RU2579544C1 - Корпус для полупроводникового прибора свч - Google Patents
Корпус для полупроводникового прибора свч Download PDFInfo
- Publication number
- RU2579544C1 RU2579544C1 RU2015101676/28A RU2015101676A RU2579544C1 RU 2579544 C1 RU2579544 C1 RU 2579544C1 RU 2015101676/28 A RU2015101676/28 A RU 2015101676/28A RU 2015101676 A RU2015101676 A RU 2015101676A RU 2579544 C1 RU2579544 C1 RU 2579544C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- housing
- ceramic
- heat
- frame
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности высокотепло- и электропроводного основания для расположения и последующего соединения с ним по меньшей мере одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой, высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала, при этом по меньшей мере из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного при их соотношении, мас.%, (90-70):(10-30) соответственно, термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения массогабаритных характеристик, повышения технологичности и снижения трудоемкости изготовления при сохранении надежности, долговечности, выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.,1 ил.
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ.
Одними из основных функций корпуса для полупроводникового прибора СВЧ являются обеспечение:
герметичности и надежности и, прежде всего, с точки зрения защиты от воздействия окружающей среды, отрицательно влияющей на параметры полупроводникового прибора СВЧ,
эффективного отвода тепла от полупроводникового прибора СВЧ и, прежде всего, с целью получения максимально допустимой выходной мощности,
долговечности полупроводникового прибора СВЧ и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ,
минимальных массогабаритных характеристик.
Кроме того, не менее важным является обеспечение возможности надежного планарного соединения корпуса с другими элементами устройств и систем радиоэлектронной техники СВЧ.
Известен корпус для мощной гибридной интегральной схемы, представляющий собой: теплоотводящее основание и рамку для вводов/выводов, выполненные из бескислородной жесткой меди, металлокерамический ввод/вывод сборной конструкции, выполненный в виде керамической втулки, локально металлизированной под пайку как в области соединения ее с рамкой, так и с проводником штырькового типа, при этом проводник выполнен составным в виде медной жилы и сплава типа ковар и соединен с металлизированной керамической втулкой высокотемпературной пайкой при температуре выше 780°C, крышку, выполненную из сплава типа ковар или иного сплава [1, стр. 7/4].
Наличие в конструкции корпуса технологической пары материалов в виде бескислородной жесткой меди и сплава типа ковар:
во-первых, делает эту конструкцию напряженной в силу существенного различия значений термических коэффициентов линейного расширения материалов и, следовательно, недостаточно надежным и корпус в целом и, особенно, при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ.
во-вторых, приводит к значительным потерям на СВЧ, что затрудняет использование данного корпуса для мощных полупроводниковых приборов СВЧ.
Известен корпус для интегральных схем быстродействующей связной радиоэлектронной аппаратуры, представляющий собой теплоотводящее основание с принудительным охлаждением, выполненное из псевдосплава на основе бескислородной меди и вольфрама либо молибдена, рамку со сквозными отверстиями для вводов/выводов, расположенную на одной из поверхностей теплоотводящего основания по его периметру, расположенную на упомянутой поверхности основания, по меньшей мере, одну металлическую контактную площадку для расположения и последующего соединения с ним кристалла либо кристаллов интегральной схемы; по меньшей мере, два металлокерамических ввода/вывода из алюмосиликатной керамики, при этом проводник выполнен из молибдена либо вольфрама, одни контактные площадки которых выходят на упомянутую поверхность теплоотводящего основания, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу, при этом металлокерамические вводы/выводы соединены с рамкой пайкой твердым припоем [1, стр. 7/2].
Использование в данной конструкции корпуса по сравнению с первым аналогом иных материалов позволило несколько снизить потери СВЧ.
Однако и данный корпус не обеспечивает достаточной надежности и долговечности и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ, так и достаточной выходной мощности.
Известен корпус для полупроводникового прибора СВЧ, содержащий теплоотводящее основание, рамку в виде бортика по периметру одной из поверхностей теплоотводящего основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере, одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности теплоотводящего основания для расположения и последующего соединения с ним, по меньшей мере, одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере, два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом теплоотводящее основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой твердым припоем, последний представляет собой сплав бескислородной меди с серебром, либо золотом, либо платиной, либо германием, либо меди, нанесенной гальваническим методом на металлизированную наружную соответствующую паяемую поверхность элементов конструкции.
При этом теплоотводящее основание выполнено из высокотеплопроводного материала, преимущественно из меди [2] - прототип.
Данный корпус для полупроводникового прибора СВЧ позволил повысить надежность, долговечность и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ, увеличить выходную мощность, повысить технологичность и снизить трудоемкость изготовления, уменьшить массогабаритные характеристики.
Однако данный корпус по-прежнему отличается достаточно высокими массогабаритными характеристиками, особенно для ряда случаев его использования, например, модулей и субмодулей СВЧ, недостаточно высокой технологичностью и недостаточно низкой трудоемкостью изготовления.
Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение трудоемкости изготовления при сохранении надежности, долговечности, выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ.
Указанный технический результат достигается заявленным корпусом для полупроводникового прибора СВЧ, содержащим высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере, одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности высокотепло- и электропроводного основания для расположения и последующего соединения с ним, по меньшей мере, одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере, два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой.
В котором
высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала,
при этом, по меньшей мере, из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного,
при их соотношении, мас. %, (90-70):(10-30) соответственно,
термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора.
Композиционный материал высокотепло- и электропроводного основания выполнен, например, из нитрида алюминия и железа карбонильного.
Высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы могут быть выполнены как монолитно, так и составными.
Конструкционные размеры корпуса и его элементов определяются параметрами полупроводникового прибора СВЧ.
Раскрытие сущности.
Совокупность существенных признаков заявленного корпуса для полупроводникового прибора СВЧ, а именно когда:
высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала,
при этом, по меньшей мере, из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного,
при их соотношении, мас. %, (90-70):(10-30) соответственно,
термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора.
Это обеспечивает.
Во-первых, значительное уменьшение плотности высокотепло- и электропроводного материала основания по сравнению с плотностью высокотепло- и электропроводного материала основания (преимущественно меди) прототипа, и тем самым, уменьшение его массогабаритных характеристик и, как следствие, - уменьшение массогабаритных характеристик корпуса в целом.
При сохранении высокотепло- и электропроводных свойств материала основания прототипа.
Во-вторых, снижение трудоемкости изготовления.
В-третьих, повышение технологичности.
Второе и третье благодаря возможности использования групповых методов размерной обработки.
При этом при сохранении надежности, долговечности, выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ.
Кроме того, данная конструкция корпуса, а именно выполнение высокотепло- и электропроводного основания из композиционного материала, исключает полностью необходимость наличия компенсаторного элемента даже в случае использования кристалла полупроводникового прибора размером более 3×10-3 м, что предусматривают частные случаи выполнения конструкции прототипа.
Более того, предлагаемая конструкция корпуса обеспечивает возможность:
- использования при изготовлении корпуса известных групповых методов,
- надежного планарного соединения корпуса с другими элементами устройств и систем радиоэлектронной техники СВЧ.
Указанный предел соотношений компонентов композиционного материала - высокотеплопроводного керамического и электропроводного, мас. %, (90-70):(10-30) соответственно является оптимальными для обеспечения композиционному материалу основания корпуса оптимального соотношения физических свойств, а именно - высокотепло- и электропроводных, а также диэлектрических и, как следствие, - достижение указанного технического результата - уменьшение массогабаритных характеристик, снижение трудоемкости и повышение технологичности изготовления.
Соотношение компонентов композиционного материала - высокотеплопроводного керамического и электропроводного как менее (90 и 10), мас. %, так и более (70 и 30), мас. % соответственно не допустимо, в первом случае - композиционный материал обладает преимущественно диэлектрическими свойствами из-за недостаточного содержания электропроводной компоненты, во втором - композиционный материал обладает преимущественно электропроводными свойствами из-за высокого содержания электропроводной компоненты.
Изобретение поясняется чертежом.
На чертеже дан заявленный корпус для полупроводникового прибора СВЧ, где
- высокотепло- и электропроводное основание - 1,
- рамка для металлокерамических вводов/выводов - 2 со сквозными отверстиями,
- металлическая контактная площадка - 3 для расположения кристалла полупроводникового прибора СВЧ - 4,
- два металлокерамических ввода/вывода - 5, 6 с контактными площадками - 7, 8 соответственно.
Примеры конкретного выполнения заявленного корпуса для полупроводникового прибора СВЧ,
Пример 1.
Рассмотрено изготовление корпуса для полупроводникового прибора СВЧ, например для выходного усилителя мощности СВЧ.
Заданный размер корпуса - (18,5×12,1×4,1)×10-3 м.
Вариант исполнения - составной.
Изготавливают композиционный материал для высокотепло- и электропроводного основания 1, состоящий из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического материала, например нитрида алюминия (ТУ6-09-110-75), и электропроводного материала, например железа карбонильного (ГОСТ 13610-79), при их соотношении, мас. %, 80:20 соответственно.
Из изготовленного композиционного материала изготавливают высокотепло- и электропроводное основание 1 корпуса с указанными (заданными) размерами (18,5×12,1×2,1)×10-3 м.
Далее изготавливают рамку 2 из меди (полоса ДПРНТ НД МОб ГОСТ 15471-77) размером (18,5×12,1×2,0)×10-3 м, со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов 5, 6 методом фрезерования.
На одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания 1 изготавливают металлическую контактную площадку 3 для расположения и соединения кристалла полупроводникового прибора СВЧ 4, например выходного усилителя мощности СВЧ.
Изготавливают металлокерамические вводы/выводы 5, 6, микрополосковые, посредством технологии совместного высокотемпературного обжига (НТСС) высокоглиноземистой керамики ВК 94-1 (аЯО.027.002ТУ) с тугоплавкими металлами, например молибденом, вольфрамом, которые наносят на керамику в виде металлизационной пасты (ТСО.029.003 ТУ).
Далее осуществляют сборку корпуса.
Для чего располагают изготовленные металлокерамические вводы/выводы 5, 6 в рамке 2 одними контактными площадками внутрь, а другими - через сквозные отверстия в рамке 2 наружу корпуса и соединяют высокотепло- и электропроводное основание 1, рамку 2, металлокерамические вводы/выводы 5, 6 пайкой твердым припоем, например ПСр-72 В (ТУ 1868-329-05785324-2011).
Примеры 2-5.
Аналогично примеру 1 изготовлены образцы корпуса для выходного усилителя мощности СВЧ, но при других конструкционных параметрах, указанных в формуле изобретения (примеры 2-3), а также за ее пределами (примеры 4-5).
Пример 6 соответствует прототипу.
Изготовленные образцы корпуса для выходного усилителя мощности СВЧ прошли испытания на предмет герметичности и надежности.
Герметичность определяли с помощью гелиевого течеискателя типа ПТИ-10 по техническим требованиям согласно ОСТ 11 332.702-89.
Оценку надежности по герметичности и сохранению целостности проводили методом термоциклирования при определенном режиме согласно ОСТ 11 332.702-89 и дополнительных термоциклов по режиму «Приложение», таблица 1, до потери ими герметичности.
Результаты представлены в таблице.
Как видно из таблицы, изготовленные образцы корпусов имели:
Герметичные швы, скорость натекания по гелию не более 1,33×10-8 м3Па/с.
Герметичность и целостность их сохранилась как после основного термоциклирования, так и 30 дополнительных термоциклов. Масса составляет примерно 3,45×10-3 кг.
Таким образом, заявленный корпус для полупроводникового прибора СВЧ позволит по сравнению с прототипом
- уменьшить массогабаритные характеристики (массу) примерно в 1,5 раза,
- снизить трудоемкость примерно на 20 процентов и
-повысить технологичность изготовления.
При сохранении надежности, долговечности, выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ.
Более того, предлагаемая конструкция корпуса обеспечит возможность:
- использования при изготовлении корпуса известных групповых методов,
- надежного планарного соединения корпуса с другими элементами устройств и систем радиоэлектронной техники СВЧ.
Источники информации
1. Colloq. Microwave Packag., London, 14 Apr. 1986. Electron. Div, PGE12. London, 1986.
2. Патент РФ №2351037 приоритет 23.07.2007 г., МПК H01L 23/02, опубл. 27.03.2009 г. - прототип.
Claims (4)
1. Корпус для полупроводникового прибора СВЧ, содержащий высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности высокотепло- и электропроводного основания для расположения и последующего соединения с ним по меньшей мере одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой, отличающийся тем, что высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала, при этом по меньшей мере из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного при их соотношении, мас.%, (90-70):(10-30) соответственно, термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора.
2. Корпус для полупроводникового прибора СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что композиционный материал высокотепло- и электропроводного основания выполнен, например, из нитрида алюминия и железа карбонильного.
3. Корпус для полупроводникового прибора СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы могут быть выполнены как монолитно, так и составными.
4. Корпус для полупроводникового прибора СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что конструкционные размеры корпуса и его элементов определяются параметрами полупроводникового прибора СВЧ.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015101676/28A RU2579544C1 (ru) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Корпус для полупроводникового прибора свч |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015101676/28A RU2579544C1 (ru) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Корпус для полупроводникового прибора свч |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2579544C1 true RU2579544C1 (ru) | 2016-04-10 |
Family
ID=55793560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015101676/28A RU2579544C1 (ru) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Корпус для полупроводникового прибора свч |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2579544C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2659304C1 (ru) * | 2017-06-14 | 2018-06-29 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы |
| RU2688035C1 (ru) * | 2018-05-14 | 2019-05-17 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030111714A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-19 | Dover Capital Formation Group | Surface mount ceramic package |
| US20050029002A1 (en) * | 2002-12-26 | 2005-02-10 | Kazuhiko Nemoto | Semiconductor integrated apparatus |
| RU2345444C1 (ru) * | 2007-06-04 | 2009-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток (ФГУП НПП "Исток") | Способ изготовления корпуса для полупроводникового прибора свч |
| RU2351037C1 (ru) * | 2007-07-23 | 2009-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Корпус для полупроводникового прибора свч и способ его изготовления |
| RU86046U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа |
| RU2489769C1 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-08-10 | ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" | Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона |
-
2015
- 2015-01-20 RU RU2015101676/28A patent/RU2579544C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030111714A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-19 | Dover Capital Formation Group | Surface mount ceramic package |
| US20050029002A1 (en) * | 2002-12-26 | 2005-02-10 | Kazuhiko Nemoto | Semiconductor integrated apparatus |
| RU2345444C1 (ru) * | 2007-06-04 | 2009-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток (ФГУП НПП "Исток") | Способ изготовления корпуса для полупроводникового прибора свч |
| RU2351037C1 (ru) * | 2007-07-23 | 2009-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Корпус для полупроводникового прибора свч и способ его изготовления |
| RU86046U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа |
| RU2489769C1 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-08-10 | ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" | Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2659304C1 (ru) * | 2017-06-14 | 2018-06-29 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы |
| RU2688035C1 (ru) * | 2018-05-14 | 2019-05-17 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4227036A (en) | Composite flanged ceramic package for electronic devices | |
| JPS5471572A (en) | Semiconductor device | |
| EP3236495B1 (en) | Circuit substrate and electronic device | |
| US3311798A (en) | Component package | |
| RU2351037C1 (ru) | Корпус для полупроводникового прибора свч и способ его изготовления | |
| RU2579544C1 (ru) | Корпус для полупроводникового прибора свч | |
| Kato et al. | 250° C-Operated sandwich-structured all-SiC power module | |
| JP2002043482A (ja) | 電子回路用部材及びその製造方法並びに電子部品 | |
| Jung et al. | Power semiconductor SMD package embedded in multilayered ceramic for low switching loss | |
| RU2494494C1 (ru) | Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора свч | |
| JPH0945827A (ja) | 半導体装置 | |
| RU2345444C1 (ru) | Способ изготовления корпуса для полупроводникового прибора свч | |
| JPS6318648A (ja) | 窒化アルミニウム回路基板 | |
| RU2659304C1 (ru) | Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы | |
| JP4227610B2 (ja) | 放熱基体の製造方法 | |
| JP3183090B2 (ja) | パッケージ用セラミックスリッド | |
| CN205546396U (zh) | 用于手机的功率放大封装组件 | |
| RU153627U1 (ru) | Силовой модуль | |
| Suzuki et al. | A built-in high temperature half-bridge power module with low stray inductance and low thermal resistance for in-wheel motor application | |
| JPH0272655A (ja) | 実装部品 | |
| RU2498455C1 (ru) | Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона | |
| CN112366183A (zh) | 一体式金属管壳的微波功率放大芯片封装及其制备方法 | |
| JPS63173348A (ja) | 半導体装置 | |
| US3705255A (en) | Hermetically sealed semiconductor | |
| RU2688035C1 (ru) | Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления |