CN109586165B - 一种激光模组及电子设备 - Google Patents

一种激光模组及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109586165B
CN109586165B CN201910073154.6A CN201910073154A CN109586165B CN 109586165 B CN109586165 B CN 109586165B CN 201910073154 A CN201910073154 A CN 201910073154A CN 109586165 B CN109586165 B CN 109586165B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
side plate
extension
laser module
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910073154.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109586165A (zh
Inventor
周锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vivo Mobile Communication Co Ltd
Original Assignee
Vivo Mobile Communication Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vivo Mobile Communication Co Ltd filed Critical Vivo Mobile Communication Co Ltd
Priority to CN201910073154.6A priority Critical patent/CN109586165B/zh
Publication of CN109586165A publication Critical patent/CN109586165A/zh
Priority to JP2021543259A priority patent/JP7208407B2/ja
Priority to EP20745019.8A priority patent/EP3916934A4/en
Priority to PCT/CN2020/071689 priority patent/WO2020151515A1/zh
Priority to KR1020217026756A priority patent/KR102507604B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of CN109586165B publication Critical patent/CN109586165B/zh
Priority to US17/381,536 priority patent/US12015241B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明提供一种激光模组及电子设备，其中，所述激光模组包括光学组件、激光芯片、供电结构、封装结构及散热结构。其中，激光芯片设于光学组件一侧，所述供电结构连接所述激光芯片；所述封装结构形成有收容腔，所述光学组件至少部分收容于该收容腔内；所述散热结构套设于所述封装结构的外侧，且所述散热结构抵接所述供电结构。本发明实施例提供的技术方案解决了现有的激光模组散热效率低的问题。

Description

一种激光模组及电子设备
技术领域
本发明涉及激光设备技术领域，尤其涉及一种激光模组及电子设备。
背景技术
目前，3D识别技术在人脸识别解锁、支付等领域被广泛应用。激光模组是3D识别不可或缺的核心元件，主要用于发射超短飞秒脉冲或投射特定光形，以使***获得深度信息。激光芯片作为激光模组中最重要的元件之一，在激光模组的工作过程中发挥这关键作用。
激光芯片为半导体器件，对温度敏感，温度越高，激光芯片的光电转换效率越低；高温也容易破坏激光芯片晶格结构，降低激光芯片的使用寿命。但是，现有的激光模组中，激光芯片大多是通过与其连接的电路板来进行散热，导致激光芯片的散热效率低。
发明内容
本发明实施例提供一种激光模组及电子设备，以解决现有的激光模组中激光芯片散热效率低的问题。
为了解决以上技术问题，本发明是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种激光模组，包括：
光学组件；
激光芯片，设于所述光学组件一侧；
供电结构，包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极均连接所述激光芯片；
封装结构，形成有收容腔，所述光学组件至少部分收容于所述收容腔内；
散热结构，套设于所述封装结构的外侧，且所述散热结构抵接所述第一电极及所述第二电极。
第二方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面中所述的激光模组。
本发明实施例提供的技术方案，散热结构与供电结构的第一电极及第二电极抵接，进而第一电极及第二电极能够将激光芯片以及其自身产生的热量传导至散热结构，且散热结构套设于封装结构外侧，也就使得散热结构能够具有较大的散热面积用于散热，提高了激光模组的散热效率，以确保激光芯片的工作性能和使用寿命；另外，散热结构套设于封装结构外侧，能够对封装结构起到固定和支撑作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种激光模组的剖视图；
图2是图1中激光模组的俯视图；
图3是图1提供的激光模组中散热体的结构图；
图4是图1提供的激光模组中散热体未组装时的主视图；
图5是图4的左视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参照图1至图5，图1是本发明实施例提供的一种激光模组的剖视图；图2是图1中激光模组的俯视图；图3是图1提供的激光模组中散热体的结构图；图4是图1提供的激光模组中散热体未组装时的主视图；图5是图4的左视图。
请具体参照图1，本发明实施例提供了一种激光模组，包括光学组件10、激光芯片20、供电结构30、封装结构40及散热结构50。其中，激光芯片20设于光学组件10一侧，供电结构30包括第一电极31及第二电极32，第一电极31及第二电极32均连接激光芯片20，用以给激光芯片20供电；封装结构40形成有收容腔，光学组件10至少部分收容于该收容腔内；散热结构50套设于封装结构40的外侧，且散热结构50抵接第一电极31及第二电极32。
本发明实施例提供的技术方案中，散热结构50与第一电极31及第二电极32抵接，进而第一电极31及第二电极32能够将激光芯片20以及其自身产生的热量传导至散热结构50，且散热结构50套设于封装结构40外侧，也就使得散热结构50能够具有较大的散热面积用于散热，提高了激光模组的散热效率，以确保激光芯片20的工作性能和使用寿命。
另外，散热结构50套设于封装结构40外侧，能够对封装结构40起到固定和支撑作用。例如，当封装结构40为柱状结构时，散热结构50可以是套设在封装结构40外表面上的管状结构，以包围住封装结构40，对封装结构40起到固定作用。
散热结构50可以是不具备导电性能、但具有较优导热性能的材质，这样，在确保散热结构50散热性能的同时，还能够防止供电结构30通过散热结构50发生漏电等情况，确保激光模组的使用安全。
可选地，供电结构30可以是设于激光芯片20的背对光学组件10的一侧。例如，供电结构30可以是电路板，激光芯片20可以是贴附于电路板上，这样使得激光芯片20与供电结构30之间具有更大的接触面积，提高了供电结构30与激光芯片20之间的传热效率，更有利于激光芯片20的散热效率的提高。
激光芯片20及供电结构30可以是位于封装结构40的外部；或者如图1所示，激光芯片20及供电结构30也可以是位于封装结构40内，这样，能够通过封装结构40来固定激光芯片20以及供电结构30，进而以确保激光模组整体的稳固性。
在一种可选的实施方式中，散热结构50包括散热体51和导热体52，散热体51套设于封装结构40的外侧，导热体52的一侧抵接散热体51，导热体52的另一侧抵接第一电极31及第二电极32。也就是说，供电结构30与散热体51之间设有导热体52。例如，导热体52可以为环状结构，导热体52的内壁与第一电极31及第二电极32抵接，导热体52的外壁抵接散热体51；这样，使得第一电极31及第二电极32与导热体52之间具有较大的接触面积，导热体52能够更快地吸收第一电极31、第二电极32及激光芯片20传导至第一电极31和第二电极32上的热量，也就能加快激光模组的散热效率。
其中，导热体52为非导电材质，散热体51为金属材质。非导电材质的导热体52也就不具备导电性能，进而能够避免供电结构30通过导热体52发生漏电等情况，确保激光模组的使用安全。
金属材质的散热体51具有更好的导热性能，且金属材质的散热体51具有较好的电磁屏蔽作用。例如，散热体51的材质可以为铜，铜具有较高的导热系数，且铜的稳定性好，价格较低，能够节省激光模组的制造成本。
另外，散热体51套设于封装结构40外侧，如图1所示，激光芯片20收容于封装结构40的收容腔中，金属材质的散热体51可降低激光模组对电子设备中其他器件的电磁干扰。
可选地，散热体51包括基板511及延伸件512，基板511套设于封装结构40的外侧，基板511包括相对的第一端及第二端，第一端抵接导热体52，第二端连接延伸件512，且延伸件512位于光学组件10的背对激光芯片20的一侧。
例如，当封装结构40为空心的柱状结构时，基板511可以是套设在封装结构40外表面上的管状结构；管状结构的基板511包括相对远离的第一端和第二端，第一端抵接导热体52，以吸收导热体52的热量；第二端靠近光学组件10，并设有延伸件512，且该延伸件512位于光学组件10的背对激光芯片20的一侧，也就能够对光学组件10起到固定作用，以确保光学组件10安装的稳固性。
请参照图3至图5，在一种具体的实施方式中，基板511包括依次连接的第一侧板5111、第二侧板5112、第三侧板5113及第四侧板5114，第一侧板5111、第二侧板5112、第三侧板5113及第四侧板5114围成有第一通孔513，封装结构40位于第一通孔513内，第一侧板5111和/或第三侧板5113设有512。通孔为方形，封装结构40也就为四方体结构，第一侧板5111、第二侧板5112、第三侧板5113及第四侧板5114依次连接形成方框形的基板511，并且，基板511可以是覆盖封装结构40的外表面，也就使得基板511具有更大的表面积，也就增大了散热体51的散热面积，提高激光模组的散热效率，也能更好地对封装结构40起到支撑和固定作用。
延伸件512可以是设于第一侧板5111上或第三侧板5113上，或者第一侧板5111和第三侧板5113上都设有延伸件512。例如，延伸件512设于第一侧板5111上，且延伸件512连接第三侧板5113，也就使得延伸件512贴合于光学组件10上，进而能够压住光学组件10，以对光学组件10起到固定作用。
或者，第一侧板5111、第二侧板5112、第三侧板5113及第四侧板5114上均设有延伸件512，延伸件512贴合于光学组件10的背对激光芯片20的一侧，也就能够通过延伸件512对光学组件10起到固定作用。
请具体参照图2和图3，第一侧板5111上设有第一延伸件5121和第二延伸件5122，第三侧板5113上设有第三延伸件5123和第四延伸件5124，第一延伸件5121连接第三延伸件5123及第二侧板5112，第三延伸件5123连接第二侧板5112，第二延伸件5122连接第四延伸件5124及第四侧板5114，第四延伸件5124连接第四侧板5114。
本实施例中，第一侧板5111、第二侧板5112、第三侧板5113及第四侧板5114均是通过焊接以形成空心的四棱柱结构，封装结构40及部分光学组件10均收容在该四棱柱结构内；第一延伸件5121及第三延伸件5123均与第二侧板5112的顶端焊接，第二延伸件5122及第四延伸件5124均与第四侧板5114的顶端焊接，激光模组的顶部视图也就是如图2所示。这样，第一延伸件5121及第三延伸件5123、第二延伸件5122及第四延伸件5124，也就会压在光学组件10的顶部，进而固定住光学组件10，避免光学组件10脱落，确保了激光模组的稳固性；并且，这样的设置，也无需再增加额外的固定件来固定光学组件10，节省了激光模组的硬件成本。
请再次参照图1，导热体52形成有第二通孔，第一电极31及第二电极32位于第二通孔内，且第一电极31及第二电极32均抵接导热体52的内壁。第一电极31可以为正极，第二电极32可以为负极，进而以对激光芯片20供电；第一电极31及第二电极32可以为板状结构，且第一电极31及第二电极32可以是封装于封装结构40内。
可选地，激光芯片20贴附于第一电极31上，这样，也就使得激光芯片20与第一电极31具有更大的接触面积，也就能够更快地将激光芯片20产生的热量传导至第一电极31，进而以通过第一电极31传导至导热体52上。
可选地，光学组件10包括光学元件11及准直元件12，准直元件12设于激光芯片20一侧，且准直元件12收容于收容腔中，光学元件11设于准直元件12的背对激光芯片20的一侧，延伸件512抵接光学元件11的背对准直元件12的一侧。可以理解地，激光芯片20发射的激光经准直元件12后，会以平行光的形式投射至光学元件11，光学元件11用以将平行光以散射光的形式投射出去，使得激光芯片20发射的激光能够具有较大的覆盖范围。
另外，光学元件的面对准直元件的一侧设有光线发散元件13，光线发散元件13用于对激光芯片20发射的激光进行发散，以使得通过光线发散元件13发射出去的激光具有更大的发射角度。可选地，光线发散元件13可以为微振镜。
本实施例中，激光模组中各部件的工艺流程可以是：首先将激光芯片20贴附在第一电极31上，并通过电线连接激光芯片20与第二电极32；在第一电极31与第二电极32的外侧设置导热体52；采用封装材料封装第一电极31、第二电极32、导热体52及激光芯片20，形成封装结构40；在激光芯片20的背对第一电极31的一侧搭载准直元件12；在准直元件12的背对激光芯片20的一侧搭载光学元件11；将基板511以及延伸件512弯折，并将基板511贴附在封装结构40的外壁上，将延伸件512贴附在光学元件11上；焊接基板511以及延伸件512。本发明实施例提供的激光模组，工艺流程更为简单，成本也更低。
本发明实施例提供的技术方案中，激光芯片20产生的热量能够通过供电结构30传导至导热体52，并通过导热体52传导至散热体51上，散热体51套设在封装结构40外侧，整体面积较大，也就具有更大的散热面积用于散热，进而提高了激光模组的散热效率，以确保激光芯片20的工作性能和使用寿命；并且，较高的散热效率，也更有利于激光模组向大功率发展，也就能够将3D识别应用于远距离拍摄中。
本发明实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括如图1至图5所述实施例中的激光模组，并且具有上述实施例中激光模组的全部技术特征，能达到相同的技术效果，在此不再赘述。
电子设备可以包括：手机、平板电脑、电子书阅读器、MP3播放器、MP4播放器、数码相机、膝上型便携计算机、车载电脑、台式计算机、机顶盒、智能电视机、可穿戴设备、智能家电产品中的至少一项。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种激光模组，其特征在于，包括：
光学组件；
激光芯片，设于所述光学组件一侧；
供电结构，包括第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极均连接所述激光芯片；
封装结构，形成有收容腔，所述光学组件至少部分收容于所述收容腔内；
散热结构，套设于所述封装结构的外侧，且所述散热结构抵接所述第一电极及所述第二电极；
所述散热结构包括散热体和导热体，所述散热体套设于所述封装结构的外侧，所述导热体的一侧抵接所述散热体，所述导热体的另一侧抵接所述第一电极及所述第二电极；
所述散热体包括基板及延伸件，所述基板套设于所述封装结构的外侧，所述基板包括相对的第一端及第二端，所述第一端抵接所述导热体，所述第二端连接所述延伸件，且所述延伸件位于所述光学组件的背对所述激光芯片的一侧。
2.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述基板包括依次连接的第一侧板、第二侧板、第三侧板及第四侧板，所述第一侧板、所述第二侧板、所述第三侧板及所述第四侧板围成有第一通孔，所述封装结构位于所述第一通孔内，所述第一侧板和/或所述第三侧板设有所述延伸件。
3.根据权利要求2所述的激光模组，其特征在于，所述第一侧板上设有第一延伸件和第二延伸件，所述第三侧板上设有第三延伸件和第四延伸件，所述第一延伸件连接所述第三延伸件及所述第二侧板，所述第三延伸件连接所述第二侧板，所述第二延伸件连接所述第四延伸件及所述第四侧板，所述第四延伸件连接所述第四侧板。
4.根据权利要求2所述的激光模组，其特征在于，所述导热体形成有第二通孔，所述第一电极及所述第二电极位于所述第二通孔内，且所述第一电极及所述第二电极均抵接所述导热体的内壁。
5.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述光学组件包括光学元件及准直元件，所述准直元件设于所述激光芯片一侧，且所述准直元件收容于所述收容腔中，所述光学元件设于所述准直元件的背对所述激光芯片的一侧，所述延伸件抵接所述光学元件的背对所述准直元件的一侧。
6.根据权利要求5所述的激光模组，其特征在于，所述光学元件的面对所述准直元件的一侧设有光线发散元件。
7.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述导热体为非导电材质，所述散热体为金属材质。
8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的激光模组。
CN201910073154.6A 2019-01-25 2019-01-25 一种激光模组及电子设备 Active CN109586165B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910073154.6A CN109586165B (zh) 2019-01-25 2019-01-25 一种激光模组及电子设备
JP2021543259A JP7208407B2 (ja) 2019-01-25 2020-01-13 レーザモジュール及び電子機器
EP20745019.8A EP3916934A4 (en) 2019-01-25 2020-01-13 LASER MODULE AND ELECTRONIC DEVICE
PCT/CN2020/071689 WO2020151515A1 (zh) 2019-01-25 2020-01-13 激光模组及电子设备
KR1020217026756A KR102507604B1 (ko) 2019-01-25 2020-01-13 레이저 모듈 및 전자 장치
US17/381,536 US12015241B2 (en) 2019-01-25 2021-07-21 Laser module and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910073154.6A CN109586165B (zh) 2019-01-25 2019-01-25 一种激光模组及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109586165A CN109586165A (zh) 2019-04-05
CN109586165B true CN109586165B (zh) 2020-04-07

Family

ID=65917413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910073154.6A Active CN109586165B (zh) 2019-01-25 2019-01-25 一种激光模组及电子设备

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12015241B2 (zh)
EP (1) EP3916934A4 (zh)
JP (1) JP7208407B2 (zh)
KR (1) KR102507604B1 (zh)
CN (1) CN109586165B (zh)
WO (1) WO2020151515A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109586165B (zh) 2019-01-25 2020-04-07 维沃移动通信有限公司 一种激光模组及电子设备
CN110190503A (zh) * 2019-04-23 2019-08-30 维沃移动通信有限公司 固定座、激光投射模组及电子设备

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55132088A (en) * 1979-03-30 1980-10-14 Canon Inc Semiconductor laser device
US4918702A (en) * 1987-12-02 1990-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Laser unit
JP2560135B2 (ja) * 1990-06-14 1996-12-04 ローム株式会社 半導体レーザ装置における透明樹脂の充填方法
JP2560136B2 (ja) * 1990-06-14 1996-12-04 ローム株式会社 半導体レーザ装置
EP1282206A1 (en) * 2001-07-30 2003-02-05 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Method and apparatus for cooling electronic or optoelectronic devices
JP3972814B2 (ja) * 2002-12-26 2007-09-05 ソニー株式会社 半導体集積装置
US7492798B2 (en) * 2005-12-20 2009-02-17 Finisar Corporation Modular transistor outline can with internal components
JP5106094B2 (ja) * 2007-02-22 2012-12-26 シャープ株式会社 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
KR20090017246A (ko) * 2007-08-14 2009-02-18 김정수 방열부재가 부착된 레이저 다이오드 패키지
US7855394B2 (en) * 2009-06-18 2010-12-21 Bridgelux, Inc. LED array package covered with a highly thermal conductive plate
US8811439B2 (en) * 2009-11-23 2014-08-19 Seminex Corporation Semiconductor laser assembly and packaging system
US8482924B2 (en) * 2010-10-11 2013-07-09 Richard Redpath Heat spreader facet plane apparatus
DE102011116534B4 (de) 2011-10-20 2022-06-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauelement
JP5831629B2 (ja) * 2012-05-01 2015-12-09 三菱電機株式会社 半導体パッケージ
JP6135032B2 (ja) * 2013-02-19 2017-05-31 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び応力逃がし部成型方法
US9625671B2 (en) * 2013-10-23 2017-04-18 Lasermax, Inc. Laser module and system
US11005021B2 (en) * 2015-03-30 2021-05-11 Koninklijke Philips N.V. Peripheral heat sinking arrangement for high brightness light emitting devices
JP6296024B2 (ja) * 2015-08-28 2018-03-20 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP6319257B2 (ja) * 2015-09-30 2018-05-09 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ装置
WO2018173913A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 日本特殊陶業株式会社 発光装置
JP6881248B2 (ja) * 2017-11-14 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 光学部材保持装置、光学部材保持装置の製造方法及び半導体レーザ装置
JP7037043B2 (ja) * 2017-12-25 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の異常検出方法及び発光装置
CN109586165B (zh) * 2019-01-25 2020-04-07 维沃移动通信有限公司 一种激光模组及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP7208407B2 (ja) 2023-01-18
JP2022520020A (ja) 2022-03-28
WO2020151515A1 (zh) 2020-07-30
CN109586165A (zh) 2019-04-05
EP3916934A4 (en) 2022-03-23
US20210351565A1 (en) 2021-11-11
KR102507604B1 (ko) 2023-03-09
KR20210116627A (ko) 2021-09-27
US12015241B2 (en) 2024-06-18
EP3916934A1 (en) 2021-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013243264A (ja) 電子部品取付モジュールおよび電力変換装置
US12015241B2 (en) Laser module and electronic device
EP3333889B1 (en) Heat dissipating structure and electronic apparatus
TWI495423B (zh) 散熱模組及採用該散熱模組之電子裝置
CN210130059U (zh) 散热装置及电子设备
CN108601299B (zh) 屏蔽罩及包含其的屏蔽罩组件
US8708741B2 (en) Electrical connector with thermal conductive substrate
KR102056679B1 (ko) 방열구조를 갖는 차량용 usb 전자장치
JP2014178383A (ja) 通信モジュール及びそれを備えた信号伝送装置
CN211210224U (zh) 一种在输出端背面散热的全密封金属外壳
JPH09289329A (ja) 電子回路モジュール
CN208548926U (zh) 一种新型手机主板结构
US20150305190A1 (en) Electronic System
CN221057156U (zh) 核电站抗辐射装置
JP5072522B2 (ja) 接続構造
US10130010B2 (en) Internal heat-dissipation terminal
CN213151722U (zh) 一种具有无线供电模块的pcba
CN209979847U (zh) 一种激光发射器、摄像装置及电子装置
CN213244759U (zh) 一种散热装置及电子设备
CN218675887U (zh) 电子设备
CN210745657U (zh) 一种点电源装置及电源组件
CN109561641A (zh) 屏蔽罩、印制电路板及电子设备
CN209822622U (zh) 一种芯片封装结构
JPH04120759A (ja) シールドケース
CN117293507A (zh) 天线散热组件及基站

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant