴とする請求項４に記載の半導体集積装置。
  7. 上記ハウジングのガラス材料が、低融点ガラスである
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
  8. 上記半導体基板に搭載される光学素子が、少なくとも半導体レーザー、プリズム、受光素子、フロントフォトダイオードを含む
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積装置。
JP2002377608A 2002-12-26 2002-12-26 半導体集積装置 Expired - Fee Related JP3972814B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002377608A JP3972814B2 (ja) 2002-12-26 2002-12-26 半導体集積装置
TW092133689A TWI234913B (en) 2002-12-26 2003-12-01 Semiconductor integrated apparatus
US10/745,015 US6867366B2 (en) 2002-12-26 2003-12-23 Semiconductor integrated apparatus
CN2003101131469A CN1519829B (zh) 2002-12-26 2003-12-25 半导体集成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002377608A JP3972814B2 (ja) 2002-12-26 2002-12-26 半導体集積装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004207639A JP2004207639A (ja) 2004-07-22
JP2004207639A5 JP2004207639A5 (ja) 2005-04-07
JP3972814B2 true JP3972814B2 (ja) 2007-09-05

Family

ID=32814734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002377608A Expired - Fee Related JP3972814B2 (ja) 2002-12-26 2002-12-26 半導体集積装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6867366B2 (ja)
JP (1) JP3972814B2 (ja)
CN (1) CN1519829B (ja)
TW (1) TWI234913B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006066228A2 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Innovative Spinal Technologies Expandable implants for spinal disc replacement
JP2006338785A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 受発光集積装置及び光ディスク装置
JP4238864B2 (ja) 2005-11-02 2009-03-18 ソニー株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR101154584B1 (ko) * 2008-03-18 2012-06-08 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 레이저 광원 모듈
US9018747B2 (en) * 2011-08-22 2015-04-28 Kyocera Corporation Optical semiconductor apparatus
CN103090338B (zh) * 2011-11-03 2018-10-09 欧司朗股份有限公司 驱动器组件及其制造方法
JP2014060245A (ja) * 2012-09-18 2014-04-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN103986057A (zh) * 2013-12-13 2014-08-13 苏州浩创信息科技有限公司 一种激光二极管模组
RU2579544C1 (ru) * 2015-01-20 2016-04-10 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Корпус для полупроводникового прибора свч
CN108777430A (zh) * 2018-08-22 2018-11-09 苏州易锐光电科技有限公司 同轴封装光组件及同轴封装激光器
US11152758B2 (en) * 2018-09-06 2021-10-19 Nichia Corporation Light emitting device
DE102018128751A1 (de) * 2018-11-15 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser
CN109586165B (zh) 2019-01-25 2020-04-07 维沃移动通信有限公司 一种激光模组及电子设备
US11309681B2 (en) * 2019-01-31 2022-04-19 Nichia Corporation Mount member and light emitting device
CN109980497A (zh) * 2019-04-15 2019-07-05 上海灿瑞科技股份有限公司 雷射光发光装置
DE102019115597A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaservorrichtung und optoelektronisches Strahlumlenkelement für eine Halbleiterlaservorrichtung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
KR100613737B1 (ko) * 1998-07-09 2006-08-22 소니 가부시끼 가이샤 집적 광학 소자 및 광학 픽업 및 광 디스크 장치
US6656768B2 (en) * 2001-02-08 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Flip-chip assembly of protected micromechanical devices
JP2003282791A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Fujitsu Ltd 接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法
KR100457380B1 (ko) * 2002-05-06 2004-11-16 삼성전기주식회사 광마우스용 칩 온 보드 리드 패키지 및 그에 사용되는렌즈커버
US6649834B1 (en) * 2002-12-16 2003-11-18 Kingpak Technology Inc. Injection molded image sensor and a method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN1519829B (zh) 2010-05-12
TWI234913B (en) 2005-06-21
CN1519829A (zh) 2004-08-11
US6867366B2 (en) 2005-03-15
US20050029002A1 (en) 2005-02-10
TW200423102A (en) 2004-11-01
JP2004207639A (ja) 2004-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3972814B2 (ja) 半導体集積装置
US20060078021A1 (en) Semiconductor laser unit and optical pickup device including the semiconductor laser unit
US7890967B2 (en) Optical pickup device with heat radiating structure
JP4253559B2 (ja) 光ピックアップ装置及び光ディスク装置
US20060092812A1 (en) Optical device and method of manufacturing the same
US20060262820A1 (en) Semiconductor laser device and optical pickup apparatus having the device
JP2003187477A (ja) 光ピックアップ装置
JP2007019077A (ja) 半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置
JP2007318075A (ja) 光学デバイス，光学デバイスの製造方法および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置
JP4586896B2 (ja) 光学モジュール及び光ピックアップ装置
JP4329012B2 (ja) 光ピックアップ、レーザ発光装置及び光ディスクドライブ
JP2005142294A (ja) 半導体レーザユニットおよびそれを用いた光ピックアップ装置
JP3798483B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2007035884A (ja) 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
JP2005251838A (ja) 半導体レーザ装置
JP2000067457A (ja) 光ピックアップ装置
JP2002252408A (ja) 光学ヘッドにおけるレーザードライバー放熱装置
JP4044907B2 (ja) 半導体収納容器および当該半導体収納容器を用いた半導体レーザ装置
JP4692272B2 (ja) レーザ集積装置及び光ピックアップ装置
JP2006237418A (ja) 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ
JP4150325B2 (ja) 受光素子及びそれを備えた光学ピックアップ装置、電子機器
JP2004178749A (ja) 光ヘッド
JP2004207638A (ja) 半導体集積装置及びその製造方法
JP2004193242A (ja) 半導体レーザー装置
WO2014007102A1 (ja) 光ピックアップ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040426

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040426

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061226

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070604

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees