JPH08315434A - 情報処理装置 - Google Patents
情報処理装置Info
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- JPH08315434A JPH08315434A JP14392295A JP14392295A JPH08315434A JP H08315434 A JPH08315434 A JP H08315434A JP 14392295 A JP14392295 A JP 14392295A JP 14392295 A JP14392295 A JP 14392295A JP H08315434 A JPH08315434 A JP H08315434A
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- Japan
- Prior art keywords
- probe
- recording
- recording medium
- information processing
- processing apparatus
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1409—Heads
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
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- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、複雑な構成の光学系を用いずに熱ア
シスト記録が行えると共に、その良好な再生の行える情
報処理装置を提供することを目的とするものである。 【構成】本発明は上記目的を達成するために、プローブ
をこれに対向する記録媒体に対して走査し情報の記録再
生等を行う情報処理装置において、局所的加熱により被
加熱部が機械的変形を生じる記録媒体と、前記プローブ
の探針部を加熱することができる電気ヒーターと、記録
すべき情報信号にしたがって前記電気ヒーターを駆動し
て前記プローブの探針部を加熱し、それによって前記記
録媒体表面上の任意の位置を局所的に形状変化させて記
録ビットを形成する電気ヒーター駆動手段とにより、光
学系を用いずに熱アシスト記録を再現性よく行えるよう
にしたものである。
シスト記録が行えると共に、その良好な再生の行える情
報処理装置を提供することを目的とするものである。 【構成】本発明は上記目的を達成するために、プローブ
をこれに対向する記録媒体に対して走査し情報の記録再
生等を行う情報処理装置において、局所的加熱により被
加熱部が機械的変形を生じる記録媒体と、前記プローブ
の探針部を加熱することができる電気ヒーターと、記録
すべき情報信号にしたがって前記電気ヒーターを駆動し
て前記プローブの探針部を加熱し、それによって前記記
録媒体表面上の任意の位置を局所的に形状変化させて記
録ビットを形成する電気ヒーター駆動手段とにより、光
学系を用いずに熱アシスト記録を再現性よく行えるよう
にしたものである。
Description
【０００１】
【産葉上の利用分野】本発明は走査型プローブ顕微鏡を
応用した高密度記録再生装置において、プローブを記録
媒体に接触させて情報の記録再生を行う情報処理装置に
関し、特に、上記プローブの先端部を加熱して記録媒体
上に形状変化を伴う記録ビットを形成することにより情
報の記録を行う情報処理装置に関する。
応用した高密度記録再生装置において、プローブを記録
媒体に接触させて情報の記録再生を行う情報処理装置に
関し、特に、上記プローブの先端部を加熱して記録媒体
上に形状変化を伴う記録ビットを形成することにより情
報の記録を行う情報処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、米国特許第４３４３９９号明細書
に記載されているようなナノメートル以下の分解能で導
電性物質表面を観察可能な走査型トンネル顕微鏡（以下
ＳＴＭと略す）が開発され、金属・半導体表面の原子配
列や有機分子の配向等の観察がなされている。また、こ
のＳＴＭ技術を発展させ、電気的絶縁物質を含むあらゆ
る固体材料の表面をＳＴＭと同様の分解能で観察可能な
原子間力顕徴鏡（以下ＡＦＭと略す）も開発された（米
国特許第４７２４３１８号明細書）。こうしたＳＴＭや
ＡＦＭの原理を用いると、分子あるいは原子サイズを含
む極めて微小な領域にアクセスでき、また係る領域にお
ける何らかの物理量、例えば導電性、機械的形状、分子
間力など、を測定することができるので、これらを高密
度記録再生装置として利用する提案がこれまでに数多く
なされている（例えば、米国特許第４５７５８２２号明
細書、特開昭６３−１６１５５２号公報、特開昭６３−
１６１５５３号公報、特開平１−２４５４４５号公報、
特開平４−３２１９５５号公報など）。ＡＦＭの原理を
用いて記録再生装置を構成する場合、記録媒体表面を局
所的に機械的あるいは摩擦的（表面エネルギー的）に変
形・変質せしめたものを記録ビットとして利用すること
になる。ここで、こうした記録ビットが予め記録媒体に
設けられていて、ＡＦＭを再生装置としてのみ利用する
（すなわちＲｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）のであ
れば問題はないが、記録をも行う場合には、記録媒体に
対して何らかのエネルギーを印加し記録ビットを形成す
ることのできる手段が必要となる。ＡＦＭ自身が記録媒
体に印加可能な物理量としては、プローブ先端の探針か
ら記録媒体表面に加えられる荷重がある。記録媒体面上
の所望の位置で係る荷重を変更する、つまりより具体的
には、プローブと媒体表面との距離を近づけて探針を記
録媒体表面に押し込むことによって、上記記録ビットを
形成する方法が考えられる。
に記載されているようなナノメートル以下の分解能で導
電性物質表面を観察可能な走査型トンネル顕微鏡（以下
ＳＴＭと略す）が開発され、金属・半導体表面の原子配
列や有機分子の配向等の観察がなされている。また、こ
のＳＴＭ技術を発展させ、電気的絶縁物質を含むあらゆ
る固体材料の表面をＳＴＭと同様の分解能で観察可能な
原子間力顕徴鏡（以下ＡＦＭと略す）も開発された（米
国特許第４７２４３１８号明細書）。こうしたＳＴＭや
ＡＦＭの原理を用いると、分子あるいは原子サイズを含
む極めて微小な領域にアクセスでき、また係る領域にお
ける何らかの物理量、例えば導電性、機械的形状、分子
間力など、を測定することができるので、これらを高密
度記録再生装置として利用する提案がこれまでに数多く
なされている（例えば、米国特許第４５７５８２２号明
細書、特開昭６３−１６１５５２号公報、特開昭６３−
１６１５５３号公報、特開平１−２４５４４５号公報、
特開平４−３２１９５５号公報など）。ＡＦＭの原理を
用いて記録再生装置を構成する場合、記録媒体表面を局
所的に機械的あるいは摩擦的（表面エネルギー的）に変
形・変質せしめたものを記録ビットとして利用すること
になる。ここで、こうした記録ビットが予め記録媒体に
設けられていて、ＡＦＭを再生装置としてのみ利用する
（すなわちＲｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）のであ
れば問題はないが、記録をも行う場合には、記録媒体に
対して何らかのエネルギーを印加し記録ビットを形成す
ることのできる手段が必要となる。ＡＦＭ自身が記録媒
体に印加可能な物理量としては、プローブ先端の探針か
ら記録媒体表面に加えられる荷重がある。記録媒体面上
の所望の位置で係る荷重を変更する、つまりより具体的
には、プローブと媒体表面との距離を近づけて探針を記
録媒体表面に押し込むことによって、上記記録ビットを
形成する方法が考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方式では、レバーをバイモルフ構造にするなど
して探針の押し込み量を走査中に自在に変更できる機構
を導入する必要があり、また係る探針の押し込みによっ
て記録媒体上に不可逆な局所的変形・変質を安定に形成
するためには、記録媒体の材質、探針の形状、押し込み
量（荷重）など様々な因子の最適化が必要であり、更に
は押し込み時において、探針が変形・破壊する可能性が
ある、などの問題点がある。このような問題を排除し、
比較的簡単に再現性よく多数の記録ビットをＡＦＭプロ
ーブを用いて形成する手法として、熱アシスト記録方式
がＨ．Ｊ．Ｍａｍｉｎ及びＤ．Ｒｕｇｌｅｒによって提
案されている（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ誌，第６１巻１００３−１００５頁，１９９
２年）。ここでは，記録媒体として透明材料を用いてお
り、情報の記録は、前記媒体表面に機械的変化形がもた
らされない程度の荷重でＡＦＭプローブを走査しなが
ら、係る記録媒体の裏面（ＡＦＭプローブが配置されて
いない側）からレーザ光をＡＦＭプローブ先端の探針に
集光するように照射することによって行われる。即ちレ
ーザ光によって係る探針が一時的に加熱され、その結
果、該探針と接触している記録媒体表面の一部分が熱的
に変形され凹ビットが形成される。記録の再生は勿論レ
ーザ光を照射することなく、通常のＡＦＭ観察と同様、
ＡＦＭプローブ（レバー）の弾性変形量を光梃子方式で
検出することにより行われる。この方式では、記録媒体
としてＰＭＭＡを用いた場合、直径１５０ｎｍ程度の凹
構造ビットを再現性よく作成可能であることが示されて
いるが、これにおいても、レバーの弾性変形量を測定す
るレーザ光学系と探針の加熱に用いられるレーザ光学系
との２つの光学系が必要であり、システムが複雑になっ
てしまうという弱点を有している。
た従来の方式では、レバーをバイモルフ構造にするなど
して探針の押し込み量を走査中に自在に変更できる機構
を導入する必要があり、また係る探針の押し込みによっ
て記録媒体上に不可逆な局所的変形・変質を安定に形成
するためには、記録媒体の材質、探針の形状、押し込み
量（荷重）など様々な因子の最適化が必要であり、更に
は押し込み時において、探針が変形・破壊する可能性が
ある、などの問題点がある。このような問題を排除し、
比較的簡単に再現性よく多数の記録ビットをＡＦＭプロ
ーブを用いて形成する手法として、熱アシスト記録方式
がＨ．Ｊ．Ｍａｍｉｎ及びＤ．Ｒｕｇｌｅｒによって提
案されている（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ誌，第６１巻１００３−１００５頁，１９９
２年）。ここでは，記録媒体として透明材料を用いてお
り、情報の記録は、前記媒体表面に機械的変化形がもた
らされない程度の荷重でＡＦＭプローブを走査しなが
ら、係る記録媒体の裏面（ＡＦＭプローブが配置されて
いない側）からレーザ光をＡＦＭプローブ先端の探針に
集光するように照射することによって行われる。即ちレ
ーザ光によって係る探針が一時的に加熱され、その結
果、該探針と接触している記録媒体表面の一部分が熱的
に変形され凹ビットが形成される。記録の再生は勿論レ
ーザ光を照射することなく、通常のＡＦＭ観察と同様、
ＡＦＭプローブ（レバー）の弾性変形量を光梃子方式で
検出することにより行われる。この方式では、記録媒体
としてＰＭＭＡを用いた場合、直径１５０ｎｍ程度の凹
構造ビットを再現性よく作成可能であることが示されて
いるが、これにおいても、レバーの弾性変形量を測定す
るレーザ光学系と探針の加熱に用いられるレーザ光学系
との２つの光学系が必要であり、システムが複雑になっ
てしまうという弱点を有している。
【０００４】そこで、本発明は上記問題を解決し、複雑
な構成の光学系を用いずに熱アシスト記録が行えると共
に、その良好な再生の行える情報処理装置を提供するこ
とを目的とするものである。
な構成の光学系を用いずに熱アシスト記録が行えると共
に、その良好な再生の行える情報処理装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、プローブをこれに対向する記録媒体に対し
て走査し情報の記録再生等を行う情報処理装置におい
て、局所的加熱により被加熱部が機械的変形を生じる記
録媒体と、前記プローブの探針部を加熱することができ
る電気ヒーターと、記録すべき情報信号にしたがって前
記電気ヒーターを駆動して前記プローブの探針部を加熱
し、それによって前記記録媒体表面上の任意の位置を局
所的に形状変化させて記録ビットを形成する電気ヒータ
ー駆動手段とにより、光学系を用いずに熱アシスト記録
を再現性よく行えるようにしたものである。本発明のプ
ローブは、弾性体レバーとその先端部に設けられた探針
とによって構成され、前記した電気ヒーター駆動手段
は、その局所的な形状変化として凹形状の記録ビットを
形成するように構成することができる。また、本発明の
前記した電気ヒーターは、プローブ上に発熱抵抗体によ
り形成することができ、その材料としては、ニッケル・
クロム合金または窒化タンタル等のタンタル化合物また
は酸化錫であることが好ましい。本発明においては、こ
の情報処理装置に、プローブの垂直方向移動機構を備え
させ、前記プローブにおける探針の前記記録媒体表面へ
の接触圧力を変更するように構成することができる。さ
らに、その記録の再生は、前記記録媒体上を前記プロー
ブが走査する際に生ずる該プローブのレバー部の弾性変
形量を検出する弾性変形量検出手段と、該弾性変形量検
出手段から出力される弾性変形量検出信号から情報が記
録された前記記録媒体表面の前記局所的形状変化を検知
することによって情報の再生を行う手段とで行うように
することができる。
成するため、プローブをこれに対向する記録媒体に対し
て走査し情報の記録再生等を行う情報処理装置におい
て、局所的加熱により被加熱部が機械的変形を生じる記
録媒体と、前記プローブの探針部を加熱することができ
る電気ヒーターと、記録すべき情報信号にしたがって前
記電気ヒーターを駆動して前記プローブの探針部を加熱
し、それによって前記記録媒体表面上の任意の位置を局
所的に形状変化させて記録ビットを形成する電気ヒータ
ー駆動手段とにより、光学系を用いずに熱アシスト記録
を再現性よく行えるようにしたものである。本発明のプ
ローブは、弾性体レバーとその先端部に設けられた探針
とによって構成され、前記した電気ヒーター駆動手段
は、その局所的な形状変化として凹形状の記録ビットを
形成するように構成することができる。また、本発明の
前記した電気ヒーターは、プローブ上に発熱抵抗体によ
り形成することができ、その材料としては、ニッケル・
クロム合金または窒化タンタル等のタンタル化合物また
は酸化錫であることが好ましい。本発明においては、こ
の情報処理装置に、プローブの垂直方向移動機構を備え
させ、前記プローブにおける探針の前記記録媒体表面へ
の接触圧力を変更するように構成することができる。さ
らに、その記録の再生は、前記記録媒体上を前記プロー
ブが走査する際に生ずる該プローブのレバー部の弾性変
形量を検出する弾性変形量検出手段と、該弾性変形量検
出手段から出力される弾性変形量検出信号から情報が記
録された前記記録媒体表面の前記局所的形状変化を検知
することによって情報の再生を行う手段とで行うように
することができる。
【０００６】
【作用】本発明は、上記のように光学系によることな
く、探針の電気的加熱により記録ビツトの形成を行うよ
うにしたものであるから、従来のように装置構成が複雑
となることなく、また、複数の記録再生用プローブを用
いる場合にも、これらを簡単にシステムに導入すること
が可能となる。さらに、ビツトの形成手段に光学系を必
要としないから、記録媒体が透明なものに限定されるこ
とはなく、不透明なものも用いることができる。本発明
は以上のような特徴を有するものであるが、その効果を
より発揮させる上で、その電気ヒーター及び記録媒体の
形成につき、つぎのようなことに留意することが望まれ
る。記録を瞬時（高速）に行うためには、電気ヒーター
の特性として通電時においては探針を急速に加熱するこ
とができ、遮断時には急速に自然放冷される必要があ
る。そこで本発明の電気ヒーターはできるだけ探針に近
づけて配置し、さらに探針付近のみを局所的に加熱でき
るような大きさにする必要がある。その最も極端な例は
探針そのものを電気ヒーター材料で形成することであ
る。この場合にはＡＦＭ探針として好ましい先端形状に
なるように、該電気ヒーター材料を整形・加工する必要
が生じる。係る整形・加工は必ずしも容易ではない。そ
こで電気ヒーターを薄膜化し、従来の探針表面を係る薄
膜でコーティングするか、もしくは探針のできるだけ近
傍に配置することが考えられる。（レバー面の探針が配
置されていない側、例えば丁度探針配置部の裏面、に配
置してもよい）。この場合には、電気ヒーターをできる
だけ小型・薄膜化して、レバー部の弾性特性を損なわな
いようにしなければならない。係る観点から現状最も好
ましい電気ヒーターとして、従来感熱記録に利用されて
いる発熱抵抗体薄膜を挙げることができる。係る発熱抵
抗体を構成する材料としては、ニッケル−クロミウム合
金や酸化錫などがあるが、現状では窒化タンタル（Ｔａ
2Ｎ）が熱応答性に最も優れる材料とされる（高野陸
男，松永光司，上西勝三，柴田 進，電子通信学会論文
誌，第５８−Ｃ巻（１９７５年），２５９−２６５
頁）。本発明に使用されるべき発熱抵抗体材料として
は、上記材料のみに限定されるものではないが、高速応
答性や繰り返し再現性の観点から現状では窒化タンタル
によるのが好ましい。尚、発熱抵抗体を保護する等の目
的で、係る発熱抵抗体の表面を適当な保護層、例えばＳ
ｉＯ2やＴａ2Ｏ5、で被覆してもよい。このほか、発熱
抵抗体に通電するための配線をレバー上に作成する必要
がある。以上述べた、発熱抵抗体、保護層、配線は従来
公知のフォトリソグラフィー技術を用いてプローブ上に
構築される。本発明に用いられる記録媒体としては、局
所的加熱によって被加熱部が機械的に変形するような材
料であればどのようなものでもよい。機械的変形として
は、例えば膨張・収縮等の塑性変形、昇華、発泡などが
あるが、勿論これらに限定されるものではなく、記録情
報の再生時にその機械的変形が感度よく検出されるもの
であれば何でもよい。勿論変形に要する加熱エネルギー
の照射量が小さく、かつその照射時間が短くて済むほど
都合がよいことはいうまでもない。また変形領域はあく
までも被加熱部及びその近傍に限定されるべきであっ
て、広大な領域が爆発的に変形してしまうようなもの
は、記録密度の低下を招くので好ましくない。また、記
録部と非記録部との形態的差異が明確である必要がある
ので、もともとの記録媒体表面はできるだけ平滑である
ことが望ましい。更には探針の走査に耐えることのでき
る程度の強度は不可欠であり、係る探針走査によって表
面がおおきく変形したり剥離してしまうようなものは利
用不可能である。以上述べた様々な要請を満たす材料と
して、有機高分子材料を挙げることができる。より具体
的には、ポリメチルメタクリレートやポリイソブチルメ
タクリレート等のメタクリル酸ポリマーや、各種ナイロ
ン、ポリアクリル、ポリカーボネート、各種ポリペプチ
ド等を利用することが可能である。以上述べた記録材料
はそれ自体で記録媒体として用いてもよいが、通常は適
当な基板上に記録層として堆積される。後者の場合、基
板の表面平滑性は記録層の表面平滑性に大きな影響を及
ぼすので、できるだけ平滑であることが望ましく、例え
ば、Ｓｉウエハ等の利用が好ましい。尚、本発明におい
ては、記録媒体は透明である必要はなく、不透明なもの
も全く問題なく利用可能である。例えば記録媒体を構成
する基板が金属電極を含むものとしてもよく、その場
合、探針のｚ方向変位量をレバーと係る金属電極との間
の静電容量の変化として検出することも可能となり、こ
の場合、システムから光学系を完全に取り除くことが可
能となる。
く、探針の電気的加熱により記録ビツトの形成を行うよ
うにしたものであるから、従来のように装置構成が複雑
となることなく、また、複数の記録再生用プローブを用
いる場合にも、これらを簡単にシステムに導入すること
が可能となる。さらに、ビツトの形成手段に光学系を必
要としないから、記録媒体が透明なものに限定されるこ
とはなく、不透明なものも用いることができる。本発明
は以上のような特徴を有するものであるが、その効果を
より発揮させる上で、その電気ヒーター及び記録媒体の
形成につき、つぎのようなことに留意することが望まれ
る。記録を瞬時（高速）に行うためには、電気ヒーター
の特性として通電時においては探針を急速に加熱するこ
とができ、遮断時には急速に自然放冷される必要があ
る。そこで本発明の電気ヒーターはできるだけ探針に近
づけて配置し、さらに探針付近のみを局所的に加熱でき
るような大きさにする必要がある。その最も極端な例は
探針そのものを電気ヒーター材料で形成することであ
る。この場合にはＡＦＭ探針として好ましい先端形状に
なるように、該電気ヒーター材料を整形・加工する必要
が生じる。係る整形・加工は必ずしも容易ではない。そ
こで電気ヒーターを薄膜化し、従来の探針表面を係る薄
膜でコーティングするか、もしくは探針のできるだけ近
傍に配置することが考えられる。（レバー面の探針が配
置されていない側、例えば丁度探針配置部の裏面、に配
置してもよい）。この場合には、電気ヒーターをできる
だけ小型・薄膜化して、レバー部の弾性特性を損なわな
いようにしなければならない。係る観点から現状最も好
ましい電気ヒーターとして、従来感熱記録に利用されて
いる発熱抵抗体薄膜を挙げることができる。係る発熱抵
抗体を構成する材料としては、ニッケル−クロミウム合
金や酸化錫などがあるが、現状では窒化タンタル（Ｔａ
2Ｎ）が熱応答性に最も優れる材料とされる（高野陸
男，松永光司，上西勝三，柴田 進，電子通信学会論文
誌，第５８−Ｃ巻（１９７５年），２５９−２６５
頁）。本発明に使用されるべき発熱抵抗体材料として
は、上記材料のみに限定されるものではないが、高速応
答性や繰り返し再現性の観点から現状では窒化タンタル
によるのが好ましい。尚、発熱抵抗体を保護する等の目
的で、係る発熱抵抗体の表面を適当な保護層、例えばＳ
ｉＯ2やＴａ2Ｏ5、で被覆してもよい。このほか、発熱
抵抗体に通電するための配線をレバー上に作成する必要
がある。以上述べた、発熱抵抗体、保護層、配線は従来
公知のフォトリソグラフィー技術を用いてプローブ上に
構築される。本発明に用いられる記録媒体としては、局
所的加熱によって被加熱部が機械的に変形するような材
料であればどのようなものでもよい。機械的変形として
は、例えば膨張・収縮等の塑性変形、昇華、発泡などが
あるが、勿論これらに限定されるものではなく、記録情
報の再生時にその機械的変形が感度よく検出されるもの
であれば何でもよい。勿論変形に要する加熱エネルギー
の照射量が小さく、かつその照射時間が短くて済むほど
都合がよいことはいうまでもない。また変形領域はあく
までも被加熱部及びその近傍に限定されるべきであっ
て、広大な領域が爆発的に変形してしまうようなもの
は、記録密度の低下を招くので好ましくない。また、記
録部と非記録部との形態的差異が明確である必要がある
ので、もともとの記録媒体表面はできるだけ平滑である
ことが望ましい。更には探針の走査に耐えることのでき
る程度の強度は不可欠であり、係る探針走査によって表
面がおおきく変形したり剥離してしまうようなものは利
用不可能である。以上述べた様々な要請を満たす材料と
して、有機高分子材料を挙げることができる。より具体
的には、ポリメチルメタクリレートやポリイソブチルメ
タクリレート等のメタクリル酸ポリマーや、各種ナイロ
ン、ポリアクリル、ポリカーボネート、各種ポリペプチ
ド等を利用することが可能である。以上述べた記録材料
はそれ自体で記録媒体として用いてもよいが、通常は適
当な基板上に記録層として堆積される。後者の場合、基
板の表面平滑性は記録層の表面平滑性に大きな影響を及
ぼすので、できるだけ平滑であることが望ましく、例え
ば、Ｓｉウエハ等の利用が好ましい。尚、本発明におい
ては、記録媒体は透明である必要はなく、不透明なもの
も全く問題なく利用可能である。例えば記録媒体を構成
する基板が金属電極を含むものとしてもよく、その場
合、探針のｚ方向変位量をレバーと係る金属電極との間
の静電容量の変化として検出することも可能となり、こ
の場合、システムから光学系を完全に取り除くことが可
能となる。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。 ［実施例１］図１は本発明の実施例１による記録再生装
置の構成を示す図である。図１において、１は記録再生
用プローブであり、弾性体であるレバー２とその一方の
端部に設けられた探針３とからなる。レバー２の探針３
が配置されている部分の裏面には該探針３を加熱するた
めのヒーター４が設けられている。係るヒーター４は、
ヒーター加熱用電源５と電気的に接続されている（詳し
くは後述する）。図１では、探針３のｚ方向位置を検出
するのに光梃子方式を用いている。即ち６は、レバー２
の先端部に１−１０μｍ径程度の光を照射するための光
源であり、通常半導体レーザ光源が用いられる。７は、
上記光源５から照射された光がレバー２上で反射された
後（反射光）の位置を検出する光位置検出器であり、通
常２分割もしくは４分割位置検出フォトダイオードが用
いられる。勿論、探針３のｚ方向位置を検出する方法
は、光梃子方式に限定されるものではなく、再現性よく
探針３のｚ方向位置を検出できる方法であれば何でもよ
く、例えば、ＳＴＭを用いる方式や光干渉方式などによ
っても構わない。８は、記録媒体であり、詳しくは後述
する。９は、記録媒体８を載せるためのステージであ
り、ＸＹＺ駆動機構１０によって、ｘｙｚ方向に自在に
移動させることが可能である。係るＸＹＺ駆動機構１０
は、ｘｙ方向位置制御回路１１とｚ方向位置制御回路１
２とに電気的に接続され、マイクロコンピュータ１３の
出す命令に従って位置制御される。マイクロコンピュー
タ１３は位置検出器７からの信号を取り込んでいるの
で、記録媒体８上の任意の位置（ｘ，ｙ）における探針
３のｚ方向位置を知ることができる。この関係、即ち記
録媒体８の表面状態（凹凸情報）はディスプレイ１４上
で見ることができる。またマイクロコンピュータ１３は
ヒーター加熱電源５を制御するのにも用いられ、任意の
位置（ｘ，ｙ）での加熱が可能である。図２は、本発明
の記録再生用プローブ１の詳細を示す図である。レバー
２はＳｉ3Ｎ4製であって厚さは０．６μｍである。その
先端には異方性エッチングによって形成されたＳｉ製の
ピラミッド状の探針が設置されている。係る探針３の設
置されているレバー２の一方の面とは反対の面上に、本
発明のヒーター４は設置されている。係るヒーター４は
Ｔａ2Ｎでできた発熱抵抗体４１、Ａｕ製の配線４２、
及びＳｉＯ2でできた抵抗体保護層４３とから構成され
ている。各層はＲＦスパッタ法によって堆積せしめ、そ
の膜厚は各々０．１μｍである。配線４２はヒーター加
熱用電源５に接続されている。抵抗体保護層４３は、特
に大気中において発熱抵抗体４１を繰り返し発熱させる
ことによって、その発熱特性が変成することを防ぐこと
を目的に導入されたものであるから、その必要がないと
きにはこれを省略しても構わない。尚、図１中、抵抗体
保護層４３はレバー２上の一部にのみ堆積されている
が、全面であってもよい。またこれとは逆に、レバー先
端部の一部の領域（発熱抵抗体４１が堆積されていない
部分）が抵抗体保護層４３によって被覆されていなくて
もよい。図３に本発明に用いられる記録媒体の一例を示
す。記録媒体８は、表面が清浄なＳｉ（１１１）基板８
２上に記録層８１として、ポリイソブチルメタクリレー
ト（以下ＰＩＢＭ）を５００オングストローム堆積した
ものを用いた。ＰＩＢＭの堆積はラングミュア・ブロジ
ェット法により、単分子膜を５０層累積した。係る記録
媒体８をＡＦＭを用いてその表面状態を調べた所、１０
μｍ長の走査に対してｚ方向の探針変動量は４０オング
ストローム以下であり（探針走査面に対する記録媒体表
面の傾きは別途補正した）、極めて平滑性に優れている
ことが確かめられた。上述したＡＦＭの技術を応用した
記録再生装置及びＰＩＢＭ記録媒体を用いて、記録／再
生の実験を行った。探針３を記録媒体８に近づけた後荷
重（１×１０-7Ｎ）、１０μｍ角の範囲をｘ方向につい
ては１０Ｈｚ、これに直交するｙ方向については０．０
０１Ｈｚの掃引周波数にて走査した。係る走査を行いな
がら、所望の探針位置（ｘ−ｙ方向）にてヒーター４に
書き込みパルス電圧（矩形波）を印加した。係る書き込
みパルスの波高値は５Ｖ、書き込みパルス幅は、５００
μｓｅｃとした。係る書き込みを行った後、記録層８１
表面を再度ＡＦＭ観察したところ、書き込みパルス印加
を行った位置において、ＰＩＢＭ記録層８１にｘ方向に
長軸を有する長円形の凹み８３（長さ０．１μｍ、幅
０．０２μｍ、深さ５００オングストローム）が生じて
いることが観察され、記録／再生が可能であることが確
かめられた。
る。 ［実施例１］図１は本発明の実施例１による記録再生装
置の構成を示す図である。図１において、１は記録再生
用プローブであり、弾性体であるレバー２とその一方の
端部に設けられた探針３とからなる。レバー２の探針３
が配置されている部分の裏面には該探針３を加熱するた
めのヒーター４が設けられている。係るヒーター４は、
ヒーター加熱用電源５と電気的に接続されている（詳し
くは後述する）。図１では、探針３のｚ方向位置を検出
するのに光梃子方式を用いている。即ち６は、レバー２
の先端部に１−１０μｍ径程度の光を照射するための光
源であり、通常半導体レーザ光源が用いられる。７は、
上記光源５から照射された光がレバー２上で反射された
後（反射光）の位置を検出する光位置検出器であり、通
常２分割もしくは４分割位置検出フォトダイオードが用
いられる。勿論、探針３のｚ方向位置を検出する方法
は、光梃子方式に限定されるものではなく、再現性よく
探針３のｚ方向位置を検出できる方法であれば何でもよ
く、例えば、ＳＴＭを用いる方式や光干渉方式などによ
っても構わない。８は、記録媒体であり、詳しくは後述
する。９は、記録媒体８を載せるためのステージであ
り、ＸＹＺ駆動機構１０によって、ｘｙｚ方向に自在に
移動させることが可能である。係るＸＹＺ駆動機構１０
は、ｘｙ方向位置制御回路１１とｚ方向位置制御回路１
２とに電気的に接続され、マイクロコンピュータ１３の
出す命令に従って位置制御される。マイクロコンピュー
タ１３は位置検出器７からの信号を取り込んでいるの
で、記録媒体８上の任意の位置（ｘ，ｙ）における探針
３のｚ方向位置を知ることができる。この関係、即ち記
録媒体８の表面状態（凹凸情報）はディスプレイ１４上
で見ることができる。またマイクロコンピュータ１３は
ヒーター加熱電源５を制御するのにも用いられ、任意の
位置（ｘ，ｙ）での加熱が可能である。図２は、本発明
の記録再生用プローブ１の詳細を示す図である。レバー
２はＳｉ3Ｎ4製であって厚さは０．６μｍである。その
先端には異方性エッチングによって形成されたＳｉ製の
ピラミッド状の探針が設置されている。係る探針３の設
置されているレバー２の一方の面とは反対の面上に、本
発明のヒーター４は設置されている。係るヒーター４は
Ｔａ2Ｎでできた発熱抵抗体４１、Ａｕ製の配線４２、
及びＳｉＯ2でできた抵抗体保護層４３とから構成され
ている。各層はＲＦスパッタ法によって堆積せしめ、そ
の膜厚は各々０．１μｍである。配線４２はヒーター加
熱用電源５に接続されている。抵抗体保護層４３は、特
に大気中において発熱抵抗体４１を繰り返し発熱させる
ことによって、その発熱特性が変成することを防ぐこと
を目的に導入されたものであるから、その必要がないと
きにはこれを省略しても構わない。尚、図１中、抵抗体
保護層４３はレバー２上の一部にのみ堆積されている
が、全面であってもよい。またこれとは逆に、レバー先
端部の一部の領域（発熱抵抗体４１が堆積されていない
部分）が抵抗体保護層４３によって被覆されていなくて
もよい。図３に本発明に用いられる記録媒体の一例を示
す。記録媒体８は、表面が清浄なＳｉ（１１１）基板８
２上に記録層８１として、ポリイソブチルメタクリレー
ト（以下ＰＩＢＭ）を５００オングストローム堆積した
ものを用いた。ＰＩＢＭの堆積はラングミュア・ブロジ
ェット法により、単分子膜を５０層累積した。係る記録
媒体８をＡＦＭを用いてその表面状態を調べた所、１０
μｍ長の走査に対してｚ方向の探針変動量は４０オング
ストローム以下であり（探針走査面に対する記録媒体表
面の傾きは別途補正した）、極めて平滑性に優れている
ことが確かめられた。上述したＡＦＭの技術を応用した
記録再生装置及びＰＩＢＭ記録媒体を用いて、記録／再
生の実験を行った。探針３を記録媒体８に近づけた後荷
重（１×１０-7Ｎ）、１０μｍ角の範囲をｘ方向につい
ては１０Ｈｚ、これに直交するｙ方向については０．０
０１Ｈｚの掃引周波数にて走査した。係る走査を行いな
がら、所望の探針位置（ｘ−ｙ方向）にてヒーター４に
書き込みパルス電圧（矩形波）を印加した。係る書き込
みパルスの波高値は５Ｖ、書き込みパルス幅は、５００
μｓｅｃとした。係る書き込みを行った後、記録層８１
表面を再度ＡＦＭ観察したところ、書き込みパルス印加
を行った位置において、ＰＩＢＭ記録層８１にｘ方向に
長軸を有する長円形の凹み８３（長さ０．１μｍ、幅
０．０２μｍ、深さ５００オングストローム）が生じて
いることが観察され、記録／再生が可能であることが確
かめられた。
【０００８】［実施例２］図４は本発明の実施例２にお
けプローブの構成を示す図である。実施例２のプローブ
は、発熱抵抗体４１、配線４２、抵抗保護層４３とで構
成された該探針３を加熱するためのヒーター４が、レバ
ー２の探針３が配置されている側に設けられている点を
除き、その基本的な構成は実施例１と同様に構成されて
いる。実施例２のプローブに交換した他は、実施例１と
全く同様の記録再生装置並びに記録媒体を用いて、その
記録再生の実験をつぎのように行った。探針３を記録媒
体８に近づけた後荷重（１×１０-7Ｎ）、１０μｍ角の
範囲をｘ方向については１０Ｈｚ、これに直交するｙ方
向については０．００１Ｈｚの掃引周波数にて走査し
た。係る走査を行いながら、所望の探針位置（ｘ−ｙ方
向）にてヒーター４に書き込みパルス電圧を印加した。
係る書き込みパルスの波高値は３．５Ｖ、書き込みパル
ス幅は、５００μｓｅｃとした。係る書き込みを行った
後、記録層８１表面を再度ＡＦＭ観察したところ、実施
例１と同様に、書き込みパルス印加を行った位置におい
て、ＰＩＢＭ記録層８１にｘ方向に長軸を有する長円形
の凹み８３（長さ０．１μｍ、幅０．０２μｍ、深さ５
００オングストローム）が生じていることが観察され、
記録／再生が可能であることが確かめられた。
けプローブの構成を示す図である。実施例２のプローブ
は、発熱抵抗体４１、配線４２、抵抗保護層４３とで構
成された該探針３を加熱するためのヒーター４が、レバ
ー２の探針３が配置されている側に設けられている点を
除き、その基本的な構成は実施例１と同様に構成されて
いる。実施例２のプローブに交換した他は、実施例１と
全く同様の記録再生装置並びに記録媒体を用いて、その
記録再生の実験をつぎのように行った。探針３を記録媒
体８に近づけた後荷重（１×１０-7Ｎ）、１０μｍ角の
範囲をｘ方向については１０Ｈｚ、これに直交するｙ方
向については０．００１Ｈｚの掃引周波数にて走査し
た。係る走査を行いながら、所望の探針位置（ｘ−ｙ方
向）にてヒーター４に書き込みパルス電圧を印加した。
係る書き込みパルスの波高値は３．５Ｖ、書き込みパル
ス幅は、５００μｓｅｃとした。係る書き込みを行った
後、記録層８１表面を再度ＡＦＭ観察したところ、実施
例１と同様に、書き込みパルス印加を行った位置におい
て、ＰＩＢＭ記録層８１にｘ方向に長軸を有する長円形
の凹み８３（長さ０．１μｍ、幅０．０２μｍ、深さ５
００オングストローム）が生じていることが観察され、
記録／再生が可能であることが確かめられた。
【０００９】［実施例３］実施例３においては、実施例
１に示したものと全く同様の記録再生装置並びに記録媒
体を用いて、連続記録再生の実験を行った。探針３を記
録媒体８に近づけた後荷重（ｌ×１０-7Ｎ）、１０μｍ
角の範囲をｘ方向については２００ｎｍ／ｍｓｅｃの速
度で走査させながら、図５に示す連続パルスを発熱抵抗
体４１に印加した。係る部位を再度走査させながら、記
録再生プローブのｚ方向移動量を検出したところ、図６
のような信号が得られ、連続的な情報の記録／再生が可
能であることが確かめられた。
１に示したものと全く同様の記録再生装置並びに記録媒
体を用いて、連続記録再生の実験を行った。探針３を記
録媒体８に近づけた後荷重（ｌ×１０-7Ｎ）、１０μｍ
角の範囲をｘ方向については２００ｎｍ／ｍｓｅｃの速
度で走査させながら、図５に示す連続パルスを発熱抵抗
体４１に印加した。係る部位を再度走査させながら、記
録再生プローブのｚ方向移動量を検出したところ、図６
のような信号が得られ、連続的な情報の記録／再生が可
能であることが確かめられた。
【００１０】［実施例４］実施例４においては、記録媒
体の記録層をＰＩＢＭからポリラクティック酸（ポリ乳
酸）ＬＢ膜（厚さ５００オングストローム）に変更した
他は、実施例１に示した記録再生装置並びに記録媒体を
用いて、記録再生の実験を行った。探針３を記録媒体８
に近づけた後荷重（ｌ×１０-7Ｎ）、１０μｍ角の範囲
をｘ方向については１０Ｈｚ、これに直交するｙ方向に
ついては０．００１Ｈｚの掃引周波数にて走査した。係
る走査を行いながら、所望の探針位置（ｘ−ｙ方向）に
てヒーター４に書き込みパルス電圧を印加した。係る書
き込みパルスの波高値は５．５Ｖ、書き込みパルス幅
は、５００μｓｅｃとした。係る書き込みを行った後、
記録層８１表面を再度ＡＦＭ観察したところ、実施例１
と同様に、書き込みパルス印加を行った位置において、
記録層８１にｘ方向に長軸を有する長円形の凹み８３
（長さ０．１μｍ，幅０．０３μｍ，深さ５００オング
ストローム）が生じていることが観察され、記録／再生
が可能であることが確かめられた。以上の実施例におい
て、記録再生用プローブの走査方向をｘ−ｙ方向（ラス
タスキャン）としたが、これに限定されることなく、回
転させる等、他の方法でもよい。また記録再生用プロー
ブの数は一個に限定されることなく、複数であってもよ
い。
体の記録層をＰＩＢＭからポリラクティック酸（ポリ乳
酸）ＬＢ膜（厚さ５００オングストローム）に変更した
他は、実施例１に示した記録再生装置並びに記録媒体を
用いて、記録再生の実験を行った。探針３を記録媒体８
に近づけた後荷重（ｌ×１０-7Ｎ）、１０μｍ角の範囲
をｘ方向については１０Ｈｚ、これに直交するｙ方向に
ついては０．００１Ｈｚの掃引周波数にて走査した。係
る走査を行いながら、所望の探針位置（ｘ−ｙ方向）に
てヒーター４に書き込みパルス電圧を印加した。係る書
き込みパルスの波高値は５．５Ｖ、書き込みパルス幅
は、５００μｓｅｃとした。係る書き込みを行った後、
記録層８１表面を再度ＡＦＭ観察したところ、実施例１
と同様に、書き込みパルス印加を行った位置において、
記録層８１にｘ方向に長軸を有する長円形の凹み８３
（長さ０．１μｍ，幅０．０３μｍ，深さ５００オング
ストローム）が生じていることが観察され、記録／再生
が可能であることが確かめられた。以上の実施例におい
て、記録再生用プローブの走査方向をｘ−ｙ方向（ラス
タスキャン）としたが、これに限定されることなく、回
転させる等、他の方法でもよい。また記録再生用プロー
ブの数は一個に限定されることなく、複数であってもよ
い。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、以上のように光学系によるこ
となく、探針の電気的加熱により記録ビツトの形成を行
うようにしたものであるから、従来のように装置構成が
複雑となることなく、また、複数の記録再生用プローブ
を用いる場合にも、これらを簡単にシステムに導入する
ことができる。さらに、ビツトの形成手段に光学系を必
要としないから、例えば、記録媒体の裏面からレーザー
光を照射する光学系手段の場合のように、記録媒体が透
明なものに限定されることはなく、不透明な記録媒体を
も用いることができる。
となく、探針の電気的加熱により記録ビツトの形成を行
うようにしたものであるから、従来のように装置構成が
複雑となることなく、また、複数の記録再生用プローブ
を用いる場合にも、これらを簡単にシステムに導入する
ことができる。さらに、ビツトの形成手段に光学系を必
要としないから、例えば、記録媒体の裏面からレーザー
光を照射する光学系手段の場合のように、記録媒体が透
明なものに限定されることはなく、不透明な記録媒体を
も用いることができる。
【図１】本発明の実施例１による記録再生装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】実施例１の記録再生用プローブの構成を示す図
である。
である。
【図３】本発明に用いられる記録媒体の一例を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明の実施例２におけるプローブの構成を示
す図である。
す図である。
【図５】記録用のパルス電圧の波形を示す図である。
【図６】記録再生プローブのｚ方向位置変動すなわち再
生信号を示す図である。
生信号を示す図である。
１ 記録再生用プローブ ２ レバー ３ 探針 ４ ヒーター ５ ヒーター加熱用電源 ６ 光源 ７ 光位置検出器 ８ 記録媒体 ９ ステージ １０ ＸＹＺ駆動機構 １１ ＸＹ方向位置制御回路 １２ Ｚ方向位置制御回路 １３ マイクロコンピュータ １４ ディスプレイ ４１ 発熱抵抗体 ４２ 配線 ４３ 表面保護層 ８１ 記録層 ８２ 基板 ８３ 凹み（記録部分）
Claims (8)
- 【請求項１】 プローブをこれに対向する記録媒体に対
して走査し情報の記録再生等を行う情報処理装置におい
て、局所的加熱により被加熱部が機械的変形を生じる記
録媒体と、前記プローブの探針部を加熱することができ
る電気ヒーターと、記録すべき情報信号にしたがって前
記電気ヒーターを駆動して前記プローブの探針部を加熱
し前記記録媒体表面上の任意の位置を局所的に形状変化
させて記録ビットを形成する電気ヒーター駆動手段とを
有する情報処理装置。 - 【請求項２】 前記プローブは、弾性体レバーとその先
端部に設けられた探針とによって構成されていることを
特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。 - 【請求項３】 前記電気ヒーター駆動手段は、前記局所
的な形状変化として凹形状の記録ビットを形成すること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の情報処理
装置。 - 【請求項４】 前記電気ヒーターが、前記プローブ上に
形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３の
いずれか１項に記載の情報記録再生装置。 - 【請求項５】 前記電気ヒーターが、発熱抵抗体である
ことを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。 - 【請求項６】 前記発熱抵抗体が、ニッケル・クロム合
金または窒化タンタル等のタンタル化合物または酸化錫
であることを特徴とする請求項５に記載の情報処理装
置。 - 【請求項７】 前記情報処理装置は、前記プローブにお
ける探針の前記記録媒体表面への接触圧力を変更するこ
とのできるプローブ垂直方向移動機構を備えていること
を特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載
の情報処理装置。 - 【請求項８】 前記情報処理装置は、前記記録媒体上を
前記プローブが走査する際に生ずる該プローブのレバー
部の弾性変形量を検出する弾性変形量検出手段と、該弾
性変形量検出手段から出力される弾性変形量検出信号か
ら情報が記録された前記記録媒体表面の前記局所的形状
変化を検知することによって情報の再生を行う手段とを
有することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか
１項に記載の情報処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14392295A JPH08315434A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14392295A JPH08315434A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08315434A true JPH08315434A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=15350225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14392295A Pending JPH08315434A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08315434A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999041741A1 (fr) * | 1998-02-10 | 1999-08-19 | Seiko Instruments Inc. | Appareil d'enregistrement de donnees |
| EP1026674A1 (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Near-field optical recording apparatus assistively heating recording medium |
| EP1213716A3 (en) * | 2000-12-01 | 2004-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for recording and reading data and method of recording and reading data using contact resistance measurement thereof |
| KR100644887B1 (ko) * | 2004-09-07 | 2006-11-15 | 엘지전자 주식회사 | 열 보조장치를 이용한 나노정보 저장장치 및 그 정보기록방법 |
| US8441895B2 (en) | 2009-11-20 | 2013-05-14 | Tdk Corporation | Thermally-assisted magnetic recording head with light detector in element-integration surface |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP14392295A patent/JPH08315434A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999041741A1 (fr) * | 1998-02-10 | 1999-08-19 | Seiko Instruments Inc. | Appareil d'enregistrement de donnees |
| EP1026674A1 (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Near-field optical recording apparatus assistively heating recording medium |
| EP1213716A3 (en) * | 2000-12-01 | 2004-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for recording and reading data and method of recording and reading data using contact resistance measurement thereof |
| KR100644887B1 (ko) * | 2004-09-07 | 2006-11-15 | 엘지전자 주식회사 | 열 보조장치를 이용한 나노정보 저장장치 및 그 정보기록방법 |
| US8441895B2 (en) | 2009-11-20 | 2013-05-14 | Tdk Corporation | Thermally-assisted magnetic recording head with light detector in element-integration surface |
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