JP3925610B2 - 発熱プローブ及び発熱プローブ装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は試料表面に対しピンポイント的に熱的操作を行う発熱プローブに関し、更に詳細には、カーボンナノチューブのような導電性ナノチューブ探針をホルダーに固定して発熱プローブを構成し、導電性ナノチューブ探針の先端を加熱して熱記録媒体に超微細な溶融状の孔パターンを高密度に記録したり、試料表面の温度分布や熱伝導度分布などを検出できる発熱プローブ及び発熱プローブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、情報の記録媒体として、磁気ディスクなどの磁気記録媒体や光ディスクなどの光記録媒体が多く用いられている。更に、近年になって熱記録媒体が開発されるようになった。この熱記録媒体は低融点の有機性物質で構成され、表面に熱により溶融状の孔を形成して情報を記録するものである。例えば、孔が”１”を示し、孔が無ければ”０”を示し、これらの孔列で情報を記録する。この孔の直径（以下、孔径と称する）が小さいほど高密度に情報を記録できるから、加熱用の発熱プローブのサイズが重要になってくる。
【０００３】
図９は従来の発熱プローブを用いて情報を記録する際の概略斜視図である。この発熱プローブ１９は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）に用いられるＡＦＭ用カンチレバー２を加工して構成されている。カンチレバー２はカンチレバー部４と、その先端に突設されたホルダー８から構成されている。ＡＦＭ用カンチレバーでは、このホルダー８は通常、突出部又はピラミッド部と称される。
【０００４】
カンチレバー部４の両側面には電極膜５、６が設けられ、これらは導電性物質をコーティングして形成されている。電極膜５、６の後端部には接点５ａ、６ａを通して制御回路Ｃが接続されている。この制御回路Ｃは所望の電圧（又は電流）を供給する電源２０とスイッチ２１から構成されている。
【０００５】
前記ホルダー８の側面には通電用電極膜５ｃ、６ｃが形成されており、この通電用電極膜５ｃ、６ｃは前記電極膜５、６にそれぞれ導通接続されている。この通電用電極膜５ｃ、６ｃの素材は電極膜５、６と同一である。また、ホルダー８は先鋭加工されたホルダー先端８ａを有し、熱記録媒体２２の表面に近接して配置されている。
【０００６】
次に、この発熱プローブ１９の作用について説明する。スイッチ２１をオンすると、電源２０の電圧が通電用電極膜５ｃ、６ｃを介してホルダー８に印加される。ＡＦＭ用カンチレバー２のホルダー８はシリコン半導体から形成されており、電気抵抗値はかなり大きい。従ってホルダー８は発熱体として機能し、ホルダー８が発熱するに従って、ホルダー先端８ａが加熱点となる。
【０００７】
ホルダー先端８ａは熱記録媒体２２の表面に近接して配置されているから、そのホルダー先端８ａが直接対向している部分が加熱により溶融し、孔２３が形成される。別設の駆動装置で発熱プローブ１９を適宜に走査して行くと、孔２３が間欠的に溶融形成される。これらの多数の孔２３のオン・オフ形成により情報が熱記録媒体２２に記録されて行く。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
この孔２３の孔径Ｄを小さくするほど、熱記録媒体２２の記録密度は増大する。即ち、記録密度は２次元平面で考えなければならないから、記録密度はＤ２に反比例する。一方、孔径Ｄはホルダー先端８ａの曲率半径に依存する。
【０００９】
ホルダー８は半導体技術で製作されるが、ホルダー先端８ａの曲率半径を１０ｎｍ以下にすることは極めて難しい。孔径Ｄはこの曲率半径より大きくなるから、孔径Ｄを数十ｎｍ以下に制御することは至難の業である。従って、従来の熱記録媒体の記録密度はＡＦＭ用カンチレバーを利用した発熱ホルダーによって限界に達していた。
【００１０】
熱記録媒体の入出力だけでなく、一般の試料表面のナノスケールにおける熱測定に関しても従来は問題があった。試料表面の温度分布測定をナノスケールで行う手段は従来存在しなかった。また、試料表面の熱伝導度分布をナノスケールで行う手段も従来存在しない。しかし、ナノ科学を強力に進展させてゆくためには、このような熱測定センサは不可欠である。
【００１１】
従って、本発明に係る発熱プローブ及び発熱プローブ装置は、カンチレバーに代えてカーボンナノチューブ等の導電性ナノチューブの先端を発熱点とすることにより、孔径Ｄを一気に数ｎｍにまで極小化して、熱記録媒体の記録密度を激増させることを目的とする。また、導電性ナノチューブの先端部を利用して試料表面の温度分布や熱伝導度分布などの熱情報を検出することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、ホルダーに基端部を固定して先端部が突設された導電性ナノチューブ探針と、この導電性ナノチューブ探針の周面に形成された発熱体と、この発熱体に固定された導電性ナノチューブリード線と、この導電性ナノチューブリード線と前記導電性ナノチューブ探針の両端に通電する手段から構成され、前記発熱体に通電することを特徴とする発熱プローブである。
【００１３】
請求項２の発明は、カンチレバー部に突出部を形成したＡＦＭ用カンチレバーを利用し、この突出部を前記ホルダーとして用い、カンチレバー部に２本の電極膜を形成し、前記導電性ナノチューブリード線の一端を一つの電極膜に接続し、導電性ナノチューブ探針を他の電極膜に接続し、両電極膜間に通電するように構成された請求項１に記載の発熱プローブである。
【００１４】
請求項３の発明は、カンチレバー部に突出部を形成したＡＦＭ用カンチレバーを利用し、この突出部を前記ホルダーとして用い、カンチレバー部に２本の電極膜を形成し、前記ナノチューブリード線の一端を一つの電極膜に接合し、導電性ナノチューブ探針と他の電極膜の間を他の導電性ナノチューブリード線で連結し、両電極膜間に通電するように構成された請求項１に記載の発熱プローブである。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１、２又は３に記載の発熱プローブと、この発熱プローブの導電性ナノチューブ探針の先端を試料に対し走査する走査機構と、導電性ナノチューブ探針の先端を通電する制御回路からなり、導電性ナノチューブ探針の先端により試料表面を操作することを特徴とする発熱プローブ装置である。
【００１６】
請求項５の発明は、前記試料が熱記録媒体であり、発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端を加熱し、熱記録媒体の表面に孔パターンにより情報を記録する請求項４に記載の発熱プローブ装置である。
【００１７】
請求項６の発明は、発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端を加熱しながら試料表面を走査し、発熱体からの放熱量変化又は発熱体の抵抗変化により試料表面の熱伝導度分布を検出する請求項４に記載の発熱プローブ装置である。
【００１８】
請求項７の発明は、発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端により試料表面を走査し、試料表面の温度分布を発熱体の抵抗変化として検出する請求項４に記載の発熱プローブ装置である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る発熱プローブ及び発熱プローブ装置の実施形態を図面に従って詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明に係る発熱プローブの第１実施形態の概略斜視図である。この発熱プローブ１９も従来の発熱プローブと同様に、ＡＦＭ用カンチレバー２を加工して構成されている。カンチレバー２はカンチレバー部４と、その先端に突設されたホルダー８（突出部又はピラミッド部とも称する）から構成されている。
【００２１】
カンチレバー部４の両側面には電極膜５、６が設けられ、これらは導電性物質をローティングして形成されている。電極膜５、６の後端部には接点５ａ、６ａを通して制御回路Ｃが接続されている。この制御回路Ｃは電圧供給用の電源２０とスイッチ２１から構成されている。
【００２２】
前記ホルダー８には導電性ナノチューブ探針１０が配置されている。この導電性ナノチューブ探針１０は導電性ナノチューブの基端部１０ｂをホルダー８に固定し、先端部１０ａを下方に突出させ、先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面に近接配置して構成されている。
【００２３】
導電性ナノチューブ探針１０の基端部１０ｂはホルダー８に電子ビーム照射により熱融着されて固定されている。また、電流を通電して融着させてもよいし、コーティング膜により固定してもよい。この基端部１０ｂと電極膜５の間には導電性ナノチューブリード線１２を介装し、その両端を同様に熱融着して固定している。勿論、熱融着の代わりにローティング膜で固定してもよい。更に、基端部１０ｂと融着部１３ｂにはコーティング膜１４ａ、１４ｂが被膜形成され、導電性ナノチューブ探針１０と導電性ナノチューブリード線１２をホルダー８と電極膜５に強固に固着する。
【００２４】
導電性ナノチューブ探針１０の周面の要所には通電による発熱体１５が堆積形成されている。発熱体１５と電極膜６の間には導電性ナノチューブリード線１６が介装されている。リード線端部１６ａ、１６ｂは発熱体１５と電極膜６にそれぞれ熱融着して接合されている。熱融着の代わりに、物理的吸着状態をコーティング膜で固定してもよいことは云うまでもない。これらのコーティング膜形成はＰＶＤやＣＶＤなどの方法により簡単に行うことができる。
【００２５】
リード線端部１６ｂの融着部１７は更にローティング膜１８により電極膜６に強固に固着されている。リード線端部１６ａには導電性ナノチューブ探針１０と一体に外周全体を取り巻く被膜を形成することによって強固な固着を実現できる。但し、この外周被膜は図示されていない。
【００２６】
ナノチューブは導電性ナノチューブと絶縁性ナノチューブに分けられる。導電性ナノチューブにはカーボンナノチューブのような通電性のナノチューブが含まれ、絶縁性ナノチューブにはＢＣＮ系ナノチューブやＢＮ系ナノチューブ等の非通電性のナノチューブが含まれる。ＰＶＤ法やＣＶＤ法など公知の方法により絶縁性ナノチューブの表面に導電性被膜を形成すると導電性を付与できるから、このようなナノチューブも導電性ナノチューブに属することになる。
【００２７】
本発明で用いられるナノチューブ探針やナノチューブリード線は電圧を印加して電流通電を行うから、導電性を有する必要がある。従って、それらを導電性ナノチューブ探針及び導電性ナノチューブリード線と称している。
【００２８】
コーティング膜を形成するには、所要場所に電子ビームを照射し、電子顕微鏡装置内に不純物として存在する有機物を分解してカーボンを前記所要場所に堆積させればよい。勿論、前記所要場所に堆積した有機物に照射しても、カーボン以外が放散されカーボンが残留して被膜を形成する。勿論、有機性ガスを装置内に導入して分解させてもよい。電子ビームに代えてイオンビームでも同様の処理が可能である。
【００２９】
発熱体の材料には、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ等の金属材料、あるいはＲｅ２０３、Ｍｎ２０３、ＬａＭｎＯ３等の金属間化合物など公知の抵抗材料を用いることができる。また、これらの発熱発熱体原料を有機金属ガスの形で装置内に導入し、電子ビーム又はイオンビームにより分解して薄膜状に堆積させて発熱体を構成できる。
【００３０】
導電性ナノチューブの典型例はカーボンナノチューブである。カーボンナノチューブの断面直径は約１ｎｍ〜数十ｎｍにまで分布し、軸長はｎｍオーダーからμｍオーダーにまで分布している。本発明に直接関連するのは断面直径であり、ナノチューブの構造から発現する最小理論値は約１ｎｍである。図１に示される導電性ナノチューブ探針１０の断面直径は約１ｎｍである。このように、極小の断面直径を有した発熱プローブは本発明が最初である。
【００３１】
次に、上記構成の作用について説明する。スイッチ２１をオンして電源２０により発熱体１５に電圧を印加する。電流の通電により発熱体１５は抵抗発熱し、導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃが発熱点となる。電源２０は電圧回路だけでなく電流回路としても構成できる。
【００３２】
この先端１０ｃは熱記録媒体２２の表面に近接して配置されているから、先端１０ｃの発熱により熱記録媒体２２の所要部が溶融して孔２３が形成される。この孔２３の孔径ｄは先端１０ｃの直径に依存する。前述したように、この先端１０ｃの直径は約１ｎｍであるから、孔径ｄも数ｎｍ程度である。
【００３３】
この孔２３が形成されると、熱記録媒体２２に情報が記録されたことになる。ナノチューブによる孔径ｄは従来の孔径Ｄの１／１０以下であるから、孔面積は１／１００以下になる。つまり、単位面積当たりの孔数を与える情報記録密度は従来の１００倍以上に設定できることが理解できる。
【００３４】
孔２３が形成されると”１”を与え、孔が無い場合は”０”を与えると定義すると、制御回路Ｃの通電制御によって、熱記録媒体２２に断続的に孔２３を形成することができる。逆に、孔２３がある場合を”０”とし、孔２３が無い場合を”１”と定義しても同様である。
【００３５】
この発熱プローブ１９は発熱プローブであると同時に、走査型顕微鏡用プローブでもある。つまり、制御回路Ｃを停止させておくと、先端１０ｃはＡＦＭ用の探針として機能する。熱記録媒体２２の表面を先端１０ｃによりＡＦＭ操作すると、その凹凸を検出して記録された情報を出力することができる。言いかえると、この発熱プローブ１９は孔形成によって情報を記録し、ＡＦＭ操作によって情報を読み取って、情報を出力することができる。即ち、この発熱プローブ１９は熱記録媒体２２の入出力用プローブである。
【００３６】
図２は本発明に係る発熱プローブの第２実施形態の概略斜視図である。第１実施形態と同一部分には同一符号を打ってその作用効果の説明を省略する。第１実施形態と異なる部分は、接合電極膜５ｂ、６ｂをホルダー８に形成したことである。この内、接合電極膜５ｂは導電性ナノチューブリード線１２に代えて設けられている。
【００３７】
この接合電極膜５ｂは電極膜５と電気的に導通している。従って、導電性ナノチューブ探針１０の基端部１０ｂをコーティング被膜１４ａで固定するだけで、導電性ナノチューブ探針１０への電圧印加が可能になる。つまり、導電性ナノチューブリード線１２と融着部１３ｂ及びコーティング膜１４ｂが不要となり、これらの処理工程が割愛できる特徴を有している。また、リード先端部１６ｂは接合用電極膜６ｂに固定されるので、導電性ナノチューブリード線１６には短いものが使える利点がある。
【００３８】
接合電極膜５ｂの形成は電極膜５、６の形成工程と同時にできるので、前述した処理工程を省略できる点で製造コストの低下を実現できる。この発熱プローブ１９が熱記録媒体２２への情報入力とそれからの情報の読取り出力ができる点は第１実施形態と同様であるから、その詳細は省略する。
【００３９】
図３は熱記録媒体への記録開始の模式図である。熱記録媒体２２の表面２２ａに先端１０ｃを接近させて発熱プローブ１９を配置する。この状態で、通電すると、発熱プローブ１９の先端１０ｃが発熱し、表面２２ａを一部溶融して孔２３を形成する。
【００４０】
図４は熱記録媒体への多点記録の模式図である。発熱プローブ１９を熱記録媒体２２の表面２２ａに対し走査しながら、先端１０ｃを制御回路Ｃにより断続的に加熱すると、表面２２ａには多数の孔２３が形成される。この孔列のオンオフにより多数の情報が熱記録媒体２２に記録されて行く。
【００４１】
図５は記録された孔列の発熱プローブによるＡＦＭ読み取りを示す模式図である。発熱プローブ１９を元の位置に戻し、導電性ナノチューブ探針１０の先端を表面２２ａに接触させる。この状態で、発熱プローブをＡＦＭ走査し、先端１０ｃで孔列の凹凸パターンを読み取って行く。この読み取りが熱記録媒体２２からの情報出力になる。
【００４２】
図６は熱記録媒体の熱リセットを示す模式図である。孔列情報が記録された熱記録媒体２２の表面２２ａに対しヒータ２４を対向配置する。ヒータ２４により熱記録媒体２２の表面２２ａを加熱すると、表面２２ａの全面が熱溶融して孔列が一時に消去され、全面がフラットになる。記録された情報がリセットされたことを示す。走査型の線状ヒータを用いれば、走行操作することによって、面状ヒータと同様の作用効果を得ることができる。
【００４３】
図７は本発明に係る発熱プローブ装置の第１実施形態の構成図である。この発熱プローブ装置は発熱プローブ１９とその走査機構ＳＤから構成される。発熱プローブ１９は図示しないホルダーセット部に着脱自在に固定される。発熱プローブ１９の交換は発熱プローブ１９を取り替えることによって行われる。ホルダーセット部に固定した後、導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面２２ａに近接配置する。
【００４４】
熱記録媒体２２はピエゾ素子からなる走査駆動部２８によりＸＹＺ方向に駆動される。３０は半導体レーザー装置、３２は反射ミラー、３３は上検出器３３ａと下検出器３３ｂからなる二分割光検出器、３４はＸＹＺ走査回路、３５はＡＦＭ表示装置、３６はＺ軸検出回路である。
【００４５】
熱記録媒体２２の表面２２ａは水平性と平滑性を有しており、先端１０ｃをＺ方向に所要距離まで接近させた後は、走査駆動部２８により発熱プローブ１９をＸＹ方向に走査する。これらの駆動はＸＹＺ走査回路３４に制御され、表面２２ａの打孔点の走査図がＡＦＭ表示装置３５に表示される。このようにして、熱記録媒体２２の表面２２ａに情報が孔列として記録されて行く。
【００４６】
次に、打孔された孔列の読み取り、即ち記録情報をこの発熱プローブ装置２６により出力する。まず、導電性ナノチューブプローブ１０の先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面２２ａに、所定の斥力位置になるまで、接近させる。その後、Ｚ位置を固定した状態で、走査回路３４で走査駆動部２８をＸＹ走査する。
【００４７】
このとき、表面原子の凹凸でカンチレバー２が撓み、反射したレーザービームＬＢが二分割光検出器３３に位置変位して入射する。上下の検出器３３ａ、３３ｂの光検出量の差からＺ軸方向の変位量をＺ軸検出回路３６で算出し、この変位量を打ち消すようにＺ位置を調節する。これを表面の凹凸量としてＡＦＭ表示装置３５に表面原子像を表示する。
【００４８】
この表面凹凸像は記録されている孔列像であり、孔列像の検出により記録情報の内容が出力されたことになる。この装置では、熱記録媒体２２をＸＹＺ走査する構成にしているが、発熱プローブ１９をＸＹＺ走査しても構わない。
【００４９】
図７では光てこ方式で試料表面像を検出したが、圧電体方式も開発されている。カンチレバー部に圧電体を配置しておき、カンチレバー部の撓みを圧電体の変形で検出し、その変形量に比例して発生する電圧でＺ軸変位、即ち凹凸量を検出するものである。この圧電体方式を利用することもできる。
【００５０】
図８は本発明に係る発熱プローブ装置の第２実施形態の構成図である。この例では、ＡＦＭ用カンチレバーを使用せず、ＳＴＭ用ホルダーを使用している。ここでＳＴＭは走査型トンネル顕微鏡を意味する。このホルダー８は絶縁性の平板状のホルダーで、これに導電性ナノチューブ探針１０を融着及びコーティング膜により固着して構成されている。
【００５１】
導電性ナノチューブ探針１０とホルダー８との具体的構成は図１又は図２と全く同様であるため、詳細は図示していない。しかし、その構成を説明すると、導電性ナノチューブ探針１０の外周面に発熱体が堆積され、この発熱体に導電性ナノチューブリード線の一端が固定される。この導電性ナノチューブリード線の他端と導電性ナノチューブ探針１０の基端部１０ｂには２本の電極膜を介して電圧印加用の制御回路が接続される。この制御回路により前記発熱体を通電発熱させて導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃを発熱点とする。
【００５２】
このホルダー８をホルダーセット部２５の切り溝２５ａに嵌合してバネ圧で着脱自在に固定する。Ｘピエゾ２８ｘ、Ｙピエゾ２８ｙ、Ｚピエゾ２８ｚからなる走査駆動部２８は、ホルダーセット部２５をＸＹＺの３次元方向に伸縮操作して発熱プローブ１９の熱記録媒体２２に対する走査を実現する。３８はトンネル電流検出回路、３９はＺ軸制御回路、４０はＳＴＭ表示装置、４１はＸＹ走査回路である。
【００５３】
まず、Ｚ軸制御回路３９で導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面２２ａに所定距離まで接近させる。その後、ＸＹ走査回路４１により先端１０ｃを走査しながら、熱記録媒体２２の表面２２ａに孔列を溶融形成して情報を入力する。
【００５４】
次に、記録された孔列情報をＳＴＭ走査により読み取り、情報出力を行う。即ち、各ＸＹ位置においてトンネル電流が一定になるようにＺ軸制御回路３９で先端１０ｃをＺ方向に伸縮制御し、この移動量がＺ軸方向の凹凸量になる。発熱プローブ１９をＸＹ走査するに従いＳＴＭ表示装置４０に孔列の表面原子像が表示される。本実施形態では、発熱プローブ１９を交換する場合には、ホルダー８をホルダーセット部２５から取り外し、発熱プローブ１９の全体を一体で交換する。
【００５５】
以上の例では、発熱プローブを熱記録媒体の入出力プローブとして利用したが、他の利用方法も存在する。以下では、熱記録媒体に代えて試料を配置する。例えば、試料表面の温度分布を測定するプローブとして利用する。プローブを試料表面に近接させると発熱体が試料表面の温度に感応して発熱体の抵抗値が変化し、発熱体に所定電圧を印加しておくと、電流が変化する。この状態でプローブを試料表面に対し走査すると、温度分布に応じて抵抗値が連続的に変化し、この電流変化により試料表面の温度分布を測定することができる。
【００５６】
他の例では、試料表面の熱伝導度分布を測定するプローブとして利用できる。発熱体に所定電圧を印加して一定量の発熱率で発熱させる。このプローブを試料表面に接近させると、熱が試料表面に熱伝導度に従って散逸してゆく。この放熱率に従って発熱体が冷却されて抵抗値が変化し、この抵抗変化が電流変化を生起する。この電流変化により試料表面の熱伝導度分布が測定できる。
【００５７】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における種々の変形例、設計変更などをその技術的範囲内に包含することは云うまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、ホルダーに発熱体を形成した導電性ナノチューブ探針を固定して発熱プローブを構成し、発熱体を通電させて導電性ナノチューブ探針の先端を試料表面に接近させるから、試料が熱記録媒体の場合には前記先端が発熱点となり、溶融形成される孔径を最小でも数ｎｍにまで極小化でき、熱記録密度を飛躍的に向上させることができる。また、試料表面の温度分布や熱伝導度分布などの熱情報を検出する場合には、ナノスケールの精度で熱情報を検出することができる。
【００５９】
請求項２の発明によれば、ＡＦＭ用カンチレバーの突出部をホルダーとして用い、このホルダーに導電性ナノチューブ探針を固定して発熱プローブを構成するから、蓄積されたカンチレバーの製造技術を直ちに適用して比較的容易に発熱プローブを安価に供給できる。
【００６０】
請求項３の発明によれば、ＡＦＭ用カンチレバーを活用すると共に、２本の導電性ナノチューブリード線を用いて発熱体に通電するから、導電性ナノチューブリード線の柔軟性により発熱体通電用の電極構成が簡単に構成できる。
【００６１】
請求項４の発明によれば、発熱プローブとその走査機構と発熱用の制御回路から発熱プローブ装置を構成したから、走査機構としてＡＦＭ走査機構やＳＴＭ走査機構を導入すれば、試料の熱情報を高精度に読み取ることができる。
【００６２】
請求項５の発明によれば、熱記録媒体に対し、情報をナノスケールの孔パターンで高密度に記録でき、しかもその情報の読み取りも可能であり、熱記録媒体に対する情報の入出力を高密度且つ高精度に行うことができる。
【００６３】
請求項６の発明によれば、この発熱プローブを用いて、発熱体からの放熱量変化又は発熱体の抵抗変化により試料表面の熱伝導度分布をナノスケールの意味で高精度に検出することができる。
【００６４】
請求項７の発明によれば、この発熱プローブを用いて、試料表面の温度分布を発熱体の抵抗変化としてナノスケールの意味で高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発熱プローブの第１実施形態の概略斜視図である。
【図２】本発明に係る発熱プローブの第２実施形態の概略斜視図である。
【図３】熱記録媒体への記録開始の模式図である。
【図４】熱記録媒体への多点記録の模式図である。
【図５】発熱プローブによる記録孔のＡＦＭ読み取りを示す模式図である。
【図６】熱記録媒体の熱リセットを示す模式図である。
【図７】本発明に係る発熱プローブ装置の第１実施形態の構成図である。
【図８】本発明に係る発熱プローブ装置の第２実施形態の構成図である。
【図９】従来の発熱プローブを用いて情報を記録する際の概略斜視図である。
【符号の説明】
２・・・・カンチレバー
４・・・・カンチレバー部
５・・・・電極膜
５ａ・・・接点
５ｂ・・・接合電極膜
６・・・・電極膜
６ａ・・・接点
６ｂ・・・接合電極膜
８・・・・ホルダー
１０・・・導電性ナノチューブ探針
１０ａ・・先端部
１０ｂ・・基端部
１０ｃ・・先端
１２・・・導電性ナノチューブリード線
１３ａ・・融着部
１３ｂ・・融着部
１４ａ・・コーティング膜
１４ｂ・・コーティング膜
１５・・・発熱体
１６・・・導電性ナノチューブリード線
１６ａ・・リード線端部
１６ｂ・・リード線端部
１７・・・融着部
１８・・・コーティング膜
１９・・・発熱プローブ
２０・・・電源
２１・・・スイッチ
２２・・・熱記録媒体
２２ａ・・表面
２３・・・孔
２４・・・ヒータ
２５・・・ホルダーセット部
２５ａ・・切り溝
２６・・・発熱プローブ装置
２８・・・走査駆動部
２８ｘ・・Ｘピエゾ
２８ｙ・・Ｙピエゾ
２８ｚ・・Ｚピエゾ
３０・・・半導体レーザー装置
３２・・・反射ミラー
３３・・・二分割光検出器
３３ａ・・上検出器
３３ｂ・・下検出器
３４・・・ＸＹＺ走査回路
３５・・・ＡＦＭ表示装置
３６・・・Ｚ軸検出回路
３８・・・トンネル電流検出回路
３９・・・Ｚ軸制御回路
４０・・・ＳＴＭ表示装置
４１・・・ＸＹ走査回路
Ｃ・・・・制御回路
ｄ、Ｄ・・孔径
ＳＤ・・・走査機構
【発明の属する技術分野】
本発明は試料表面に対しピンポイント的に熱的操作を行う発熱プローブに関し、更に詳細には、カーボンナノチューブのような導電性ナノチューブ探針をホルダーに固定して発熱プローブを構成し、導電性ナノチューブ探針の先端を加熱して熱記録媒体に超微細な溶融状の孔パターンを高密度に記録したり、試料表面の温度分布や熱伝導度分布などを検出できる発熱プローブ及び発熱プローブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、情報の記録媒体として、磁気ディスクなどの磁気記録媒体や光ディスクなどの光記録媒体が多く用いられている。更に、近年になって熱記録媒体が開発されるようになった。この熱記録媒体は低融点の有機性物質で構成され、表面に熱により溶融状の孔を形成して情報を記録するものである。例えば、孔が”１”を示し、孔が無ければ”０”を示し、これらの孔列で情報を記録する。この孔の直径（以下、孔径と称する）が小さいほど高密度に情報を記録できるから、加熱用の発熱プローブのサイズが重要になってくる。
【０００３】
図９は従来の発熱プローブを用いて情報を記録する際の概略斜視図である。この発熱プローブ１９は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）に用いられるＡＦＭ用カンチレバー２を加工して構成されている。カンチレバー２はカンチレバー部４と、その先端に突設されたホルダー８から構成されている。ＡＦＭ用カンチレバーでは、このホルダー８は通常、突出部又はピラミッド部と称される。
【０００４】
カンチレバー部４の両側面には電極膜５、６が設けられ、これらは導電性物質をコーティングして形成されている。電極膜５、６の後端部には接点５ａ、６ａを通して制御回路Ｃが接続されている。この制御回路Ｃは所望の電圧（又は電流）を供給する電源２０とスイッチ２１から構成されている。
【０００５】
前記ホルダー８の側面には通電用電極膜５ｃ、６ｃが形成されており、この通電用電極膜５ｃ、６ｃは前記電極膜５、６にそれぞれ導通接続されている。この通電用電極膜５ｃ、６ｃの素材は電極膜５、６と同一である。また、ホルダー８は先鋭加工されたホルダー先端８ａを有し、熱記録媒体２２の表面に近接して配置されている。
【０００６】
次に、この発熱プローブ１９の作用について説明する。スイッチ２１をオンすると、電源２０の電圧が通電用電極膜５ｃ、６ｃを介してホルダー８に印加される。ＡＦＭ用カンチレバー２のホルダー８はシリコン半導体から形成されており、電気抵抗値はかなり大きい。従ってホルダー８は発熱体として機能し、ホルダー８が発熱するに従って、ホルダー先端８ａが加熱点となる。
【０００７】
ホルダー先端８ａは熱記録媒体２２の表面に近接して配置されているから、そのホルダー先端８ａが直接対向している部分が加熱により溶融し、孔２３が形成される。別設の駆動装置で発熱プローブ１９を適宜に走査して行くと、孔２３が間欠的に溶融形成される。これらの多数の孔２３のオン・オフ形成により情報が熱記録媒体２２に記録されて行く。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
この孔２３の孔径Ｄを小さくするほど、熱記録媒体２２の記録密度は増大する。即ち、記録密度は２次元平面で考えなければならないから、記録密度はＤ２に反比例する。一方、孔径Ｄはホルダー先端８ａの曲率半径に依存する。
【０００９】
ホルダー８は半導体技術で製作されるが、ホルダー先端８ａの曲率半径を１０ｎｍ以下にすることは極めて難しい。孔径Ｄはこの曲率半径より大きくなるから、孔径Ｄを数十ｎｍ以下に制御することは至難の業である。従って、従来の熱記録媒体の記録密度はＡＦＭ用カンチレバーを利用した発熱ホルダーによって限界に達していた。
【００１０】
熱記録媒体の入出力だけでなく、一般の試料表面のナノスケールにおける熱測定に関しても従来は問題があった。試料表面の温度分布測定をナノスケールで行う手段は従来存在しなかった。また、試料表面の熱伝導度分布をナノスケールで行う手段も従来存在しない。しかし、ナノ科学を強力に進展させてゆくためには、このような熱測定センサは不可欠である。
【００１１】
従って、本発明に係る発熱プローブ及び発熱プローブ装置は、カンチレバーに代えてカーボンナノチューブ等の導電性ナノチューブの先端を発熱点とすることにより、孔径Ｄを一気に数ｎｍにまで極小化して、熱記録媒体の記録密度を激増させることを目的とする。また、導電性ナノチューブの先端部を利用して試料表面の温度分布や熱伝導度分布などの熱情報を検出することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、ホルダーに基端部を固定して先端部が突設された導電性ナノチューブ探針と、この導電性ナノチューブ探針の周面に形成された発熱体と、この発熱体に固定された導電性ナノチューブリード線と、この導電性ナノチューブリード線と前記導電性ナノチューブ探針の両端に通電する手段から構成され、前記発熱体に通電することを特徴とする発熱プローブである。
【００１３】
請求項２の発明は、カンチレバー部に突出部を形成したＡＦＭ用カンチレバーを利用し、この突出部を前記ホルダーとして用い、カンチレバー部に２本の電極膜を形成し、前記導電性ナノチューブリード線の一端を一つの電極膜に接続し、導電性ナノチューブ探針を他の電極膜に接続し、両電極膜間に通電するように構成された請求項１に記載の発熱プローブである。
【００１４】
請求項３の発明は、カンチレバー部に突出部を形成したＡＦＭ用カンチレバーを利用し、この突出部を前記ホルダーとして用い、カンチレバー部に２本の電極膜を形成し、前記ナノチューブリード線の一端を一つの電極膜に接合し、導電性ナノチューブ探針と他の電極膜の間を他の導電性ナノチューブリード線で連結し、両電極膜間に通電するように構成された請求項１に記載の発熱プローブである。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１、２又は３に記載の発熱プローブと、この発熱プローブの導電性ナノチューブ探針の先端を試料に対し走査する走査機構と、導電性ナノチューブ探針の先端を通電する制御回路からなり、導電性ナノチューブ探針の先端により試料表面を操作することを特徴とする発熱プローブ装置である。
【００１６】
請求項５の発明は、前記試料が熱記録媒体であり、発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端を加熱し、熱記録媒体の表面に孔パターンにより情報を記録する請求項４に記載の発熱プローブ装置である。
【００１７】
請求項６の発明は、発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端を加熱しながら試料表面を走査し、発熱体からの放熱量変化又は発熱体の抵抗変化により試料表面の熱伝導度分布を検出する請求項４に記載の発熱プローブ装置である。
【００１８】
請求項７の発明は、発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端により試料表面を走査し、試料表面の温度分布を発熱体の抵抗変化として検出する請求項４に記載の発熱プローブ装置である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る発熱プローブ及び発熱プローブ装置の実施形態を図面に従って詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明に係る発熱プローブの第１実施形態の概略斜視図である。この発熱プローブ１９も従来の発熱プローブと同様に、ＡＦＭ用カンチレバー２を加工して構成されている。カンチレバー２はカンチレバー部４と、その先端に突設されたホルダー８（突出部又はピラミッド部とも称する）から構成されている。
【００２１】
カンチレバー部４の両側面には電極膜５、６が設けられ、これらは導電性物質をローティングして形成されている。電極膜５、６の後端部には接点５ａ、６ａを通して制御回路Ｃが接続されている。この制御回路Ｃは電圧供給用の電源２０とスイッチ２１から構成されている。
【００２２】
前記ホルダー８には導電性ナノチューブ探針１０が配置されている。この導電性ナノチューブ探針１０は導電性ナノチューブの基端部１０ｂをホルダー８に固定し、先端部１０ａを下方に突出させ、先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面に近接配置して構成されている。
【００２３】
導電性ナノチューブ探針１０の基端部１０ｂはホルダー８に電子ビーム照射により熱融着されて固定されている。また、電流を通電して融着させてもよいし、コーティング膜により固定してもよい。この基端部１０ｂと電極膜５の間には導電性ナノチューブリード線１２を介装し、その両端を同様に熱融着して固定している。勿論、熱融着の代わりにローティング膜で固定してもよい。更に、基端部１０ｂと融着部１３ｂにはコーティング膜１４ａ、１４ｂが被膜形成され、導電性ナノチューブ探針１０と導電性ナノチューブリード線１２をホルダー８と電極膜５に強固に固着する。
【００２４】
導電性ナノチューブ探針１０の周面の要所には通電による発熱体１５が堆積形成されている。発熱体１５と電極膜６の間には導電性ナノチューブリード線１６が介装されている。リード線端部１６ａ、１６ｂは発熱体１５と電極膜６にそれぞれ熱融着して接合されている。熱融着の代わりに、物理的吸着状態をコーティング膜で固定してもよいことは云うまでもない。これらのコーティング膜形成はＰＶＤやＣＶＤなどの方法により簡単に行うことができる。
【００２５】
リード線端部１６ｂの融着部１７は更にローティング膜１８により電極膜６に強固に固着されている。リード線端部１６ａには導電性ナノチューブ探針１０と一体に外周全体を取り巻く被膜を形成することによって強固な固着を実現できる。但し、この外周被膜は図示されていない。
【００２６】
ナノチューブは導電性ナノチューブと絶縁性ナノチューブに分けられる。導電性ナノチューブにはカーボンナノチューブのような通電性のナノチューブが含まれ、絶縁性ナノチューブにはＢＣＮ系ナノチューブやＢＮ系ナノチューブ等の非通電性のナノチューブが含まれる。ＰＶＤ法やＣＶＤ法など公知の方法により絶縁性ナノチューブの表面に導電性被膜を形成すると導電性を付与できるから、このようなナノチューブも導電性ナノチューブに属することになる。
【００２７】
本発明で用いられるナノチューブ探針やナノチューブリード線は電圧を印加して電流通電を行うから、導電性を有する必要がある。従って、それらを導電性ナノチューブ探針及び導電性ナノチューブリード線と称している。
【００２８】
コーティング膜を形成するには、所要場所に電子ビームを照射し、電子顕微鏡装置内に不純物として存在する有機物を分解してカーボンを前記所要場所に堆積させればよい。勿論、前記所要場所に堆積した有機物に照射しても、カーボン以外が放散されカーボンが残留して被膜を形成する。勿論、有機性ガスを装置内に導入して分解させてもよい。電子ビームに代えてイオンビームでも同様の処理が可能である。
【００２９】
発熱体の材料には、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ等の金属材料、あるいはＲｅ２０３、Ｍｎ２０３、ＬａＭｎＯ３等の金属間化合物など公知の抵抗材料を用いることができる。また、これらの発熱発熱体原料を有機金属ガスの形で装置内に導入し、電子ビーム又はイオンビームにより分解して薄膜状に堆積させて発熱体を構成できる。
【００３０】
導電性ナノチューブの典型例はカーボンナノチューブである。カーボンナノチューブの断面直径は約１ｎｍ〜数十ｎｍにまで分布し、軸長はｎｍオーダーからμｍオーダーにまで分布している。本発明に直接関連するのは断面直径であり、ナノチューブの構造から発現する最小理論値は約１ｎｍである。図１に示される導電性ナノチューブ探針１０の断面直径は約１ｎｍである。このように、極小の断面直径を有した発熱プローブは本発明が最初である。
【００３１】
次に、上記構成の作用について説明する。スイッチ２１をオンして電源２０により発熱体１５に電圧を印加する。電流の通電により発熱体１５は抵抗発熱し、導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃが発熱点となる。電源２０は電圧回路だけでなく電流回路としても構成できる。
【００３２】
この先端１０ｃは熱記録媒体２２の表面に近接して配置されているから、先端１０ｃの発熱により熱記録媒体２２の所要部が溶融して孔２３が形成される。この孔２３の孔径ｄは先端１０ｃの直径に依存する。前述したように、この先端１０ｃの直径は約１ｎｍであるから、孔径ｄも数ｎｍ程度である。
【００３３】
この孔２３が形成されると、熱記録媒体２２に情報が記録されたことになる。ナノチューブによる孔径ｄは従来の孔径Ｄの１／１０以下であるから、孔面積は１／１００以下になる。つまり、単位面積当たりの孔数を与える情報記録密度は従来の１００倍以上に設定できることが理解できる。
【００３４】
孔２３が形成されると”１”を与え、孔が無い場合は”０”を与えると定義すると、制御回路Ｃの通電制御によって、熱記録媒体２２に断続的に孔２３を形成することができる。逆に、孔２３がある場合を”０”とし、孔２３が無い場合を”１”と定義しても同様である。
【００３５】
この発熱プローブ１９は発熱プローブであると同時に、走査型顕微鏡用プローブでもある。つまり、制御回路Ｃを停止させておくと、先端１０ｃはＡＦＭ用の探針として機能する。熱記録媒体２２の表面を先端１０ｃによりＡＦＭ操作すると、その凹凸を検出して記録された情報を出力することができる。言いかえると、この発熱プローブ１９は孔形成によって情報を記録し、ＡＦＭ操作によって情報を読み取って、情報を出力することができる。即ち、この発熱プローブ１９は熱記録媒体２２の入出力用プローブである。
【００３６】
図２は本発明に係る発熱プローブの第２実施形態の概略斜視図である。第１実施形態と同一部分には同一符号を打ってその作用効果の説明を省略する。第１実施形態と異なる部分は、接合電極膜５ｂ、６ｂをホルダー８に形成したことである。この内、接合電極膜５ｂは導電性ナノチューブリード線１２に代えて設けられている。
【００３７】
この接合電極膜５ｂは電極膜５と電気的に導通している。従って、導電性ナノチューブ探針１０の基端部１０ｂをコーティング被膜１４ａで固定するだけで、導電性ナノチューブ探針１０への電圧印加が可能になる。つまり、導電性ナノチューブリード線１２と融着部１３ｂ及びコーティング膜１４ｂが不要となり、これらの処理工程が割愛できる特徴を有している。また、リード先端部１６ｂは接合用電極膜６ｂに固定されるので、導電性ナノチューブリード線１６には短いものが使える利点がある。
【００３８】
接合電極膜５ｂの形成は電極膜５、６の形成工程と同時にできるので、前述した処理工程を省略できる点で製造コストの低下を実現できる。この発熱プローブ１９が熱記録媒体２２への情報入力とそれからの情報の読取り出力ができる点は第１実施形態と同様であるから、その詳細は省略する。
【００３９】
図３は熱記録媒体への記録開始の模式図である。熱記録媒体２２の表面２２ａに先端１０ｃを接近させて発熱プローブ１９を配置する。この状態で、通電すると、発熱プローブ１９の先端１０ｃが発熱し、表面２２ａを一部溶融して孔２３を形成する。
【００４０】
図４は熱記録媒体への多点記録の模式図である。発熱プローブ１９を熱記録媒体２２の表面２２ａに対し走査しながら、先端１０ｃを制御回路Ｃにより断続的に加熱すると、表面２２ａには多数の孔２３が形成される。この孔列のオンオフにより多数の情報が熱記録媒体２２に記録されて行く。
【００４１】
図５は記録された孔列の発熱プローブによるＡＦＭ読み取りを示す模式図である。発熱プローブ１９を元の位置に戻し、導電性ナノチューブ探針１０の先端を表面２２ａに接触させる。この状態で、発熱プローブをＡＦＭ走査し、先端１０ｃで孔列の凹凸パターンを読み取って行く。この読み取りが熱記録媒体２２からの情報出力になる。
【００４２】
図６は熱記録媒体の熱リセットを示す模式図である。孔列情報が記録された熱記録媒体２２の表面２２ａに対しヒータ２４を対向配置する。ヒータ２４により熱記録媒体２２の表面２２ａを加熱すると、表面２２ａの全面が熱溶融して孔列が一時に消去され、全面がフラットになる。記録された情報がリセットされたことを示す。走査型の線状ヒータを用いれば、走行操作することによって、面状ヒータと同様の作用効果を得ることができる。
【００４３】
図７は本発明に係る発熱プローブ装置の第１実施形態の構成図である。この発熱プローブ装置は発熱プローブ１９とその走査機構ＳＤから構成される。発熱プローブ１９は図示しないホルダーセット部に着脱自在に固定される。発熱プローブ１９の交換は発熱プローブ１９を取り替えることによって行われる。ホルダーセット部に固定した後、導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面２２ａに近接配置する。
【００４４】
熱記録媒体２２はピエゾ素子からなる走査駆動部２８によりＸＹＺ方向に駆動される。３０は半導体レーザー装置、３２は反射ミラー、３３は上検出器３３ａと下検出器３３ｂからなる二分割光検出器、３４はＸＹＺ走査回路、３５はＡＦＭ表示装置、３６はＺ軸検出回路である。
【００４５】
熱記録媒体２２の表面２２ａは水平性と平滑性を有しており、先端１０ｃをＺ方向に所要距離まで接近させた後は、走査駆動部２８により発熱プローブ１９をＸＹ方向に走査する。これらの駆動はＸＹＺ走査回路３４に制御され、表面２２ａの打孔点の走査図がＡＦＭ表示装置３５に表示される。このようにして、熱記録媒体２２の表面２２ａに情報が孔列として記録されて行く。
【００４６】
次に、打孔された孔列の読み取り、即ち記録情報をこの発熱プローブ装置２６により出力する。まず、導電性ナノチューブプローブ１０の先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面２２ａに、所定の斥力位置になるまで、接近させる。その後、Ｚ位置を固定した状態で、走査回路３４で走査駆動部２８をＸＹ走査する。
【００４７】
このとき、表面原子の凹凸でカンチレバー２が撓み、反射したレーザービームＬＢが二分割光検出器３３に位置変位して入射する。上下の検出器３３ａ、３３ｂの光検出量の差からＺ軸方向の変位量をＺ軸検出回路３６で算出し、この変位量を打ち消すようにＺ位置を調節する。これを表面の凹凸量としてＡＦＭ表示装置３５に表面原子像を表示する。
【００４８】
この表面凹凸像は記録されている孔列像であり、孔列像の検出により記録情報の内容が出力されたことになる。この装置では、熱記録媒体２２をＸＹＺ走査する構成にしているが、発熱プローブ１９をＸＹＺ走査しても構わない。
【００４９】
図７では光てこ方式で試料表面像を検出したが、圧電体方式も開発されている。カンチレバー部に圧電体を配置しておき、カンチレバー部の撓みを圧電体の変形で検出し、その変形量に比例して発生する電圧でＺ軸変位、即ち凹凸量を検出するものである。この圧電体方式を利用することもできる。
【００５０】
図８は本発明に係る発熱プローブ装置の第２実施形態の構成図である。この例では、ＡＦＭ用カンチレバーを使用せず、ＳＴＭ用ホルダーを使用している。ここでＳＴＭは走査型トンネル顕微鏡を意味する。このホルダー８は絶縁性の平板状のホルダーで、これに導電性ナノチューブ探針１０を融着及びコーティング膜により固着して構成されている。
【００５１】
導電性ナノチューブ探針１０とホルダー８との具体的構成は図１又は図２と全く同様であるため、詳細は図示していない。しかし、その構成を説明すると、導電性ナノチューブ探針１０の外周面に発熱体が堆積され、この発熱体に導電性ナノチューブリード線の一端が固定される。この導電性ナノチューブリード線の他端と導電性ナノチューブ探針１０の基端部１０ｂには２本の電極膜を介して電圧印加用の制御回路が接続される。この制御回路により前記発熱体を通電発熱させて導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃを発熱点とする。
【００５２】
このホルダー８をホルダーセット部２５の切り溝２５ａに嵌合してバネ圧で着脱自在に固定する。Ｘピエゾ２８ｘ、Ｙピエゾ２８ｙ、Ｚピエゾ２８ｚからなる走査駆動部２８は、ホルダーセット部２５をＸＹＺの３次元方向に伸縮操作して発熱プローブ１９の熱記録媒体２２に対する走査を実現する。３８はトンネル電流検出回路、３９はＺ軸制御回路、４０はＳＴＭ表示装置、４１はＸＹ走査回路である。
【００５３】
まず、Ｚ軸制御回路３９で導電性ナノチューブ探針１０の先端１０ｃを熱記録媒体２２の表面２２ａに所定距離まで接近させる。その後、ＸＹ走査回路４１により先端１０ｃを走査しながら、熱記録媒体２２の表面２２ａに孔列を溶融形成して情報を入力する。
【００５４】
次に、記録された孔列情報をＳＴＭ走査により読み取り、情報出力を行う。即ち、各ＸＹ位置においてトンネル電流が一定になるようにＺ軸制御回路３９で先端１０ｃをＺ方向に伸縮制御し、この移動量がＺ軸方向の凹凸量になる。発熱プローブ１９をＸＹ走査するに従いＳＴＭ表示装置４０に孔列の表面原子像が表示される。本実施形態では、発熱プローブ１９を交換する場合には、ホルダー８をホルダーセット部２５から取り外し、発熱プローブ１９の全体を一体で交換する。
【００５５】
以上の例では、発熱プローブを熱記録媒体の入出力プローブとして利用したが、他の利用方法も存在する。以下では、熱記録媒体に代えて試料を配置する。例えば、試料表面の温度分布を測定するプローブとして利用する。プローブを試料表面に近接させると発熱体が試料表面の温度に感応して発熱体の抵抗値が変化し、発熱体に所定電圧を印加しておくと、電流が変化する。この状態でプローブを試料表面に対し走査すると、温度分布に応じて抵抗値が連続的に変化し、この電流変化により試料表面の温度分布を測定することができる。
【００５６】
他の例では、試料表面の熱伝導度分布を測定するプローブとして利用できる。発熱体に所定電圧を印加して一定量の発熱率で発熱させる。このプローブを試料表面に接近させると、熱が試料表面に熱伝導度に従って散逸してゆく。この放熱率に従って発熱体が冷却されて抵抗値が変化し、この抵抗変化が電流変化を生起する。この電流変化により試料表面の熱伝導度分布が測定できる。
【００５７】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における種々の変形例、設計変更などをその技術的範囲内に包含することは云うまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、ホルダーに発熱体を形成した導電性ナノチューブ探針を固定して発熱プローブを構成し、発熱体を通電させて導電性ナノチューブ探針の先端を試料表面に接近させるから、試料が熱記録媒体の場合には前記先端が発熱点となり、溶融形成される孔径を最小でも数ｎｍにまで極小化でき、熱記録密度を飛躍的に向上させることができる。また、試料表面の温度分布や熱伝導度分布などの熱情報を検出する場合には、ナノスケールの精度で熱情報を検出することができる。
【００５９】
請求項２の発明によれば、ＡＦＭ用カンチレバーの突出部をホルダーとして用い、このホルダーに導電性ナノチューブ探針を固定して発熱プローブを構成するから、蓄積されたカンチレバーの製造技術を直ちに適用して比較的容易に発熱プローブを安価に供給できる。
【００６０】
請求項３の発明によれば、ＡＦＭ用カンチレバーを活用すると共に、２本の導電性ナノチューブリード線を用いて発熱体に通電するから、導電性ナノチューブリード線の柔軟性により発熱体通電用の電極構成が簡単に構成できる。
【００６１】
請求項４の発明によれば、発熱プローブとその走査機構と発熱用の制御回路から発熱プローブ装置を構成したから、走査機構としてＡＦＭ走査機構やＳＴＭ走査機構を導入すれば、試料の熱情報を高精度に読み取ることができる。
【００６２】
請求項５の発明によれば、熱記録媒体に対し、情報をナノスケールの孔パターンで高密度に記録でき、しかもその情報の読み取りも可能であり、熱記録媒体に対する情報の入出力を高密度且つ高精度に行うことができる。
【００６３】
請求項６の発明によれば、この発熱プローブを用いて、発熱体からの放熱量変化又は発熱体の抵抗変化により試料表面の熱伝導度分布をナノスケールの意味で高精度に検出することができる。
【００６４】
請求項７の発明によれば、この発熱プローブを用いて、試料表面の温度分布を発熱体の抵抗変化としてナノスケールの意味で高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発熱プローブの第１実施形態の概略斜視図である。
【図２】本発明に係る発熱プローブの第２実施形態の概略斜視図である。
【図３】熱記録媒体への記録開始の模式図である。
【図４】熱記録媒体への多点記録の模式図である。
【図５】発熱プローブによる記録孔のＡＦＭ読み取りを示す模式図である。
【図６】熱記録媒体の熱リセットを示す模式図である。
【図７】本発明に係る発熱プローブ装置の第１実施形態の構成図である。
【図８】本発明に係る発熱プローブ装置の第２実施形態の構成図である。
【図９】従来の発熱プローブを用いて情報を記録する際の概略斜視図である。
【符号の説明】
２・・・・カンチレバー
４・・・・カンチレバー部
５・・・・電極膜
５ａ・・・接点
５ｂ・・・接合電極膜
６・・・・電極膜
６ａ・・・接点
６ｂ・・・接合電極膜
８・・・・ホルダー
１０・・・導電性ナノチューブ探針
１０ａ・・先端部
１０ｂ・・基端部
１０ｃ・・先端
１２・・・導電性ナノチューブリード線
１３ａ・・融着部
１３ｂ・・融着部
１４ａ・・コーティング膜
１４ｂ・・コーティング膜
１５・・・発熱体
１６・・・導電性ナノチューブリード線
１６ａ・・リード線端部
１６ｂ・・リード線端部
１７・・・融着部
１８・・・コーティング膜
１９・・・発熱プローブ
２０・・・電源
２１・・・スイッチ
２２・・・熱記録媒体
２２ａ・・表面
２３・・・孔
２４・・・ヒータ
２５・・・ホルダーセット部
２５ａ・・切り溝
２６・・・発熱プローブ装置
２８・・・走査駆動部
２８ｘ・・Ｘピエゾ
２８ｙ・・Ｙピエゾ
２８ｚ・・Ｚピエゾ
３０・・・半導体レーザー装置
３２・・・反射ミラー
３３・・・二分割光検出器
３３ａ・・上検出器
３３ｂ・・下検出器
３４・・・ＸＹＺ走査回路
３５・・・ＡＦＭ表示装置
３６・・・Ｚ軸検出回路
３８・・・トンネル電流検出回路
３９・・・Ｚ軸制御回路
４０・・・ＳＴＭ表示装置
４１・・・ＸＹ走査回路
Ｃ・・・・制御回路
ｄ、Ｄ・・孔径
ＳＤ・・・走査機構
Claims (7)
- ホルダーに基端部を固定して先端部が突設された導電性ナノチューブ探針と、この導電性ナノチューブ探針の周面に形成された発熱体と、この発熱体に固定された導電性ナノチューブリード線と、この導電性ナノチューブリード線と前記導電性ナノチューブ探針の両端に通電する手段から構成され、前記発熱体に通電することを特徴とする発熱プローブ。
- カンチレバー部に突出部を形成したＡＦＭ用カンチレバーを利用し、この突出部を前記ホルダーとして用い、カンチレバー部に２本の電極膜を形成し、前記導電性ナノチューブリード線の一端を一つの電極膜に接続し、導電性ナノチューブ探針を他の電極膜に接続し、両電極膜間に通電するように構成された請求項１に記載の発熱プローブ。
- カンチレバー部に突出部を形成したＡＦＭ用カンチレバーを利用し、この突出部を前記ホルダーとして用い、カンチレバー部に２本の電極膜を形成し、前記ナノチューブリード線の一端を一つの電極膜に接合し、導電性ナノチューブ探針と他の電極膜の間を他の導電性ナノチューブリード線で連結し、両電極膜間に通電するように構成された請求項１に記載の発熱プローブ。
- 請求項１、２又は３に記載の発熱プローブと、この発熱プローブの導電性ナノチューブ探針の先端を試料に対し走査する走査機構と、導電性ナノチューブ探針の先端を通電する制御回路からなり、導電性ナノチューブ探針の先端により試料表面を走査することを特徴とする発熱プローブ装置。
- 前記試料が熱記録媒体であり、発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端を加熱し、熱記録媒体の表面に孔パターンにより情報を記録する請求項４に記載の発熱プローブ装置。
- 発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端を加熱しながら試料表面を走査し、発熱体からの放熱量変化又は発熱体の抵抗変化により試料表面の熱伝導度分布を検出する請求項４に記載の発熱プローブ装置。
- 発熱プローブを用いて導電性ナノチューブ探針の先端により試料表面を走査し、試料表面の温度分布を発熱体の抵抗変化として検出する請求項４に記載の発熱プローブ装置。
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|---|---|---|---|---|
| US7073938B2 (en) * | 2001-10-31 | 2006-07-11 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromachined arrayed thermal probe apparatus, system for thermal scanning a sample in a contact mode and cantilevered reference probe for use therein |
| AU2002348934A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-30 | International Business Machines Corporation | Microstructures |
| JP4180289B2 (ja) | 2002-03-18 | 2008-11-12 | 喜萬 中山 | ナノチューブ先鋭化方法 |
| US6985377B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-10 | Nanochip, Inc. | Phase change media for high density data storage |
| JP4141811B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2008-08-27 | パイオニア株式会社 | 情報記録読取ヘッド |
| US7448798B1 (en) * | 2003-06-18 | 2008-11-11 | Veeco Instruments Inc. | Scanning thermal probe microscope |
| US7474602B2 (en) * | 2003-06-19 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Data storage device comprising write head with carbon element |
| WO2005004141A2 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device and method for making a master record carrier for use in making a stamper |
| US20050088173A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-04-28 | Abraham David W. | Method and apparatus for tunable magnetic force interaction in a magnetic force microscope |
| US7541062B2 (en) * | 2004-08-18 | 2009-06-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermal control of deposition in dip pen nanolithography |
| US7690838B2 (en) * | 2005-04-21 | 2010-04-06 | Chikayoshi Sumi | Thermal properties measurement apparatus |
| WO2007030483A2 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Nantero, Inc. | Method and system of using nanotube fabrics as joule heating elements for memories and other applications |
| CN1937094A (zh) * | 2005-09-22 | 2007-03-28 | 清华大学 | 扫描热显微镜探针 |
| JP2007212390A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Kyushu Univ | ナノスケールの熱センサ及び加熱プローブ |
| US20070291623A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Nanochip, Inc. | Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip |
| US20070290282A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Nanochip, Inc. | Bonded chip assembly with a micro-mover for microelectromechanical systems |
| US20070121477A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-05-31 | Nanochip, Inc. | Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip |
| KR100817309B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-03-27 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 데이터 저장 장치 및 그 기록/재생 방법 |
| US20080074984A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Nanochip, Inc. | Architecture for a Memory Device |
| WO2009054507A1 (ja) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Japan Science And Technology Agency | 光電場増幅素子とそれを用いたプローブ |
| JP5252543B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2013-07-31 | アルバック理工株式会社 | 複数点の電圧と温度の計測方法 |
| JP5461917B2 (ja) * | 2009-08-12 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 軟化点測定装置および熱伝導測定装置 |
| EP3553494A1 (en) | 2009-11-27 | 2019-10-16 | Hysitron, Inc. | Micro electro-mechanical heater |
| US8631687B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-01-21 | Hysitron, Inc. | Indenter assembly |
| US8384020B2 (en) * | 2010-09-24 | 2013-02-26 | Ut-Battelle, Llc | Spatially resolved thermal desorption/ionization coupled with mass spectrometry |
| WO2013074623A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | Roger Schmitz | Probe tip heating assembly |
| JP6574933B2 (ja) | 2011-11-28 | 2019-09-18 | ブルカー ナノ インコーポレイテッドＢｒｕｋｅｒ Ｎａｎｏ，Ｉｎｃ． | 高温加熱システム |
| EP2861934B1 (en) | 2012-06-13 | 2017-05-03 | Hysitron, Inc. | Environmental conditioning assembly for use in mechanical testing at micron or nano-scales |
| US9285279B2 (en) * | 2012-09-06 | 2016-03-15 | Ut-Battelle, Llc | Electronic thermometry in tunable tunnel junction |
| US10067006B2 (en) | 2014-06-19 | 2018-09-04 | Elwha Llc | Nanostructure sensors and sensing systems |
| DE102014218136B4 (de) * | 2014-09-10 | 2019-07-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermographische Untersuchungseinrichtung sowie Verfahren zur zerstörungsfreien Untersuchung einer oberflächennahen Struktur an einem Prüfobjekt |
| US10285220B2 (en) | 2014-10-24 | 2019-05-07 | Elwha Llc | Nanostructure heaters and heating systems and methods of fabricating the same |
| US10785832B2 (en) | 2014-10-31 | 2020-09-22 | Elwha Llc | Systems and methods for selective sensing and selective thermal heating using nanostructures |
| CN110146726B (zh) * | 2019-05-22 | 2022-06-14 | 季华实验室 | 用于控制探针温度的方法 |
| CN110143568B (zh) * | 2019-05-22 | 2022-03-29 | 季华实验室 | 在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法 |
| CN110127589B (zh) * | 2019-05-22 | 2022-03-29 | 季华实验室 | 用于加工衬底材料的钝化层的探针 |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747698A (en) * | 1986-04-30 | 1988-05-31 | International Business Machines Corp. | Scanning thermal profiler |
| DE3772563D1 (de) * | 1987-06-22 | 1991-10-02 | Ibm | Verfahren zur oberflaechenuntersuchung mit nanometer- und pikosekundenaufloesung sowie laserabgetastetes rastertunnelmikroskop zur durchfuehrung des verfahrens. |
| JPH02311702A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Olympus Optical Co Ltd | 走査型トンネル顕微鏡装置 |
| US4954704A (en) * | 1989-12-04 | 1990-09-04 | Digital Instruments, Inc. | Method to increase the speed of a scanning probe microscope |
| US5356218A (en) * | 1993-05-04 | 1994-10-18 | Motorola, Inc. | Probe for providing surface images |
| US5441343A (en) * | 1993-09-27 | 1995-08-15 | Topometrix Corporation | Thermal sensing scanning probe microscope and method for measurement of thermal parameters of a specimen |
| US5475318A (en) * | 1993-10-29 | 1995-12-12 | Robert B. Marcus | Microprobe |
| US5751683A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | General Nanotechnology, L.L.C. | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
| JPH09196940A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Nikon Corp | 微小熱電対付きカンチレバー |
| US5929438A (en) * | 1994-08-12 | 1999-07-27 | Nikon Corporation | Cantilever and measuring apparatus using it |
| JPH08257926A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-08 | Nikon Corp | ホルダー付きマイクログリッパー |
| IL113551A0 (en) * | 1995-04-30 | 1995-07-31 | Fish Galina | Tapered structure suitable for microthermocouples microelectrodes field emission tips and micromagnetic sensors with force sensing capabilities |
| US5824470A (en) * | 1995-05-30 | 1998-10-20 | California Institute Of Technology | Method of preparing probes for sensing and manipulating microscopic environments and structures |
| US5772325A (en) * | 1995-11-20 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Apparatus for providing surface images and method for making the apparatus |
| US6095679A (en) * | 1996-04-22 | 2000-08-01 | Ta Instruments | Method and apparatus for performing localized thermal analysis and sub-surface imaging by scanning thermal microscopy |
| DE69728410T2 (de) * | 1996-08-08 | 2005-05-04 | William Marsh Rice University, Houston | Makroskopisch manipulierbare, aus nanoröhrenanordnungen hergestellte vorrichtungen |
| DE19635264C1 (de) * | 1996-08-30 | 1998-04-16 | Max Planck Gesellschaft | Thermoelektrische Mikrosonde |
| JP2870517B2 (ja) * | 1997-01-31 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 熱伝導率測定プローブおよび熱伝導率測定装置および方法 |
| JPH1114468A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Nikon Corp | カンチレバー及びそれを用いた走査型温度分布計測装置 |
| US6071009A (en) * | 1997-10-03 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wirebond machine leadframe thermal map system |
| US6159742A (en) * | 1998-06-05 | 2000-12-12 | President And Fellows Of Harvard College | Nanometer-scale microscopy probes |
| US6146227A (en) * | 1998-09-28 | 2000-11-14 | Xidex Corporation | Method for manufacturing carbon nanotubes as functional elements of MEMS devices |
| KR100398276B1 (ko) * | 1998-12-03 | 2003-09-19 | 다이켄카가쿠 코교 가부시키가이샤 | 전자장치의 표면신호조작용 프로우브 및 그 제조방법 |
| JP3766682B2 (ja) * | 1999-05-16 | 2006-04-12 | 喜萬 中山 | ナノチューブプローブ |
| US6233206B1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-15 | International Business Machines Corporation | High density magnetic thermal recording and reproducing assembly |
| JP2001198900A (ja) * | 2000-01-22 | 2001-07-24 | Yoshikazu Nakayama | 超微細探針によるリソグラフィ法 |
| JP3973359B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2007-09-12 | 喜萬 中山 | 静電ナノピンセット及びこれを用いたナノマニピュレータ装置 |
| WO2001066460A1 (en) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Daiken Chemical Co., Ltd. | Nanotweezers and nanomanipulator |
| JP3638504B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2005-04-13 | 喜萬 中山 | ナノ磁気ヘッド及びこれを用いたナノ磁気ヘッド装置 |
| JP3638865B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2005-04-13 | 喜萬 中山 | ナノチューブ端子を用いた四端子測定装置 |
| WO2002022499A1 (en) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | President And Fellows Of Harvard College | Fabrication of nanotube microscopy tips |
| US6743408B2 (en) * | 2000-09-29 | 2004-06-01 | President And Fellows Of Harvard College | Direct growth of nanotubes, and their use in nanotweezers |
| JP3811004B2 (ja) * | 2000-11-26 | 2006-08-16 | 喜萬 中山 | 導電性走査型顕微鏡用プローブ |
| JP3809342B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2006-08-16 | 喜萬 中山 | 受発光プローブ及び受発光プローブ装置 |
| JP3527947B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2004-05-17 | 北海道大学長 | プローブ及びその製造方法並びにプローブを有する顕微鏡及びテスタ |
| US6735046B2 (en) * | 2001-11-21 | 2004-05-11 | Yoshikazu Nakayama | Nano-magnetic head and nano-magnetic head device using the same |
| JP2004093352A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Seiko Instruments Inc | 極微小多探針プローブの製造方法及び表面特性解析装置 |
| KR20060058085A (ko) * | 2003-07-08 | 2006-05-29 | 큐나노 에이비 | 나노위스커를 통합하는 프로브 구조체, 그 제조 방법, 및나노위스커를 형성하는 방법 |
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